DRAM市场供需反转 - DRAM市场从2024年下半年供应过剩转为供不应求 DDR4在5月单月涨幅达53%创2017年以来最大涨幅 美光6月报价跳涨50%出现"有钱没货"现象 [1] - 2025年初至今DRAM综合价格指数上涨47.7% 其中6月单月上涨19.5% 传统DRAM与服务器DRAM量价齐升推动市场创历史新高 [1] - 三大DRAM原厂将产能转向高阶产品 引发旧世代产品备货潮 DDR5渗透率加速提升成为未来趋势 [2] AI驱动与国产化机遇 - AI应用加速推动内存升级浪潮 客户基于本地化与供应链安全考虑增加国产存储产品采购 [3] - 2025年全球半导体保持乐观增长 AI驱动下游需求 政策推动国产化替代应对供应链中断风险 [1] - 国内存储企业紧抓机遇 企业级存储国产化成为主线行情 [1] 江波龙产品与技术布局 - 具备"eSSD+RDIMM"产品设计组合能力 推出多款DDR4/DDR5 RDIMM企业级存储产品 [1] - LPDDR5产品已量产 LPDDR5X实现批量交付 加快高端消费级及企业级DDR5产品量产 [2] - 企业级存储产品组合突破 2025Q1收入3.19亿元同比增长超200% 覆盖互联网/信创/运营商等多领域客户 [3] 商业模式创新 - 首创PTM（产品技术制造）和TCM（技术合约制造）模式 整合自研芯片/封测/品牌渠道构建综合服务能力 [5][6] - TCM模式获闪迪/传音/ZTE等Tier1客户认可 增强产业供需能见度并降低价格波动影响 [6] - 与闪迪合作UFS解决方案 依托自研主控芯片性能加速导入Tier1客户供应链 [4] 市场前景预测 - 3Q25传统旺季备货动能释放 企业级产品推动季度业绩环比增长明确 [7] - TrendForce预计Q3一般型DRAM价格季增10%-15% 含HBM整体涨幅达15%-20% [7] - HBM/eSSD/RDIMM/DDR等高端产品国产化率提升 国内存储市场加速成长 [7]

报告行业投资评级 - 对Aspeed Technology评级从Equal - weight上调至Overweight，对Montage Technology Co Ltd提高目标价 [6] 报告的核心观点 - 鉴于2026年四季度或一季度云资本支出可能触底以及美国关税影响已被定价，从宏观角度应转为积极看待云半导体行业 [1] - 推理需求增长将支撑CPU和非标准AI服务器需求，同时AI服务器机架数量增加 [1] - 行业周期可能很快触底，盈利修正有望见底，GB机架良率提高 [2] 根据相关目录分别进行总结 云资本支出情况 - 美国云资本支出追踪数据显示2025年同比增长38%，高于一个月前预测的31%，使2025年成为过去十年中资本支出增长第三强的年份，全球前11大云服务提供商预计2025年资本支出达3920亿美元，占收入的16.6%，创历史新高 [10] 行业需求情况 - 上半年通用服务器需求强于预期，部分受推理需求驱动，新世代服务器占比从2025年一季度开始激增，替代GPU解决方案和PCIE GPU服务器有望在下半年维持需求，下半年需求不太可能显著下降 [3] 行业长期趋势 - 服务器增强安全功能将导致半导体含量增加，产品种类丰富且有业绩记录的公司将获得市场份额，中国服务器品牌采用更先进接口将提升性能，Montage将是受益者 [4] 公司评级及目标价调整 - Aspeed评级从Equal - weight上调至Overweight，目标价从新台币3000元提高至5000元，上调2025 - 2027年盈利预测分别为9%、8%、31% [5][6] - Montage目标价从人民币88元提高至100元，上调2026 - 2027年盈利预测分别为9%、11% [5][6] 公司估值及风险回报 - Montage估值采用剩余收益模型，假设股权成本9%、派息率86%、终端增长率6%，目标价反映了修订后的盈利预测和更乐观的云资本支出预期，上调中间增长率从13.7%至13.9% [35] - Aspeed估值采用剩余收益模型，假设股权成本9.8%、终端增长率5.2%，提高目标价考虑了2025 - 2027年盈利预测变化，上调中间增长率从14.9%至17.2%，派息率从64%至80% [59][65] 其他公司价格目标及风险 - Apple目标价235美元，基于2026财年7.9倍EV/Sales倍数，对应2026年每股收益8.06美元的29.2倍P/E [86] - CoreWeave目标价基于2035年24倍EV/FCF（58亿美元），暗示2026年15倍EV/EBIT，较同行有折扣 [88] - IBM目标价233美元，反映2026年15倍P/FCF（每股自由现金流15.55美元） [88]

纪要涉及的公司和行业 - **公司**：Rambus，一家领先的内存IP供应商，在半导体行业有35年历史 [1][3] - **行业**：半导体行业 核心观点和论据 公司业务模式与财务表现 - **业务模式**：通过专利许可计划、硅IP业务和内存接口芯片业务三种方式推向市场 [4] - **专利许可计划**：公司基石，拥有约2700项专利，业务稳定，年现金流入2 - 2.1亿美元 [4] - **硅IP业务**：销售IP构建模块，去年营收1.2亿美元，预计增长10% - 15%，客户多样 [5] - **内存接口芯片业务**：向内存供应商销售芯片，去年营收达2.5亿美元，因DDR5领导地位实现显著增长 [6] - **财务表现**：Q1财务结果和Q2业绩指引令人满意 [9] 宏观趋势与关税影响 - **关税影响**：目前无直接关税影响，制造合作伙伴分布在台湾和韩国，关注供应链紧张和需求破坏等间接影响 [9][10] - **订单模式**：未发现客户提前采购情况，客户库存水平合理，受DDR4库存和DDR5子代影响，模块库存可见度低 [11] 产品营收与增长机会 - **DDR5转型**：过去几年产品营收显著增长，DDR5转型完成，市场份额较DDR4翻倍 [12][13] - **增长机会** - ** companion chips**：提供6亿美元市场机会，预计2025年下半年开始贡献营收，2026年及以后持续增长，目标市场份额20% [15] - **MRDIMM**：2026年下半年开始贡献营收，与英特尔和AMD下一代平台同步 [16][17] - ** client opportunity**：数据中心技术向客户端渗透，目前市场小但具重要意义，已有两款芯片进入市场 [18] AI对业务的推动 - **内存需求**：AI服务器内存密度是传统服务器2 - 4倍，推动DDR4向DDR5转换，增加芯片内容 [23] - **硅IP业务**：为AI加速器解决方案提供构建模块，满足不同内存需求，解决计算与内存接口问题 [21][22][24] 定制ASIC与业务受益 - **定制ASIC趋势**：市场加速发展，产品周期缩短，公司销售标准接口和安全IP等构建模块，助力客户缩短上市时间 [30][31] CPU架构与业务适应性 - **架构适应性**：对CPU架构选择持中立态度，ARM架构采用并推动DDR5使用，关注新兴计算模型 [37][38] CXL平台机会与挑战 - **机会**：硅IP业务销售CXL连接控制器核心，有市场洞察 [39] - **挑战**：受AI影响优先级降低，市场存在碎片化，需形成标准使用模式 [40][42] 美国本土地位优势 - **战略优势**：作为美国本土供应商，长期来看在供应链安全性方面具有战略优势 [44] 许可业务增长领域 - **增长领域**：硅IP业务是增长领域，预计增长10% - 15%，关键IP包括安全IP和接口控制器IP（如HBM、CXL等） [45][46] 其他重要但可能被忽略的内容 - **业务转型**：公司从专利许可业务向半导体产品解决方案公司转型进展顺利 [47] - **长期规划**：DDR5周期到2030年，DDR6处于定义阶段，公司参与标准制定，有中期规划 [48][49] - **客户端机会**：客户端市场虽小但处于高端，增长机会大，公司有明确路线图 [50]

新型内存技术MRDIMM - MRDIMM起源于DDR4世代的LRDIMM，采用"1+10"架构（1颗MRCD+10颗MDB），实现比标准DDR5 DIMM更高的数据吞吐量，第一代速度达8800MT/s，第二代达12800MT/s [1][2][3] - 高尺寸MRDIMM无需增加物理插槽即可扩充内存容量，适用于2U及以上服务器，在美光测试中运算效率比RDIMM提高1.7倍，数据迁移减少10倍 [4][6] - MRDIMM采用DDR5物理电气标准，缓解"内存墙"问题，在AI推理中使词元吞吐量提升1.31倍，延迟降低24%，CPU利用效率提升26% [7] 行业需求与技术瓶颈 - AI/HPC/实时分析等对内存带宽需求每年增长超10倍，CPU核心数达上百量级，但传统RDIMM带宽增长缓慢形成"内存墙"瓶颈 [5][6] - DDR5市场快速发展，MRDIMM有望成为高性能计算主内存优选方案，预计未来更多ARM架构CPU平台将支持 [12] - 澜起科技在DDR4时代主导"1+9"LRDIMM国际标准，现为全球两家可提供第一代MRCD/MDB芯片的供应商之一 [2][11] 主要厂商布局 - 英特尔至强6处理器支持MRDIMM，性能提升33%；AMD Zen6 EPYC将支持12800MT/s MRDIMM [8] - 美光2024年7月出样首代MRDIMM，SK海力士展示三款12800MT/s MRDIMM产品，最高容量256GB [9][11] - 瑞萨推出第二代MRDIMM芯片组，带宽比第一代提升1.35倍；Rambus发布支持12800MT/s的MRCD/MDB芯片及PMIC [10][9] - Cadence推出首款12800MT/s DDR5 MRDIMM IP方案，基于台积电N3工艺 [11]