市场整体表现 - A股三大指数开盘涨跌不一 [1] - 港股恒生指数和恒生科技指数低开 恒生科技指数随后转涨 [4] 板块表现分化 - CPO概念、通信设备、电子元器件板块表现活跃 [2] - 多元金融、餐饮旅游板块跌幅居前 [2] - 多只高位股出现回调 上海建工跌停 首开股份跌超5% 万向钱潮、豪恩汽电等走低 [3] 港股个股异动 - 京东集团涨近2% 中芯国际涨超1% 阿里巴巴跌近1% [4] - 劲方医药-B上市首日高开 盘中一度涨近120% [5] 碳化硅概念走强 - 天富能源涨停 天通股份触及涨停 东尼电子、晶升股份、天岳先进、晶盛机电等跟涨 [6] - 华为公布两项碳化硅散热专利 涉及电子元器件散热和封装芯片应用 [6] 存储芯片板块拉升 - 德明利一度涨超9% 江波龙、普冉股份、力源信息跟涨 [7] - 美股存储公司美光科技、闪迪、西部数据均创新高 [7] - AI算力需求增长推动全球DRAM市场规模持续扩张 [7] 军工装备板块异动 - 航亚科技涨近8% 中航成飞、北方长龙、天秦装备、航宇科技、内蒙一机等跟涨 [8] 天普股份异常波动 - 走出13连一字板 报91.96元/股 [9] - 上交所对异常交易行为采取暂停账户交易等监管措施 [9] - 公司控制权拟变更 中昊芯英等合计出资超21亿元取得50.01%股权 [9] - 收购方暂无改变主营业务计划 交易尚存在审批不确定性 [9] 数字经济ETF表现 - 产品代码560800 跟踪中证数字经济主题指数 [12][13] - 近五日上涨4.70% 市盈率75.86倍 [13] - 最新份额7.0亿份 减少1200.0万份 主力资金净流入287.7万元 [13] - 估值分位达98.47% [14]

股价表现 - 天岳先进股价上涨8.05%至65.8港元 成交额达1.15亿港元 [1] 行业技术动态 - 华为公布两项碳化硅散热专利 分别应用于电子元器件散热封装芯片和电路板领域 [1] - 英伟达新一代Rubin处理器将CoWoS先进封装中间基板材料从硅更换为碳化硅 预计2027年开始大规模采用 [1] 公司业务布局 - 天岳先进广泛布局光波导 TF-SAW滤波器 散热部件等新兴领域的碳化硅产品及技术 [1] - 公司供应应用于功率器件 射频器件的碳化硅衬底材料 [1] 行业前景 - 碳化硅导热性能优异 有望在中介层 散热基板等环节应用 [1] - 碳化硅衬底行业领军者天岳先进等厂商有望受益 [1]

碳化硅散热技术突破 - 华为公布两项碳化硅散热专利 涉及导热组合物和导热吸波组合物 应用于电子元器件散热及芯片封装领域[2] - 英伟达计划在2027年新一代Rubin处理器中将CoWoS封装基板材料从硅替换为碳化硅 以提升散热性能[6] 碳化硅材料性能优势 - 碳化硅热导率达500W/mK 显著高于硅材料（150W/mK）和陶瓷基板（200-230W/mK）[7] - 热膨胀系数与芯片材料高度契合 兼具高效散热和封装稳定性优势[7] - 采用碳化硅中介层可使GPU结温降低20-30℃ 散热成本降低30% 防止过热降频[8] AI芯片散热需求驱动 - 英伟达GPU功率从H200的700W提升至B300的1400W Rubin系列多芯片产品功率接近2000W[7] - CoWoS封装技术实现多芯片高密度集成 对散热提出更高要求[7] - 碳化硅中介层可缩小散热片尺寸 优化整体封装结构[7] 市场规模测算 - 东吴证券测算显示 160万张H100若替换碳化硅中介层 将产生76190张衬底需求[9] - 12英寸碳化硅晶圆可生产21个3倍光罩尺寸（2500mm²）中介层[9] 产业链公司动态 - 露笑科技专注6英寸导电型碳化硅衬底片生产[14] - 天岳先进布局光波导、TF-SAW滤波器及散热部件用碳化硅产品[11] - 三安光电热沉散热用碳化硅材料处于送样阶段[11] - 晶盛机电实现12英寸导电型碳化硅单晶生长技术突破[12] - 时代电气具备年产2.5万片6英寸碳化硅芯片产能[13] - 通富微电完成碳化硅模块自动化产线研发并实现量产[14] 资本市场表现 - 9月以来露笑科技上涨32.33% 天岳先进上涨31.63% 晶盛机电上涨25.36% 天通股份上涨21.79%[15] - 融资资金加仓通富微电7.01亿元 露笑科技4.16亿元 天岳先进3.84亿元[14][15] - 晶盛机电、时代电气、瑞纳智能年内均获得6次投资者调研[11][15]

碳化硅材料优势与应用前景 - 碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料，具有耐高温、耐高压和高频特性，性能显著优于传统硅基器件，已广泛应用于新能源汽车、光伏储能和5G通信等领域 [1] - 随着AI算力指数级增长，碳化硅成为破解高功耗芯片散热难题的核心材料，支撑数据中心能效升级，产业链上游及技术领先企业将长期受益 [1] AI算力爆发与散热解决方案 - AI芯片功耗持续突破上限：英伟达H100 GPU功耗达700W，下一代Rubin处理器预计突破1000W [2] - 传统硅中介层热导率仅150W/mK，热膨胀系数4.2ppm/℃，导致散热效率低下，引发芯片性能降频和可靠性下降 [2] - 碳化硅热导率达490W/mK（为硅的3倍以上），热膨胀系数4.3ppm/℃，与芯片材料高度契合，保障封装稳定性 [4] - 采用SiC中介层后，H100芯片工作温度从95℃降至75℃，散热成本降低30%，芯片寿命延长2倍，互连距离缩短50%，数据传输速度提升20% [4] 技术发展时间线 - 2025-2026年第一代Rubin GPU仍沿用硅中介层，台积电同步推进SiC封装工艺研发 [6] - 2027年起SiC中介层正式导入CoWoS封装，初期产能预计满足10%的高端GPU需求 [6] 数据中心能源体系升级 - AI服务器电力消耗将增长近100倍，传统54V供电架构无法支撑G瓦级AI算力负载 [7] - 英伟达计划2027年全面量产800V高压直流数据中心架构，采用SiC器件后铜材使用量减少45% [7] - 每10MW规模数据中心年均节电120万度，电费节省超10万美元，显著提升能源利用效率 [7] 碳化硅在数据中心的具体应用 - 服务器电源采用碳化硅MOSFET和二极管，使数据中心功耗降低20%以上 [8] - 不间断电源采用碳化硅器件支持更高功率密度和转换效率，提高AI服务器稳定性 [8] - 高压直流供电采用碳化硅功率器件支持400V-1000V电压，减少转换损耗 [8] - GPU/TPU电源管理采用碳化硅功率器件降低开关损耗，减少热量积累，提高计算性能 [8] - 电压调节模块采用碳化硅MOSFET提高功率转换效率，使AI推理和训练更稳定 [8] - 液冷/风冷系统采用碳化硅器件优化冷却系统能耗 [8] - 储能系统采用碳化硅器件提升BMS和PCS电能管理效率 [8] - 边缘计算设备采用碳化硅电源模块提高功率密度和能效 [8] - 5G基站供电采用碳化硅功率半导体优化AI推理计算能力 [8] - 超级计算机采用碳化硅器件降低开关损耗，提高整体能效 [8] 碳化硅产业链价值分布 - 上游材料环节技术壁垒最高，衬底占器件总成本47%，外延片占比23% [11] 国内碳化硅衬底技术发展 - 国内碳化硅衬底市场正经历6英寸主导→8英寸替代→12英寸探索的技术跃迁 [12] - 6英寸衬底2024年占衬底总出货量70%以上，价格从2022年5000元/片降至2024年2500-2800元/片 [12] - 8英寸衬底国内70%以上车规级MOSFET采用该规格，2024年车规领域需求占8英寸衬底应用60% [12] - 12英寸衬底可适配AI数据中心与新能源汽车下一代平台，比亚迪规划2028年推出基于12英寸衬底的SiC-IGBT模块，目标实现续航提升10%、充电速度加快20% [12] 天岳先进竞争力分析 - 天岳先进国内市占率超50%（稳居第一），全球市占率22.8%（位列第二） [12] - 导电型衬底国内市占率超60%，8英寸及以上产品占主导地位，上海临港基地2024年实现30万片/年8英寸导电型衬底产能 [12] - 半绝缘型衬底国内市占率约40%，主要应用于5G基站与军工雷达，12英寸高纯半绝缘衬底已用于Meta雷鸟X3 Pro AR眼镜 [12] - 2024年11月发布业界首款12英寸碳化硅衬底产品，良率较国内同行高15%，成本低30%，已获梅赛德斯-奔驰、亿航智能等企业订单 [12] 天科合达市场地位与资本动态 - 天科合达2025年国内导电型衬底6英寸市场占比70%（稳居第一），全球市占率17.3% [13] - 8英寸衬底成本仅为国际水平40%，6英寸产品价格较进口低30%-50% [13] - 与华为数字能源、阳光电源合作开发光伏逆变器方案，占国内光伏市场45%份额 [13] - 天富能源直接持有天科合达9.09%股份，大股东天富集团持股11.62%，市场猜测天科合达或借壳天富能源上市 [13] - 2025年8月底天富能源原董事长与原总经理同步辞职，引发为借壳铺路的市场预期 [13] - 若借壳成功，天富能源市值预期达400亿元以上，天科合达2025年目标衬底产能88万片 [14] 晶盛机电技术突破与产能布局 - 晶盛机电实现碳化硅切割、减薄、抛光全链条核心设备国产化替代，支撑衬底加工成本降低30% [16] - 国内主流衬底厂商均采用其SiC单晶炉，8英寸设备交付量占国内新增产能70% [16] - 子公司浙江晶瑞SuperSiC于2025年5月研发出12英寸导电型碳化硅晶体（直径309mm），位错密度达国际主流水平（TSD<10个/cm²，BPD<300个/cm²） [16] - 宁夏56亿元8英寸衬底项目开工，建成后形成60万片/年产能，目标2026年Q2达产 [16] - 被纳入国家大基金三期重点名单，获超20亿元定向投资，用于12英寸设备研发与产能扩张 [16]

碳化硅板块上涨行情 - A股碳化硅概念股近期涨幅显著 天岳先进自9月5日至12日股价涨幅超40% [1] 技术革新驱动因素 - 台积电计划将12英寸单晶碳化硅应用于散热载板 取代传统氧化铝/蓝宝石/陶瓷基板 [3] - 英伟达拟在新一代GPU先进封装中采用碳化硅衬底作为中介层材料 [3] - AI服务器GPU功率持续提升 先进封装多芯片堆叠导致散热需求激增 传统陶瓷基板热导率(200-230W/mK)已难以满足需求 [4] - 碳化硅热导率达400-500W/mK 接近陶瓷基板两倍 成为高算力芯片理想封装材料 [4] - 碳化硅中介层可缩小散热片尺寸 优化整体封装结构 散热载板应用可大幅提升散热效率 [6] - 8英寸碳化硅晶圆量产推动衬底价格快速下降 提升封装材料经济性 [6] 全球产业化进展 - Wolfspeed宣布200mm(8英寸)碳化硅材料开启大规模商用 [7] - 天岳先进两年前已实现8英寸碳化硅晶圆量产 为全球少数能量产8英寸衬底企业 并首家发布12英寸衬底 [7] A股产业链公司动态 - 天岳先进表示碳化硅半导体材料技术优势使其处于产业发展前沿 [8] - 合盛硅业6英寸衬底全面量产 晶体良率超95% 外延良率稳定98%以上 8英寸小批量生产 12英寸研发顺利推进 [9] - 晶盛机电实现6-8英寸衬底规模化量产销售 参数达行业一流水平 突破12英寸导电型单晶生长技术 [10] - 赛腾股份碳化硅晶圆缺陷检测设备研发中 [12] - 捷佳伟创半导体清洗设备获新订单 碳化硅高温热处理设备已发货头部客户 [12] - 蓝特光学碳化硅晶圆产品处于送样阶段 探索AR光波导材料应用 [12]

收购交易概述 - 公司拟以1.44亿元自有及自筹资金收购控股子公司松瓷机电8.99%少数股权 [1] - 交易完成后公司对松瓷机电直接持股比例从73.84%提升至82.83% [1] - 合并报表范围维持不变 [1] 战略意义 - 提升对控股子公司的管理及决策效率 [1] - 强化单晶炉业务板块日常运营及战略规划控制力 [1] - 拓展产品品类并增强碳化硅、半导体单晶炉领域市场竞争力 [1] - 优化整体资源配置并推动各业务板块协同发展 [1] - 最终目标为增强整体盈利能力 [1]

公司碳化硅技术进展 - 公司前期已完成碳化硅项目研究工作并形成1项发明专利 [2] - 目前碳化硅晶体未实现批量生产和实际应用 [2] 碳化硅衬底晶片相关能力 - 公司未明确回应碳化硅晶体是否为衬底晶片必备材料 [2] - 公司未明确表态是否具备碳化硅衬底晶片制作能力 [2]

**纪要涉及的行业或公司** * AI数据中心电源行业 英伟达及其高端AI服务器产品（NVL72 GB200 GB300 Rubin系列） 国内厂商（长城电子 东微半导体 斯达半导体）[1][3][4][25][38] **核心观点和论据** * 高端AI服务器功率密度极高 英伟达NVL72整机柜功率达132千瓦 采用多组5.5千瓦电源模块[1][3][6] * 未来技术趋势是向更高功率（12千瓦甚至19千瓦）和800伏高压直流（HVDC）架构发展 以提升效率并减少体积[1][5][7] * 为实现更高功率密度和效率 下一代电源将广泛采用碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等先进半导体材料替代传统硅基器件（如IGBT 超级结MOS）[1][5][6][7][15] * 英伟达下一代Rubin方案将支持800伏HVDC输入 并优化架构[1][7] * 在电力转换架构中 HVDC方案将市电转换为800伏直流再供给PSU 与传统方案（480伏交流输入）在服务器内部最终均转换为48伏直流[8][9] * 切换至氮化镓技术的主要驱动力是解决发热问题 因其具有更高效率和更低热损耗[10] * 碳化硅主要用于高压环节（如12.8千伏变压至800伏 HVDC整流 PSU中800V转48V） 氮化镓主要用于200伏以内的低压应用（如板载电源 桥式整流）[11][13][14] * 成本是技术选型的关键因素 超级结MOS因成本低廉在高压领域（400-600V）仍有强大竞争力 全面替代不经济[2][12][30] * 国内厂商如长城电子已在7.5-8千瓦电源模块中采用氮化镓技术 东微半导体的超级结MOS性能接近英飞凌且价格低30% 有机会进入核心供应链[4][25][41] * 碳化硅和氮化镓器件当前价格：650V SiC约50元/颗 1200V SiC约90元/颗 200V GaN约50-60元/颗[23] * 当前服务器电源市场仍以传统硅基器件（IGBT 超级结MOS SGT MOS）为主 但GaN在PSU中的应用已开始放量 SiC需待HVDC起量[15][26][44] * 英伟达未来两年（至2027年）主力产品（B200 B300）仍将大量使用超级结MOS 不会完全切换至HVDC方案 大规模应用需待Rubin系列[42][43] * 普通服务器电源功率多在300-500瓦（占比65%） 使用传统SGT MOS 高功率AI服务器（如7-8kW）将是GaN的主要应用场景[34][35][37] **其他重要但可能被忽略的内容** * 约25%的AI服务器市场采用由厂商提供壳体、用户自装英伟达GPU（A卡/H卡）的模式 通常需要3000瓦电源[36] * 国内供应商（东微 斯达）目前主要为国内企业（如华为 阳光电源）供货 尚未大规模进入英伟达国际供应链[38][39] * 电源市场对设备可靠性要求极高 价格敏感度低 更注重性能与稳定性[40] * HVDC方案能显著减少碳化硅用量（约2/3）但电压等级提高一倍[22] * 在PSU设计中存在混用碳化硅（第一级降压）和氮化镓（第二级降压）的情况[18][19] * GB200和GB300采用不同的冗余电源配置模式（4+2/4+4 和 5+3）[4][16][17]

市场行情回顾 - SW电子指数下跌4.57% 跑输沪深300指数3.76个百分点 [1][2] - 六大子板块全部下跌 半导体跌幅最大为6.55% 电子化学品Ⅱ跌幅最小为1.46% [1][2] 英诺赛科业绩表现 - 2025年上半年销售收入5.53亿元人民币 同比增长43.4% [3] - 毛利率由2024年同期的-21.6%提升至6.8% 同比改善28.4个百分点 [3] - 人工智能及数据中心领域销售额同比增长180% [3] - 成为英伟达800V高压直流电源架构的国内芯片供应商 [3] 全球DRAM产业表现 - 2025年第二季度全球DRAM产业营收316.3亿美元 环比增长17.1% [4] - SK海力士营收122.29亿美元 环比增长25.8% 市占率38.7%排名第一 [4][5] - 三星营收103.5亿美元 环比增长13.7% 市占率32.7%排名第二 [4][5] - 美光营收69.5亿美元 环比增长5.7% 市占率22%排名第三 [4][5] 投资建议 - 维持电子行业"增持"评级 认为2025年电子半导体行业正迎来全面复苏 [6] - 建议关注半导体设计领域超跌且具备真实业绩的个股 [6] - 建议关注AIOT SoC芯片、模拟芯片、驱动芯片领域相关公司 [6] - 建议关注半导体关键材料国产替代标的及碳化硅产业链 [6]

军工新材料 - 电解钴价格26.30万元/吨 环比持平 [4] - 电解钴和钴粉价格比值0.86 环比下降0.5% [4] - 电解钴和硫酸钴价格比值4.87 环比下降1.9% [4] - 碳纤维价格83.8元/千克 环比持平 毛利-8.59元/千克 [4] 新能源车新材料 - Li2O 5%锂精矿中国到岸价726美元/吨 环比下跌9.81% [5] - 电碳价格7.89万元/吨 环比下跌4.2% [5] - 工碳价格7.70万元/吨 环比下跌4.35% [5] - 电池级氢氧化锂价格7.62万元/吨 环比下跌1.1% [5] - 电碳与工碳价差为2024年11月以来新低 [5] - 硫酸钴价格5.32万元/吨 环比上涨0.19% [5] - 磷酸铁锂价格3.43万元/吨 环比持平 [5] - 523型正极材料价格11.33万元/吨 环比下跌0.4% [5] - 氧化镨钕价格579.72元/公斤 环比下跌2.9% [5] 光伏新材料 - 光伏级多晶硅价格6.20美元/千克 环比持平 [6] - EVA价格10,800元/吨 环比上涨2.9% 处于2013年来较低位置 [6] - 3.2mm光伏玻璃镀膜价格24.0元/平米 环比持平 [6] 核电新材料 - 氧氯化锆价格14,250元/吨 环比持平 [7] - 海绵锆价格145元/千克 环比持平 [7] - 氧化铪价格9,000元/千克 环比持平 [7] - 硅酸锆价格13,550元/吨 环比持平 [7] - 锆英砂价格14,012.5元/吨 环比持平 [7] - 2025年6月铀价59.58美元/磅 环比上涨4.0% [7] 消费电子新材料 - 四氧化三钴价格21.30万元/吨 环比上涨0.47% [9] - 钴酸锂价格175.0元/千克 环比持平 [9] - 碳化硅价格5,300元/吨 环比持平 [9] - 高纯镓价格1,755元/千克 环比持平 下游80%用于半导体 [9] - 粗铟价格2,445元/千克 环比下跌1.2% [9] - 精铟价格2,545元/千克 环比下跌1.2% [9] - 二氧化锗价格9,550元/千克 环比持平 下游50%用于光纤 15%用于电子和太阳能器件 [9] 其他材料 - 99.95%铂价格326元/克 环比上涨0.9% [10] - 铑价格1,815元/克 环比下跌1.1% [10] - 铱价格1,195元/克 环比持平 [10]