先进封装概述 - 先进封装相比传统封装具有小型化、轻薄化、高密度、低功耗和功能融合等优点，可提升性能、拓展功能、优化形态并降低成本 [6] - 先进封装包括倒装芯片(FC)结构封装、圆片级封装(WLP)、系统级封装(SiP)、2.5D封装和3D封装等技术 [6] - 中国先进封装市场规模从2019年420亿元增长至2023年790亿元，增幅超过85%，预计2029年将达到1340亿元，2024-2029年复合增速9% [8] 先进封装应用领域 - 系统级封装(SiP)是市场增长重要动力，2023年中国市场规模371.2亿元，预计2024年达450亿元，消费电子占下游应用70% [14] - 倒装芯片(FC)在移动和消费市场空间较大，2026年FC-CSP细分市场预计超100亿美元，主要用于智能手机APU、RF组件和DRAM设备 [17] - QFN/DFN封装虽属中端类型但市场容量大，2023年市场规模136.5亿美元，预计2032年达306.8亿美元，CAGR约9.42% [22] - MEMS封装随物联网应用拓展快速增长，2022年市场规模27亿美元，2016-2022年CAGR达16.7%，RF MEMS封装CAGR高达35.1% [25] - 晶圆级封装(WLCSP)2023年市场规模184.5亿美元，预计2032年达435亿美元，2024-2032年CAGR约10% [27] 先进封装技术发展 - WLCSP分为扇入型和扇出型，通过晶圆级工艺实现高密度互连，具有尺寸小、功耗低、成本低优势 [30][36] - 扇出型WLCSP通过重新排列芯片形成模塑晶圆，可提供更大布线空间和更多I/O接口 [35] - WLCSP在消费电子、汽车、医疗等领域应用广泛，预计2027年市场规模达22亿美元，受益于物联网和AI发展 [37] - 全球WLCSP产能集中在晶方科技、华天昆山、科阳光电和台湾精材四家企业，技术壁垒高导致供给有限 [47] 市场空间预测 - 全球先进封装市场规模将从2023年378亿美元增至2029年695亿美元，CAGR 12.7%，主要受AI、HPC和5G/6G驱动 [2][68] - 2.5D/3D封装增长最快，2021-2027年CAGR达14.34%，WLCSP和SiP增速相对稳定 [60][68] - 先进封装出货量将从2023年709亿颗增至2029年976亿颗，CAGR 5.5%，WLCSP/SiP/FCCSP占据主导 [70] - 晶圆产量(等效300mm)2023-2029年CAGR 11.6%，2.5D/3D技术增速达32.1% [73] 相关公司分析 - 甬矽电子聚焦FC类产品、SiP、WLP等五大先进封装类别，2024年SiP收入15.9亿元占比44% [81] - 佰维存储构建"存储+封测"一体化模式，掌握16层叠Die、30-40μm超薄Die等先进工艺 [99] - 晶方科技专注传感器封装，具备8/12英寸WLCSP量产能力，客户包括索尼、豪威等全球知名厂商 [102][107] 发展展望 - 中国大陆封测市场规模预计2025年达3551.9亿元，先进封装占比将从2020年14%提升至2025年32% [110] - 全球封装市场仍由台美日韩主导，大陆厂商份额有提升空间，美国制裁加速先进封装国产化 [111] - AI服务器和高性能计算推动高阶IC载板需求，主要厂商加大资本支出扩产 [115]

报告行业投资评级 - 领先大市（维持） [1] 报告的核心观点 - 尖端先进封装需求持续增长，AI相关仍为主要驱动，全球先进封装市场规模将从2023年的378亿美元增至2029年的695亿美元 [3] - 凸块/重布线层/硅通孔/混合键合构建先进封装基底，各技术有不同发展方向和特点 [3] - FC/WLP/2.5D/3D四大方案助力封装技术迭代结构升维，各方案有不同优势和市场表现 [5] - 先进封装技术迭代推动设备行业进入增量发展新阶段，建议关注相关设备厂商 [5] 根据相关目录分别进行总结 先进封装 - 发展历程迎来以3D封装为代表高密度封装时代，经历通孔插装、表面安装器件、面积阵列表面封装等阶段 [9][10] - 高性能封装要求I/O密度＞16 I/Os per mm2且Pitch＜130μm [11][12] - 先进封装规模有望从2023年的390亿美元攀升至2029年的800亿美元，复合年增长率达12.7%，2.5D/3D封装增速最快 [14] - 先进封装出货量有望从2023年的709亿颗攀升至2029年的976亿颗，复合年增长率达5.5%，WLCSP、SiP和FCCSP出货量领先 [17] - 先进封装晶圆总产量预计以11.6%的复合年增长率增长，SiP和FCCSP短期内占主要份额，2.5D/3D技术增长迅猛 [20] - 技术路线上先进制程向纳米级、先进封装向微米级发展，摩尔定律放缓加速3D IC采用 [22][25] - 市场格局上台积电/三星以堆叠为主，日月光/安靠以FC/SiP为主 [28] - 市场拐点出现有望带动封装市场增长，人工智能推动半导体收入长期增长，AI芯片封装需要多种先进封装解决方案 [31][32][35] - 正在进行或计划中封装项目投资合计约千亿美元 [37] - 近期尖端先进封装需求持续增长，AI仍为主要驱动，多家公司有积极业绩指引和市场预期 [38] 基础技术 - Bump是晶圆制造环节延伸，为FC前提，朝着更小节距、更小直径方向发展，有多种制备方式及优缺点 [42][45] - RDL可改变IC线路接点位置，是实现芯片水平方向互连关键技术，布线层数将增加，L/S不断缩小，涉及多种工艺和设备 [49][52] - TSV在硅片上垂直穿孔并填充导电材料，实现芯片间立体互连，有不同制造类型和工艺顺序 [56][58] - 混合键合通过金属和氧化物键合组合连接芯片，减少凸块和接触间距，增加连接密度，有W2W、D2W等不同方式及特点 [61][66][69] 堆叠互联 - FC信号路径优化、散热性能提升、I/O引脚密度增加，所需设备/材料供应商众多，FCBGA/FCCSP出货量稳步增长，消费电子为首要应用市场 [81][91][92][100] - 晶圆级封装先在整片晶圆上封装测试再切割贴装，成本大幅降低，依据芯片/封装大小划分扇入/出，有不同分类和特点，所需设备/材料供应商不同，29年WLCSP预计规模为24亿美元、FO预计规模为43亿美元，严重依赖移动和消费终端市场 [107][108][114][117][118][121] - 多芯片互联中2.5D封装将芯片并列排在硅中介板上互连，3D封装直接在芯片上打孔布线连接上下层芯片，CoWoS是2.5D封装应用实例，HBM是3D封装应用实例，2.5D/3D封装所需设备/材料供应商较多，嵌入式封装EMIB通过硅片局部高密度互连，具有封装良率正常、无需额外工艺和设计简单等优点，2.5D/3D封装CIS为主要收入来源，CBA DRAM增速最快 [124][126][127][134][148][150][154] - FOPLP将Die重构在方形载板上进行FO，成本优势明显 [156]