台积电在2024年10月已宣布与封测大厂Amkor深化合作，在美国亚利桑那州扩展InFO及CoWoS先进封 装产线；Amkor在今年8月下旬已宣布亚利桑那州新建先进半导体封测厂动工，预计2028年初开始生 产。 台积电今年3月初宣布增加1000亿美元投资美国先进半导体制造，总投资金额达1650亿美元，其中就包 括2座先进封装设施。除了在美国，台积电在台湾地区共有5座先进封测厂。 台积电董事长暨总裁魏哲家表示，AI芯片需求持续强劲，台积电正缩小CoWoS先进封装在内供给吃 紧、以及市场需求强劲之间不平衡的差距。 预计到2026年底，台积电CoWoS月产能可超过9万片、上看9.5万片，非台积电体系CoWoS明年底月产能 估1.2万片，整体年产能近6成比重仍主供NVIDIA。 据台湾媒体报道，SEMICON Taiwan 2025将于9月10-12日举行，此次展会，将聚焦AI、CoWoS先进封装 与测试量产进度。 当前，半导体制程微缩遇到瓶颈，异质整合与先进封装成为突破方向，AI、高性能计算（HPC）与 HBM需求大增，3D IC、面板级扇出封装等先进封装，成为驱动半导体创新的核心技术，成为此次展会 的关注焦点。 ...

项目投资与建设 - 安靠科技将在亚利桑那州皮奥里亚建设价值20亿美元的先进封装和测试设施 占地104英亩 预计2028年初投产 [2] - 修改后的建设计划已于8月29日获得皮奥里亚市议会批准 将原定地块更换为创新核心区面积更大的地块 [2] 行业背景与战略意义 - 该设施是美国迄今为止最雄心勃勃的外包半导体封装业务 标志着供应链后端开始匹配美国晶圆厂建设浪潮 [2] - 当前高端芯片的最终组装、测试和封装阶段主要由台湾和韩国工厂主导 形成供应链瓶颈 [2] - 英伟达H100等AI芯片产能曾因封装吞吐量限制遭遇瓶颈 [2] - 后摩尔定律时代性能提升重点从晶体管数量转向连接性能 先进封装技术成为关键 [2] 技术合作与客户关系 - 新工厂将专门支持高性能封装平台 包括台积电的CoWoS和InFO技术 [3] - 台积电已签署谅解备忘录 计划将其附近菲尼克斯晶圆厂的封装业务转移至该工厂 缩短目前数周的亚洲周转时间 [3] - 苹果公司据称为首家也是最大客户 [3] 政策支持与行业挑战 - 项目获得《芯片法案》4.07亿美元资金支持和联邦税收抵免 [3] - 美国所有计划建设的晶圆厂预计面临7万至9万名工人短缺 高度自动化也无法完全解决人才短缺问题 [3]

台积电美国扩产计划 - 公司在美国亚利桑那州规划两座先进封装厂AP1和AP2 目前处于整地阶段 预计2026年下半年开始建厂 目标2028年启用 [2] - 封装厂AP1将导入最先进SoIC及CoW技术 AP2则锁定CoPoS技术 以因应当地AI和HPC芯片封装需求 [2] - 公司同步规划第三至第六座晶圆厂 P3和P4采用N2和A16制程 P5和P6采用更先进技术 建设进度将依客户需求调整 [2] 技术布局与产能规划 - 美国第二座晶圆厂P2的B区计划提前导入2纳米制程 原定在P3厂实施 [2] - SoIC技术已用于AMD量产 苹果 英伟达 博通等客户也将在高端产品采用该技术 [3] - CoPoS技术预计2026年设立首条实验线 2028年底在嘉义厂AP7实现大规模量产 美国AP2厂将适时导入该技术 [4] 供应链与建厂挑战 - 先进封装需配套金属凸块产线及铜柱封装技术 材料与测试供应链需完整建立 建厂周期至少需4年 [7][8] - 若在美国建立完整封测产能 需与测试厂同步合作 可能影响台湾后段封测代工厂(OSAT)现有供应链 [8] - 公司决策基于客户实际需求评估 苹果可能需要InFO技术 英伟达和超微对CoWoS需求迫切 [7][8] 投资规模与客户基础 - 公司增加投资美国1000亿美元 包括新建3座晶圆厂 2座先进封装设施及1间研发中心 为美国史上最大外资直接投资案 [7] - 投资旨在支持苹果 英伟达 超微 博通和高通等美国AI与科技创新公司 [7]

报告行业投资评级 - 对K&S（KLIC US）首次覆盖给予“买入”评级，目标价56美元，潜在涨幅32% [217] - 对BE Semiconductor（BESI NA）首次覆盖给予“中性”评级，目标价124欧元，潜在涨幅6% [386] - 维持对ASMPT（522 HK）的“买入”评级，目标价90港元，潜在涨幅28.9% [552] 报告的核心观点 - 从2025年起，先进封装（AP）预计将有以下发展：CoWoS技术从CoWoS - S向CoWoS - L/R转变；受HBM5和苹果产品潜在采用推动，SoIC采用率进一步提高；2026年后苹果或推动InFO技术升级 [3][6] - 看好K&S成为台积电oW工艺的主要TCB供应商，预计其先进封装销售占比将提升；因估值较高和2025年混合键合订单可能低于预期，对BE Semiconductor给予中性评级；考虑到ASMPT的TCB在HBM市场份额有望增加，且oW/oS TCB可能被台积电/苹果采用，维持其买入评级 [3][6] 根据相关目录分别进行总结 1. CoWoS、SoIC和InFO市场趋势分析 CoWoS - 从2024年下半年起，CoWoS - L/R采用加速，预计2024年台积电CoWoS - L技术占总CoWoS产能约20%，2025年增至近60%；CoWoS - S产能自2024年下半年起将供过于求 [7][14][15] - 英伟达下一代CPU Vera从2026年起可能采用CoWoS - R，但2026年用量有限，约占英伟达CoWoS需求的2 - 3% [14][15] - CoWoS - S供应的上行风险包括DeepSeek带动更多Hopper GPU需求、美国政府进一步限制迫使中国客户增加Hopper GPU采购、非英伟达AI芯片需求增强 [7][33] SoIC - 目前主要采用者是AMD，从2026/27年起，HBM和苹果的潜在需求增长可能成为SoIC的长期趋势；英伟达未来是否采用SoIC值得关注 [8][14][15] - 2025年SoIC面临逆风，主要源于英特尔削减资本支出、除AMD外暂无重要新采用者、AMD的AI GPU需求自2024年下半年起不如预期 [8][104][15] InFO - 苹果从2026年起可能采用升级后的InFO和ubump/TSV产能，将应用处理器从InFO - PoP转变为InFO - M；苹果还在考虑为InFO - oS和InFO - L采用oS TCB [9][20] 2. 公司分析 K&S（KLIC US） - 业务主要涉及半导体后端引线键合和芯片键合设备的设计、开发、制造和销售，是全球最大的引线键合机供应商，球键合市场份额达65% [232][238] - 有望成为台积电oW工艺的主要TCB供应商，随着获得更多oW TCB订单，其先进封装销售占比将从2025年下半年开始上升 [217][296] - 预计2025 - 2027财年销售额分别增长8%、24%、5%，主要受组装设备需求复苏和先进封装销售增加推动 [332][333] BE Semiconductor（BESI NA） - 是全球半导体和电子行业领先的组装设备制造商，主要提供芯片贴装、封装和电镀设备，在全球芯片贴装市场约占40%份额，在全球封装和电镀设备市场约占22%份额 [397][400] - 预计2025年混合键合机订单同比下降，尽管在混合键合市场占主导地位，但鉴于市场对其混合键合销售增长预期较高，风险回报状况不太有利 [386][544] - 预计2024 - 2027财年销售额分别增长6%、11%、33%、17%，受混合键合工具销售增加和非混合键合业务随半导体行业复苏增长推动 [499] ASMPT（522 HK） - 是全球最大的后端封装设备供应商，持续拥有约25%的全球市场份额，但2022 - 2023年市场份额因中国需求疲软而下降 [191] - 近期订单主要来自高带宽内存（HBM）玩家的先进封装订单，预计随着半导体周期复苏，订单将逐步恢复 [552] - 预计2025 - 2026财年销售额分别增长4.2%、13.1%，主要受先进封装业务和半导体后端产能扩张推动 [555][561]

核心观点 - 2024年AI芯片需求爆发推动半导体行业结构性转型，台积电凭借技术领先、产能扩张和全球战略布局巩固行业领导地位 [2] - 公司全年营收达900亿美元（+30%），净利365亿美元（+35.9%），毛利率56.1%创历史新高，7nm以下先进制程营收占比提升至69% [3] - 技术研发投入占营收7.1%，在2nm及更先进节点取得突破，同时通过3D封装技术延伸摩尔定律极限 [12][13] - 全球产能布局形成"台湾中心+多点扩张"模式，美国N4厂/日本特殊制程厂相继投产，德国车用芯片厂启动建设 [11] 财务与市场表现 - 2024年合并营收900亿美元（同比+30%），税后净利365亿美元（同比+35.9%），毛利率56.1%和营业利益率45.7%均创新高 [3] - IDM 2.0市场份额从28%提升至34%，晶圆出货量达1,290万片12英寸当量（同比+7.5%） [3] - 北美市场贡献70%营收，高效能运算产品占比51%成为最大收入来源，智能手机占35% [3] - 7nm及以下先进制程营收占比从58%提升至69%，3nm制程单独贡献18%晶圆销售额 [3][7] 技术平台布局 逻辑制程 - 3nm平台形成N3E/N3P/N3X产品矩阵，N3X专为AI/服务器设计预计2025年量产 [7] - 4nm节点推出N4C精简版提升晶体管密度，5nm强化版(N5P)持续服务智能终端市场 [7] - 低功耗平台N6e/N12e优化物联网设备能效，22ULL技术支撑蓝牙/Wi-Fi芯片制造 [7] 特殊制程 - 车用领域推出N3A平台（基于N3E）和N5A车规制程，射频技术N4C RF支持5G毫米波需求 [8] - 嵌入式存储器N12e RRAM平衡成本与可靠性，COUPE光子堆叠平台实现三维光互连 [8] - 拓展GaN功率器件、OLED驱动等新兴技术，覆盖AR/VR和智能电源应用 [9] 全球制造能力 - 台湾四座GIGAFAB年产能达1,274万片12英寸晶圆，覆盖0.13μm至3nm全节点 [11] - 美国亚利桑那N4厂良率对标台湾基地，日本熊本特殊制程厂实现优异良率 [11] - 德国德勒斯登车用芯片厂启动建设，智能制造系统延伸至后段封装环节 [11] - SMP超级制造平台统一良率管控，AI/ML技术提升故障预测与制程调整效率 [11] 研发与前沿技术 - 2nm平台完成定义进入良率提升阶段，A16采用晶背供电+纳米片架构，A14兼顾HPC/移动需求 [12] - High NA EUV光刻技术取得突破，优化线宽均匀性至1nm以下节点 [12] - 3DFabric封装平台包含SoIC/CoWoS/InFO等技术，5nm芯片堆叠已量产，3nm方案2025年投产 [13] - 探索碳纳米管晶体管(CNFET)和二维材料MoS₂通道器件，展示p型SnO和n型IWO氧化物晶体管 [16] 战略定位 - 坚持纯代工模式，五大技术平台覆盖HPC/智能手机/物联网/车用/消费电子全领域 [3][4] - 通过开放创新平台和TSMC大同盟强化生态合作，不涉足自有品牌芯片 [14] - 研发投入聚焦逻辑微缩、材料创新和系统集成三大方向，布局5-10年技术储备 [16]

台积电的行业主导地位 - 台积电生产全球60%的逻辑芯片和90%的5纳米以内先进芯片 [3] - 在先进芯片制造领域仅剩三星和英特尔两个对手，但三星面临3纳米良率问题和劳工罢工，英特尔则因巨额亏损收缩业务并裁员1.5万人 [5] - 台积电提出"Foundry 2.0"概念，业务范围覆盖芯片制造、封装、测试全流程，预计将行业规模从1150亿美元倍增至2500亿美元 [3][6] 芯片行业商业模式演变 - 早期芯片公司如英特尔、德州仪器采用IDM模式控制全流程 [4] - 随着制程技术迭代成本飙升，行业转向专业化分工，封测业务率先外包 [4] - 台积电创始人张忠谋预见到芯片设计公司(Fabless)的兴起，从成熟芯片代工切入并积累规模优势 [6] 台积电的技术与业务拓展 - 从"Foundry 1.0"纯制造扩展到掩膜版和先进封装环节 [6] - 掩膜版市场规模近百亿美元，台积电已是全球最大制造商 [8] - 先进封装技术CoWoS和InFO获得市场认可，H100芯片中封装费用(723美元)远超代工费用(155美元) [8] - 先进封装毛利率已达53%，是头部封测厂商的三倍 [9] 台积电的商业循环模式 - 通过高额资本投入建立技术优势(近三年每年超300亿美元) [12] - 吸引苹果等大客户形成规模效应，2010年借款70亿美元为苹果建厂 [12] - 摩尔定律衰退下转向先进封装作为新增长点，计划今明两年CoWoS产能翻倍 [18] 行业竞争格局与挑战 - 制程进步成本激增：3纳米厂需投资近200亿美元，但性能收益递减 [12] - 芯片单位成本在20纳米后不降反升，每1亿逻辑门费用从0.29美元(65nm)增至4.01美元(3nm) [15][16] - 台积电成为供应链"单点故障"，美国通过《芯片法案》提供66亿美元补贴吸引其建厂 [22] - 台积电美国工厂建设成本是台湾的四倍，面临人才和文化适应挑战 [22]