纪要涉及的公司或行业 * 公司为功率半导体设计公司东威半岛（东微）[2][6][29] * 行业涉及功率半导体、AI服务器电源、数据中心、车载OBC、光伏逆变器、新能源充电桩等[5][6][8][21] 核心观点和论据 公司财务业绩表现 * 公司1-9月实现营业收入9.63亿元，较上年同期增长41.6%[2] * 公司1-9月实现归属于上市公司股东的净利润4855万元，较上年同期增长58.46%[2] * 公司1-9月实现扣非净利润2038万元，较上年同期增长374.48%[2] * 三季度单季营收3.48亿元，同比增长3.26%[2] * 三季度单季净利润2090万元，同比增长53.09%[2] * 剔除股权激励股份支付影响后，1-9月归属于上市公司股东净利润为5434万元，较上年同期增长77.37%[3] * 剔除股权激励股份支付影响后，1-9月扣非净利润为2610.7万元，较上年同期增长5509.33%[3] * 三季度平均毛利率约为16%点几，较上年同期增加约1.01个百分点[11] 产品结构与收入构成 * 超杰产品是公司基本盘，营收占比超过70%[6] * 中低压屏蔽衫产品营收占比超过20%，其同期增速是各产品线中最高的，前三季度营收已超过24年全年[6] * TGBT产品同期增长超过40%[7] * 碳化硅、超级硅产品已有小几百万收入，1-9月数据已超去年全年总收入[7] * 功率器件模块产品收入从半年度600多万增长至千万级[7] * 按应用领域划分，AI相关（归类于工业及通信电源、数据中心、算力服务器电源）是收入占比最高的领域[8] * 车载OBC应用领域收入占比超过20%[8] * AI服务器电源和车载OBC两大领域收入合计接近总收入的60%[8] * 光伏逆变器、新能源直流充电桩领域各自约有7%的收入占比[8] * 工业和车规级应用占比合计在80%以上[8] 运营与战略布局 * 公司积极储备晶圆资源，存货水平有所上升，主要为战略性备货，以相对较低成本补充库存[19] * 库存增加与供应链策略相关，公司抓住12英寸新开产能机会进行储备，对消化库存有信心[19][20] * 公司产品线已全面从8英寸转向12英寸，以优化成本端[11] * 公司正在积极推进外延式发展（多元化），预计明年一季度会有明确落地[17] * 公司对四季度及明年需求展望保持稳定增长趋势，历年上下半年营收占比约为40%和60%，今年预计延续此态势[5][16][17] 新技术与研发进展 * 在氮化镓（GaN）领域进展迅速，已与国内供应商在衬底、外延、制造端建立合作关系[22] * 已有氮化镓产品产出，正处于验证阶段，预计明年开始形成销售额[22][23] * 在12英寸研发上与上游晶圆外延厂合作，在国内具有领先优势[22] * 氮化镓技术难度大，公司采取与上下游合作伙伴联合开发的模式，并非单纯依赖标准代工平台[24][25][26] * 公司目标是解决氮化镓在工业、车规、数据中心应用中的可靠性、一致性等难题，切入高端市场[24][26][27] * 公司在低压产品线拓展上投入大量精力，丰富了产品结构并进入新的市场空间（如48伏电池系统、家用电器电动化）[30] 其他重要内容 * 公司强调出货数量是重要指标，代表了市场份额和权重[29] * 公司计划在模拟电路、驱动、控制芯片等领域通过资本方式进行整合或吸收，以实现突破性成长[31] * 公司在投资方面布局了前瞻性技术与项目，相关信息预计在四季度有公开发布[31] * 公司定价策略强调与客户的战略合作，不会因短期市场环境变化而频繁变动价格[13]

财务业绩表现 - 第三季度营业收入为54.30亿元，归母净利润为7566.75万元，扣非归母净利润为2.62亿元，在第二季度出现单季度亏损后，第三季度已恢复盈利 [1] - 第三季度销售毛利率为8.67%，相比第二季度的毛利率0.22%有明显反弹，期间费用整体压缩，销售费用和管理费用分别同比减少14.24%和24.88% [2] - 前三季度经营活动产生的现金流量净额为37.27亿元，同比增长104.94%，还原票据影响后达到46.38亿元，主要系降本增效、调节产量及清理库存所致 [2] - 截至2025年9月末的资产负债率比2024年末减少近1个百分点，公司通过引入战略投资者等方式优化资本结构 [3] 行业市场环境 - 2025年国内有机硅单体前三季度产量约190万吨，同比保持16%的双位数增长，2025年国内暂无DMC新增投产计划 [4] - 2026年陶氏英国部分有机硅单体产能计划关停，预计2029年中国有机硅单体产能在全球的占比将提升到84.72%，较2024年提升5.15个百分点 [4] - 工业硅价格在2025年三季度震荡上扬，到9月价格维持在9000元/吨，现货价格稳定在9400元—10200元/吨，下游多晶硅和铝合金需求好转 [5] - 四季度云南、四川将进入枯水期，电价预计大幅上涨，可能导致当地产能利用率大幅下降至30%左右，新疆地区产量在全国占比预计将提升至60%以上 [5] 公司产品与研发进展 - 公司在有机硅领域实现氨基硅油和有机硅乳液等新产品的产业化，产品品质达到国际领先水平，在研项目包括0度人体硅胶、医疗用途混炼胶等 [4] - 公司利用工业硅产业链一体化优势拓展碳化硅产业，前三季度研发费用达到3.71亿元，8英寸碳化硅衬底已开始小批量生产，12英寸衬底研发顺利 [6] - 公司成功开发出满足半导体、热喷涂等多领域需求的超高纯碳化硅陶瓷粉料，以及满足晶体生长要求的高纯半绝缘碳化硅粉料 [7] 战略定位与竞争优势 - 公司作为有机硅行业头部企业，优化产品结构并向下游深加工延伸，实现高端产品国产化替代 [4] - 合盛硅业通过精细化管理深挖产能潜力，在行业下行期及价格竞争加剧下，将保持"工业硅+有机硅"双龙头地位 [5] - 公司是工业硅行业龙头且位于行业成本曲线最左侧，向碳化硅等成长赛道拓展，业绩具备较大成长性 [7]

公司参股与技术布局 - 公司通过全资子公司西安西电电力系统有限公司参股陕西半导体先导技术中心有限公司，持股比例为36% [1] - 参股公司陕西半导体先导技术中心有限公司聚焦半导体前沿关键技术的研发与创新 [1] - 碳化硅是参股公司的技术布局方向之一，涵盖SiC SBD、SiC MOSFET等产品设计与关键工艺 [1]

公司概况与业绩表现 * 公司为闻泰科技，核心业务为安世半导体，已完成大部分ODM（原始设计制造）资产出售[2][3] * 2025年第三季度公司整体营收44.27亿元，其中安世半导体贡献43亿元，ODM业务收入约1亿元[3] * 第三季度归属于上市公司净利润10.4亿元，同比增长超过270%[3] * 安世半导体第三季度营收44亿元，同比增长12.2%，净利润7.24亿元，创历史单季度新高[2][3] 安世半导体市场地位与产品策略 * 安世半导体全球市占率约5%，所处模拟、逻辑IC、功率分立器件总市场空间超400亿美元，公司收入约20多亿美元[5] * 细分领域市占率突出，二极管、三极管等市占率超15%，部分接近30%，MOS产品领先，逻辑IC全球排名第二[2][5] * 长期目标是各产品类别市占率达5%-10%，目前成熟产品大部分市占率在10%以上[2][5] * 公司坚持汽车领域为核心，80%-90%以上产品为车规标准，同时重视工业和消费电子领域以快速验证新产品[2][6] 区域市场与客户拓展 * 中国区市场第三季度同比增长14%，其中汽车增长超26%，IPC服务器、工业设备等也有明显增长[3] * 欧洲市场同比增长超10%，美洲市场在汽车和工业领域增长接近14%[3] * 中国区侧重拓展工业、消费电子和汽车客户，欧洲则更多关注工业与汽车客户[2][6] AI与数据中心市场机遇 * AI算力占数据中心资本支出约10%，市场规模年化增速预计接近或超过30%[2][7] * 英伟达新架构供电方案提升对功率半导体需求，AI服务器中MOS、保护器件等产品价值量从约1美元增至超10美元[3][7] * 公司通过服务器ODM厂商（如富士康、广达）和电源T1厂商（如台达、易顿、施耐德）进入AI数据中心市场[3][7] * 已向客户供应高压碳化硅、氮化镓产品及中低压保护器件和MOS产品，并进行样品测试[2][7] * 碳化硅和氮化镓产品已从机柜外电源拓展到机柜内PSU，并获得头部厂商订单[7] * 模拟方面，已向北美四大云厂商及GPU厂商提供热插拔控制器IC样品[8] * 数据中心相关业务（AI PC、AI服务器等计算类设备）收入占比约6%至7%，一年前为5%至6%，增速约20%至30%[24] 宽禁带技术（碳化硅/氮化镓）进展 * 2025年发布了40伏到700伏全系列氮化镓产品，以及1,200伏车规级碳化硅MOS[9] * 宽禁带产品同比去年同期增长接近3倍[4] * 碳化硅MOS已进入顶级客户（如大众、特斯拉）的量产阶段，预计2027年实现大批量出货[9] * 在AI电源领域，已获得台达第三季度订单[9] * 研发了串沟槽型碳化硅MOS，计划于2025年底至2026年初量产[9] * 氮化镓主要应用于手机与通信设备（如中兴、Google Pixel手机），并与吉利合作推进氮化镓上车项目[9] * 在汉堡投资2亿美元建设产线，将于2025年底通线，实现自有产线上外延及器件工艺研发与试量产[9] 供应链与产能布局 * 晶圆厂主要位于汉堡和曼城，生产8寸晶圆，年产能约120万片[12] * 中国临港有12寸晶圆厂，月产能3万片（折合8寸年产能近80万片），另有10%至20%产能外包给第三方[12] * 按满负荷计算，国内与海外产能分布大致为50%对50%[12] * 临港12寸晶圆厂尚未满负荷，月运行在2万多片水平，折旧按3万片计算，但因是第三方代工厂，不影响上市公司报表[13][23] * 欧洲汉堡工厂目前仍正常向国内发货[14] 应对美国BIS清单影响 * 美国BIS将安世列入清单导致荷兰法院裁决剥夺公司对安世全球（除中国外）资产IP及人员的管理权[10] * 中国商务部限制安世产品出口，导致安世70%-80%的封测产能无法直接出口海外[10] * 公司优先保障运营稳定与客户订单连续性，通过调整商务流程，确保国内交付途径畅通[3][10][15] * 例如将产品交付给博世中国以保证其全球供应[10] * 目标是在2025年第四季度内实质性解决海外资产审计和并表问题[18] 销售模式与业务构成 * 安世半导体约40%销售通过直供完成，50%多通过代理商或分销商进行[16] * AI服务器业务模式包括直销（如直接与比亚迪结算或通过T2供应商如特斯拉）和分销（如通过代理商或进入英伟达参考设计）[26] * ODM业务大部分已完成实质性交割，第三季度仅剩约1亿元收入，对第四季度财报影响较小[3][17]

行业市场前景 - 中国作为全球第二大市场，预计2025年关键电子材料规模将突破1700亿元，同比增长超过20% [1] - AI算力、新能源汽车等终端需求为上游材料企业创造了倍数级增长机遇 [1] - 以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体材料正加速应用于新能源汽车、5G通信等领域，有效提升器件性能与能效 [1] 国产化进程 - 半导体级硅材料等的国产化率已超过50% [1] - 抛光液等材料的国产化率也已突破30% [1] - 在大尺寸硅材料、砷化镓、磷化铟以及碳化硅等领域，国产替代正迎来“黄金窗口期” [1] - 在12英寸大硅片、高端光刻胶等核心环节，国产化率仍偏低 [1] 发展挑战 - 全球供应链不确定性依然存在 [1] - 核心技术与人才的竞争日趋激烈 [1] 未来发展建议 - 强化基础研究与技术创新，在超宽禁带半导体材料如氧化镓、二维材料等前沿方向提前部署 [2] - 构建更加开放、包容的创新生态，鼓励上下游企业在联合攻关上深化产业链协同创新 [2] - 把握材料生产的绿色低碳转型趋势 [2] - 利用AI大数据加速材料研发与产业化进程，赋能高质量可持续发展 [2]

产业活动与标准发布 - 10月25日在中国科学院半导体研究所与盐城市政府主办的第三代半导体产业合作大会上发布了《氮化铝抛光片位错密度的测试腐蚀坑法》等四项标准 [1] - 新发布的标准将为技术创新与产业协同注入强劲动能并加速先进半导体技术的规模化应用 [1] 盐城半导体产业现状 - 第三代半导体产业是盐城市重点培育的成长型未来产业 [1] - 全市现有富乐华、康佳芯云等一批半导体产业链重点企业 [1] - 盐城在功率半导体基板材料和小间距LED封装等领域全球领先 [1] - 与中国科学院半导体研究所合作共建了盐城半导体集成技术研究院、半导体产业技术联合实验室和盐城柔性电子技术应用创新中心等一批高端科创载体 [1] 产业集群与发展规划 - 盐城高新区已集聚复汉芯片封测、汉印碳化硅外延、嘉兆电子等30多家半导体企业 [1] - 在装备制造和封装测试等领域已形成完整产业链 [1] - 正全力建设华东地区具有重要影响力的第三代半导体产业集群 [1] - 盐城将发挥在新能源、新能源汽车、电子信息等领域的基础优势和丰富应用场景加快布局以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体全产业链 [1] - 将持续提升封装测试和功率模块制造水平为人工智能赋能新型工业化发展提供支持 [1]

行业与公司 * 纪要涉及的行业为功率半导体行业，特别是氮化镓和碳化硅技术领域[1] * 纪要重点讨论的公司包括国内厂商英诺赛科、三安光电、华润微电子、芯联集成、华虹半导体、士兰微、中车时代等[6][17][23] * 纪要也提及国外厂商如英飞凌、纳微塔斯、EPC、Transform、意法半导体、安森美、德州仪器等[6][8][16][23] 核心观点与论据：氮化镓技术应用与市场 * 氮化镓在高功率应用中逐渐占据优势，尤其是在1千瓦到10千瓦范围内，其性价比优于碳化硅，预计未来市场空间可达数十亿甚至百亿规模[1][2] * 主要应用驱动力来自英伟达等AI服务器的800伏供电架构，该架构将氮化镓功率器件应用推向更广泛市场[1][2] * 在800伏直流供电架构中，1,000瓦是氮化镓与硅基IGBT的分界线，超过1,000瓦时氮化镓损耗更低，成本逐渐降低，在3,000瓦平台上性价比优势明显[1][3] * 氮化镓器件在800伏平台上已能满足1,200伏极限电压要求，适用于英伟达新平台，平台功率可达千瓦级，最高可推至3,000瓦[2][11] * 氮化镓器件主要有耗尽型和增强型两种技术路线，目前主流是增强型[1][12] * 氮化镓市场目前多数厂商亏损，主要因产能不足和需求有限，长期来看需求增加将推动产量提升并稳定价格[2][15] * 氮化镓材料成本本身较硅略贵，理论上其价格应比IGBT贵20%至30%左右以维持正常商业模式[15] 核心观点与论据：氮化镓与碳化硅比较 * 碳化硅在高压应用中更稳定可靠，因其采用同质外延，材料质量和缺陷密度远低于氮化镓，导热性能优越[1][13] * 氮化镓适用于中低压、高频领域，但在超过800伏的高电压应用中面临漏电流发热挑战，材料缺陷密度增加[1][13][14] * 在1,000至3,000瓦范围内，由于价格敏感且需求量大，市场份额会倾向于选择性价比更高的氮化镓而非碳化硅[4] * 碳化硅器件价格更高，大约是氮化镓的一倍，例如在AI服务器800伏架构中，氮化镓芯片成本约100元人民币，而碳化硅单价若超过200元人民币则不太可能被采用[5] * 碳化硅价格下降主要因供过于求，存在非理性低价竞争，未来供需平衡后价格应回归合理水平[2][16] 核心观点与论据：主要厂商与竞争格局 * 英诺赛科是全球最大的氮化镓厂商，占据约三成市场份额，产品覆盖100伏至1,200伏，已通过英伟达验证[1][6] * 英诺赛科的技术壁垒主要体现在芯片制造的前道和后道工艺上，并形成规模效应，其后道工艺与硅基IGBT通用，使其8寸硅基IGBT工艺成熟，良率高[1][9] * 从芯片技术角度看英诺赛科领先，而在整体系统解决方案上则是英飞凌最强，英飞凌擅长系统方案设计，盈利能力最强[8] * 台积电退出氮化镓代工业务对大陆厂商是利好，因其6寸生产线性价比低，英诺赛科已建全球首条8寸氮化镓专线，降低成本[2][21] * 目前8寸氮化镓晶圆价格已低于6寸，8寸售价在四五千元左右，而之前台积电生产的6寸氮化镓晶圆售价约为六七千元人民币[2][22] 核心观点与论据：产能、供需与价格 * 当前氮化镓市场处于亏损状态，大多数厂商尚未实现盈利，主要由于当前产能规模不足以及市场需求有限[15] * 英诺赛科目前年产能为15,000片，但其设计产能可达6.5万片至7.8万片，如果未来产能扩大至4万片或5万片，其运营成本将显著降低，有望实现盈利[15] * 功率半导体在整个半导体芯片中占比相对较小，约为5%到7%，目前市场总体处于供需平衡状态，甚至略有供大于求[18] * 未来功率半导体需求增长主要来自新能源储能和数据中心等领域，新能源风光储能领域至少有6到7倍的增长空间[19][20] 其他重要内容：供应链与地缘政治影响 * 安世半导体被制裁对工业半导体特别是汽车电子领域影响较大，但其空缺很快会被其他品牌填补，国内企业如芯联集成、华润微电子、中车时代等有望扩大市场份额[17] * 安世半导体2024年的产值为147亿人民币（约20多亿美元），其被制裁后，市场份额大致在百亿人民币左右，将由国内主要企业分食[24] * 台积电退出氮化镓代工业务，因其6寸生产线成本比8寸生产线高30%，需要扩建先进封装产能，大陆厂商在氮化镓代工领域将获得更大发展机会[21]

瀚薪科技融资动态 - 公司完成超2亿元新一轮融资，由西安高新区芯石投资合伙企业领投，西安高新区多家国有资本投资平台联合投资[1] - 融资完成后，公司将在西安建立第二总部，深化与西北地区产业链及高校合作，加快碳化硅核心产品的研发与产业化[1] - 公司计划构建"双总部、双轮驱动"格局，整合产业链并扩大产能，聚焦新能源汽车、工业控制及光伏等领域的高性能功率半导体解决方案[2] 中科光智融资动态 - 公司完成B轮融资首批签约，获成都市金牛区交子私募基金管理有限公司数千万元投资，本轮融资总规模目标为1亿元人民币[2][4] - 融资将用于在成都市金牛区打造碳化硅芯片封装设备研发制造中心，重点推进高精度全自动贴片机等设备的研发与产业化[2] - 高精度全自动贴片机是公司核心产品，适用于功率半导体、光通信等领域，搭载先进运动控制与视觉识别技术，已在多家头部企业完成验证[3] 行业影响与展望 - 碳化硅作为第三代半导体代表性材料，是推动新能源、工业控制等领域发展的核心力量，战略意义与市场价值凸显[1] - 两家公司的融资进展有望在碳化硅技术研发、产品创新与产业化方面取得突破，为我国第三代半导体产业崛起注入活力[5]

公司股价表现 - 天岳先进早盘股价上涨近7%，截至发稿时上涨6.24%，报62.15港元，成交额达1.55亿港元 [1] 碳化硅材料技术突破 - 碳化硅是光波导镜片的理想材料，但过去受限于衬底尺寸和缺陷，一片8英寸衬底仅能制造3-5副眼镜，应用局限于极高端领域 [1] - 公司发布12英寸衬底后，一片衬底可制造10-12副镜片，使碳化硅光学应用从高端走向民用市场 [1] - 公司正与全球光学头部客户紧密推进产品导入，碳化硅光学眼镜即将推向市场，未来市场规模预计可达数亿副 [1] 碳化硅在先进封装领域的应用 - 碳化硅凭借其高热导率和高工艺窗口，有望显著提升CoWoS结构散热性能并降低封装尺寸 [1] - 有媒体报道称，英伟达在其新一代Rubin处理器设计中，将CoWoS先进封装的中间基板材料从硅更换为碳化硅，以提升散热性能，并预计2027年开始大规模采用 [1]

公司股价表现 - 天岳先进早盘涨近7%，截至发稿涨6.24%，报62.15港元，成交额1.55亿港元 [1] 碳化硅材料技术突破 - 碳化硅是光波导镜片的理想材料，但过去受制于衬底尺寸和缺陷，一片8英寸衬底仅能制造3-5副眼镜，导致其只能用于极高端领域 [1] - 公司发布12英寸衬底，一片可做10-12副镜片，使碳化硅光学应用从高端走向民用 [1] - 公司正与全球光学头部客户紧密推进产品导入，碳化硅光学眼镜很快将走向市场 [1] - 董事长宗艳民预计未来碳化硅光波导眼镜的市场规模可达数亿副 [1] 碳化硅在先进封装领域的应用潜力 - SiC凭借其高热导率和高工艺窗口，有望显著提升CoWoS结构散热并降低封装尺寸 [1] - 有媒体报道称，英伟达在其新一代Rubin处理器设计中，将CoWoS先进封装的中间基板材料从硅更换为碳化硅，以提升散热性能 [1] - 英伟达预计2027年开始大规模采用碳化硅基板 [1]