公司业务与产品动态 - 公司目前未和英伟达有直接合作 [1] - 公司围绕AI大模型应用场景推出了SATA SSD、PCIe SSD、RDIMM等企业级存储产品 [1] - 公司发布了MRDIMM、CXL2.0内存拓展模块、SOCAMM2等多款前沿高性能存储产品 [1] 客户与市场 - 公司客户涵盖运营商、互联网企业、服务器厂商等 [1]

涉及的公司与行业 * 公司：澜起科技 (Montage Technology Co Ltd) [1] * 行业：大中华区科技行业半导体，特别是数据中心互连芯片领域 [1][5] 核心观点与论据 **投资评级与目标价** * 恢复覆盖澜起科技A股 (688008.SS)，给予超配评级，目标价人民币190元，较2026年3月16日收盘价152.50元有25%上行空间 [3][5] * 首次覆盖H股 (6809.HK)，给予超配评级，目标价212港元 [3][21] * A股目标价基于剩余收益模型推导，对应73倍2026年预期市盈率 [3][21] **核心业务驱动力：受益于云资本开支与存储超级周期** * 澜起科技是中国唯一的纯数据中心标的，截至2025年第三季度，互连芯片贡献了公司96%的收入，主要为服务器DRAM的内存互连芯片 [1] * 通过核心内存互连业务，公司可被视为云资本开支标的 摩根士丹利研究部预测，全球云资本开支在2025–27年期间复合年增长率约为30% [2] * 前11大云厂商预计将在2026年投入7950亿美元的资本开支，高于2025年的4670亿美元 [14][15] * 自2025年下半年开启的存储超级周期意味着单台通用服务器搭载的内存接口芯片容量提升 [2] **新AI业务增长点：受益于AI服务器需求** * AI服务器对互连能力要求不断提高，澜起可依托其自研SerDes技术，满足PCIe retimer、PCIe switch以及CXL相关产品的增长需求 [2] * 根据Frost & Sullivan数据，截至2024年，澜起在全球PCIe retimer市场的收入市占率为10.9%，仅次于Astera Labs (86.0%) [24] * 基于摩根士丹利研究部预测，澜起2025年PCIe retimer收入有望实现同比119%的高速增长 [24] * 一台8颗GPU的服务器通常配置8–16颗PCIe retimer，而scale-up互连方案可能带来更高用量，例如某本土AI芯片厂商的8颗GPU服务器搭载了24颗澜起PCIe retimer [25] * 公司CXL内存扩展控制器 (MXC) 芯片已进入CXL 2.0供应商名单，三星和SK海力士均已采用其芯片进行测试，CXL 3.1 MXC芯片已开始送样，预计2026年下半年放量 [25] * 第二代MRDIMM速率将提升至12,800MT/s (为第一代的两倍)，预计将获得英特尔、AMD及全球四大内存厂商支持，并于2026年下半年开始放量 [26] **国产替代推动市场份额提升** * 澜起的内存互连客户群已覆盖主要国内存储厂商，随着中国半导体产业链国产替代进程推进，作为本土供应商，澜起有望持续提升市场份额 [3] * 中国半导体供应链正聚焦于实现数据中心芯片的自主可控，例如上海推动到2027年数据中心芯片中70%需实现国产设计或制造 [27] * 受益于国内DRAM厂商 (如长鑫存储) 的快速扩产，预测中国DRAM自给率在2024年约为18%，并有望在2027年提升至26% [18][29] * 在内存互连领域，澜起2024年全球收入份额为36.8%，主要竞争对手为美国的Rambus (36.0%) 和日本的瑞萨电子 (20.5%) [22] * 截至2025年前三季度，澜起实现的内存互连业务收入约为Rambus相关产品收入的2倍，且在DDR5第三子代产品收入上已领先于Rambus [22] * 在国产AI芯片需求强劲的背景下，对中国AI GPU收入的预测持续上调，预计2026年和2027年分别为人民币1130亿元和1800亿元，对应2024–27年复合年增长率为62% [30] * 中国GPU自给率有望从2024年的34%提升至2027年的50% [18][30] **财务预测与毛利率改善** * 公司预计收入将从2024年的36.39亿元人民币增长至2027年的127.43亿元人民币 [5] * 预计净利润将从2024年的14.12亿元人民币增长至2027年的58.44亿元人民币 [5] * 预计整体毛利率将从2024年的58.1%提升至2027年的65.2% [31][32] * 毛利率改善驱动力：DDR5各子代之间价格存在约10%的提升空间；2025年第三季度，公司来自DDR5第三子代 RCD/DB的收入已超过第二子代，且已开始第四子代产品的批量出货 [32] * MRCD/MDB芯片的平均售价明显高于RCD/DB芯片，预计2027年MRCD/MDB芯片以及PCIe retimer/switch芯片的收入占比将分别提升至12%和23%，从而推动整体毛利率提升 [32] 其他重要内容 **上行催化因素** * PCIe switch产品成功推出 [3] * 在以太网/光模块领域的战略布局 [3] * 中长期scale-up / scale-out的扩展机遇 [3] **主要下行风险** * **客户集中度较高及竞争加剧**：2025年前三季度，前五大客户合计贡献了76.8%的收入，主要客户为三星、SK海力士和美光等领先DRAM供应商 [33] 尽管这些客户目前不自行生产内存互连芯片，但若未来决定自研，澜起的收入可能受到影响 [33][34] * **新AI业务的竞争与不确定性**：在PCIe retimer和switch领域面临Astera Labs、博通等拥有高市场份额的既有厂商的激烈竞争 [34] CXL等新兴技术的采用时间轴存在不确定性 [35] * **增长依赖于技术规格的持续升级**：公司收入增长高度依赖于服务器OEM/ODM在终端需求推动下的持续规格升级 (如DDR5子代迭代、PCIe版本升级)，若升级节奏放缓，增长可能受影响 [35][36] * **地缘政治风险**：公司主要客户及主要晶圆代工伙伴均位于海外，但相较于中国其他GPU/CPU/ASIC厂商，该风险相对可控 [36][37] **市场地位与数据** * 截至2024年，澜起在全球内存互连芯片市场的收入份额为36.8% [22] * 公司市值 (当前)：1732.92亿元人民币 [5] * 2026年一致预期EPS为2.83元人民币，摩根士丹利预测为2.60元人民币 [5]

主控芯片与技术能力 - 公司已推出应用于UFS、eMMC、SD卡、高端USB等领域的多款主控芯片，采用领先的头部Foundry工艺和自研核心IP与固件算法，产品具有性能和功耗优势 [3] - 在旗舰存储产品上，全球仅有少数企业具备芯片层面开发UFS4.1产品的能力，公司搭载自研主控的UFS4.1产品在制程、读写速度及稳定性上优于市场可比产品 [3] - 截至2025年三季度末，公司自研的多款主控芯片累计部署量已突破1亿颗，并与多家晶圆原厂及头部智能终端设备厂商构建了深度合作关系，相关UFS4.1产品正在批量出货前夕 [3] 创新产品与市场进展 - mSSD产品通过Wafer级系统级封装实现轻薄紧凑，在满足低功耗要求、降低空间占用的同时，保持与传统SSD相当的性能，并具备更优的物理特性和综合成本优势 [3] - 公司围绕mSSD已构建丰富的知识产权布局，并基于自主封测实力实现技术商业化落地，该产品正在多家头部PC厂商加快导入 [3] - 公司已发布MRDIMM、CXL2.0内存拓展模块、SOCAMM2等多款前沿高性能存储产品，并将根据市场需求进行产品布局和技术创新 [4] 行业周期与市场展望 - AI推理在系统架构与资源调度上的结构性变化，特别是键值缓存与检索增强生成技术的应用，显著扩大了对存储容量的需求 [4] - AI基础设施快速扩张与HDD供应短缺，共同推动存储需求爆发式增长 [4] - 受制于产能建设周期的滞后性，存储原厂资本开支回升对短期位元产出的增量贡献也将较为有限 [4]

纪要涉及的行业或公司 * **公司**：澜起科技 (A股) [1][3]、Rambus (美股) [1][3] * **行业**：服务器/数据中心、内存接口芯片、CXL (Compute Express Link) 技术、AI服务器 [1][2] 核心观点和论据 * **产业趋势持续向上**：尽管Rambus因自身封测品质问题导致Q1业绩指引不及预期并股价大跌，但公司对服务器CPU内存条未来增长及MRDIMM等产品放量给予正面回应，产业趋势未改 [1] * **CXL技术放量可期**：据产业链调研，谷歌TPUv8p有望引入内存池化以拓展内存容量，每张TPU有望额外增加数百GB内存，此举将推动内存池化规模商业化，利好CXL技术放量 [1] * **CXL拓展芯片竞争格局与前景**：该领域主要玩家为澜起科技和Rambus，产品具有高单价、高毛利特征，在产业放量背景下，市场规模和利润增长确定性高 [2] * **内存接口及配套芯片主业增长确定**：在AI服务器高增长背景下，通用服务器市场预计2025年呈现双位数增长，且在Agent趋势下，2026年市场有望进一步增长，AI与通用服务器CPU的高增长将带动内存条市场加速增长，从而确保内存接口及配套芯片主业的确定性增长 [2] * **MRDIMM产品将驱动中期增长**：随着MRDIMM规模起量，其所用的内存接口芯片MRCD及MDB (具有更高单价) 有望迎来规模放量 [3] * **澜起科技产品线拓展与远期展望**：公司近期发布了AEC Retimer，后续Switch芯片也有望正式发布，伴随CXL拓展芯片、MRCD/MDB、PCIe Retimer、PCIe Switch的规模起量，公司远期利润有望达到100-150亿人民币，给予30倍市盈率，目标市值看3000-4500亿人民币 [3] 其他重要内容 * **Rambus短期风险**：因封测品质因素影响一季度产品交付，导致Q1业绩指引不及预期 [1]

涉及的行业与公司 * **行业**：服务器内存接口芯片行业[1] * **公司**：Rambus（澜起科技的竞争对手或同业公司）[1] 澜起科技[1] 核心观点与论据 * **行业高景气度确认**：服务器需求稳固，处于更新换代周期，同时AI智能体和推理应用也在推动需求增长[1] * **Rambus自身交付问题**：因封测品质问题，其一季度营收受到影响，预计损失2000-3000万美元（low double-digit million）[1] * **Rambus交付问题对澜起科技的影响**：Rambus的交付问题被市场解读为对竞争对手澜起科技的利好[1] * **Rambus市场份额争议**：有美国投资者质疑Rambus市场份额提升至45%的说法，并担忧其产品品质问题可能影响声誉[1] * **技术演进与未来增长点**：下一代产品MRDIMM预计在2026年底左右开始量产并产生初步贡献，主要贡献将在2027年[1] 其他重要信息 * **Rambus财务表现**：其产品营收同比增长32%至9700万美元，全年增长41%至3.5亿美元[1] * **行业技术趋势**：服务器单通道的平均内存模组数量正在增长[1]

文章核心观点 - 财通证券认为，新型内存模组架构MRDIMM适用于高性能计算和人工智能等数据密集型应用，其技术演进和渗透将显著拉动MRCD和MDB芯片的需求，并建议关注相关产业链公司 [1] 服务器内存技术演进 - 服务器中CPU与内存模组是核心部件，目前主流内存模组技术包括UDIMM、RDIMM和LRDIMM，分别服务于日常计算、服务器/工作站以及企业高性能计算等不同场景 [1] - 服务器级CPU配套内存模组正朝着MRDIMM方向发展 [1] MRDIMM技术优势与前景 - MRDIMM是一种新型内存模组架构，适用于高性能计算和人工智能等数据密集型应用 [1][2] - 相较于标准DDR5 RDIMM，第一子代MRDIMM的数据传输速率可达8800MT/s，峰值带宽提高近40%，有助于缓解处理器核心数量增加导致的每核心内存带宽下降问题 [1][2] - 正在定义的第三子代MRDIMM支持的速率有望达到14000MT/s [2] MRDIMM产业链核心增量 - 在DDR5世代，MRDIMM内存条采用“1+10”架构，即配置1颗寄存时钟驱动器芯片和10颗数据缓冲器芯片，这构成了MRDIMM带来的核心增量环节 [3] - MRDIMM已适配英特尔第六代CPU，且内存厂商美光、SK海力士、威刚均已推出相关产品，该技术仍有较大渗透空间 [3] MRCD与MDB芯片需求预测 - 财通证券对2030年MRDIMM的渗透率做出预测：悲观、中性、乐观假设下分别为30%、50%、65% [4] - 基于“1+10”的芯片配置，在悲观、中性、乐观假设下，MRCD的需求量有望分别达到2.74亿个、4.56亿个、5.93亿个 [4] - 在悲观、中性、乐观假设下，MDB的需求量有望分别达到27.36亿个、45.60亿个、59.28亿个 [4] 相关投资标的 - 建议关注澜起科技，因其涉及MRCD和MDB芯片 [1] - 建议关注聚辰股份，因其SPD产品可配套DDR5内存模组 [1]

报告行业投资评级 - 行业投资评级：看好（维持）[1] 报告的核心观点 - 核心观点：服务器级CPU配套内存模组正向MRDIMM技术发展，看好其中MRCD芯片与MDB芯片环节的投资机会 [3] - 投资建议：随着英特尔第六代CPU的发布及MRDIMM技术持续渗透，有望持续拉动MRCD和MDB的需求量，建议关注澜起科技（MRCD/MDB芯片）和聚辰股份（SPD产品可配套DDR5内存模组）[5] 根据相关目录分别进行总结 1 服务器CPU配套内存模组向MRDIMM发展，看好MRCD芯片与MDB芯片环节 1.1 服务器CPU配套内存模组向MRDIMM技术发展 - 服务器中CPU与内存模组是两大核心部件，内存模组主要作为CPU与硬盘的数据中转站，用于临时存储数据 [3][8] - 目前服务器中三种主流内存模组技术为UDIMM、RDIMM和LRDIMM，分别适用于日常计算、服务器/工作站以及企业级高性能计算与内存密集型任务 [3][9] - MRDIMM是一种由JEDEC组织定义的新型内存模组架构，适用于高性能计算和人工智能等数据密集型应用 [3][10] - 相较于标准DDR5 RDIMM仅能实现6400MT/s的数据传输速率，第一子代MRDIMM可达到8800MT/s，峰值带宽提高近40% [3][11] - MRDIMM技术持续迭代，第一子代支持8800MT/s，第二子代支持12800MT/s，正在定义的第三子代支持的速率有望实现14000MT/s [3][12][13] 1.2 MRDIMM核心增量为MRCD和MDB芯片，目前渗透率较低 - 在DDR5世代，MRDIMM内存条采用“1+10”架构，即配置1颗寄存时钟驱动器MRCD以及10颗数据缓冲器MDB，这两个环节是核心增量 [5][15] - MRDIMM已适配英特尔第六代至强6性能核处理器（代号Granite Ridge），但截至2026年1月31日，暂未查询到AMD推出支持该技术的新产品，仍需适配更多CPU厂商 [5][17] - 内存厂商对MRDIMM支持积极，美光、SK海力士、威刚均已推出相应产品 [5][17] 1.3 乐观假设下，2030年MRCD/MDB芯片需求量有望分别达5.93/59.28亿个 - 报告假设2030年全球服务器出货量达1900万台，并为双路服务器，每个CPU配备12个内存通道，共24个DIMM插槽，假设插槽利用率100% [20][21] - 在悲观、中性、乐观假设下，MRDIMM的渗透率分别为30%、50%、65%，对应的MRDIMM需求量有望分别为2.74亿条、4.56亿条、5.93亿条 [5][20][21] - 基于MRDIMM的“1+10”架构，在悲观、中性、乐观假设下，MRCD芯片的需求量有望分别为2.74亿个、4.56亿个、5.93亿个；MDB芯片的需求量有望分别为27.36亿个、45.60亿个、59.28亿个 [5][22]

宏观与国际 - 市场预计美联储在鲍威尔5月任期结束前将维持利率不变 [1] - 特朗普对格陵兰岛态度软化，美国国债收益率延续跌势 [2] - 美国向中东增派兵力，地缘风险仍在 [3] - 欧洲养老基金（丹麦、瑞典）继续减持美债 [4] - 美方提议在特朗普四月访华前举行更多中美贸易会谈 [5] 半导体 - 存储长单期限拉长至两年以上，部分框架延伸至2030年，显示行业对长期景气度乐观 [5] - Agentic AI技术趋势将催生对MRDIMM等高带宽内存的需求 [6] - 模拟芯片海外厂商价格上涨，AI服务器带动结构性短缺与增长 [7] 人工智能 - 英伟达CEO黄仁勋计划1月下旬访华，寻求重新打开AI芯片市场 [8] - OpenAI据传将于2月初上线ChatGPT广告 [8] - 我国启动运行规模达600亿元的国家人工智能产业投资基金 [9] - 卖方估算活跃AI Agent对CPU的需求量将呈指数级增长 [10] - 腾景科技签下近9000万元大单 [11] 自动驾驶 - 广东发布政策，支持各地市稳妥有序扩大高级别自动驾驶道路测试与应用区域 [12] 固态电池 - 第三届中国全固态电池创新发展高峰论坛将于2月7-8日召开，将研判行业战略方向与技术路径 [13] 消费政策 - 财政部发文，在武汉天河机场等41个口岸新设口岸进境免税店，以提振消费 [14] 市场动态与资金 - 沪深300ETF尾盘遭遇明显卖盘 [15] - 卖方统计显示，汇金在科创50类ETF中的持仓已较少，而在沪深300ETF中仍有较大规模 [15] - 异常交易监管或将进一步趋严，或限制对异动股的买入权限 [15] - 美银调查显示，全球基金经理现金占比创历史新低，风险偏好处高位，但牛熊指标进入“卖出”区间 [15] 策略观察 - 周三市场成交2.60万亿元，进一步缩量 [15] - 市场早盘一度试图上攻，尾盘在权重股压制下回落，指数围绕4100点震荡 [15] - 市场内部结构分化，机构主导的趋势性板块表现突出 [15] - 有色金属（商品牛市）、电子（半导体封测、CPU、PCB等）、机械设备（AI设备、机器人）领涨 [15] - 半导体（尤其科创属性）、AI硬件、机器人及化工周期构成当前轮番表现的几大趋势主线 [15] - 题材层面，CPO（尤其中小市值）跟随海外走势突破；存储、CPU等涨价逻辑持续强化；卫星互联网板块进入左侧观察区间 [15] - 市场整体在监管引导下呈现“指数稳、结构活”的特征，聚焦产业景气度与业绩趋势 [15]

文章核心观点 - 人工智能基础设施持续推动存储需求增长，导致NAND闪存供应收紧、价格大幅上涨，并深刻改变了存储行业的技术与竞争格局 [1][21] - 存储行业正从提供通用标准产品向为AI提供定制化、高性能解决方案转型，其中高带宽内存（HBM）的定制化是当前竞争焦点 [8][9] - SK海力士等头部厂商发布了覆盖HBM、DRAM、NAND的详细AI存储战略路线图，旨在通过技术创新绑定AI发展，引领“存力升级” [1][3][22] 行业现状与市场动态 - **NAND供应与价格**：NAND闪存晶圆供应进一步收紧，部分产品2024年11月合同价格涨幅超过60% [1]；闪迪在3月、9月两轮涨价后，11月直接提价50%，三星跟进部分产品涨幅超60% [21] - **需求驱动与影响**：AI基础设施持续推动NAND闪存需求增长，全球前五大NAND闪存供应商总营收环比增长16.5%，接近171亿美元 [1]；内存价格上涨推高了智能手机、笔记本电脑等消费电子产品的物料成本，导致设备出货量减少 [1] - **资本支出趋势**：2025年DRAM资本支出预计为537亿美元，2026年预计增至613亿美元，同比增长约14% [12]；2025年NAND Flash资本支出预计为211亿美元，2026年预计小幅增长至222亿美元，同比增长约5% [19] SK海力士的AI存储战略 - **战略愿景**：公司提出“全线AI存储创造者”新战略愿景，并给出了从2026年至2031年的详细产品路线图 [1] - **三大布局**：战略具体分为定制化HBM（Custom HBM）、AI DRAM（AI-D）和AI NAND（AI-N）三个方向 [3] 定制化HBM (Custom HBM) - **技术定义与优势**：定制化HBM将GPU/ASIC的协议和控制器等功能整合到HBM基础裸片上，为计算单元释放更多空间，并显著降低接口能耗 [3][7][8] - **市场竞争与客户**：SK海力士已收到美国“七巨头”（苹果、微软、谷歌、亚马逊、Nvidia、Meta、特斯拉）的定制HBM请求 [8]；定制HBM已成为存储巨头竞争的关键，三星、美光等均在布局 [8] - **具体合作与份额**：SK海力士为谷歌第七代TPU供应HBM3E芯片，韩国投资证券预测其2025年在谷歌TPU HBM供应中占56.6% [6] - **技术演进与规划**：定制化趋势将从HBM4e开始 [8]；SK海力士与三星计划在2026年上半年完成HBM4e开发，该产品将用于英伟达计划2027年发布的“Rubin”平台旗舰型号R300 [9]；公司中长期将进入HBM5世代 [3] - **厂商技术路径**：三星在HBM4起使用自家代工厂工艺制造基底芯片，SK海力士使用台积电工艺，美光在HBM4e上与台积电合作 [9] AI DRAM (AI-D) - **三大方向**：公司细化了AI DRAM的三大方向：优化（Optimization）、突破（Breakthrough）、扩展（Expansion） [12][16] - **优化方向**：包括MRDIMM、LPDDR5R等低功耗高性能方案，旨在降低总体拥有成本并提高运营效率 [13]；在美光与英特尔的测试中，使用容量翻倍的TFF MRDIMM时，运算效率相比RDIMM提高了1.7倍，数据迁移减少了10倍 [15] - **突破方向**：旨在克服“存储墙”，包含CXL内存模块、存内计算（PIM）等前沿技术 [16] - **扩展方向**：旨在将DRAM使用案例从数据中心扩展至机器人、移动端和工业自动化等领域 [16] AI NAND (AI-N) - **三大方向**：公司提出了AI NAND的三大方向：性能（Performance）、带宽（Bandwidth）、密度（Density） [19][20] - **性能方向**：旨在最小化AI计算与存储间的瓶颈，提升处理速度和能效，计划于2026年底推出样品 [19] - **带宽方向**：通过垂直堆叠芯粒扩大带宽，作为弥补HBM容量增长限制的解决方案，关键是将HBM堆叠结构与高密度NAND结合（HBF技术） [19]；SK海力士与闪迪合作推动HBF技术标准化，目标在2026年下半年推出样品 [19] - **密度方向**：目标是将存储密度提高到PB级别，实现结合SSD速度和HDD成本效益的解决方案 [20] - **技术规划**：NAND部分计划实现400层以上堆叠，并推出PCIe Gen7 SSD和UFS 6.0等产品 [3] 行业未来展望 - **涨价预期**：存储业内预计，当前由AI规模化应用导致的结构性缺货将引发更大幅度的价格上涨 [21] - **技术融合**：存储与AI的绑定将越来越深，“存力升级”必须紧随“算力升级”的步伐 [21][22]；AI训练侧对存储容量和带宽需求全面提升，推理侧则对带宽需求突出 [21]

核心观点 - AI推理需求正驱动存储产业链快速增长，模型创新与资本支出为发展奠定基础，产业链各环节协同发展，存储价格持续上涨，原厂毛利率显著提升，架构升级与新技术带来设备及芯片新机遇 [1] AI推理驱动存储需求增长 - AI服务器中的存储主要包括HBM、DRAM、SSD等，呈现性能逐级下降、容量逐级增加、成本逐级降低的特征 [1] - 推理驱动AI存储快速增长，内存受益于超长上下文和多模态推理需求，高带宽与大容量内存可降低访问延迟、提升并行效率 [1] - SSD和HDD是Tokens的积分，轻量化模型部署推动存储容量需求快速攀升，预计未来整体需求将激增至数百EB级别 [1] - 随着长上下文推理、RAG数据库及tokens规模快速增长，AI工作负载对高带宽、大容量eSSD的需求将持续增强，AI服务器、存储服务器中的eSSD市场空间将进一步扩大 [2] 存储技术升级与架构创新 - DRAM和NAND架构升级，为设备需求带来新机遇 [1] - MRDIMM有望应用于大模型推理，在KVCache场景下提供确定性增益，并发更高、上下文更长、端到端时延更低，并显著优化CPU–GPU内存编排与资源利用 [2] - CXL实现存储池化，显著提升计算效率，在KVCache密集型推理中形成显著TCO优势，协议持续在AI领域渗透，拉动芯片需求增加 [3] - CXL互连芯片作为CXL技术落地的核心载体，有望在AI领域发挥更大作用 [3] 存储产业链细分机会 - 存储代工模式迎来产业变革机会 [1] - 接口芯片MRDIMM和VPD打开新空间 [1] - 随DDR5渗透不断扩大，SPD芯片技术规格和单价较DDR4世代更高，在价值量与需求量的双重维度驱动下，DDR5 SPD市场快速发展 [2] - SSD升级有望带来VPD成长机会，SSD性能提升将推动VPD EEPROM产品技术规格升级，其价值量也有望随性能升级进一步提升 [2]