报告投资评级 - 行业投资评级：看好，维持 [14] 报告核心观点 - 碳化硅产业正经历“新旧动能切换”与“供给格局重塑”的双重跃迁，行业迎来历史性拐点 [5] - 需求侧：应用场景从新能源汽车、光伏等传统领域加速向AI芯片散热延伸，形成“算力新需求高增”与“新能源基本盘稳健”的双轮驱动格局 [5][13] - 供给侧：国内企业率先突破12英寸衬底全品类研发并推进中试量产，而海外龙头Wolfspeed因持续巨额亏损进入破产重组，全球供应链主导权加速向中国转移 [5][13] - 国内具备技术、产能和客户优势的衬底龙头企业，有望充分攫取“算力β（行业增长）+国产α（份额提升）”双重红利，推动碳化硅从材料供应商跃升为算力基础设施核心赋能者，开启量价齐升的进击式成长新周期 [5][13] AI算力需求爆发与散热瓶颈 - **算力需求爆发式增长**：AI模型参数呈指数级扩张，训练所需数据量已突破TB级并向PB级迈进，催生对高性能计算硬件的刚性需求 [26][27] - **算力需求长期空间巨大**：华为预测到2035年全社会算力需求将提升10万倍，中国智能算力规模预计在2023-2028年间以46.2%的年复合增长率扩张，2028年将达到2781.9 EFLOPS [27][32] - **芯片性能提升面临三重瓶颈**： - **经济性**：先进制程成本攀升，5nm节点芯片设计成本高达5.42亿美元，晶圆价格突破1.2万美元/片 [40][41] - **技术性**：晶体管微缩逼近物理极限，量子隧穿与漏电效应凸显，登纳德缩放定律失效 [40][45] - **性能增益**：单线程性能增长自2010年后基本持平，依赖多核堆叠 [46][48] - **先进封装成为关键路径**：以Chiplet、2.5D/3D封装（如台积电CoWoS）为代表的系统级集成技术，成为突破算力瓶颈的核心，但同时也带来了新的“功耗墙”挑战 [50][51][63] - **“功耗墙”成为核心瓶颈**：AI芯片功耗急剧上升，英伟达H100 TDP达700W，Blackwell架构B200达1000-1200W，预计2027年Rubin架构将逼近2000W，局部热流密度剧增严重制约性能释放与长期稳定性 [63][64][66] 碳化硅作为散热材料的优势 - **材料性能卓越**：碳化硅热导率达4.9 W/cm·K，约为硅材料（1.5 W/cm·K）的3倍，同时具备低热膨胀系数、高杨氏模量和良好的化学稳定性，兼具卓越导热性与结构稳定性 [12][97][99] - **加工与产业化优势明显**： - **对比金刚石**：规避了金刚石生长速度慢（每小时仅1–2微米）、加工成本高、掺杂工艺难等产业化障碍 [12][84] - **工艺兼容性好**：依托6-8英寸晶圆成熟产线，技术迁移风险低，产业化路径清晰且具备规模化落地基础 [12] - **通孔加工能力优异**：激光辅助通孔技术可精准构建高纵横比三维热通道，优化热流路径 [12][100] - **结构稳定性更优**：应力测试证实，碳化硅在径向应力与轴向应变控制上全面优于硅基方案，有利于减少封装翘曲、维持散热效率、保障互连结构稳定性 [12][106][108] 碳化硅市场需求与成长动力 - **新旧动能切换，市场进击再成长**：行业从新能源驱动转向“新能源+算力”双轮驱动，进入长期高增长通道 [112][138] - **AI散热催生全新增量市场**： - **潜在空间巨大**：台积电CoWoS产能预计2026年达100万片/月，若30%采用碳化硅中介层方案，潜在市场规模超9亿美元；若全面替代，空间可达30亿美元以上 [13][124][130] - **需求具备长期高增特征**：受大模型迭代、生成式AI普及驱动，AI算力需求仍处指数级上升通道，形成“算力→功耗→散热→材料”的正向循环 [124][131] - **传统下游市场稳健增长**： - **半绝缘型衬底（射频）**：全球半绝缘型碳化硅基射频器件市场规模预计从2024年的11.2亿美元增长至2030年的32亿美元，五年复合增长率19.2% [112] - **导电型衬底（功率）**：在新能源汽车、光伏、工业等领域渗透率持续提升，是碳化硅的基本盘 [114] - **整体衬底市场高速扩张**：全球碳化硅衬底市场规模（按销售收入）预计从2020年的30亿元人民币增长至2030年的585亿元人民币，年复合增长率达37.1% [133] 供给格局重塑与国产机遇 - **国内技术实现重大突破**：国内头部企业已率先突破12英寸碳化硅衬底全品类（半绝缘型、N型、P型）研发，并推进中试验证与量产准备 [5][138][139] - **国内产能加速落地**：天岳先进、晶盛机电、三安光电等企业已公布明确的产能规划，部分企业规划年产能达数十万片级别 [139][140] - **海外龙头陷入困境**：全球碳化硅龙头Wolfspeed因持续巨额亏损，2025年已启动破产重组程序，其2025年净利润为-18.00亿美元 [142][146] - **全球供应链主导权向中国转移**：在海外龙头经营承压的背景下，国内企业凭借技术突破、成本优势和产能布局，有望在新一轮需求周期中抢占更大市场份额，充分受益于国产替代机遇 [5][13][142] - **建议关注龙头公司**：报告建议重点关注天岳先进（衬底龙头，率先研发12英寸产品）和三安光电（垂直整合平台，产能规模大）等在材料端与系统端具备核心竞争力的企业 [148]

公司与韩国EYEQ Lab的战略合作 - 公司与韩国领先的SiC功率半导体企业EYEQ Lab Inc.签订为期三年的战略合作协议，公司向EYEQ Lab供应规格覆盖6至8英寸、650V至20,000V的高质量SiC外延片，EYEQ Lab则在同等条件下优先采购 [1] - 此次合作标志着公司从主要服务国内市场的本土企业，向获得国际产业认可、深度嵌入全球高端供应链的关键参与者跃迁 [1] - 合作将实现优势互补，结合公司的外延片生产实力与EYEQ Lab的功率器件设计制造能力，形成“材料端产能增量+器件端供应稳定”的双向共赢 [3] 合作方EYEQ Lab的背景与实力 - EYEQ Lab是韩国领先的第三代半导体SiC功率半导体专业企业，专注于SiC功率器件及功率模块的设计、研发、制造与应用解决方案，具备从器件设计到封装测试的完整技术能力 [2] - EYEQ Lab在高压、高频、高效率SiC功率半导体领域拥有多项核心技术及量产经验，是SiC产业链中游器件端的优质企业 [2] - EYEQ Lab曾获得三星子公司Patron+的投资，投资额达25亿韩元，其技术实力和发展潜力已获全球半导体巨头看好 [2] 对公司技术实力与产品线的验证 - 合作直接验证了公司的技术硬实力，证明其产品技术、性能、质量已达到国际领先器件企业的量产标准 [3] - 公司是国内少数已实现8英寸碳化硅外延片量产的企业，8英寸产品正加速成为新的增长引擎 [3] - EYEQ Lab对公司8英寸高端外延片供应能力的量产级认可，填补了国产高端产品的国际量产验证空白，有望成为国产SiC材料国际化的重要里程碑 [4] 对公司产能与业务发展的影响 - 为期三年、后期可续的优先采购协议，为公司提供了长期稳定的订单保障，解决了SiC外延片行业“产能扩张易、消化难”的核心问题，尤其保障了高毛利的8英寸外延片的产能利用率 [4] - 海外订单的落地，为公司位于东莞松山湖生态园的新基地（2025年12月通线）的高端产能消化提供了提前布局的机遇，有助于实现“产能扩张—订单落地—盈利提升”的正向循环 [3][4] - 未来两年，生态园新基地将重点布局8英寸产线，为全球高端客户提供更高性能、更高一致性的产品支撑 [3] 行业背景与战略意义 - 碳化硅材料广泛应用于新能源汽车、光伏发电、轨道交通等领域，是发展新质生产力的重要基础材料 [4] - 广东省“十四五”规划明确提出要重点发展碳化硅等第三代半导体产业 [4] - 公司产能的提升将有效缓解全球市场的原材料供给压力，助力我国在关键材料领域实现自主可控 [5] 市场与资本市场的反馈及长期展望 - 公告发布当日，公司股价表现强势，收报48.9港元，逆势收涨4.09% [5] - 长期来看，合作将令市场看到公司在全球碳化硅供应链中的份额提升潜力，其估值逻辑有望从对标国内政策红利，切换为对标全球碳化硅市场的成长空间与作为国际供应商的稀缺性价值 [6] - 这种叙事逻辑的升级，将吸引更多关注全球科技产业链的长线资金，提升公司在港股科技板块中的辨识度与流动性 [6]

项目投资规模大幅下调 - 公司拟将“第三代功率半导体（碳化硅）产业园项目”的募集资金计划投资总额从19.4亿元大幅下调至9.9亿元，削减幅度接近一半[1] - 项目总投资金额由21亿元调整为11.50亿元[3] - 由此节余的9.5亿元募集资金将用于永久补充公司流动资金[2][3] 项目调整原因分析 - 行业竞争格局变化：6英寸导电型碳化硅衬底市场竞争日趋激烈，全球厂商产能扩张速度加快，导致6英寸产品产能快速释放[3] - 下游需求放缓：自2024年以来，受宏观经济环境、欧美新能源政策调整等因素影响，全球新能源汽车市场增速放缓，下游汽车厂商需求疲软并持续压价[4] - 其他应用领域如光伏逆变、轨道交通需求增长，但短期内难以消化庞大的衬底产能[4] - 8英寸等更大尺寸碳化硅衬底片陆续面世，对6英寸产品形成技术和市场冲击[4] - 公司判断继续按原计划大规模投入将大幅增加固定成本和经营风险，调整后产能预计已能满足现阶段发展需求[4] 项目历史进展与产出远低预期 - 截至2025年11月30日，该项目募集资金累计投入金额仅为1.27亿元，占原计划19.4亿元的比例仅为6.5%[5] - 碳化硅业务在2022年全年营业收入仅为62.57万元，2023年第一季度收入为222.12万元[5] - 公司曾规划到2022年6月将碳化硅衬底片年产能扩大到10万片，预计年底达到每月5000片产量，项目完全达产后预计年销售收入达12.74亿元[5] - 按曾测算的单片价格约5300元计算，公司2022年全年大约仅销售118片衬底，平均每月不足10片[6] - 公司曾解释产能与产出差距大的原因为部分进口设备和耗材无法及时到位，以及因价格波动暂未充分释放设计产能[6] 项目历史监管关注 - 2023年8月，深交所向公司发出监管函，指出其在信息披露方面存在违规行为[5] - 深交所在对公司2022年年报的问询函中，已要求其详细说明碳化硅业务的实际开展情况[5]

公司技术突破 - 厦门火炬高新区企业瀚天天成成功开发出全球首款12英寸（300mm）高质量碳化硅外延晶圆 [2] - 相较于主流的6英寸（150mm）晶圆，12英寸晶圆单片可承载的芯片数量提升至4.4倍，相较于8英寸（200mm）晶圆提升至2.3倍 [2] - 产品关键性能指标优异：外延层厚度不均匀性控制在3%以内，掺杂浓度不均匀性≤8%，2mm×2mm芯片良率大于96% [2] 产业影响与公司进展 - 该技术突破能显著提高下游功率器件的生产效率，并将大幅降低碳化硅芯片的单位制造成本 [2] - 此项突破为碳化硅产业规模化、低成本应用奠定了关键基础 [2] - 公司已启动12英寸碳化硅外延晶圆的批量供应筹备工作 [2]

中国稀土出口管制措施 - 商务部与海关总署联合发布公告，对部分稀土设备和原辅料相关物项、部分中重稀土相关物项实施出口管制，管制范围首次覆盖境外再出口和稀土相关技术，形成全产业链闭环管控[2][3] - 第57号公告针对五种中重稀土元素（钬、铒、铥、铕、镱）及其金属、合金、靶材、晶体材料、永磁材料、发光材料等制品进行管制，境外产品若含中国稀土物项价值占比超过0.1%即需纳入管控[3] - 管制首次将稀土开采、冶炼分离、金属冶炼、磁材制造及二次资源回收利用五大关键技术纳入实质性许可管理阶段，防止技术外流[3] 美国关税与软件管制反制 - 美国总统特朗普宣布自11月1日起对中国进口商品在现有关税基础上额外加征100%关税，并对所有关键软件实施出口管制[2][4] - 美国关键软件出口管制将冲击全球产业链，中国企业获取先进软件渠道收窄，短期面临风险，长期倒逼本土软件自主研发，美国软件企业则可能因失去中国市场蒙受营收损失[4][5] 稀土管制对全球供应链的影响 - 出口管制将对美国稀土磁体行业造成严重打击，美国唯一的稀土磁体制造商Noveon Magnetics仍依赖中国原材料[4] - 稀土材料广泛用于消费电子产品的声学元件、电机和电池，苹果、谷歌和微软的供应商称寻找非中国产稀土磁铁替代品的验证过程很长，预计新限制将造成更多不便并扰乱供应链[4] 中国EDA行业整合与发展 - 概伦电子以现金加股权方式完成对思尔芯的100%收购，增强了数字电路设计和验证后端能力，补齐产品线短板，有助于RISC-V芯片高效迭代[6] - 芯愿景收购一家海外EDA公司的特定点工具资产组合，意在补充芯片分析服务所需的核心EDA技术栈，提升技术壁垒与自动化能力[7] - 华大九天虽终止收购芯和半导体控股权，但上市后已收购芯达芯片科技，投资上海阿卡思电子技术有限公司等多家企业，并设立产业基金持续推进布局[7] 碳化硅半导体产业进展 - 天岳先进推出业内首款12英寸碳化硅衬底，采用液相法制备无宏观缺陷的8英寸碳化硅衬底，并交付高质量低阻P型碳化硅衬底[8] - 三安光电完成650V-2000V全系列SiC MOSFET产品布局，8英寸碳化硅衬底与外延实现小规模量产，与意法半导体合资的重庆8英寸碳化硅项目已于2025年2月实现通线，芯片产品已交付验证[8] - 斯达半导6英寸SiC芯片产线良率达国际领先水平，推出覆盖750V至1500V多个电压等级的第二代SiC MOSFET芯片，并开发适用于光储行业的1400V芯片平台[9] - 士兰微电子完成第Ⅳ代SiC芯片研发并送样评测，6英寸SiC-MOSFET芯片生产线已形成月产10,000片能力，芯联集成国内首条8英寸SiC产线实现批量量产，掌握650V到3300V系列全面SiC工艺平台[9]

半导体衬底材料布局 - 拥有碳化硅衬底材料、蓝宝石衬底材料及培育金刚石的规模化产能 [2] - 蓝宝石材料实现技术和规模双领先 [2] - 8英寸碳化硅衬底技术和规模处于国内前列 [2] - 突破12英寸碳化硅晶体生长技术 [2] - 实现6-8英寸碳化硅衬底规模化量产与销售 [3] - 量产的碳化硅衬底核心参数指标达到行业一流水平 [3] - 掌握8英寸光学级碳化硅晶体的稳定工艺 [3] - 积极推进12英寸光学级碳化硅衬底材料产业化 [3] 碳化硅衬底产能布局 - 上虞布局年产30万片碳化硅衬底项目 [4] - 马来西亚槟城投建8英寸碳化硅衬底产业化项目 [4] - 银川投建年产60万片8英寸碳化硅衬底片配套晶体项目 [4] 碳化硅应用前景 - 导电型碳化硅材料适用于新能源汽车电驱系统、高压充电设施、储能及轨道交通等高压大功率场景 [2] - 半绝缘型碳化硅成为5G/6G基站射频前端器件的核心衬底材料 [2] - 具备优异的光学和热学特性，在AR眼镜、散热等终端应用领域有不可替代优势 [2] - 8英寸碳化硅衬底在利用效率、缺陷控制及规模化降本方面优势显著 [5] - 碳化硅产业市场空间将持续扩大 [5] 半导体设备板块布局 - 实现8-12英寸大硅片设备的国产化 [6] - 延伸拓展至芯片制造和先进封装领域 [6] - 聚焦第三代半导体碳化硅装备研发 [6] - 在晶体生长、加工、外延等环节成功突破多项核心技术 [6] - 实现硅片、电池片及组件环节核心设备的产业链闭环 [6] - 是技术、规模双领先的光伏设备供应商 [6] 碳化硅设备板块进展 - 开发碳化硅长晶及加工设备（研磨、切割、减薄、倒角、抛光、清洗及检测） [6] - 6-8英寸碳化硅外延设备实现国产替代并市占率领先 [6] - 碳化硅设备客户包括瀚天天成、东莞天域、芯联集成、士兰微等行业头部企业 [6] - 在检测、离子注入、激活、氧化、减薄、退火等工艺环节积极布局产品体系 [6] 半导体装备订单情况 - 截至2025年6月30日，未完成集成电路及化合物半导体装备合同超37亿元（含税） [6]

氮化镓(GaN)产业 - 英诺赛科、能华半导体、致能半导体、京东方、华灿光电、镓奥科技、鸿成半导体、中科无线半导体等公司确认参编《2024-2025氮化镓产业调研白皮书》[1] 碳化硅(SiC)产业进展 重投天科 - 6-8英寸碳化硅衬底和外延已推向市场 [2] - 仅用19个月实现产线投产，突破缺陷抑制、快速生长和籽晶处理等关键技术 [2] - 与鹏进高科技等合作攻关8英寸外延片的功率器件工艺开发 [2] - 技术来源于中国科学院物理研究所，股东包括北京天科合达和深重投集团 [2] 合盛硅业 - 8英寸碳化硅衬底开始小批量生产，将加速量产进程 [3][4] - 6英寸碳化硅衬底全面量产，晶体良率达95%以上，外延良率稳定在98%以上 [3] - 掌握全产业链核心工艺技术，突破关键材料和装备技术壁垒，良率国内领先 [5] 超芯星 - 开启8英寸碳化硅衬底量产，推动大规模量产 [4][6] - 突破低应力晶体生长、低缺陷晶体生长及低损耗晶片加工技术 [6] - 覆盖全产业链，2023年与下游客户签订8英寸碳化硅深度战略合作协议 [6] 行业动态 - 12英寸碳化硅加速布局，今年已有13家企业加快布局 [9] - 特斯拉专家希望车规级氮化镓供应商更丰富 [9]