文章核心观点 - AI需求畅旺、主要厂商减产及消费电子提前备货等多重因素，正推动全球8英寸晶圆代工产能趋紧，行业已酝酿全面涨价，预计2026年价格涨幅在5%至20%之间 [1][2] 供给端：主要厂商减产导致产能收缩 - 台积电自2025年开始逐步减少8英寸产能，目标在2027年部分厂区全面停产 [1] - 三星电子同样在2025年启动8英寸减产，且态度更为积极 [1] - 2025年全球8英寸晶圆产能预计年减约0.3%，正式进入负增长 [1] - 尽管中芯国际、世界先进等厂商计划在2026年小幅扩产，但仍不及两大厂减产幅度，预计2026年产能年减幅度将扩大至2.4% [1] 需求端：AI与本土化趋势驱动需求强劲 - 2025年，AI服务器功率IC订单增量及中国IC本土化趋势，带动了对当地晶圆代工厂BCD/PMIC的需求，部分中国厂商产能利用率自年中起明显提高，并率先在下半年补涨代工价格 [2] - 中国代工厂产能满载后，外溢订单惠及韩国代工厂 [2] - 2026年，AI服务器、边缘AI等终端应用算力与功耗提升，将持续刺激电源管理相关IC需求，成为支撑全年8英寸产能利用率的关键 [2] - PC与笔记本电脑供应链担忧AI服务器周边IC需求增长会挤压8英寸产能，已提前启动功率IC乃至非电源相关零部件的备货 [2] 行业产能利用率与价格展望 - 预计2026年全球8英寸晶圆平均产能利用率将上升至85-90%，明显优于2025年的75-80% [2] - 部分晶圆厂已通知客户，计划在2026年调涨代工价格5-20%不等 [2] - 与2025年仅针对部分旧制程或技术平台客户补涨不同，此次涨价预期为不分客户、不分制程平台的全面调价 [2] - 然而，基于消费性终端市场的隐忧，以及存储与先进制程涨价对周边IC成本的挤压，8英寸晶圆的实际价格涨幅可能较为收敛 [3]

核心观点 - NAND闪存市场因AI驱动需求激增与供应受限，出现严重供需失衡，导致价格大幅上涨，且此趋势预计将持续[1][3][4] 价格变动与市场动态 - 三星电子第一季度NAND闪存供应价格涨幅已超过100%（即“提高了两倍以上”）[1] - 继DRAM合同价格上涨近70%后，NAND闪存涨势大幅增强[1] - 去年第四季度NAND价格环比上涨约33%~38%[3] - 涨价现象不限于三星电子，市场份额前两位的三星与SK海力士预计维持类似涨幅，市场排名第五的闪迪也计划将NAND价格上调100%[3] - 预计NAND价格在第二季度将继续上涨，三星电子正与客户协商调高第二季度供应价格[4] 需求驱动因素 - AI基础设施投资扩大，导致以企业级固态硬盘（eSSD）为中心的需求大幅增长[3] - “端侧AI”热潮兴起，智能手机和PC对高性能、大容量存储设备的搭载日益普及[3] 供应端状况 - 过去一年内，NAND闪存没有大规模扩产，且受工艺转换等因素影响，供应量未显著增加[4] - 三星电子在NAND投资方面持保守态度，出货量扩大有限[4] 对下游市场的影响 - 构建AI基础设施的成本大幅攀升，有观点认为“AI普及的瓶颈在于内存”[4] - 智能手机、PC等终端产品制造商因内存成本压力，计划调高最终产品售价[4] - 由于短期内无法大幅增加内存供应量，产品价格上涨趋势预计将持续一段时间[4]

英特尔代工业务进展 - 公司代工业务正以稳健势头推进 [1] - 公司预计芯片及先进封装订单将带来“数十亿美元收入” [2] 先进制程节点（18A/18A-P）进展 - Intel 18A工艺的首批产品已经开始出货，这是美国本土开发和制造的最先进半导体工艺，良率正在稳步提升 [2] - Intel 18A-P进展顺利，公司已与内部及外部客户进行沟通，并在去年年底交付了1.0版本PDK [2] - Intel 18A-P被视为可与台积电N3工艺竞争的可行的解决方案，苹果等客户在送样过程中与公司保持着接触 [2] 下一代制程节点（14A）规划 - 关于14A，公司采取审慎的资本支出策略，在确定客户之前不会盲目投入产能，仅会在技术开发或研发上进行投入 [2] - 14A客户落实订单的时间窗口预计在2025年下半年和2026年上半年，届时公司才会开始解锁相关支出 [2] - 客户目前正处于14A的0.5 PDK送样阶段，任何订单承诺都将在2026年下半年交付 [5] - 14A的风险试产预计在2027年后期，真正的规模化量产将在2028年，这与领先代工厂的时间表一致 [5] - 14A被公认为一项专注于外部客户的工艺 [5] 先进封装业务机遇 - 公司的先进封装（EMIB和Foveros）正成为代工收入的巨大增长点，被高性能计算客户视为极具前景的解决方案 [5] - 由于先进封装领域面临严重供应限制，且行业可行替代方案寥寥无几，客户正在“预付生产费用”以锁定EMIB和EMIB-T的产能，表明外部需求真实存在 [5][6] - EMIB-T被视为公司的巨大差异化优势，有客户愿意预付费用并与公司分担风险，展示了合作承诺 [6] - 先进封装的订单预计将扩大到“10亿美元”以上，进入2026年EMIB可能会出现在主流产品中 [8] - 先进封装业务对于减少代工业务运营亏损并最终实现盈亏平衡至关重要 [8] 代工业务整体定位与前景 - 公司面临的核心问题之一是是否有足够的资本支出来应对客户订单 [2] - 公司代工部门正面临资本压力，因为其研发和晶圆厂开发阶段占据了总资本支出的很大一部分 [2] - 业界主要疑虑在于，即使18A-P/14A制程被证明足够优秀，公司手头也可能没有足够资金来扩大生产 [2] - 公司是少数能在一处同时提供前道芯片制造和后道封装服务的实体之一，这对客户具有吸引力 [8] - 得益于其芯片和先进封装技术，公司现在正处于一个更好的位置来利用外部订单获利 [8]

10GbE行业现状与核心观点 - 10GbE（万兆以太网）成本已变得非常低廉，集成难度大幅降低，整个行业正处于爆发的临界点 [1] - 10GbE设备正开始在边缘侧真正取代1GbE设备，生态系统开始兑现其长期承诺 [29][56] 2026年10GbE控制器市场格局 - 10Gbase-T控制器市场在2026年明显升温，有新的竞争者搅动市场格局 [2] - 瑞昱（Realtek）推出RTL8127新型10Gbase-T控制器，单片成本仅略高于10美元，远低于英特尔方案 [3] - RTL8127核心优势在于使用PCIe Gen4 x1通道即可实现10GbE速率，易于集成到低成本平台 [5] - 该技术方案使低于50美元的10Gbase-T网卡在电商平台随处可见，在中国等市场价格更低 [7] - Marvell的AQC113/AQC113C系列是低成本、集成物理层的10Gbase-T适配器长青之选，被联想、苹果等公司广泛采用 [8][10] - 英特尔2025年发布服务器级适配器E610，但成本较高且早期存在Bug，其单端口成本可能是Realtek或Marvell方案的两倍以上 [11][13][15] - 英特尔X710-T4L/X710-T2L等带“L”后缀的网卡支持Nbase-T（2.5GbE/5GbE），是目前支持多规格速率的稳妥选择 [16][18] 2026年10GbE交换机与网关市场 - 2026年新一代低成本10GbE交换机和网关开始大量普及 [19] - 当前10GbE交换机价格已大幅下降，例如8口10Gbase-T交换机价格已不到多年前999美元售价的三分之一 [20] - 市场上存在大量支持10GbE的网关产品，大厂也开始在低端产品线中加入SFP+和10Gbase-T版本的10GbE接口 [21][26] - 在某些高端交换机上，10Gbase-T端口仅作为管理口存在 [24] 10GbE发展面临的挑战 - 2026年10GbE面临的一大挑战是PCIe通道的高效使用与未来技术路线的权衡 [29] - PCIe Gen5每条通道可承载25GbE，但25GbE普遍采用SFP28形态，与10Gbase-T主要驱动的现有双绞线铜缆布线不兼容 [32] - 在数据中心，10Gbase-T通常被用作管理接口，而更高端的网卡负责数据传输 [33] - 对于芯片供应商，研发预算面临抉择：是投入拥有巨大总可用市场（TAM）的AI集群芯片，还是专注于降低10GbE设备成本 [36] 2026年10GbE设备测试能力演进 - 测试方投入大量资金构建高端测试环境，包括多节点iperf3集群、搭载Mellanox网卡和Cisco T-Rex的大型工作站、以及Spirent C100等专业设备 [37] - 2025年展示了基于定制Supermicro服务器和Intel Xeon 6980P的Keysight CyPerf服务器，可生成真实流量模式 [39] - 2026年增加了IxNetwork以及基于硬件的解决方案，配备两台XGS2机箱和三张线卡，可生成超过1.7Tbps的流量 [40][41] - 新测试能力支持最多80个10GbE端口或16个100GbE端口或64个25GbE端口，可进行更准确、更底层的性能与延迟测试 [41][46][52] - 例如，测试证明基于Realtek RTL9303的廉价交换机（如TRENDnet TL2-F7080）在64B帧下可无丢包通过接近61Gbps的L1流量 [46][48] - 测试方正在构建能处理400GbE–1.6Tbps流量的网络测试实验室，同时确保可向下测试10GbE设备，以覆盖新产品浪潮 [58][61]

印度半导体产业进展 - 印度已开启全新的半导体产业，其位于多莱拉的晶圆厂将使用ASML的光刻设备[1] - 光刻工艺是半导体制造链中最复杂、精度要求最高的环节[1] 与ASML的合作及全球机遇 - 荷兰跨国公司ASML是全球领先的光刻设备供应商，全球几乎每一颗芯片的制造都离不开ASML[3] - ASML进入印度将是一个重大的发展契机[3] - 由于印度卓越的设计能力、庞大的人才储备以及政策的连贯性，全球多家设备制造商正寻求在印度建立基地[3] 半导体生产时间表 - 几家已获批的半导体工厂已开始试产，预计很快将启动商业化生产[3] - 在已经开始试产的四家工厂中，其中一家即将开启商业化生产，首家工厂预计将于2月份投产[3] - 这是在长达六十年的努力后取得的重大里程碑[3] 政府策略与生态系统建设 - 政府正采取谨慎且有条理的方式，旨在构建一个强大的半导体生态系统，并增强印度在这一关键领域的长期实力[3] - 印度目前已经建立了强大且成熟的电子生态系统[3] 本土移动电话品牌发展 - 随着电子生态系统的成熟，现在是印度开发自主移动电话品牌的最佳时机[3] - 预计在未来12到18个月内，印度将涌现出本土手机品牌[3]

文章核心观点 - 人工智能工作负载正推动半导体设计超越传统的尺寸缩放，转向依赖三维架构和材料工程，其中原子级精度的薄膜介电层对器件性能、功率效率和长期可靠性至关重要 [1] - 原子层沉积技术因其自限制表面反应和埃级厚度控制能力，成为制造先进三维结构（如全包围栅极）中保形介电层和阻挡层不可或缺的技术，但需与其他沉积技术结合以应对机械应力等挑战 [2][7][13] - 半导体行业的发展重点正从晶体管尺寸缩小转向对周围材料的精心设计，这需要材料供应商、设备制造商和设计团队在早期进行前所未有的紧密协作与集成 [10][11][22] 人工智能时代半导体设计的范式转变 - 传统晶体管尺寸缩放策略已难以为继，性能提升越来越依赖于器件的三维堆叠、互连和隔离方式 [1] - 架构转变将材料工程提升至核心地位，栅极介质、刻蚀停止层等薄膜层从被动工艺变为主动影响器件性能、互连性能和整体系统特性的关键因素 [1] - 人工智能加速器对功率密度和带宽的需求，要求薄膜介电层在更高的纵横比、更小的间距、更高的温度和更苛刻的集成步骤下保持稳定 [1] 原子层沉积技术的核心作用与挑战 - ALD技术通过顺序表面反应实现埃级厚度控制，能在深而窄的结构中形成均匀原子层，这对于制造高介电常数栅极介质、间隔层、扩散阻挡层等至关重要 [2] - ALD的自限制表面化学特性使其成为沉积新材料、实现原子级创新的最佳技术 [7] - ALD工艺对污染、前驱体纯度、反应器稳定性极为敏感，微小的厚度变化或结晶区域都可能引入漏电通道和阈值电压漂移，影响数十亿晶体管的可靠性 [3][9] 混合介电材料与集成策略 - 单一沉积技术无法满足所有需求，行业趋势是采用混合介质集成，结合ALD的保形性以及PECVD、CVD或溅射的厚度、机械强度和生产效率 [13][19] - 混合堆叠结构可定制，例如用ALD提供成核或阻挡层，再用CVD/PECVD增强机械强度，最后用旋涂聚合物实现平整度，这种策略延伸至异构集成中的重分布层和封装 [20] - 在沉积中引入的薄膜应力会导致衬底翘曲，需要通过调整工艺参数、采用双面涂层等策略进行补偿，应力与保形性之间的权衡是关键挑战 [12][13] 精度控制与仿真模拟的关键性 - 随着沉积接近原子级精度，对温度、压力、前驱体流量等参数的微小变化都需严格把控，行业正通过嵌入更多传感器和机器学习控制系统实现实时监控与校正 [14] - 虚拟仿真和数字孪生技术能探索更大的设计空间，将原子级沉积动力学与电学、热学模拟联系起来，实现材料、工艺和性能之间的闭环，从而缩短设计周期 [10][14][15] - 原子尺度建模对于预测表面反应、局部键合环境以及薄膜应力对特征的影响变得至关重要，这些见解正被集成到电子设计自动化工具和工艺设计套件中 [9][12][15] 界面与长期可靠性的新焦点 - 随着介质层变薄（如薄至5埃），决定可靠性的关键从介质层本身转移到界面，界面处的晶格间距、电荷分布等不匹配会导致分层、腐蚀或介质击穿 [16] - ALD的精度使工程师能精细设计界面，例如通过沉积偶极层来微调晶体管的阈值电压，但表面预处理和清洁至关重要，以防止天然氧化物等干扰反应 [17] - 分子级厚度的薄膜其热膨胀系数、机械模量等特性与块体材料不同，因此下游工艺必须与薄膜堆叠进行协同设计，长期可靠性取决于整个叠层在热/化学循环中的机械与化学相互作用 [17][18] 材料工程的广度与供应链协作 - 半导体制造所使用的元素已从最初寥寥几种扩展到元素周期表中约75%到80%，且主要通过ALD技术沉积，更丰富的材料选择带来了可能性也增加了集成风险 [10] - 必须在材料选择的早期阶段就与设备制造商、设计团队等利益相关者紧密合作，以确保材料具备所需的化学和物理特性，并在后续工艺步骤中保持兼容性 [11] - 将设计工具作为开发材料解决方案的指导原则，与供应链共同解决材料需求，是应对复杂性和提高可行性的关键方法 [11]

文章核心观点 - 高带宽闪存（HBF）作为一种新兴内存技术，旨在与高带宽内存（HBM）互补，通过构建分层内存架构来解决人工智能工作负载对内存系统的巨大压力 [3][4] - HBF利用多层3D NAND芯片堆叠技术，提供远超HBM的存储容量，但速度较慢且写入次数有限，这要求软件设计优先考虑读取操作 [1][4][5] - 行业预计HBF将在未来24个月内集成到主流AI产品中，其市场普及将在HBM6时代加速，并有望在2038年市场规模超过HBM [6][7] HBF技术原理与特点 - HBF采用将多个3D NAND芯片垂直堆叠的技术，类似于HBM堆叠DRAM的方式，并通过硅通孔（TSV）进行连接 [6] - 单个HBF单元的容量可达512GB，带宽高达1.638TBps，远超标准SSD NVMe PCIe 4.0的速度 [6] - HBF的容量约为HBM的10倍，但速度比DRAM慢，且写入次数有限，每个模块大约为10万次 [4][5] HBF与HBM的互补关系 - HBM被用作GPU的快速缓存，用于高效读取和处理AI推理所需的键值（KV）缓存数据，但价格昂贵且容量有限 [3][4] - HBF则像一个内容丰富的“图书馆”，允许GPU访问更广泛的数据集，与HBM（“书架”）形成分层内存架构，HBF集成在AI加速器附近 [4] - 未来的迭代（如HBM7）可能作为“内存工厂”运行，数据可直接从HBF处理，无需通过传统存储网络 [6] 行业进展与厂商动态 - 三星电子和闪迪计划在未来24个月内将HBF技术集成到英伟达、AMD和谷歌的AI产品中 [6] - SK海力士将于本月晚些时候发布HBF原型产品，同时各公司正通过联盟开展标准化工作 [6] - 铠侠已研发出一款采用PCIe Gen 6 x8接口、传输速率为64Gbps的5TB HBF模块原型 [7] 市场前景预测 - HBF的普及预计将在HBM6时代加速，HBM6的特点是多个HBM堆栈在网络中互连，以提高带宽和容量 [4][7] - 预测到2038年，HBF的市场规模可能会超过HBM [7]

英特尔市场份额变化趋势 - 英特尔在CPU市场的整体份额在八年内从约90%下降至60% [1] - 自2018年以来，AMD和苹果合计将英特尔在笔记本电脑CPU市场的份额拉低了20%以上 [3] - 在服务器CPU市场，英特尔份额从97%持续下滑至约73% [5] 细分市场竞争格局 - 在笔记本电脑CPU市场，苹果与AMD各自占据约20%的份额，与英特尔形成三足鼎立之势 [3] - 在台式机CPU市场，AMD的影响力远超苹果，其份额增长自2022年推出第四代Zen处理器后加速 [3][11] - 苹果M系列处理器在台式机市场稳定占据约10%的份额 [11] - AMD的CPU目前已占Steam用户总数的40%以上 [11] 竞争对手动态与产品迭代 - AMD自2017年推出Zen处理器以来持续蚕食英特尔市场份额 [3] - 英特尔近期发布首款采用2nm级14A制程的酷睿Ultra 3系列处理器，以应对AMD Ryzen AI 400系列和苹果M5的竞争 [12] - 苹果几乎占据了整个Arm CPU市场，但高通已于2024年发布面向Arm架构Windows笔记本的芯片，英伟达预计也将跟进 [12][14] 历史与现状对比 - 2018年前，英特尔在桌面CPU市场份额约90%，在笔记本电脑CPU市场份额超过80% [3] - 目前英特尔在桌面和笔记本电脑CPU市场均保持约60%的份额 [3] - 苹果向自研Arm架构处理器的转型加速了英特尔市场份额的下降 [3]

文章核心观点 - 广发证券分析师Jeff Pu重申预测，英特尔有望凭借其先进的制造工艺（特别是14A和18A节点）成为苹果芯片的主要代工合作伙伴，以实现苹果供应链多元化的目标 [1][3] 英特尔代工业务进展与客户预期 - 英特尔已发布其先进14A工艺节点的0.5版本工艺设计套件（PDK），客户预计在2026年下半年至2027年上半年之间正式采用该技术 [3] - 分析师重申对14A工艺外部客户储备充足的预期，潜在合作伙伴包括苹果、英伟达和AMD [3] - 分析师此前预测，英特尔有望在2028年前凭借14A工艺赢得非Pro系列iPhone芯片的订单 [3] - 在14A工艺推出前，英特尔正专注于18A工艺，其良率正稳步提升，预计在2026年第一季度接近70% [3] - 其他分析师（如郭明錤）曾报道，英特尔最早可能在2027年开始使用18A工艺为苹果交付低端M系列芯片 [3] 苹果的供应链策略与潜在合作背景 - 台积电目前是苹果定制芯片（包括即将推出的2nm A20芯片）的唯一制造商 [3] - 据报道，苹果一直在寻求供应链多元化，以降低地缘政治风险并控制不断上涨的成本 [3] - 英特尔积极推进工厂现代化，使其成为苹果潜在的第二个芯片供应商 [3]

中国台湾地区对亚利桑那州的半导体投资战略 - 中国台湾地区对自身全球半导体领导者地位信心增强，并预计将有更多芯片投资落户美国亚利桑那州，以大力拓展岛外芯片制造产能 [1] - 以台积电为首的台湾半导体企业预计将增加在亚利桑那州的投资，这些项目正在改变当地的半导体行业格局 [2] - 台积电在亚利桑那州已投资数十亿美元，计划总投资额可能高达1650亿美元，项目包括三个新晶圆厂、两个先进封装厂和一个大型研发中心 [2] 亚利桑那州成为全球芯片生产关键区域的原因 - 亚利桑那州成为亚洲以外半导体行业扩张的焦点，是生产地点多元化趋势的一部分，企业正平衡在亚洲、欧洲和美国的生产布局以降低风险并开拓新市场 [3] - 台积电位于亚利桑那州的首座晶圆厂已于2024年底开始实际生产芯片，采用先进工艺技术，未来将生产更小、更复杂的芯片 [3] - 亚利桑那州的战略位置便于进入重要科技市场，并与苹果、英伟达、AMD和高通等依赖先进芯片制造技术的公司保持密切联系 [5] - 美国政府通过《芯片技术创新法案》等立法提供激励和资金，以加速国内半导体制造并减少对外国供应的依赖 [5] - 在美国建设更多晶圆厂被视为加强半导体供应链韧性的方式，该供应链因地缘政治紧张局势和疫情期间的瓶颈而面临中断 [5] 投资的影响与未来展望 - 全球对芯片的需求持续增长，涵盖人工智能应用、电信、汽车技术和数据中心等领域，双方都希望未来的投资承诺能够增加 [2] - 国外企业对美国芯片制造业的强劲投资支持了当地就业，并为依赖安全高效先进芯片供应的科技公司创造了有利环境，有助于提振科技股及半导体设备公司的信心 [3] - 根据与美国达成的更广泛协议，台湾企业已制定计划，未来几年将在美国科技领域投资2500亿美元，涵盖半导体、能源和人工智能等行业 [3] - 投资不仅包括直接建设晶圆厂和封装设施，还包括提供信贷支持以鼓励台湾企业进一步扩张，这项双管齐下的战略旨在加强长期产业联系并支持跨多个行业的科技供应链 [4]