公司主营业务与产品结构 - 公司以黑白液晶产品起家，现已延伸至彩屏、车载显示屏及复杂模组等产品，2025年上半年彩色液晶显示模组、单色液晶显示模组、显示屏、触摸屏及其他收入占比分别为64%、22%、11%、3% [1] - 公司业务覆盖智能家居、智能金融数据终端、通讯设备、工业控制及自动化、民生能源、健康医疗、车载电子、消费电子等多个领域，提供定制化服务 [1] - 公司客户基础广泛，包括显示面板厂商深天马、京东方，智能家居领域的海康威视、LG、Dakin，通讯领域的优博讯、亿联网络，以及汽车领域的比亚迪、东风、长安等 [1] 公司财务表现与增长动力 - 公司业绩增长稳健，近5年营收复合年均增长率约24%，归母净利润复合年均增长率约33% [2] - 公司产品单价从2021年的9.7元/个提升至2024年的14.6元/个，复合年均增长率为14% [2] - 公司未来增长将聚焦复杂模组与车载电子智能终端，复杂模组价值量是传统模组的数倍，有助于改善产品结构与提高客单价 [2] - 公司在智慧串口显示模组、LC可变光式防眩后视镜模组取得研发进展，并与头部车企客户形成配套合作 [2] 新业务布局：ASIC与存储市场 - 端侧AI发展推动推理需求快速增长，ASIC有望成为推理端芯片主流架构，全球ASIC设计市场尚在成长阶段，海外厂商如谷歌、英特尔、亚马逊及国内厂商华为、寒武纪、阿里等积极布局 [3] - AI大模型、数据中心、云存储建设驱动企业级SSD需求增长，据IDC预测，2029年全球及中国企业级SSD市场规模预计分别达396亿美元和91亿美元 [3] - PCM作为一种新型存储器，兼具非易失性、较快读写速度和适中成本，可填补DRAM和NAND之间的性能与成本差距，已有商业化案例如美光与Intel共研的傲腾产品 [3] 公司新业务战略与投资布局 - 公司通过武汉鼎典产业基金投资新存科技与天链芯，构建"芯片研发-模块制造-应用落地"的全链条布局，共同推进ASIC与企业级存储模组的产业闭环 [4] - 天链芯负责研发ASIC芯片（存算一体芯片）、企业级存储产品主控芯片及相关存储模组，公司合计间接持股45%，未来有望形成业务协同 [4] - 新存科技为长江存储孵化企业，负责PCM芯片的设计、研发与制造 [4] - 公司凭借在复杂模组控制板的研发和项目管理经验，负责制造生产企业级存储模组，帮助实现研发落地 [4]

新型嵌入式存储技术推动MCU行业变革 - 2025年头部MCU厂商(ST、恩智浦、瑞萨等)密集发布搭载PCM、MRAM等新型存储的汽车MCU产品，标志着技术格局从传统嵌入式Flash向多元化演进[1] - 新型存储技术已从尝试阶段跃升为战略布局，开始对MCU生态产生深远影响[1] 主要厂商技术路线与产品布局 ST的PCM技术 - 采用相变存储器(PCM)技术，基于锗锑碲合金的相变特性实现数据存储，具有低电压操作、高密度优势[5] - 2025年4月推出Stellar P/G系列MCU，搭载xMemory技术，采用FD-SOI工艺，面向软件定义汽车和电动化平台[6] - PCM技术可简化供应链，降低开发成本，加快产品上市速度[7][9] 恩智浦与瑞萨的MRAM方案 - 恩智浦2025年3月推出S32K5系列，采用16nm FinFET工艺，内置MRAM，写入速度比传统闪存快15倍以上[10] - 瑞萨2025年7月发布RA8P1系列，采用22nm工艺，配备1MB MRAM，支持AI语音和多模态输入[11][13] 台积电的存储技术布局 - 同时推进MRAM和RRAM技术路线，计划导入22nm至5nm节点[15] - RRAM已在40nm-22nm实现量产，12nm进入流片阶段；MRAM在22nm量产，16nm准备中[15][16] - 2025年在慕尼黑设立欧洲设计中心，重点研发汽车MRAM应用[16] 技术演进趋势 - MCU工艺从传统40nm向16nm/12nm等先进节点发展，集成度提升[2] - 新型存储解决传统Flash在密度、速度、功耗方面的瓶颈，适应软件定义汽车需求[3] - 存储计算一体化趋势明显，MRAM/PCM可减少数据搬运，提升AI推理等场景效率[19][21] 行业影响与展望 - MCU正从"控制器件"向"汽车大脑/边缘算力中枢"转型[2][23] - 存储技术成为MCU架构变革的核心驱动力，推动产业从"可用"向"可扩展"演进[23] - 技术升级涉及全产业链协同，目前由国际头部厂商主导[23]

家电彩涂板行业概述 - 家电彩涂板是以金属卷材为基材，表面涂装或贴合有机涂料/塑料薄膜制成的预涂产品，兼具钢板强度与漆膜耐腐蚀性、柔韧性 [1] - 行业起源于20世纪60年代，70年代因金属涂层技术进步开始应用于冰箱、洗衣机外壳，80-90年代进入快速发展期，涂层材料从聚酯/氟碳扩展至多层复合 [3] - 当前广泛应用于冰箱、洗衣机、空调等家电外壳，技术方向聚焦耐用性、环保性及生产效率提升，VCM/PCM创新推动外观设计多元化 [4] 全球市场规模与格局 - 2024年全球家电彩涂板市场规模达2898百万美元，预计2031年达5088百万美元，CAGR为7.68% [7] - 中国市场2024年占比61.62%（1786百万美元），2031年预计占比67.42%（3430百万美元） [7] - 产品应用集中于冰箱（51.46%）和洗衣机（23.83%），小家电领域（微波炉、热水器等）为新兴增长点 [7] - 亚太为全球最大生产市场（中国占63.1%），行业集中度高（全球CR5近42%），中国集中度更显著 [8] 行业发展驱动因素 - 消费升级推动家电从"实用型"转向"美观型/智能型"，高端彩涂板（哑光、金属拉丝等）需求增长 [9] - 环保法规加码促使企业采用水性涂料、无铬钝化工艺，满足RoHS/REACH等国际认证要求 [9] - 功能性涂层技术（抗油污、自清洁、抗菌等）成为新标准，PVDF/纳米涂层技术提升产品附加值 [9] - 供应链向"定制化+快速交付"转型，区域性加工配送中心兴起以增强客户响应能力 [9] - 中国家电出口扩张带动彩涂板国际化布局，"一带一路"沿线及东南亚市场潜力显著 [9] 主要厂商与产品分类 - 全球主要厂商包括青岛河钢新材料、江苏立霸实业、禾盛新型材料等，中国厂商占据主导 [13][14] - 产品类型分为PCM和VCM两大类，应用覆盖冰箱、洗衣机、空调、电视机等家电品类 [14] - 重点市场包括中国、北美、欧洲、日本及东南亚地区 [14] 行业挑战 - 原材料（冷轧钢板、镀锌板等）成本占比超70%，价格波动对毛利率构成压力 [11] - 环保合规成本上升，中小企业面临设施升级与限产风险 [11] - 下游家电厂商（如海尔、美的）议价能力强，行业易陷入价格战 [11] - 技术迭代压力大，同质化竞争可能削弱企业长期竞争力 [11]

半导体行业趋势 - 传统制程微缩红利收窄，行业转向多元化创新路径，特色工艺成为关键差异化竞争力量 [1] - 特色工艺通过定制化制程优化实现性能/功耗/成本平衡，在汽车电子/工业控制/物联网等领域展现不可替代优势 [1] - 全球特色工艺市场规模已突破500亿美元，年复合增长率达15%，远超行业平均增速 [1] 台积电特色工艺布局 - 构建"技术广度+生态深度"特色工艺标杆，覆盖RRAM/MRAM/车规级工艺/功率器件/射频工艺等多领域 [2] - 汽车电子领域提供N7A/N5A/N3A逻辑技术及40-90V BCD-Power工艺，支持ADAS/自动驾驶高可靠性需求 [4] - 超低功耗领域推出N4e工艺结合eNVM，ULP技术实现可穿戴设备低电压解决方案 [4] - 射频技术通过先进RF CMOS提升功耗/面积扩展能力，增强LDMOS/低噪声器件等特性 [4] - 显示驱动领域16HV FinFET平台较28HV降低功耗28%，逻辑密度提升40% [4] - CIS领域LOFIC技术实现120dB无LED闪烁动态范围，支持ADAS高帧率成像 [5] eNVM技术突破 - 台积电通过RRAM/MRAM突破传统eFlash 28nm扩展极限，22nm RRAM已通过车规认证，12nm即将量产 [6] - MRAM在22nm量产基础上开发16/12nm版本，未来将扩展至5nm节点 [7] - RRAM/MRAM可与N3A/BCD-Power等工艺协同，形成汽车芯片存储+逻辑整合解决方案 [7] - 相比三星28nm MRAM未规模商用、英特尔良率待提升，台积电eNVM技术已实现商业化落地 [8] MCU存储技术变革 - eFlash在28nm以下面临9-12层掩模成本压力及可靠性挑战，成为MCU制程升级瓶颈 [11][13] - 行业转向eRRAM/eMRAM/ePCM/eFeRAM等新型存储，满足汽车/AoT/工业领域高性能低功耗需求 [16] - 全球eNVM晶圆产量预计从2023年3KWPM增至2029年110KWPM（CAGR 80%），市场规模达26亿美元 [29] 厂商技术路线分化 - 英飞凌采用台积电28nm eRRAM技术，下一代AURIX MCU写入速度提升15倍，成本显著降低 [19][20] - 恩智浦16nm eMRAM方案实现百万次更新周期，S32K5 MCU写入速度较闪存快15倍 [21] - 瑞萨22nm STT-MRAM测试芯片实现200MHz读取频率，10.4MB/s写入吞吐量 [23] - 意法半导体28nm ePCM支持单比特覆写功能，18nm FD-SOI工艺计划2025年量产 [26] - 德州仪器聚焦FRAM技术，突出高可靠性及抗辐射特性 [28] 未来技术演进 - 分层存储架构可能采用"eMRAM缓存+eRRAM程序存储+外置NOR Flash"组合模式 [33] - 台积电计划12nm节点实现MRAM+RRAM混合存储，单芯片密度提升30% [33] - 16nm FinFET与新型存储协同可使MCU性能提升40%，功耗降低50% [33] - 3D eMRAM MCU通过TSV堆叠22nm存储层与12nm计算层，实现100MB存储+200MHz CPU集成 [33]