文章核心观点 - ASML推出首款先进封装光刻机TWINSCAN XT:260，标志着其正式进军先进封装市场，释放出半导体光刻技术向先进封装领域延伸的强烈信号[2] - AI芯片和高性能计算需求推动先进封装从后端辅助工艺跃升为性能突破关键环节，市场热度持续攀升，引发先进封装设备竞赛浪潮[3] - 先进封装设备市场呈现多强争霸格局，DISCO、BESI、ASMPT、韩美半导体等厂商在各自细分领域引领技术发展，ASML的入局进一步激活了市场竞争与创新活力[21][33][38] 先进封装市场概况 - 2024年全球先进封装市场规模为457.3亿美元，预计到2033年将达到1133.3亿美元，复合年增长率达9.5%[3] - 先进封装市场的火热点燃了先进封测设备发展浪潮，2025年后端设备总收入约70亿美元，预计到2030年将超过90亿美元，年复合增长率接近6%[3] - 随着芯片制造复杂性超越前道尺寸缩放，包括固晶机、倒装芯片贴片机、热压键合、混合键合等后道设备成为推动半导体创新的战略重点[6] 关键设备细分市场 - 热压键合市场将在2030年达到9.36亿美元，实现11.6%的年复合增长率，主要由内存与AI平台的集成需求推动[6] - 混合键合设备市场将以21.1%的年复合增长率高速增长至3.97亿美元，其高密度、细间距互连对于先进3D集成至关重要[9] - 预计2030年晶圆减薄市场规模将增长至8.9亿美元以上，切割领域市场规模将达到约20亿美元，计量与检测设备市场规模将增长至约8.5亿美元[17][18] 主要设备厂商竞争格局 - DISCO凭借晶圆减薄、切割和研磨技术优势站稳后道设备龙头位置，为HBM和先进封装提供全流程技术支持[23] - Besi凭借在混合键合设备领域的深厚积淀成为行业领军者，2024年收到两家领先存储芯片厂商针对HBM4应用的混合键合订单，当季订单量达1.319亿欧元[26] - 应用材料公司在2024年收购Besi 9%股份成为其最大股东，双方合作开发全集成混合键合设备，结合前端晶圆处理与后端高精度封装能力[28] 热压键合设备市场竞争 - 韩美半导体稳居TCB设备行业龙头，2024年销售额同比增长252%，营业利润激增639%，并成功突破美光供应链，获其50台设备追加订单[29] - ASMPT的TCB设备已进入SK海力士HBM3E试产线，支撑16层堆叠产品量产，2025年订单可见度达12个月，在满足精度与效率要求的同时成本显著低于混合键合技术[31] - 韩华SemiTech 2024年向SK海力士交付12台TCB设备，总金额达4200亿韩元，其设备以自动化系统与维护便利性见长，可支持8-16层堆叠[31] ASML新技术产品分析 - TWINSCAN XT:260采用365nm i线光源，通过优化工艺系数与数值孔径，能够实现400nm分辨率的精准图案化，匹配先进封装中RDL、TSV等关键工序需求[34] - 设备通过四重相场拼接技术将单次曝光面积扩展至26mm×33mm，配合双工作台并行处理设计，使生产效率达到每小时270片晶圆，较前代机型提升4倍[37] - XT:260的套刻精度控制在±1.2nm，较ASML前代封装机型提升52%，得益于蔡司定制投影透镜与AERIAL II照明系统的协同优化[37] 本土设备厂商发展现状 - 国内供应商仅能满足不到14%的本土后道设备需求，核心设备依赖进口的现状尤为突出[41] - 2025年国内后道封测设备国产化率有望突破20%，北方华创、中微公司、上海微电子、盛美、青禾晶元等头部企业在刻蚀、薄膜沉积、光刻、电镀、清洗、键合等领域形成产品矩阵[41] - 上海微电子分拆子公司AMIES的先进封装光刻设备在全球市场占有35%的份额，在中国市场占有90%的份额，获得国家全力支持包括地方政府基金的投资[42]

行业需求趋势 - AI与高性能计算需求持续强劲，生成式AI浪潮成为科技业主轴，带动英伟达、AMD等大厂订单爆发性成长 [1] - 微软、Meta、亚马逊AWS及Google等指标大厂竞相争抢高速运算产能，需求至少将旺到明年底 [1] 台积电产能状况 - 台积电作为英伟达、AMD高性能计算唯一产能供应商，其2nm、3nm先进制程及SoIC、CoWoS先进封装产能已被预订一空 [1] - 为应对AI客户庞大需求，台积电开始加速委外先进封装与先进测试 [1] 日月光投控运营展望 - 日月光投控因承接大笔英伟达、AMD订单，正积极加快扩产脚步 [1] - 旗下矽品的二林厂与斗六厂可望在明年准备就绪，收购的高雄路竹厂房亦有望在明年完成机台进驻 [1] - 法人在英伟达、AMD等大客户订单挹注下，看好公司明年运营将攀上高峰，并可望赚至少一个股本 [1] 京元电运营展望 - 京元电成功拿下英伟达高性能计算测试大单，GB200/300订单目前正在量产 [2] - 英伟达明年将问世的Rubin平台订单预计今年底启动测试产能 [2] - 法人在大客户订单挹注下，看好公司明年运营将攀上高峰，并可望赚至少一个股本 [1]

涉及的行业与公司 * 行业：半导体行业，特别是先进封装、AI/HPC芯片、碳化硅材料、光电集成领域[1][5][15] * 公司：台积电、英伟达、AMD、谷歌、AWS、Marvell、ASE、英特尔、三星、Wolfspeed、环球晶圆、ROHM、SICC、三安等[1][8][60][136][145][146][286] 核心观点与论据 AI芯片面临的挑战与行业应对 * AI芯片功耗与复杂性激增，单个GPU电流需求超过1000A，功耗常超过1千瓦，对电源传输网络和热管理提出极限挑战[5][6][22][23] * 传统通过PCB或ABF基板供电的方法因路径长、寄生电感高导致压降和电压波动，已接近极限[5][6] * 行业提出多种解决方案：Marvell推出封装集成电压调节器缩短电源路径[8] ASE通过VIPack平台优化电源传输网络、信号互连和热性能[9][10] 台积电采取多元化策略，在CoWoS-L平台嵌入IVR和eDTC，开发背面电源传输网络，并引领热协同设计[12][13] 碳化硅成为关键材料 * 碳化硅因其宽禁带、高热导率、高击穿场强等特性，从功率电子领域扩展至先进封装和异构集成[16][17][49] * AI芯片发展暴露出热管理、电源传输和光电集成三大瓶颈，碳化硅有望成为同时解决这些挑战的潜在终极方案[26][49][124] * 碳化硅在先进封装中的四大角色：热基板、光学中介层、电气中介层、垂直供电基板，成为连接电源传输网络、热管理和光互连领域的关键材料[19][20][21][50][117] 台积电的战略布局与技术平台 * 台积电视碳化硅为重要战略方向，积极探索将其用于热基板和光电中介层，若成功可能在高性能计算封装领域建立独特竞争优势[42][59][152][192] * 台积电的3DFabric战略通过CoWoS、SoIC、InFO等平台应对集成挑战[38][39] 新推出的COUPE平台聚焦光电集成、垂直供电和异构集成[53][54][55][56][57] * 台积电的CoWoS系列平台持续演进：CoWoS-S使用硅中介层但尺寸受限 CoWoS-R引入基于RDL的有机中介层 CoWoS-L集成局部硅互连芯片与高阶RDL结构，支持超大中介层[40][41] 碳化硅应用的机遇与挑战 * 机遇：12英寸碳化硅晶圆技术取得突破，有望支持更大面积封装，是AI时代材料应用的关键转折点[126][127][152] 碳化硅晶圆市场规模预计从2025年的9.7亿美元增长至2030年的26.5亿美元，复合年增长率22.24%[167][209] * 挑战：12英寸碳化硅晶圆面临缺陷密度控制、加工难度大、成本高、与硅等材料热膨胀系数不匹配等瓶颈[66][67][123][201][202][203][204] 全球12英寸碳化硅晶圆供应仍处于研发或小规模试产阶段[151][153][206] * 供应链动态：Wolfspeed作为主要供应商面临成本上升、需求低于预期、债务沉重等挑战[137][138][139][140][143] 中国碳化硅产业崛起，供应商扩张加剧全球竞争和价格压力[136][138][144][146] 竞争对手策略 * 英特尔：积极推进PowerVia背面供电和Foveros/EMIB技术，专注光学互连领导力，未宣布采用碳化硅基板计划[60][196][197][199] * 三星：投资高带宽存储器堆叠和玻璃基板，计划2028年将玻璃中介层用于AI芯片2.5D封装，专注于成本降低和互连稳定性[60][198][199] 具体技术研究与进展 * 穿透碳化硅通孔技术研究显示，碳化硅在高电阻率下具有低传输损耗和良好的射频性能，适用于共封装光学和光子学应用[233][234][235][236][237][238][240][246][247][252][253][255][256][257][265] * 碳化硅在增强现实眼镜波导中具有高折射率，可实现超宽视场角，结合微发光二极管被视为未来增强现实显示主流技术路径[68][69][72][73][74][75][76][77] * 碳化硅在晶圆厂设备中已知用作化学机械抛光停止层和混合键合中的关键材料，显示出与现有工艺的兼容性[97][98][99][100][101][102][103] 其他重要内容 * 英伟达正与台积电合作探索将碳化硅用作中介层材料，以满足AI/高性能计算封装日益增长的带宽和功耗需求[61] * 行业垂直互连技术包括穿透硅通孔、穿透玻璃通孔、穿透模塑料通孔，穿透碳化硅通孔成为新焦点[63] * 环球晶圆宣布了新的12英寸碳化硅晶圆技术，提出类似载具晶圆架构，将完整的碳化硅载具晶圆作为结构和热层插入封装堆叠中[286][287][288][290]

文章核心观点 - 半导体行业进入“后摩尔时代”，先进封装技术成为实现系统级性能跃升的关键载体，替代单纯依赖制程突破的发展模式 [1] - 全球先进封装市场增长强劲，2030年市场规模预计突破794亿美元，2024-2030年复合年增长率达9.5%，AI与高性能计算是主要驱动力 [1] - 国际巨头（台积电、英特尔、三星）与国内厂商（长电科技、通富微电、华天科技等）在先进封装领域展开激烈竞争，技术路径各具特色 [1][17] - 国内封测企业通过技术攻坚和产业链协同加速发展，在2.5D/3D封装、Chiplet等关键领域持续发力，旨在为产业链自主可控提供关键支撑 [17][32] 行业背景与市场前景 - 传统芯片制程迭代受物理极限和成本激增挑战，先进封装技术凭借灵活性强、集成密度高、尺寸小、性能好等优势成为破局方向 [1] - 先进封装技术包括倒装芯片封装、晶圆级封装、系统级封装和2.5D、3D封装等 [1] - 2025年全球先进封装市场规模预计达569亿美元，首次超越传统封装，2028年或达786亿美元 [32] 国际厂商技术布局 台积电 - 以CoWoS、InFO和SoIC三大核心技术构建覆盖全场景的“3D Fabric”先进封装平台，在全球高端封装产能中占主导地位 [2] - CoWoS-S5技术支持8颗HBM3内存与2颗SoC芯片集成，中介层面积达2400mm²，为NVIDIA H100 GPU提供5.3TB/s内存带宽，性能较前代提升3倍 [5] - CoWoS-S5采用混合键合技术，键合间距缩小至1μm，I/O密度达120万/平方毫米，较传统微凸块技术提升70倍 [5] - InFO技术通过高密度RDL直接互连实现低成本、薄型化封装，为独占苹果A系列处理器打下基础 [5] - SoIC技术采用晶圆对晶圆混合键合方案，实现真正3D芯片堆叠，凸块密度更高，传输速度更快，功耗更低 [5][6] 英特尔 - 以EMIB和Foveros为核心构建异构集成能力，瞄准高性能计算与AI芯片市场 [7] - EMIB技术通过硅桥连接裸片，避免使用硅中介层，其EMIB-T技术引入TSV通孔供电，信号传输速度达32Gb/s，兼容UCIe 2.0协议 [7][10] - Foveros技术实现不同工艺、功能芯片的垂直堆叠，关注互连密度、功率效率和可扩展性 [10] - 积极布局玻璃封装和CPO（共封装光学）领域，首款玻璃封装测试芯片已于2023年展示，计划2025-2030年量产 [10] 三星 - 构建以I-Cube和X-Cube为核心的技术体系，覆盖2.5D和3D IC封装领域 [11] - I-Cube技术细分为I-Cube S、I-Cube E及H-Cube方案，满足多样化需求 [11][12] - X-Cube技术通过TSV实现芯片垂直连接，分为凸点连接和混合键合两种方案 [12] - 推出SAINT技术体系聚焦存储与逻辑芯片协同封装，其中SAINT-D技术通过热压键合工艺实现HBM的12层垂直堆叠，消除对硅中介层依赖 [13][15] - 推进SoP（面板级系统）技术商业化，采用415mm×510mm超大尺寸面板作为封装载体，直接对标台积电SoW和英特尔EMIB工艺 [14] 国内厂商发展现状 整体态势 - 2024年中国先进封装市场规模达698亿元，同比增长18.7% [17] - 国内封测企业通过技术突破和产能扩张，在2.5D/3D封装、Chiplet集成等关键领域持续发力 [17] 长电科技 - 2025年上半年营业收入186.05亿元，同比增长20.14% [18] - 以自主开发“XDFOI Chiplet平台”为核心，构建覆盖2.5D、3D等多维异构集成场景的先进封装体系 [18] - 平台可实现50μm以下厚度中介层与40μm微凸点间距，目前已进入稳定量产阶段 [18] - 2025年上半年汽车电子业务同比增长34.2%，工业及医疗领域同比增长38.6% [19] 通富微电 - 2025年上半年营业收入130.38亿元，同比增长17.67%，归母净利润4.12亿元，同比增长27.72% [20] - 在大尺寸FCBGA开发方面取得重要进展，大尺寸FCBGA已进入量产阶段 [20] - 获得“扇出型封装方法”发明专利授权，新获专利授权18个，较去年同期增加28.57% [20] - 基于玻璃基板的先进芯片封装技术已通过阶段性可靠性测试 [21] 华天科技 - 2025年上半年开发完成ePoP/PoPt高密度存储器及车规级FCBGA封装技术，2.5D/3D封装产线完成通线 [21] - 2025年8月设立子公司南京华天先进封装有限公司，主营2.5D/3D等先进封装测试业务 [21] - CPO封装技术关键单元工艺开发进行中，FOPLP封装已通过客户可靠性认证 [22] 其他国内企业 - 云天半导体聚焦晶圆级三维封装、扇出型封装及TGV转接板等工艺 [22] - 越摩半导体提供SiP、fcBGA、Chiplet等先进封装解决方案 [22] - 矽迈微电子建成国内首条基板扇出型封装产线 [22] 行业活动与展望 - 2025湾区半导体产业生态博览会（湾芯展）将于10月15-17日在深圳举办，聚焦先进封装赛道，成为洞察全球趋势的重要窗口 [24][25] - 国内产业链相关厂商通过全面布局、深度绑定和技术专注，正逐步缩小与国际头部的差距，为中国半导体产业赢得下一个十年提供关键支撑 [32]

涉及的行业与公司 * 行业聚焦于半导体 特别是先进封装 异构集成 硅光子学 高带宽内存(HBM) 人工智能(AI)芯片 以及相关的测试与设备[2][3] * 核心提及的公司包括台积电(TSMC) 日月光(ASE) 矽品(SPIL) 英伟达(Nvidia) 超微(AMD) 博通(Broadcom) 联发科(MediaTek) 世芯(Alchip) 信骅(Aspeed) 美光(Micron) 索尼(Sony) 艾司摩尔(ASML) 英飞凌(Infineon) 德州仪器(TI) 以及多家初创公司如Ayar Labs Lightmatter[3][4][8][18][19][36][40] 核心观点与论据 先进封装与CoWoS产能扩张 * 台积电CoWoS产能预计从2025年底的70kwpm扩增至2026年底的100kwpm[3] * 日月光/矽品因关键客户如AMD寻求供应多元化 可能在2026年更积极地扩张CoWoS产能[3] * 芯片设计趋向小芯片(chiplet) 尤其在高效能运算(HPC)领域 以改善成本结构 加速产品设计并提高互连密度[3] * 台积电SoIC产能预计从2025年底的8-10kwpm加速扩增至2027年的20-30kwpm[3] * 采用3 5D先进封装(混合键合3D IC + 2 5D中介层) 如AMD MI350系列GPU 可在给定模组尺寸下比2 5D封装多提供约80%的有效硅面积[34] 共封装光学(CPO)与硅光子学(SiPh)发展 * 光学互连在扩展网络(scale-out)已转型 在扩展架构(scale-up)上相比全电气解决方案可实现集群规模数量级提升[30] * 博通预计CPO功耗将在2028年优化至足以替代铜用于xPU集成 其Gen 3 CPO(200G/通道)计划于2026年推出 Gen 4(400G/通道)于2028年推出 相比可插拔方案可实现100倍集成度提升和超过3 5倍的能耗降低[3][30] * 英伟达Spectrum-X CPO方案利用台积电COUPE技术 预计可节省3 5倍功耗 并提供比现成以太网方案高63倍的信号完整性[12] * 铜缆在传输距离上存在限制 从100G/通道升级至200G/通道 其传输距离从4米缩短至2米[12] * 行业因CPO功耗仍高于10pJ/bit而受阻 但功耗预计在2028年通过中间CPO方案降至10pJ/bit以下 并在2029年通过先进CPO方案进一步降至5pJ/bit以下[12] 面板级封装(FOPLP)与基板技术演进 * 更大中介层(朝向5 5倍光罩尺寸及下一代AI加速器的9-10倍)可能驱动从CoWoS转向面板级封装 以期在2028-29年实现更高生产效率 台积电为其2027年量产的小型线进行供应商选择[3] * 采用面板级封装可实现比晶圆更高的利用率 300mm面板的利用率可从300mm晶圆的平均59%(5-9倍光罩尺寸)提升至80% 600mm面板可进一步提升至85%[34] * 玻璃基板因其热膨胀系数(CTE)可调性 平坦度与刚度 电绝缘性 透明度(可与CPO共用)及大母玻璃(低成本)等五大优势而具潜力[21] 前端制造与技术缩放 * 尽管技术迁移放缓 行业仍需推动在更低功耗下实现更快速度[3] * 2030年后进一步缩放的关键推动力包括采用高数值孔径(High NA) EUV(甚至超高NA微影)及向更多3D晶体管结构(如CFET)过渡[3] * 艾司摩尔提供全面的微影产品组合 包括0 33 NA/0 55 NA及未来的0 75 NA EUV微影系统[40] * 台积电A16将是首个采用背面供电网络(SPR)的制程[40] 测试复杂性与策略演进 * 测试对于支持更复杂的晶粒 封装设计和异构集成变得更为重要 行业专家预计需要在晶圆/晶粒级别进行更多测试插入 以早期探测识别良率问题[3] * 模拟真实世界操作的使命模式测试(mission-mode testing)可能在探测和系统级测试中增加[3] * 测试成本在硅光子系统中占主导地位 组装和测试成本分别约占总成本的15%和35%[25] * 测试流程需优化 "左移"(shift left)概念将测试内容左移至晶圆或晶粒级别以避免昂贵的封装报废 同时"右移"(shift right)考虑将老化测试和系统级测试推迟至封装后[46] 能源效率与功率半导体 * AI驱动显著运算需求 导致模型大小和训练所需能源呈指数增长 解决方案包括大型3D小芯片加速器的紧密集成 低能耗/位的高带宽内存(HBM)及支持网络带宽和距离的光学互连[34] * 氮化镓(GaN)允许更高切换频率 可实现磁体尺寸缩小高达60%[36] * 数据中心电源架构向Gen 3发展 目标功率达1MW 需从48V转向800V或400V[36] 异构集成与AI应用 * 索尼展示通过异构集成将像素芯片与AI芯片堆叠(2 xD) 或通过铜-铜混合键合形成堆叠背照式CIS(3D) AI集成可提升影像品质并实现智能视觉传感器应用[19] * 美光强调HBM组装流程有数百个步骤 操作卓越至关重要 内存生命周期远短于机器交付时间 因此一次资格认证机会至关重要[18] 其他重要内容 * SEMICON Taiwan 2025规模创纪录 吸引1,200家参展商和约100,000名访客(去年为85,000名)[2] * AI计算需求在过去12个月增长10倍 远超典型技术升级速度[3] * 台积电SoIC采用无凸块技术 在使用面对面(F2F)堆叠时 密度可达CoWoS的40倍 能耗仅为CoWoS的0 2倍[20] * 计算FLOPs在过去20年增加60,000倍 而内存带宽仅增加100倍 I/O带宽仅增加30倍 导致数据传输出现 discrepancy[12] * 联发科强调AI加速器总目标市场(TAM)复合年增长率(CAGR)超过46%[38] * 台积电讨论其COUPE平台开发及关键光学组件(包括PIC 耦合器 调制器 波导等)的制造能力[3] * 全球AI热潮可能推动半导体市场在2030年达到约1万亿美元[40] * 投资建议看好台积电 日月光 联发科 世芯 信骅(均评级为买入) 对硅晶圆和部分成熟制程晶圆代工厂持谨慎态度[4]

**行业与公司** * 行业涉及AI算力产业、半导体制造、先进封装、硅光子技术、存储器等[1][2][5] * 核心公司包括英伟达、谷歌、台积电、ASML、Oracle、工业富联、软银、AMD、博通等[1][2][3][4][7][8][16][19][23] **核心观点与论据** * **行业前景与主导力量**：AI算力产业发展方向由英伟达和谷歌等系统厂商的采购决策主导[1][2] 台积电和ASML在技术平台供给上起关键作用 决定了全球半导体设备采购及技术演进方向[1][2][8] * **技术热点与演进**：硅光子技术成为2025年热点 旨在降低传输等非计算部分的能源消耗[1][2] 大规模商用预计在2027年 英伟达产业链可能率先采用 谷歌产业链商用时间表未明确[1][4][12] 台积电技术领先 2纳米工艺已于2025年量产 持续推进3纳米 增强了其定价能力[1][13] 存储器领域正从2.5D架构向3D堆叠架构转变[20] * **先进封装发展**：台积电提出Foundry 2.0概念 先进封装收入保持50%的同比增长[15] 现有六座厂房运行 规划四座新厂 CoWoS、SoIC、CoPoS等平台扩建 成为新增长引擎[1][15] 硅光子技术是先进封装的重要组成部分[9] * **能源消耗挑战**：AI发展显著增加能源消耗 单机柜能耗从2022年60千瓦增至2025年120千瓦 预计2027年达500千瓦[10] 通过先进工艺降低计算能耗成为关键 英伟达CPU方案使信号传输能耗从30瓦降至9瓦 下降70%[1][10] * **公司业绩与增长动力**：台积电未来收入增长主要依赖高性能计算客户群体 美国客户占比超过68%[3][16] 产品单价从2019年3000美元上涨至目前7000美元以上[13] 工业富联受益于AI相关资本开支周期 云计算业务增速快[23][24] Oracle资本开支显著增加 上个季度首次超过经营现金流 自由现金流转负 今年预测350亿美元 超出市场预期[19] * **资本开支与估值**：台积电2021年资本开支占收入比例达50% 为压力最大阶段 目前压力已减轻 设备折旧占收入比例预计逐步下降[21] 台积电台股市盈率21.3倍 美股ADR为26倍 存在折让[22] 工业富联A股市盈率约为24倍[24] **其他重要内容** * **中国市场表现**：台积电中国区收入自2021年以来保持30%年均增长 2023年绝对金额已超过2019-2020年高峰期 目前销售占比维持在10%以上[17][18] * **新兴架构与厂商**：市场上出现新的AI芯片架构 如黄邦殿推崇的Cube形式 Jim Keller公司基于RISC-V并提出无需HBM的新架构[11] Oracle若执行OpenAI的300亿至3000亿美元订单 将带来算力需求新增量[19] * **具体技术时间表**：Ruby Ultra代CPU预计2027年开始少量使用 2026年基本不会大规模应用[4] Chip on Wafer on PCB技术预计2030年后实现 Chip on Panel on Substrate技术原计划2027年 现推迟至2028-2029年[4] 英伟达CPU计划2027年商用 从Spectrum X以太网交换机开始小规模使用 大规模商用预计2028年[12] * **产业链差异**：谷歌采用9000多个TPU形成大型计算单元 其解决方案对光模块、PCB等零部件的需求与英伟达完全不同 产业链结构不一致[7] 预计到2026年 ASIC数量可能接近甚至达到英伟达和AMD GPU总量规模[7]

行业需求激增 - NVIDIA等公司在AI芯片领域快速发展导致台积电先进封装服务需求激增 被迫提前数月安排生产计划 [2] - 客户迫使台积电将生产流程加快四分之三以上 有时甚至加快一年 [4] - AI GPU制造商产品周期通常为6个月到一年 对CoWoS、SoIC等先进封装技术的需求持续高涨 [4] 技术产能挑战 - 台积电在CoWoS等先进封装技术领域占据主导地位 但无法独自满足巨大市场需求 [4] - 传统"按部就班、顺序"部署封装生产线的方式已不再可行 [4] - 公司必须加快封装产品路线图的制定 以跟上NVIDIA等公司的AI量产路线图 [4] 战略应对措施 - 台积电采取"面向未来"策略 包括提前订购所需设备 [4] - 与本地封装供应商合作组建"3DIC先进封装制造联盟" 成员包括台积电、日月光和多家公司 [4] - 针对NVIDIA Rubin在Blackwell Ultra量产6个月后亮相的架构差异 需要采取措施确保按时交付 [4]

展会与行业趋势 - SEMICON Taiwan 2025展会将于9月10-12日举行 聚焦AI CoWoS先进封装与测试量产进度[1] - 半导体制程微缩遇瓶颈 异质整合与先进封装成为突破方向 AI HPC与HBM需求大增推动3D IC及面板级扇出封装技术发展[1] - 3D IC和面板级扇出封装成为驱动半导体创新的核心技术 是展会关注焦点[1] 台积电先进封装技术布局 - 台积电主导CoWoS InFO SoIC三大先进封装技术 均适用于AI和HPC芯片 其中CoWoS量产已具规模[1] - NVIDIA和AMD对CoWoS需求持续强劲 苹果高阶处理器需要InFO技术 AMD是SoIC先进封装首要客户[1] - 台积电2024年10月宣布与Amkor深化合作 在美国亚利桑那州扩展InFO及CoWoS产线[1] - Amkor亚利桑那州新建先进封测厂已于8月下旬动工 预计2028年初开始生产[1] 产能扩张与投资计划 - 台积电2024年3月宣布增加1000亿美元投资美国半导体制造 总投资达1650亿美元 包括2座先进封装设施[2] - 台积电在台湾地区共有5座先进封测厂 同时在美国积极扩充CoWoS和InFO产线[1][2] - 公司正缩小CoWoS先进封装供给吃紧与市场需求强劲之间的不平衡差距[2] 产能规划与客户分配 - 预计2026年底台积电CoWoS月产能超过9万片 上看9.5万片[2] - 非台积电体系CoWoS明年底月产能预估1.2万片[2] - 整体年产能近60%比重仍主要供应NVIDIA[2]

台积电在美国的先进封装投资 - 台积电正大力投资以确保在美国建立先进封装产能，作为其在美国138万亿韩元（约1000亿美元）新投资的一部分，该投资包括新建3座晶圆代工厂、2座先进封装厂及一座大型研发中心[2] - 两座先进封装厂AP1和AP2将落地亚利桑那州，计划于明年下半年开工建设，预计2028年投入量产[2] - AP1厂将专注于SoIC（系统整合芯片）3D堆叠封装技术，该技术通过垂直堆叠芯片且不使用传统凸点来缩小芯片间距，从而提升数据传输速度和能效[2] - AP2厂将专注于CoPoS（芯片-面板-基板）技术，这是一种基于矩形面板的2.5D封装工艺，相比传统圆形晶圆能更高效地布局中介层，支持更大尺寸芯片制造并提升生产效率[3] 美国半导体供应链战略背景 - 台积电在美国加速部署先进封装产能与供应链安全考量密切相关，美国政府正通过补贴、关税等手段推动半导体产业回流本土[3] - 受此影响，全球科技巨头更倾向于在美国完成芯片量产和封装，以降低供应链风险[3] 三星电子的美国投资策略 - 三星电子正在美国得克萨斯州建设2纳米级先进晶圆厂，投资额达370亿美元，目标是为特斯拉量产其价值约22万亿韩元的新一代AI芯片"AI6"[4] - 与台积电相比，三星在先进封装投资方面显得谨慎，部分原因是缺乏明确的客户需求支撑，且其资源已集中于先进制程研发及新厂建设[3] - 特斯拉AI6芯片采用传统的倒装芯片键合封装工艺，业内认为大规模模块化制造的先进封装订单更可能被英特尔拿下，因此三星缺乏在美国抢先布局的迫切理由[5] - 行业人士指出，三星要顺利量产特斯拉的2纳米芯片本身面临巨大挑战和风险，在此情况下追加巨额封装投资可能使公司承受过大压力[5]

台积电美国扩产计划 - 公司在美国亚利桑那州规划两座先进封装厂AP1和AP2 目前处于整地阶段 预计2026年下半年开始建厂 目标2028年启用 [2] - 封装厂AP1将导入最先进SoIC及CoW技术 AP2则锁定CoPoS技术 以因应当地AI和HPC芯片封装需求 [2] - 公司同步规划第三至第六座晶圆厂 P3和P4采用N2和A16制程 P5和P6采用更先进技术 建设进度将依客户需求调整 [2] 技术布局与产能规划 - 美国第二座晶圆厂P2的B区计划提前导入2纳米制程 原定在P3厂实施 [2] - SoIC技术已用于AMD量产 苹果 英伟达 博通等客户也将在高端产品采用该技术 [3] - CoPoS技术预计2026年设立首条实验线 2028年底在嘉义厂AP7实现大规模量产 美国AP2厂将适时导入该技术 [4] 供应链与建厂挑战 - 先进封装需配套金属凸块产线及铜柱封装技术 材料与测试供应链需完整建立 建厂周期至少需4年 [7][8] - 若在美国建立完整封测产能 需与测试厂同步合作 可能影响台湾后段封测代工厂(OSAT)现有供应链 [8] - 公司决策基于客户实际需求评估 苹果可能需要InFO技术 英伟达和超微对CoWoS需求迫切 [7][8] 投资规模与客户基础 - 公司增加投资美国1000亿美元 包括新建3座晶圆厂 2座先进封装设施及1间研发中心 为美国史上最大外资直接投资案 [7] - 投资旨在支持苹果 英伟达 超微 博通和高通等美国AI与科技创新公司 [7]