文章核心观点 - 人工智能驱动的需求激增导致高带宽内存（HBM）供应持续短缺，预计将持续数年，并引发存储芯片行业的结构性转变 [1][2][4] - HBM3E价格因需求远超供应而罕见上涨约20%，且主要存储制造商将产能优先分配给利润更高的HBM及企业级产品，导致消费电子领域面临内存短缺和成本压力 [2][3][11][12] - 存储芯片行业正经历前所未有的繁荣，美光、三星电子和SK海力士等主要厂商的财务表现和未来预期大幅上调，行业竞争格局和增长逻辑发生根本性变化 [4][5][7][16][17] HBM市场供需与价格动态 - HBM3E供应价格已上调近20%，此轮涨价实属罕见，因通常在下一代产品发布前价格会下降 [2] - 价格上涨主因是需求超出预期且供应受限：英伟达H200 AI芯片获准出口中国，谷歌、亚马逊等大型科技公司明年将发布搭载HBM3E的AI加速器，订单激增 [2][3] - 供应受限因三星电子和SK海力士等内存半导体公司正集中精力扩大下一代HBM4的产能，难以满足HBM3E的当前需求 [2][3][4] - 英伟达计划利用现有库存处理首批H200芯片订单，预计总出货量为5000至10000个芯片模块（约40000至80000片芯片） [3] - 谷歌第七代TPU每个设备可搭载8个HBM3E单元，亚马逊Trainium3可搭载4个，与上一代相比HBM容量提升近20%至30% [3] - 预计2025年HBM市场规模约350亿美元，到2028年将以约40%的复合年增长率增长至约1000亿美元，届时将超过2024年整个DRAM市场的规模 [6] - 预计2026年内存产能（包括HBM4）已售罄，美光预测HBM需求将持续强劲 [6] 主要存储芯片公司业绩与展望 - **美光科技**：截至11月27日的季度营收为136.4亿美元，同比增长56.6%；GAAP利润为52.4亿美元，同比增长231%；利润率从上一季度的28.3%上升至38.4% [5] - 美光计划扩大产能以满足HBM需求，包括调整爱达荷州和纽约晶圆厂建设时间表，以及在新加坡建设HBM先进封装工厂 [5][6] - **三星电子**：市场对其明年全年营业利润预期从三个月前的44.1092万亿韩元大幅上调94%至85.4387万亿韩元，有预测可能超过100万亿韩元 [4][7] - **SK海力士**：市场对其明年营业利润预期在三个月内上调66%，从45.9060万亿韩元增至76.1434万亿韩元 [4][8] - 业绩预期上调主要驱动力是DRAM价格上涨以及AI需求推动HBM出货量增加 [7][8] - 存储芯片制造商当前净利润总额已超过不久前的营收水平，财务实力达到前所未有的高度 [17] 存储行业结构性转变与消费电子挑战 - 内存短缺被描述为“前所未有的拐点”，是结构性而非周期性短缺，因制造商将硅晶圆产能从消费电子产品永久性、战略性地重新分配给AI数据中心使用的内存 [11][12] - 分配给英伟达GPU的HBM堆叠的每一片晶圆，都意味着中端智能手机或消费级笔记本电脑缺少一片晶圆，这是一场零和博弈 [12][13] - 预计2026年DRAM和NAND的供应增长将低于历史平均水平，同比分别仅增长16%和17% [13] - 消费电子设备制造商面临挑战：美光已停止直接向消费者销售内存以保障AI和数据中心供应 [9] - 智能手机行业受影响显著：内存成本占中端机型物料清单总成本的15%到20%，高端机型为10%到15% [13] - 成本上涨将挤压TCL、传音、Realme、小米等低利润厂商的利润空间，迫使其提价或降低配置 [14] - 高端市场如苹果和三星拥有结构性优势，能提前锁定供应，但2026年新款旗舰机型可能不会升级内存配置 [14] 行业竞争格局与历史周期对比 - 存储芯片行业传统上具有剧烈的繁荣与萧条周期，产品同质化（大宗商品）及产能建设滞后导致供过于求与价格暴跌 [16] - 目前仅剩四家主要内存芯片制造商，竞争集中 [16] - 当前繁荣被认为与历史不同，AI计算领域的巨额支出带来了复利效应，创造了前所未有的需求，且供应因技术难度高而持续受限 [17] - 三星在满足AI设备制造商需求方面反应迟缓，其以往通过快速提高产量来影响市场的策略此次未能奏效，这有助于维持价格高位 [18] - 考虑到工厂建设周期长，除非AI需求崩溃，否则2026年不太可能出现内存芯片过剩 [18] - 行业形势瞬息万变，就在2023年，SK海力士和美光两家公司合计净亏损超过100亿美元 [18]

公司概况与市场定位 - 公司Rebellions AI是一家韩国人工智能推理芯片初创公司，成立于2020年9月，总部位于首尔[3][5] - 公司是韩国首家人工智能芯片独角兽企业，估值超过10亿美元，可能达到15亿美元或更高[8] - 公司将自己定位为“第二代”人工智能加速器，认为第一代产品因缺乏灵活性和适应性而未取得巨大成功，自身作为后起之秀更具优势[2][3] - 公司最初目标是为高频交易公司打造AI推理加速芯片，但计划已扩展至与英伟达、AMD等公司的数据中心级AI加速器竞争[3] 核心竞争优势与战略联盟 - 公司获得了韩国两大财阀的支持：SK集团旗下的SK Telecom和SK Hynix均为其投资者，三星集团旗下的三星风投也是其投资者，并且三星是其代工厂合作伙伴[1][8][9] - 公司是唯一一家获得三大HBM堆叠内存制造商中两家（三星和SK海力士）投资的公司，并得到韩国两家最大电信公司（KT Corp和SK Telecom）的支持[1][8] - 公司与Arm Holdings达成合作，成为其Arm Total Design生态系统的一部分，便于客户集成其AI加速器[10] - 公司与Marvell合作，利用其SerDes、芯片间互连和先进封装技术，为特定地区客户打造定制化AI加速器[10] - 公司从Alphawave Semi获得UCI-Express-A芯片间互连控制器授权[30] 融资历程与资本背景 - 公司在2020年和2022年完成A轮融资，共筹集6100万美元[8] - 2024年B轮融资由KT Corp（原韩国电信）领投，沙特阿美风险投资部门参与[8] - 2024年C轮融资由Arm Holdings领投，三星风投、和硕联合创投、韩国开发银行等机构参与[8] - 2024年12月，韩国电信旗下AI芯片初创公司Sapeon Korea与公司合并，SK Telecom因此成为投资者，Sapeon Korea此前曾获SK海力士投资[8] 创始团队与技术背景 - 公司由四位联合创始人创立，首席执行官朴成铉拥有麻省理工学院电气工程和计算机科学双硕士学位，曾在英特尔、三星移动、SpaceX星链部门和摩根士丹利工作[5] - 首席技术官吴镇旭曾在KAIST、微软、德州仪器和IBM研究院从事研究工作，主要方向为近似计算、粗粒度可重构阵列和神经网络加速器[7] - 首席产品官金孝恩曾在Maxwave、三星电子和医疗设备公司Lunit工作[7] - 首席商务官Marshall Choy曾是SambaNova的创始团队成员，此前在Sun Microsystems和Oracle有超过20年的工作经验[2][3] 产品技术与架构 - 公司产品线包括用于高频交易的Ion芯片（台积电7纳米）、Atom AI推理加速器（5纳米）以及数据中心级的Rebel系列芯片（三星4纳米）[10] - Rebel芯片采用粗粒度可配置阵列架构，其“神经核心”上任意两个处理单元之间的路由可编程，形成可扩展的网状互连[11][13] - 每个神经核心配备4 MB的L1 SRAM内存，支持FP16、FP8、FP4、NF4和MXFP4多种计算精度[16] - 单个神经核心在FP16精度下性能为16万亿次浮点运算/秒，在FP8精度下为32万亿次浮点运算/秒[16] - 公司通过将多个芯片互连形成更大计算复合体，例如Rebel Quad由四个Rebel Single芯片组成[25] 产品性能与规格 - Rebel Quad在FP16精度下可提供1 petaflops运算速度，在FP8精度下可提供2 petaflops运算速度[27][30] - Rebel Quad配备4组HBM3E内存，总容量144 GB，总带宽4.8 TB/秒[27] - Rebel Quad采用PCI-Express卡规格，功耗为600瓦[27][30] - 与竞争对手相比，Rebel Quad与英伟达H200性能相当（FP8性能高出3.4%），但每瓦性能高出20.7%；其性能约为英伟达B200的45%，但功耗仅为后者的60%[30] 生产制造与供应链 - 公司目前使用三星的4纳米工艺制造Rebel系列芯片，并正在推动三星的4纳米工艺升级[10] - 公司计划利用三星即将推出的2纳米工艺创建混合平台[10] - 公司采用三星的ICube-S中介层和封装技术，与台积电的CoWoS-S技术类似[27] - 公司同时使用三星和SK海力士的HBM3E堆叠内存[1][18] 软件生态与部署 - 公司软件栈基于PyTorch原生实现，采用Triton推理引擎和vLLM开源库管理推理键值缓存[32] - 公司开发了自己的集体通信库RBLN CCL，类似于英伟达的NCCL库[32] - 公司拥有名为Raise的推理服务层，类似于英伟达的Dynamo推理堆栈，并已接入Ray分布式推理框架[34] 市场进展与客户 - Rebel Single已于2024年11月完成流片，Rebel Quad正在向部分客户提供样品以进行验证[32] - 公司目标客户包括自主人工智能中心和区域性新云平台，特别是在亚洲、非洲或中东等可能需要不受美国出口管制限制的AI加速器的地区[10]

文章核心观点 - 谷歌以自身从x86成功过渡到ARM架构的经验为蓝图，阐述了将RISC-V集成到其仓库级数据中心基础设施的愿景、机遇与挑战，强调标准化、强大的硬件、全面的测试和社区协作是实现RISC-V规模化应用的关键[1][2][3] 谷歌的异构计算演进路径 - 公司的数据中心架构始于通用x86平台，在2010年代中期开始尝试ARM架构，并于2022年推出Tau T2A ARM实例以及近期推出定制Axion ARM处理器[1] - 目前数据中心已混合部署x86、ARM及包括早期RISC-V组件在内的新兴架构，认为异构性和专业化是克服摩尔定律放缓、实现更高规模效率和性能的关键[1] RISC-V的机遇与标准化挑战 - RISC-V的开放性和定制潜力令人兴奋，但缺乏标准是一把“双刃剑”，需要像RVA23规范和即将发布的RISC-V服务器平台规范这样的基准来确保仓库级部署的兼容性[2] - 谷歌正通过RISC-V国际组织参与QoS和RVA23等标准的制定，并作为RISE项目的创始成员，加速Linux和LLVM的上游开发[3] 从ARM移植中汲取的经验 - 谷歌移植了超过3万个软件包，覆盖了包括YouTube、Spanner和BigQuery在内的主要工作负载，这些负载几乎占其计算资源的一半[2] - 移植过程通过集中协作、自动化和AI生成的变更来实现，为大量工作负载提供了自助服务，实际过渡比预期顺利，开发者担心的工具链崩溃问题大多只是配置、构建路径等“琐碎”小问题[2] - 少数技术问题包括浮点精度差异（通过标准化为float128解决）和一些极少的内存排序错误[2] 人工智能在架构迁移中的关键作用 - 谷歌将其Gemini AI模型应用于4万个ARM移植修改，对其进行分类以便未来自动执行更改[3] - 目前AI代理负责安全、渐进地进行部署，其过程往往难以被团队察觉[3] - 公司通过RISE和RISC-V International，利用Gemini计划的资助金资助学术界人士推进人工智能驱动的移植工作[3] 实现RISC-V仓库级规模的关键要素 - **高性能硬件**：需要一款“酷炫的汽车”——即高性能服务器级SoC，至少有64个核心，每个核心支持4GB以上的内存，并优先考虑性能、可靠性和可维护性[3] - **全面测试**：遵循内部“碧昂丝法则”（“如果你喜欢它，就应该测试它”），强调关键功能必须经过全面测试以简化多架构移植[3] - **社区协作**：需要“朋友们”——即强大的社区协作，以打造“开箱即用、编译运行”的强大软件生态系统[3] - **强制功能**：未来的RISC-V超路线图需要标准化规范，并强制包括分支记录（类似英特尔的LBR或ARM的BRBE）、侧信道加固加密和MMU支持等功能以确保安全[3]

全球半导体行业新增长阶段 - 全球半导体行业预计将进入以人工智能为中心的新增长阶段 [1] - 存储器半导体市场预计将继续保持由供应商驱动的超级周期 [1] - 系统半导体市场预计将围绕AI加速器和先进工艺进行重组 [1] 存储器半导体市场动态 - 人工智能服务器所需的高容量、高性能DRAM和NAND闪存需求激增，促使供应商将产能集中于这些领域 [1] - 供应商优先投资改造现有生产线，而非新建晶圆厂，并且对快速扩张产能持谨慎态度 [1] - 美光科技已决定停止面向消费级市场的DRAM和NAND闪存出货，重心转向人工智能数据中心的内存产品 [2] - 三星电子和SK海力士已将其大部分DRAM产能分配给服务器和数据中心的HBM [2] HBM市场前景 - 预计明年对HBM的需求将保持强劲 [2] - 新年伊始，HBM市场仍将面临供应短缺，存储器制造商已经敲定了明年大部分HBM供应合同 [2] - 预计HBM3E的出货量将因市场对NVIDIA"Blackwell"系列产品的需求而增长 [2] - HBM4预计将从明年下半年开始实现显著增长，其输入/输出端口数量较前几代产品翻了一番，预计将被定位为高附加值产品 [2] - 三星电子和SK海力士正集中精力进行样品测试和工艺验证，以确保HBM4及时实现商业化 [2] 韩国半导体行业机遇 - 韩国半导体行业有望摆脱其在存储器领域的垄断地位，并在AI系统半导体和代工领域探索新的增长引擎 [1] - 在系统半导体领域，预计韩国人工智能半导体产业将从新年开始出现显著增长 [2] - 韩国企业正在人工智能数据中心、服务器和边缘加速器等领域快速验证和展示其技术 [2] - 包括Rebellions和Furiosa AI在内的韩国人工智能半导体初创公司正积极推进商业化进程，重点研发面向数据中心的人工智能加速器和NPU [3] - 新的一年有望成为韩国人工智能半导体企业获得市场认可的转折点 [3] 系统半导体与代工生态 - 三星电子的晶圆代工业务被认为是人工智能半导体增长的关键驱动力 [3] - 三星电子正积极争取高性能半导体订单，重点发展超精细工艺，例如2纳米 [3] - 人工智能半导体需要大规模芯片设计、复杂工艺流程和先进封装技术 [3] - 三星电子正利用其涵盖晶圆代工和封装的综合半导体制造能力，拓展与韩国人工智能半导体企业的合作机会 [3] - 新的一年是韩国人工智能半导体设计-代工-封装生态系统真正开始运转的起点 [3] 行业核心观点总结 - 半导体市场将围绕人工智能同时重组存储器和系统半导体 [4] - 在存储器方面，通过HBM实现的超高市场差距将得到加强 [4] - 在系统半导体方面，韩国的人工智能半导体和代工厂可能会成为新的增长引擎 [4]

文章核心观点 - 空白掩模制造商S&S Tech计划在2025年将其所有掩模产品价格提高约10%，主要原因是上游高纯度石英原材料价格持续上涨，且掩模价格涨幅预计将超过石英成本涨幅，有望提升公司盈利能力 [1] - S&S Tech在中国市场表现强劲，占据其空白掩模收入的一半以上，并拥有约40%的市场份额，这得益于中国本土掩模技术不足以及中国晶圆厂产能扩张带来的需求 [2] - 公司正在韩国拓展极紫外（EUV）光刻掩模业务，旨在挑战当前的市场主导者豪雅，并已与三星展开合作，以满足后者降低成本、缩短交期和减少对日本供应商依赖的需求 [3] 行业与市场分析 - **高纯度石英供应链高度集中**：用于制造掩模的高纯度石英市场由美国The Quartz Corp和Covia两家公司占据80%以上的份额 [2] - **石英加工环节壁垒高**：能够将石英加工成半导体材料的公司屈指可数，主要包括美国的Momentive Technologies、日本的信越化学和东曹，以及德国的贺利氏 [2] - **石英需求激增且供应紧张**：需求增长主要受中国晶圆厂产能扩张、太阳能电池板市场对石英坩埚需求增加，以及先进芯片制程需要更多蚀刻工艺导致石英消耗量上升等因素驱动 [2] - **掩模版市场格局**：日本豪雅是全球最大的掩模版制造商，占据超过一半的市场份额，旭硝子和S&S Tech紧随其后 [2] S&S Tech公司经营与财务 - **2024年财务表现**：公司2024年营收达1760亿韩元，营业利润达295亿韩元，分别较2023年增长17%和19% [1] - **2025年财务预测**：韩国分析师预测，公司2025年营收将达到2400亿韩元，较2024年增长40%，预计营业利润率将达到20% [1] - **营收增长驱动因素**：尽管2024年未提高掩模价格，但营收增长主要得益于中国市场的强劲增长 [1] - **历史定价策略**：公司在2024年提价一次，2025年维持了价格，并计划在2026年再次提价约10% [1] 原材料成本趋势 - **石英价格持续上涨**：自2022年以来，石英价格每年上涨约15%至20%，预计到2024年将持续上涨，2025年预计涨幅为7%至8% [1] - **成本传导与盈利改善**：掩模价格的增长率将高于石英价格的增长率，因此S&S Tech有望获得更高的盈利能力 [1] 中国市场机遇 - **市场地位**：在中国市场，S&S Tech的空白掩模市场份额达到40% [2] - **收入占比**：中国市场占S&S Tech空白掩模收入的一半以上 [2] - **增长前景**：随着更多晶圆厂预计在中国投产，S&S Tech在中国的收入有望进一步增长 [2] 业务拓展与客户合作 - **EUV掩模业务拓展**：公司正在韩国拓展其极紫外（EUV）光刻掩模业务，该市场目前由豪雅主导 [3] - **与三星的合作**：三星正试图减少对豪雅的依赖，并与S&S Tech合作，希望通过从韩国公司采购来节省成本和缩短交货时间，EUV光刻掩模单价高达数万美元 [3]

公司荣誉与行业地位 - 公司于2025年12月荣获IC风云榜“年度领军企业奖”，该奖项旨在表彰在集成电路领域具备卓越领导力与行业号召力的标杆企业 [1][5] - 公司被工信部认定为“国家级制造业单项冠军企业”，同时也是国家重点集成电路设计企业 [3][11] - 公司综合实力屡获权威认可，先后荣膺“中国集成电路领军企业”、“广东省五一劳动奖”等荣誉，旗下产品多次斩获“中国芯”奖项、中国半导体创新产品与技术奖等奖项 [5] 业务概览与市场表现 - 公司专注于系统级芯片的设计与研发，产品覆盖蓝牙音视频、智能穿戴、智能物联终端等多个领域 [3] - 公司芯片累计销量已突破百亿颗，其蓝牙音频芯片连续多年位居全球市场占有率首位 [3] - 在全球TWS耳机主控芯片领域，公司综合竞争力位列全球前三，仅次于苹果和高通，并稳居国内厂商第一梯队 [5] - 截至2024年，公司TWS耳机芯片累计销量已突破46.59亿颗，全球市场占有率约40% [6] - 在TWS耳机主控芯片市场中，公司市场份额已连续三年保持增长，2024年营收规模同比增长超35% [5] 技术创新与产品成果 - 公司依托“广东省射频智能企业重点实验室”等四大省级科研平台，并设立国家级博士后科研工作站及广东省博士工作站，推动高端人才引进与培养 [5] - 公司已累计获得国内外知识产权700余项，构建起完善的自主知识产权体系 [5] - 2025年推出的JL7096D蓝牙耳机芯片集成宽带数字自适应ANC技术，结合三麦AI通话降噪，具备44ms超低延时与47小时超长续航能力 [8] - 在智能音箱领域，AC706N芯片集成32位DSP处理器与双模蓝牙6.0技术，支持百米级通信与影院级声画同步，填补国内专业音频芯片空白 [8] - 2025年9月，公司“低延时通信”、“ANC降噪深度”等多项技术成果经权威鉴定达国际领先水平，并在主动降噪领域申请了多项发明专利 [8] 产业生态与客户合作 - 公司以芯片为核心构建产业生态，深度赋能上下游企业，在下游应用端与vivo、小米等头部品牌达成深度合作 [11] - JL7096D芯片赋能的vivo TWS Air3 Pro耳机市场反响热烈，京东平台用户好评率持续领先，形成“芯片创新—产品爆款—市场扩容”的良性发展闭环 [11] - 公司成为国产芯片替代浪潮中的标杆力量，持续引领产业发展 [11]

文章核心观点 - 资深人工智能专家Yann LeCun建议计算机科学专业学生应重视数学、物理、电子工程等基础学科的学习，而非追逐流行技术，以适应快速的技术变革并确保学位的长期价值 [1][2] 对计算机科学教育的批判与建议 - LeCun指出，仅修读计算机科学学位要求的最低数学课程（如仅学微积分1）远远不够，这可能导致学生无法适应重大技术变革 [1][2] - 建议学生尽可能多地学习数学、物理或电子工程等基础课程，这些知识能够长期受益，而非只学习当下流行的技术课程 [1] - 强调应学习与现实联系起来的数学基础知识，如建模，这类知识常在工程院校的电气工程、机械工程等专业中教授 [1] - 工程学科（如电气工程）通常要求学习微积分1、2、3，能打下更良好的基础，并且能让学生接触到对人工智能非常有用的控制理论和信号处理等概念 [2] 对编程与核心技能的看法 - 包括OpenAI的Brett Taylor在内的领域领军人物强调，计算机科学远不止学习编程 [2] - 包括诺贝尔奖得主Geoffrey Hinton在内的学者强调，培养批判性思维以及掌握数学、统计学、概率论、线性代数等技能是跟上人工智能发展步伐的关键，这些知识永远不会消失 [2] - LeCun澄清其建议并非抛弃基础编程，学生仍需学习足够的计算机科学知识以进行编程和使用计算机，尽管人工智能可以提高编程效率 [3] 教育现状与挑战 - 大学和计算机科学专业的学生仍在努力探索如何调整课程设置，以适应生成式人工智能和日益智能化的人工智能时代 [1] - 加州大学伯克利分校教授Hany Farid曾描述，当前学生在求职方面面临困境，这与以往毕业生“求职无忧”的局面形成鲜明对比 [1]

文章核心观点 - 宽禁带化合物半导体碳化硅和氮化镓在汽车电气化、人工智能数据中心等新兴应用中至关重要，其市场格局正经历快速演变，主要驱动力包括技术升级、新进入者涌现、供应链地缘政治变化以及商业模式的转变 [1][27] 碳化硅市场 - 功率碳化硅市场增长主要由汽车应用驱动，尤其是电池电动汽车的逆变器 [3] - 800V快速电动汽车充电技术的出现是推动市场增长的近期趋势之一，Yole预计未来五年内功率碳化硅市场规模将达到100亿美元 [3] - 中国电动汽车制造商比亚迪于2025年3月推出超级电能平台，实现1兆瓦充电功率，峰值充电5分钟可提供400公里续航，其半导体事业部自研自产碳化硅器件 [3] - 近期电动汽车市场放缓及中国碳化硅器件制造商竞争加剧，对2025年中期市场格局产生重大影响，美国碳化硅晶圆生产商Wolfspeed于6月申请破产保护，其客户瑞萨电子退出碳化硅市场，日本厂商JS Foundry也于7月申请破产，截至2025年9月Wolfspeed已完成破产重组 [3] 200毫米碳化硅 - 全球碳化硅产业正从150毫米晶圆过渡到200毫米晶圆 [5] - Wolfspeed宣布将于2025年9月推出其200毫米碳化硅晶圆 [5] - 英飞凌科技已于2025年第一季度从其奥地利菲拉赫工厂向客户发布首批基于200毫米碳化硅技术的产品，其马来西亚居林制造基地的转型工作按计划进行 [5] - 2025年10月，三菱电机宣布其位于日本熊本县菊池市的8英寸碳化硅工厂竣工 [5] - 博世等其他公司也在应对向200毫米的过渡，将在其收购的加利福尼亚州罗斯维尔市工厂进行200毫米碳化硅生产 [5] 碳化硅新入局者 - 碳化硅的战略重要性及对地缘政治供应链中断的担忧，促使世界各国通过私人创业或公共补贴研发计划进入市场 [7] - 印度是活跃国家之一，2025年10月印度无晶圆半导体供应商LTSCT与台湾鸿永半导体宣布建立长期合作伙伴关系，共同开发和供应高压碳化硅晶圆 [7] - 另一家印度企业SiCSem于2025年11月在印度奥里萨邦破土动工，建设该国首个端到端碳化硅制造工厂 [7] - 新加坡科技研究局于2025年5月推出了一条工业级的200毫米碳化硅开放式研发生产线 [7] - 2025年9月，EYEQ Lab在韩国建成该国首个8英寸碳化硅功率半导体生产设施，该设施由公共资金支持建设 [7] - 欧洲新晋玩家包括总部位于苏格兰的晶圆代工厂Clas-SiC [7] 碳化硅器件架构 - 碳化硅技术仍在不断发展，包括器件架构 [9] - 博世的器件采用了其专为汽车应用开发的“双通道沟槽栅技术” [9] - 纳维塔斯半导体公司开发了其GeneSiC“沟槽辅助”平面碳化硅MOSFET技术 [9] 氮化镓市场 - 功率氮化镓市场增长主要由移动充电器等消费应用驱动 [11] - 近期消费趋势包括充电器功率提升至300瓦，以及家用电器电源和电机驱动器对更高效率和更小体积的追求 [13] - 除了消费领域，氮化镓技术预计也将在汽车和数据中心应用领域得到更广泛应用，到2030年该器件市场规模预计将超过25亿美元 [13] - 市场分析公司TrendForce称，总部位于中国的Innoscience在2024年以29.9%的市场份额引领全球氮化镓功率器件市场，领先于Navitas、EPC、Infineon和Power Integrations [13] - 功率氮化镓行业目前更倾向于IDM商业模式，这与过去占据主导地位的无晶圆厂半导体公司以及纯晶圆代工模式截然不同 [13] - 台积电近期退出氮化镓市场促使其他代工厂加大氮化镓业务投入以抢占更大市场份额 [13] - 格罗方德于2025年11月宣布与台积电达成一项650V和800V氮化镓技术的授权许可协议，将在其佛蒙特州伯灵顿工厂对该技术进行认证 [14] - 对于数据中心应用，市场增长的重大预期寄托于英伟达率先推出的800V直流配电架构的过渡，大多数主要氮化镓功率器件厂商都在为此做准备并推出更高电压器件，英伟达已批准的氮化镓供应商包括英飞凌、Innoscience和Power Integrations [14] 300毫米氮化镓 - 功率型氮化镓器件也在向更大尺寸晶圆发展，新型晶圆直径已达300毫米 [16] - 2025年7月，英飞凌宣布其300毫米晶圆上的可扩展氮化镓制造工艺进展顺利，首批样品将于2025年第四季度提供给客户 [16] - 2025年10月，比利时研究中心Imec启动了其300毫米氮化镓开放式创新计划，合作伙伴包括Aixtron、GF、KLA Corporation、Synopsys和Veeco [16][17] - 在该计划早期成果中，Imec在由美国Qromis公司开发的信越化学300毫米QST基板上实现了超过650V的击穿电压 [17] 近期氮化镓交易 - 功率氮化镓市场格局受到IDM和代工厂之间多项交易影响 [19] - 2025年3月，意法半导体和Innoscience签署了关于氮化镓技术开发和制造的协议，允许双方互相利用对方在中国境内外的前端制造能力 [19] - 2025年4月，美国晶圆代工厂Polar Semiconductor与瑞萨电子签署战略协议，获得瑞萨电子的GaN-on-Si耗尽型技术授权，将在其明尼苏达州200毫米工厂生产650V级GaN-on-Si器件 [19] - 2025年9月，比利时晶圆代工厂X-FAB宣布在其XG035技术平台中新增GaN-on-Si晶圆代工服务，用于生产d模器件，在德国德累斯顿的8英寸晶圆厂提供该技术 [19] - 2025年10月和11月，无晶圆厂半导体厂商剑桥氮化镓器件公司和纳维塔斯公司分别宣布与格芯展开合作，这两家公司都曾是台积电的客户 [20] 氮化镓新入局者 - 与碳化硅类似，影响氮化镓功率格局的因素包括地缘政治紧张局势和各国对半导体自给自足的追求 [22] - 供应链中断的严重案例涉及荷兰公司Nexperia，该公司在2025年10月因荷兰政府以安全担忧为由接管而成为新闻焦点，随后中国政府禁止Nexperia出口在中国封装的产品，导致多家欧盟汽车制造商面临芯片短缺，2025年11月荷兰政府暂停了对Nexperia的控制 [22] - 新进入者和研发投资包括印度第一家致力于推进氮化镓半导体技术的IDM初创公司Agnit Semiconductors，以及新加坡与A*STAR合作成立的氮化镓国家半导体转化与创新中心 [22] 氮化镓垂直架构 - 功率氮化镓器件的一个重要趋势是垂直架构的出现，与传统的平面结构相比具有诸多优势 [24] - 安森美半导体于2025年10月推出了基于其氮化镓上氮化镓工艺的垂直氮化镓高压功率半导体 [24] - 安森美半导体称，目前市面上大多数商用氮化镓器件是在非氮化镓衬底上制造，而其vGaN芯片采用GaN-on-GaN技术，允许电流垂直流经芯片内部，提供更高功率密度、更佳热稳定性及在极端条件下的稳定性能 [27] - 2025年10月，从麻省理工学院分拆出来的Vertical Semiconductor公司宣布获得1100万美元种子资金，以加速vGaN晶体管的开发 [27]

公司历史与业务转型 - 公司成立于1923年，其起源可追溯至1898年的纺织公司，是日本历史最悠久的丝绸纺织公司之一 [1] - 公司最初利用灌溉渠剩余电力经营发电和纺织业务，直至1963年主要生产纺织相关产品 [1] - 1969年，为满足计算机和集成电路技术进步的需求，公司开始生产印刷电路板用的玻璃布 [1] - 1984年，公司推出了高强度、低热膨胀系数的T-Glass材料，该材料最初用于复合材料，后用于半导体封装基板 [1] - 历经数十年发展，公司已成为当前热门AI核心材料供应商 [1] T-Glass材料详解 - T-Glass是一种玻璃纤维，其二氧化硅和氧化铝含量高于通用E-glass，因此具有优异的机械和热性能 [6] - T-Glass可作为先进复合材料的增强材料，用于航空航天和体育用品领域，也因其低热膨胀系数和高拉伸弹性用于高性能电子材料 [6] - T-Glass是电子级玻璃纤维布的技术分支，具有高刚性、尺寸稳定性、极低热膨胀系数等特性，能有效抑制先进封装时的材料形变和翘曲 [7] - T-Glass主要用于IC载板及先进封装基板，是实现高速数据传输与稳定运算的基础材料 [7] 玻璃纤维布行业与重要性 - 玻纤布由玻璃纤维纱编织而成，具备绝缘性、耐热性、高强度等特性，是制造铜箔基板的关键原料 [2] - 铜箔基板是PCB的核心基材，负责建构PCB的骨架和导电层，因此玻纤布是PCB基板中常见的补强材料 [4] - 随着AI服务器需求增长，PCB材料升级主要集中在“低介电”与“低热膨胀系数”的玻纤布，这带来了T-Glass的需求 [4] - 玻璃纤维根据类型分为E-glass、A-glass、C-glass、D-glass、S-glass等多种型态，各有不同特性与应用领域 [6] 市场需求与供应状况 - AI服务器的运算功耗与频宽需求远高于传统服务器，且2026年载板面积将增大，为提升载板硬度，核心层T-glass用量将倍增，载板层数也随之增加，进一步推升T-glass需求量 [7] - 高盛报告指出，由于AI客户采购力强，T-glass主要用于AI GPU与ASIC等高阶应用的ABF载板，导致同样需要T-glass的BT基板供应吃紧 [7] - 高盛预期，未来数月至数季内，BT基板所需的T-glass可能面临双位数百分比的短缺 [7] - 多数T-Glass生产被ABF消耗，近年需求暴增并出现供给吃紧与涨价信号，未来几个月至数季，用于高阶BT基板的T-Glass可能出现双位数百分比的供应缺口 [12] 公司的市场地位与财务表现 - 公司控制着全球高端玻璃纤维布市场约90%的份额，在ABF领域没有竞争对手 [10] - 公司拥有T-Glass的全球垄断地位，随着服务器和PC需求复苏，公司30%的T玻璃销售额预计将高速增长 [10] - 近乎垄断的市场地位帮助公司提高了利润，并使其股价在今年上涨了55%以上 [10] - 在11月6日的财报电话会议上，公司上调了全年盈利预期，并暗示将提前实施产能扩张计划，受此消息提振，其股价在接下来的两周内翻了一番，并在11月20日创下16150日元的历史新高 [10] 产能扩张与未来展望 - 针对T-Glass的短缺，公司预计其福岛新厂最快将于2026年底落成、2027年初投产 [12] - 若将新产能全面投入低热膨胀系数玻纤布配方T-Glass生产，其出货量将达到目前的3倍左右水平，届时可望缓解自2024年底延烧至今的材料缺货潮 [12] - 公司CEO表示，任何技术最终都会变成商品，竞争对手可能来自中国台湾、中国大陆或日本的公司，但公司目前是当之无愧的开拓者 [14]

文章核心观点 - 激光雷达行业正经历技术路线与市场格局的深刻变革 传统基于飞行时间的激光雷达在汽车应用上面临可靠性、集成与成本挑战 导致其声望在西方市场下降 [1] - 以硅光子学为基础的调频连续波激光雷达技术被视为下一代关键突破 有望在性能、成本与集成度上超越传统方案 并为西方供应商提供超越中国竞争对手的短暂时间窗口 [1][4][10] - Voyant Photonics作为一家西方初创公司 选择避开竞争激烈的汽车前装市场 专注于开发基于硅光子学的调频连续波激光雷达核心模块 目标成为该基础技术的领先供应商 并开拓机器人、仓储自动化等更广泛的应用领域 [7][8][12] 激光雷达行业现状与挑战 - 激光雷达在西方汽车行业的声望下降 市场力量导致行业剧烈波动 包括由自动驾驶热潮催生的SPAC投资潮以及中国供应商的崛起 [1][2] - 中国激光雷达供应商已占据市场主导地位 根据Yole Group 2025年报告 中国供应商占乘用车激光雷达市场的93%和整个激光雷达市场的89% [4] - 传统飞行时间激光雷达存在可靠性问题、集成限制和成本挑战 使其难以满足汽车领域高速自动驾驶等高难度应用的需求 [1][8] 下一代技术：硅光子学与FMCW激光雷达 - 调频连续波激光雷达相比传统飞行时间方案具有直接测速、抗阳光/干扰能力强、距离分辨率更高、处理反射光能力更好等优势 [10] - 硅光子学技术是调频连续波激光雷达的关键 其主要优势在于高集成度、降低成本的机会、高可靠性和可重复性 并能受益于数据中心光收发器技术的发展 [10] - 全球有15到20家公司正在研发基于硅光子学的调频连续波激光雷达 美国公司非常活跃 包括Aeva、Analog Photonics、Aurora、SiLC Technologies和Voyant [14] Voyant Photonics的公司战略与技术 - 公司由哥伦比亚大学Lipson纳米光子学实验室的联合创始人创立 拥有六代硅光子技术 目标是开发小型、价格亲民的激光雷达传感器 [7] - 公司首席执行官明确避开直接为汽车OEM开发下一代激光雷达或成为一级供应商 而是专注于开发适用于机器人等更广泛应用的基础激光雷达技术 [8] - 公司路线图聚焦于改进硅光子芯片的设计与良率 长远目标是成为硅光子模块领域领先的技术开发商和供应商 类似索尼在CMOS传感器市场的地位 [12] - 公司在2025年CES上发布了Carbon系列调频连续波激光雷达产品 采用硅光子模块 芯片能以128个通道进行垂直线扫描 计划于2026年第二季度开始批量生产 并预计在2026年CES发布具有2D架构和4D点云功能的先进解决方案 [12] 竞争格局与市场机会 - 中国激光雷达公司目前主要投资于飞行时间激光雷达 在硅光子学方面相对落后 这为西方公司转向并引领基于硅光子学的调频连续波激光雷达市场提供了机会窗口 [4] - 然而 中国公司如LuminWave、LightIC Technologies、禾赛光电和RoboSense也在开发调频连续波激光雷达技术 为下一代产品做准备 [5] - 在Voyant的竞争对手中 SiLC因其在调频连续波开发领域的成熟度而突出 Voyant自认的优势在于集成式片上波束控制技术 这有助于消除复杂机械部件 [15] - 分析师认为 Voyant进军汽车市场的潜在最佳路径是向欧洲或其他地区的激光雷达制造商销售封装好的光子芯片 而非直接面向汽车OEM [15] - 另一家调频连续波激光雷达供应商Aeva已与一家欧洲顶级乘用车OEM达成设计合作 将成为其全球量产车型平台实现L3级自动驾驶的独家激光雷达供应商 这被视为Voyant可参考的发展方向之一 [15][16] 硅光子学的技术挑战 - 硅光子学在集成方面面临挑战 封装是主要难题之一 激光雷达模块的每个环节都存在测试和集成方面的挑战 [18] - 具体挑战包括将激光器和/或光电二极管集成到光子芯片上、光子芯片的封装、以及将封装好的光子芯片集成到激光雷达模块中 [18][21] - 除了集成问题 散热管理不善会严重影响基于硅光子学的激光雷达的效率和性能 [18]