行业趋势与市场前景 - AI应用快速普及与高速运算芯片大量导入先进封装，推升封测需求 [1] - 根据工研院产科国际所预估，2025年台湾半导体封测产业产值将达新台币7,104亿元，年成长率达13.9% [1] - 2026年，在AI/HPC基础设施大规模部署需求下，封测产值将稳定成长至新台币7,590亿元，年增6.8% [1] - 摩尔定律逼近物理极限，封装技术成为决定芯片效能的关键，通过多芯片整合提升数据传输频宽并降低能耗与延迟 [2] - AI加速器普遍采用HBM，使得可整合逻辑芯片与HBM的先进封装技术成为AI芯片供应链关键解方 [2] - 先进封装技术使芯片量产时间从客户设计定案到量产，由过去的7个季度缩短至3个季度 [9] 台积电先进封装技术布局 - 台积电CoWoS成为家喻户晓的先进封装技术，并积极开发下一代技术如CoPoS和CoWoP [1] - CoPoS旨在将CoWoS面板化，通过“化圆为方”提升面积利用率与单位产量 [1][10] - CoWoP将芯片和中介层直接装在高精度PCB板上，有助于芯片散热 [1] - 台积电开发出CoWoS、InFO以及SoIC等技术，在竹科、中科、南科、嘉义都具备产能 [2] - 从2022年到2026年，台积电SoIC产能年复合成长率将超过100%，CoWoS产能年复合成长率将超过80% [2] - CoWoS细分为CoWoS-S、CoWoS-R和CoWoS-L，其中CoWoS-L在AI应用兴起后需求大幅提升，销量约占CoWoS系列六成 [6] - 台积电3D封装技术包括SoIC-P和SoIC-X，后者采用混合键合技术 [8] - 台积电在美国兴建的两座先进封装厂将专注于CoPoS和SoIC技术，计划2026年启动CoPoS测试生产，目标2027年底完成验证 [8] - 台积电将通过子公司采钰科技于2026年设立首条CoPoS实验线，预计2028年底至2029年上半年在嘉义AP7厂启动量产 [8] - 预估两年内，台积电先进封装扩产重心仍以CoWoS为主，预计明年产能将成长60% [9] - 预计到2028年，将有5%先进封装产能从CoWoS移转至CoPoS，GPU体系如辉达可能会采用CoPoS封装 [9] 下一代封装技术发展与挑战 - CoPoS将原本的圆形硅中介层改用310×310mm矩形面板，以提升面积利用率 [10] - CoPoS主要挑战来自于面板翘曲度的控制，且散热效能受限需额外加装散热解决方案 [11] - CoWoP无须使用ABF基板，采用精简路径和衔接大面积的PCB板有助于芯片散热，但高精度PCB制造为其最大挑战 [11] - 半导体业界持续研发通过异质整合结合先进与成熟制程节点来设计制造SoC，再利用2.5D和3D先进封装技术达到降低成本、缩短上市时间、提升系统效能的目的 [2] 供应链与竞争格局 - 为缓解产能不足，台积电CoWoS先进封装采取与美商Amkor合作方式 [8] - Amkor在亚利桑那皮奥里亚市将建置一座价值20亿美元的先进封测设施，预计2028年初投产 [8] - 除了台积电，日月光于全台北中南建置先进封装产能，亦是全球最大的OSAT半导体封测厂 [9] - 海外厂商如英特尔于美国、马来西亚两地建置封装产能；三星在韩国、中国和美国都有设厂 [9] - 对OSAT委外封测厂而言，在海外设厂将增加营运成本，且封测厂毛利可能不到晶圆厂（近60%）的一半，议价能力受限 [9] - 先进封装对供应链造成压力，IC制造业须在产品制造时同步投入开发和验证工作，考验供应链弹性 [10] - 业界成立了3DIC先进封装制造联盟和硅光子产业联盟，以强化业界整合 [10]

全球先进封装市场前景 - 全球先进芯片封装市场规模预计从2025年的5038亿美元增长至2032年的7985亿美元，复合年增长率达68% [1] - 市场增长由AI大模型、自动驾驶、云计算与边缘计算对高性能、低功耗封装解决方案的迫切需求驱动 [1] 台积电先进封装布局 - 2024年先进封装营收占比有望突破10%，首次超越日月光成为全球最大封装供应商 [3] - 3DFabric平台通过晶圆级工艺、3D堆叠与先进封装打造系统级集成方案，包括InFO、CoWoS和SoW [3] - 在美国亚利桑那州投资建设两座先进封装厂AP1和AP2，AP1聚焦3D堆叠技术，AP2侧重CoPoS技术，计划2028年量产 [5] - 2026年推出光罩面积扩大55倍的CoWoS-L，2027年SoW-X量产，计算能力达现有方案的40倍 [6] 三星先进封装策略 - 因客户需求不确定性和巨额制程投资，曾搁置70亿美元的先进封装厂计划 [7] - 与特斯拉签署23万亿韩元AI半导体供应合同后，重新考虑追加70亿美元先进封装设施投资 [7] - 优势在于内存、代工、封装垂直整合的一体化交钥匙模式，对AI时代客户具有吸引力 [8] 日月光扩产与技术演进 - 收购塑美贝科技取得新厂用地，计划兴建总楼地板面积约183万坪的新型智慧化厂房 [9] - 斥资40亿新台币启动K18B新厂工程，服务AI、HPC和先进封装需求 [9] - 2024年10月K28新厂动土，预计2026年完工，重点扩充CoWoS封测产能 [9] - 投资2亿美元建设首条600x600mm大尺寸FOPLP产线，巩固扇出型面板封装领先地位 [9] - 技术从Wire Bond、Flip Chip演进至2.5D/3D封装、Fan-Out系列及硅光子集成，VIPack平台为核心 [10] Amkor美国市场投资 - 美国亚利桑那州皮奥里亚市先进封测设施占地面积从56英亩扩大至104英亩，总投资规模扩大至20亿美元 [13] - 工厂预计2028年初投产，创造超过2000个就业岗位，专注于高性能先进封装平台 [13] - 主要支持台积电CoWoS与InFO技术，苹果已锁定成为新厂首家及最大客户 [14] - 在《芯片法案》407亿美元资金补贴与联邦税收抵免支持下扩张 [14] 国内厂商发展现状 - 长电科技保持全年85亿元资本支出计划，重点投向先进封装技术突破及汽车电子、功率半导体等领域 [16] - 推出XDFOI®芯粒高密度多维异构集成系列工艺并实现量产，面向Chiplet的扇出型异构封装方案 [17] - 通富微电2025年上半年营业收入13038亿元，同比增长1767%，净利润412亿元，同比增长2772% [18] - 与AMD深度合作，占其订单超过80%，在大尺寸FCBGA方面取得显著进展并实现CPO技术突破 [18] - 华天科技2025年上半年营业收入7780亿元，同比增长1581%，掌握SiP、FC、TSV等先进封装技术 [20] - 开发完成ePoP/PoPt高密度存储器及车规级FCBGA技术，2.5D/3D封装产线完成通线并启动CPO研发 [20]

涉及的行业与公司 * 行业：半导体行业，特别是先进封装、AI/HPC芯片、碳化硅材料、光电集成领域[1][5][15] * 公司：台积电、英伟达、AMD、谷歌、AWS、Marvell、ASE、英特尔、三星、Wolfspeed、环球晶圆、ROHM、SICC、三安等[1][8][60][136][145][146][286] 核心观点与论据 AI芯片面临的挑战与行业应对 * AI芯片功耗与复杂性激增，单个GPU电流需求超过1000A，功耗常超过1千瓦，对电源传输网络和热管理提出极限挑战[5][6][22][23] * 传统通过PCB或ABF基板供电的方法因路径长、寄生电感高导致压降和电压波动，已接近极限[5][6] * 行业提出多种解决方案：Marvell推出封装集成电压调节器缩短电源路径[8] ASE通过VIPack平台优化电源传输网络、信号互连和热性能[9][10] 台积电采取多元化策略，在CoWoS-L平台嵌入IVR和eDTC，开发背面电源传输网络，并引领热协同设计[12][13] 碳化硅成为关键材料 * 碳化硅因其宽禁带、高热导率、高击穿场强等特性，从功率电子领域扩展至先进封装和异构集成[16][17][49] * AI芯片发展暴露出热管理、电源传输和光电集成三大瓶颈，碳化硅有望成为同时解决这些挑战的潜在终极方案[26][49][124] * 碳化硅在先进封装中的四大角色：热基板、光学中介层、电气中介层、垂直供电基板，成为连接电源传输网络、热管理和光互连领域的关键材料[19][20][21][50][117] 台积电的战略布局与技术平台 * 台积电视碳化硅为重要战略方向，积极探索将其用于热基板和光电中介层，若成功可能在高性能计算封装领域建立独特竞争优势[42][59][152][192] * 台积电的3DFabric战略通过CoWoS、SoIC、InFO等平台应对集成挑战[38][39] 新推出的COUPE平台聚焦光电集成、垂直供电和异构集成[53][54][55][56][57] * 台积电的CoWoS系列平台持续演进：CoWoS-S使用硅中介层但尺寸受限 CoWoS-R引入基于RDL的有机中介层 CoWoS-L集成局部硅互连芯片与高阶RDL结构，支持超大中介层[40][41] 碳化硅应用的机遇与挑战 * 机遇：12英寸碳化硅晶圆技术取得突破，有望支持更大面积封装，是AI时代材料应用的关键转折点[126][127][152] 碳化硅晶圆市场规模预计从2025年的9.7亿美元增长至2030年的26.5亿美元，复合年增长率22.24%[167][209] * 挑战：12英寸碳化硅晶圆面临缺陷密度控制、加工难度大、成本高、与硅等材料热膨胀系数不匹配等瓶颈[66][67][123][201][202][203][204] 全球12英寸碳化硅晶圆供应仍处于研发或小规模试产阶段[151][153][206] * 供应链动态：Wolfspeed作为主要供应商面临成本上升、需求低于预期、债务沉重等挑战[137][138][139][140][143] 中国碳化硅产业崛起，供应商扩张加剧全球竞争和价格压力[136][138][144][146] 竞争对手策略 * 英特尔：积极推进PowerVia背面供电和Foveros/EMIB技术，专注光学互连领导力，未宣布采用碳化硅基板计划[60][196][197][199] * 三星：投资高带宽存储器堆叠和玻璃基板，计划2028年将玻璃中介层用于AI芯片2.5D封装，专注于成本降低和互连稳定性[60][198][199] 具体技术研究与进展 * 穿透碳化硅通孔技术研究显示，碳化硅在高电阻率下具有低传输损耗和良好的射频性能，适用于共封装光学和光子学应用[233][234][235][236][237][238][240][246][247][252][253][255][256][257][265] * 碳化硅在增强现实眼镜波导中具有高折射率，可实现超宽视场角，结合微发光二极管被视为未来增强现实显示主流技术路径[68][69][72][73][74][75][76][77] * 碳化硅在晶圆厂设备中已知用作化学机械抛光停止层和混合键合中的关键材料，显示出与现有工艺的兼容性[97][98][99][100][101][102][103] 其他重要内容 * 英伟达正与台积电合作探索将碳化硅用作中介层材料，以满足AI/高性能计算封装日益增长的带宽和功耗需求[61] * 行业垂直互连技术包括穿透硅通孔、穿透玻璃通孔、穿透模塑料通孔，穿透碳化硅通孔成为新焦点[63] * 环球晶圆宣布了新的12英寸碳化硅晶圆技术，提出类似载具晶圆架构，将完整的碳化硅载具晶圆作为结构和热层插入封装堆叠中[286][287][288][290]

全球先进封装市场概况 - 全球先进芯片封装市场规模预计从2025年的5038亿美元增长至2032年的7985亿美元，复合年增长率达68% [2] - AI大模型、自动驾驶、云计算与边缘计算对高性能、低功耗封装解决方案产生迫切需求 [2] - 先进封装已成为晶圆代工厂与封测企业的必争之地，几乎所有龙头厂商都在加快扩产 [2] 台积电 - 2024年先进封装营收占比有望突破10%，首次超越日月光，跃升为全球最大封装供应商 [4] - 通过3DFabric平台打造覆盖HPC、AI与数据中心的系统级集成方案，包括InFO、CoWoS和SoW [4] - 在美国亚利桑那州投资1000亿美元，包括新建两座先进封装厂AP1和AP2，计划2028年量产 [6] - AP1聚焦3D堆叠技术，AP2侧重CoPoS技术，产能布局已与台湾本地工厂形成呼应甚至超越 [6] - 2026年将推出光罩面积扩大55倍的CoWoS-L，2027年SoW-X将实现量产，计算能力可达现有方案的40倍 [6] 三星 - 受客户需求不确定性及巨额制程投资影响，曾搁置70亿美元的先进封装厂计划 [7] - 与特斯拉签署23万亿韩元的AI半导体供应合同，并与苹果签署图像传感器供应合同后，重新考虑追加投资 [7] - 优势在于"内存 + 代工 + 封装"一体化交钥匙模式，垂直整合能力在AI时代具有明显吸引力 [8] 日月光 - 作为全球最大独立OSAT厂商，正加快在高雄的先进封装布局，提升CoWoS、SoIC、FOPLP等高阶产能 [9] - 收购塑美贝科技取得新厂用地，计划兴建总楼地板面积约183万坪的新型智慧化厂房 [9] - 斥资40亿新台币启动K18B新厂工程，并于2024年10月动土K28新厂，预计2026年完工，重点扩充CoWoS封测产能 [9] - 投资2亿美元建设首条600x600 mm大尺寸FOPLP产线，巩固在扇出型面板封装领域的领先地位 [9] - 技术演进涵盖从Wire Bond到2.5D/3D封装、Fan-Out系列及硅光子集成，3D Advanced RDL技术已成为核心平台 [10] 安靠 - 对美国亚利桑那州皮奥里亚市的先进封测设施项目进行调整，占地面积从56英亩扩大至104英亩，几乎翻倍 [12] - 总投资规模扩大至20亿美元，预计2028年初投产，可创造超过2000个就业岗位 [12] - 新工厂将主要支持台积电的CoWoS与InFO技术，台积电已与安靠签署谅解备忘录，在美国形成制造+封装的本地闭环 [13] - 苹果已锁定成为安靠新厂的首家及最大客户，此举被视为对美国先进封装能力的直接背书 [14] - 在《芯片法案》407亿美元资金补贴与联邦税收抵免支持下进行扩张 [14] 国内厂商 - 长电科技保持全年85亿元资本支出计划不变，重点投向先进封装技术突破及汽车电子、功率半导体等领域 [17] - 长电科技具备多种封装工艺，并推出面向Chiplet的XDFOI®芯粒高密度多维异构集成系列工艺，已实现量产 [17] - 通富微电2025年上半年营业收入13038亿元，同比增长1767%，净利润412亿元，同比增长2772% [18] - 通富微电是AMD最大封测供应商，占其订单超过80%，并在大尺寸FCBGA和CPO技术上取得突破 [18] - 通富微电已在南通、合肥、厦门、苏州及马来西亚槟城形成多点产能布局，并通过收购京隆科技26%股权切入高端IC测试 [19] - 华天科技2025上半年营业收入7780亿元，同比增长1581%，掌握了SiP、FC、TSV、Fan-Out、3D等先进封装技术 [20] - 华天科技开发完成ePoP/PoPt高密度存储器及车规级FCBGA技术，25D/3D封装产线完成通线，并启动CPO封装技术研发 [20] 行业竞争格局总结 - 先进封装正把竞争焦点从"纳米制程"转向"系统集成" [22] - 美国通过"前端制程 + 后端封装"的本土化双轮在加速成形，数年内可能成为全球<5nm制程与先进封装的综合产能第一 [22] - 国内OSAT已从"补位"角色逐步向"突破"角色转变，未来几年有望在特定细分领域形成与国际竞争者抗衡的优势 [22]

文章核心观点 - 半导体行业进入“后摩尔时代”，先进封装技术成为实现系统级性能跃升的关键载体，替代单纯依赖制程突破的发展模式 [1] - 全球先进封装市场增长强劲，2030年市场规模预计突破794亿美元，2024-2030年复合年增长率达9.5%，AI与高性能计算是主要驱动力 [1] - 国际巨头（台积电、英特尔、三星）与国内厂商（长电科技、通富微电、华天科技等）在先进封装领域展开激烈竞争，技术路径各具特色 [1][17] - 国内封测企业通过技术攻坚和产业链协同加速发展，在2.5D/3D封装、Chiplet等关键领域持续发力，旨在为产业链自主可控提供关键支撑 [17][32] 行业背景与市场前景 - 传统芯片制程迭代受物理极限和成本激增挑战，先进封装技术凭借灵活性强、集成密度高、尺寸小、性能好等优势成为破局方向 [1] - 先进封装技术包括倒装芯片封装、晶圆级封装、系统级封装和2.5D、3D封装等 [1] - 2025年全球先进封装市场规模预计达569亿美元，首次超越传统封装，2028年或达786亿美元 [32] 国际厂商技术布局 台积电 - 以CoWoS、InFO和SoIC三大核心技术构建覆盖全场景的“3D Fabric”先进封装平台，在全球高端封装产能中占主导地位 [2] - CoWoS-S5技术支持8颗HBM3内存与2颗SoC芯片集成，中介层面积达2400mm²，为NVIDIA H100 GPU提供5.3TB/s内存带宽，性能较前代提升3倍 [5] - CoWoS-S5采用混合键合技术，键合间距缩小至1μm，I/O密度达120万/平方毫米，较传统微凸块技术提升70倍 [5] - InFO技术通过高密度RDL直接互连实现低成本、薄型化封装，为独占苹果A系列处理器打下基础 [5] - SoIC技术采用晶圆对晶圆混合键合方案，实现真正3D芯片堆叠，凸块密度更高，传输速度更快，功耗更低 [5][6] 英特尔 - 以EMIB和Foveros为核心构建异构集成能力，瞄准高性能计算与AI芯片市场 [7] - EMIB技术通过硅桥连接裸片，避免使用硅中介层，其EMIB-T技术引入TSV通孔供电，信号传输速度达32Gb/s，兼容UCIe 2.0协议 [7][10] - Foveros技术实现不同工艺、功能芯片的垂直堆叠，关注互连密度、功率效率和可扩展性 [10] - 积极布局玻璃封装和CPO（共封装光学）领域，首款玻璃封装测试芯片已于2023年展示，计划2025-2030年量产 [10] 三星 - 构建以I-Cube和X-Cube为核心的技术体系，覆盖2.5D和3D IC封装领域 [11] - I-Cube技术细分为I-Cube S、I-Cube E及H-Cube方案，满足多样化需求 [11][12] - X-Cube技术通过TSV实现芯片垂直连接，分为凸点连接和混合键合两种方案 [12] - 推出SAINT技术体系聚焦存储与逻辑芯片协同封装，其中SAINT-D技术通过热压键合工艺实现HBM的12层垂直堆叠，消除对硅中介层依赖 [13][15] - 推进SoP（面板级系统）技术商业化，采用415mm×510mm超大尺寸面板作为封装载体，直接对标台积电SoW和英特尔EMIB工艺 [14] 国内厂商发展现状 整体态势 - 2024年中国先进封装市场规模达698亿元，同比增长18.7% [17] - 国内封测企业通过技术突破和产能扩张，在2.5D/3D封装、Chiplet集成等关键领域持续发力 [17] 长电科技 - 2025年上半年营业收入186.05亿元，同比增长20.14% [18] - 以自主开发“XDFOI Chiplet平台”为核心，构建覆盖2.5D、3D等多维异构集成场景的先进封装体系 [18] - 平台可实现50μm以下厚度中介层与40μm微凸点间距，目前已进入稳定量产阶段 [18] - 2025年上半年汽车电子业务同比增长34.2%，工业及医疗领域同比增长38.6% [19] 通富微电 - 2025年上半年营业收入130.38亿元，同比增长17.67%，归母净利润4.12亿元，同比增长27.72% [20] - 在大尺寸FCBGA开发方面取得重要进展，大尺寸FCBGA已进入量产阶段 [20] - 获得“扇出型封装方法”发明专利授权，新获专利授权18个，较去年同期增加28.57% [20] - 基于玻璃基板的先进芯片封装技术已通过阶段性可靠性测试 [21] 华天科技 - 2025年上半年开发完成ePoP/PoPt高密度存储器及车规级FCBGA封装技术，2.5D/3D封装产线完成通线 [21] - 2025年8月设立子公司南京华天先进封装有限公司，主营2.5D/3D等先进封装测试业务 [21] - CPO封装技术关键单元工艺开发进行中，FOPLP封装已通过客户可靠性认证 [22] 其他国内企业 - 云天半导体聚焦晶圆级三维封装、扇出型封装及TGV转接板等工艺 [22] - 越摩半导体提供SiP、fcBGA、Chiplet等先进封装解决方案 [22] - 矽迈微电子建成国内首条基板扇出型封装产线 [22] 行业活动与展望 - 2025湾区半导体产业生态博览会（湾芯展）将于10月15-17日在深圳举办，聚焦先进封装赛道，成为洞察全球趋势的重要窗口 [24][25] - 国内产业链相关厂商通过全面布局、深度绑定和技术专注，正逐步缩小与国际头部的差距，为中国半导体产业赢得下一个十年提供关键支撑 [32]

展会与行业趋势 - SEMICON Taiwan 2025展会将于9月10-12日举行 聚焦AI CoWoS先进封装与测试量产进度[1] - 半导体制程微缩遇瓶颈 异质整合与先进封装成为突破方向 AI HPC与HBM需求大增推动3D IC及面板级扇出封装技术发展[1] - 3D IC和面板级扇出封装成为驱动半导体创新的核心技术 是展会关注焦点[1] 台积电先进封装技术布局 - 台积电主导CoWoS InFO SoIC三大先进封装技术 均适用于AI和HPC芯片 其中CoWoS量产已具规模[1] - NVIDIA和AMD对CoWoS需求持续强劲 苹果高阶处理器需要InFO技术 AMD是SoIC先进封装首要客户[1] - 台积电2024年10月宣布与Amkor深化合作 在美国亚利桑那州扩展InFO及CoWoS产线[1] - Amkor亚利桑那州新建先进封测厂已于8月下旬动工 预计2028年初开始生产[1] 产能扩张与投资计划 - 台积电2024年3月宣布增加1000亿美元投资美国半导体制造 总投资达1650亿美元 包括2座先进封装设施[2] - 台积电在台湾地区共有5座先进封测厂 同时在美国积极扩充CoWoS和InFO产线[1][2] - 公司正缩小CoWoS先进封装供给吃紧与市场需求强劲之间的不平衡差距[2] 产能规划与客户分配 - 预计2026年底台积电CoWoS月产能超过9万片 上看9.5万片[2] - 非台积电体系CoWoS明年底月产能预估1.2万片[2] - 整体年产能近60%比重仍主要供应NVIDIA[2]

项目投资与建设 - 安靠科技将在亚利桑那州皮奥里亚建设价值20亿美元的先进封装和测试设施 占地104英亩 预计2028年初投产 [2] - 修改后的建设计划已于8月29日获得皮奥里亚市议会批准 将原定地块更换为创新核心区面积更大的地块 [2] 行业背景与战略意义 - 该设施是美国迄今为止最雄心勃勃的外包半导体封装业务 标志着供应链后端开始匹配美国晶圆厂建设浪潮 [2] - 当前高端芯片的最终组装、测试和封装阶段主要由台湾和韩国工厂主导 形成供应链瓶颈 [2] - 英伟达H100等AI芯片产能曾因封装吞吐量限制遭遇瓶颈 [2] - 后摩尔定律时代性能提升重点从晶体管数量转向连接性能 先进封装技术成为关键 [2] 技术合作与客户关系 - 新工厂将专门支持高性能封装平台 包括台积电的CoWoS和InFO技术 [3] - 台积电已签署谅解备忘录 计划将其附近菲尼克斯晶圆厂的封装业务转移至该工厂 缩短目前数周的亚洲周转时间 [3] - 苹果公司据称为首家也是最大客户 [3] 政策支持与行业挑战 - 项目获得《芯片法案》4.07亿美元资金支持和联邦税收抵免 [3] - 美国所有计划建设的晶圆厂预计面临7万至9万名工人短缺 高度自动化也无法完全解决人才短缺问题 [3]

台积电美国扩产计划 - 公司在美国亚利桑那州规划两座先进封装厂AP1和AP2 目前处于整地阶段 预计2026年下半年开始建厂 目标2028年启用 [2] - 封装厂AP1将导入最先进SoIC及CoW技术 AP2则锁定CoPoS技术 以因应当地AI和HPC芯片封装需求 [2] - 公司同步规划第三至第六座晶圆厂 P3和P4采用N2和A16制程 P5和P6采用更先进技术 建设进度将依客户需求调整 [2] 技术布局与产能规划 - 美国第二座晶圆厂P2的B区计划提前导入2纳米制程 原定在P3厂实施 [2] - SoIC技术已用于AMD量产 苹果 英伟达 博通等客户也将在高端产品采用该技术 [3] - CoPoS技术预计2026年设立首条实验线 2028年底在嘉义厂AP7实现大规模量产 美国AP2厂将适时导入该技术 [4] 供应链与建厂挑战 - 先进封装需配套金属凸块产线及铜柱封装技术 材料与测试供应链需完整建立 建厂周期至少需4年 [7][8] - 若在美国建立完整封测产能 需与测试厂同步合作 可能影响台湾后段封测代工厂(OSAT)现有供应链 [8] - 公司决策基于客户实际需求评估 苹果可能需要InFO技术 英伟达和超微对CoWoS需求迫切 [7][8] 投资规模与客户基础 - 公司增加投资美国1000亿美元 包括新建3座晶圆厂 2座先进封装设施及1间研发中心 为美国史上最大外资直接投资案 [7] - 投资旨在支持苹果 英伟达 超微 博通和高通等美国AI与科技创新公司 [7]

报告行业投资评级 - 对K&S（KLIC US）首次覆盖给予“买入”评级，目标价56美元，潜在涨幅32% [217] - 对BE Semiconductor（BESI NA）首次覆盖给予“中性”评级，目标价124欧元，潜在涨幅6% [386] - 维持对ASMPT（522 HK）的“买入”评级，目标价90港元，潜在涨幅28.9% [552] 报告的核心观点 - 从2025年起，先进封装（AP）预计将有以下发展：CoWoS技术从CoWoS - S向CoWoS - L/R转变；受HBM5和苹果产品潜在采用推动，SoIC采用率进一步提高；2026年后苹果或推动InFO技术升级 [3][6] - 看好K&S成为台积电oW工艺的主要TCB供应商，预计其先进封装销售占比将提升；因估值较高和2025年混合键合订单可能低于预期，对BE Semiconductor给予中性评级；考虑到ASMPT的TCB在HBM市场份额有望增加，且oW/oS TCB可能被台积电/苹果采用，维持其买入评级 [3][6] 根据相关目录分别进行总结 1. CoWoS、SoIC和InFO市场趋势分析 CoWoS - 从2024年下半年起，CoWoS - L/R采用加速，预计2024年台积电CoWoS - L技术占总CoWoS产能约20%，2025年增至近60%；CoWoS - S产能自2024年下半年起将供过于求 [7][14][15] - 英伟达下一代CPU Vera从2026年起可能采用CoWoS - R，但2026年用量有限，约占英伟达CoWoS需求的2 - 3% [14][15] - CoWoS - S供应的上行风险包括DeepSeek带动更多Hopper GPU需求、美国政府进一步限制迫使中国客户增加Hopper GPU采购、非英伟达AI芯片需求增强 [7][33] SoIC - 目前主要采用者是AMD，从2026/27年起，HBM和苹果的潜在需求增长可能成为SoIC的长期趋势；英伟达未来是否采用SoIC值得关注 [8][14][15] - 2025年SoIC面临逆风，主要源于英特尔削减资本支出、除AMD外暂无重要新采用者、AMD的AI GPU需求自2024年下半年起不如预期 [8][104][15] InFO - 苹果从2026年起可能采用升级后的InFO和ubump/TSV产能，将应用处理器从InFO - PoP转变为InFO - M；苹果还在考虑为InFO - oS和InFO - L采用oS TCB [9][20] 2. 公司分析 K&S（KLIC US） - 业务主要涉及半导体后端引线键合和芯片键合设备的设计、开发、制造和销售，是全球最大的引线键合机供应商，球键合市场份额达65% [232][238] - 有望成为台积电oW工艺的主要TCB供应商，随着获得更多oW TCB订单，其先进封装销售占比将从2025年下半年开始上升 [217][296] - 预计2025 - 2027财年销售额分别增长8%、24%、5%，主要受组装设备需求复苏和先进封装销售增加推动 [332][333] BE Semiconductor（BESI NA） - 是全球半导体和电子行业领先的组装设备制造商，主要提供芯片贴装、封装和电镀设备，在全球芯片贴装市场约占40%份额，在全球封装和电镀设备市场约占22%份额 [397][400] - 预计2025年混合键合机订单同比下降，尽管在混合键合市场占主导地位，但鉴于市场对其混合键合销售增长预期较高，风险回报状况不太有利 [386][544] - 预计2024 - 2027财年销售额分别增长6%、11%、33%、17%，受混合键合工具销售增加和非混合键合业务随半导体行业复苏增长推动 [499] ASMPT（522 HK） - 是全球最大的后端封装设备供应商，持续拥有约25%的全球市场份额，但2022 - 2023年市场份额因中国需求疲软而下降 [191] - 近期订单主要来自高带宽内存（HBM）玩家的先进封装订单，预计随着半导体周期复苏，订单将逐步恢复 [552] - 预计2025 - 2026财年销售额分别增长4.2%、13.1%，主要受先进封装业务和半导体后端产能扩张推动 [555][561]

核心观点 - 2024年AI芯片需求爆发推动半导体行业结构性转型，台积电凭借技术领先、产能扩张和全球战略布局巩固行业领导地位 [2] - 公司全年营收达900亿美元（+30%），净利365亿美元（+35.9%），毛利率56.1%创历史新高，7nm以下先进制程营收占比提升至69% [3] - 技术研发投入占营收7.1%，在2nm及更先进节点取得突破，同时通过3D封装技术延伸摩尔定律极限 [12][13] - 全球产能布局形成"台湾中心+多点扩张"模式，美国N4厂/日本特殊制程厂相继投产，德国车用芯片厂启动建设 [11] 财务与市场表现 - 2024年合并营收900亿美元（同比+30%），税后净利365亿美元（同比+35.9%），毛利率56.1%和营业利益率45.7%均创新高 [3] - IDM 2.0市场份额从28%提升至34%，晶圆出货量达1,290万片12英寸当量（同比+7.5%） [3] - 北美市场贡献70%营收，高效能运算产品占比51%成为最大收入来源，智能手机占35% [3] - 7nm及以下先进制程营收占比从58%提升至69%，3nm制程单独贡献18%晶圆销售额 [3][7] 技术平台布局 逻辑制程 - 3nm平台形成N3E/N3P/N3X产品矩阵，N3X专为AI/服务器设计预计2025年量产 [7] - 4nm节点推出N4C精简版提升晶体管密度，5nm强化版(N5P)持续服务智能终端市场 [7] - 低功耗平台N6e/N12e优化物联网设备能效，22ULL技术支撑蓝牙/Wi-Fi芯片制造 [7] 特殊制程 - 车用领域推出N3A平台（基于N3E）和N5A车规制程，射频技术N4C RF支持5G毫米波需求 [8] - 嵌入式存储器N12e RRAM平衡成本与可靠性，COUPE光子堆叠平台实现三维光互连 [8] - 拓展GaN功率器件、OLED驱动等新兴技术，覆盖AR/VR和智能电源应用 [9] 全球制造能力 - 台湾四座GIGAFAB年产能达1,274万片12英寸晶圆，覆盖0.13μm至3nm全节点 [11] - 美国亚利桑那N4厂良率对标台湾基地，日本熊本特殊制程厂实现优异良率 [11] - 德国德勒斯登车用芯片厂启动建设，智能制造系统延伸至后段封装环节 [11] - SMP超级制造平台统一良率管控，AI/ML技术提升故障预测与制程调整效率 [11] 研发与前沿技术 - 2nm平台完成定义进入良率提升阶段，A16采用晶背供电+纳米片架构，A14兼顾HPC/移动需求 [12] - High NA EUV光刻技术取得突破，优化线宽均匀性至1nm以下节点 [12] - 3DFabric封装平台包含SoIC/CoWoS/InFO等技术，5nm芯片堆叠已量产，3nm方案2025年投产 [13] - 探索碳纳米管晶体管(CNFET)和二维材料MoS₂通道器件，展示p型SnO和n型IWO氧化物晶体管 [16] 战略定位 - 坚持纯代工模式，五大技术平台覆盖HPC/智能手机/物联网/车用/消费电子全领域 [3][4] - 通过开放创新平台和TSMC大同盟强化生态合作，不涉足自有品牌芯片 [14] - 研发投入聚焦逻辑微缩、材料创新和系统集成三大方向，布局5-10年技术储备 [16]