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你真的了解USB PD吗?
半导体行业观察· 2025-12-22 09:49
USB PD技术演进与核心特性 - USB PD是一种先进的快速充电标准,支持通过USB连接进行各种功率传输,其前身USB在20世纪90年代末彻底改变了设备与计算机的连接方式[1] - USB PD的关键特性在于智能功率协商,设备和充电器能够相互通信,无需用户干预即可确定合适的功率需求[3] - 由于采用了新的USB PD接口,用户可以用同一个充电器为不同功率的设备(如18W智能手机和65W笔记本电脑)充电,实现了充电器的统一[3] USB PD规范版本发展 - USB PD 1.0于2012年发布,是标准化的开端,只有五种功率模式(5V, 12V, 20V),通常用于给智能手机(功率在10到15W之间)等设备充电[4][7] - USB PD 2.0于2014年发布,标志着USB-C正式加入PD标准,最大功率达到100W,提供了9V、12V、15V、20V等多种电压选项,对市场影响巨大[4][9] - USB PD 3.0于2015年发布,引入了PPS(可编程电源),支持3.3V至21V、3A的电压范围,更注重充电效率和温度控制,功率上限仍为100W[4][11] - USB PD 3.1于2021年发布,引入了扩展功率范围(EPR)和可调电压电源(AVS),新增28V、36V和48V固定电压,最大输出功率扩展至240W[4][5][13] 技术细节与市场应用 - PPS(可编程电源)在USB PD 3.0中引入,使设备能够动态调节电压和电流以实现高效充电[4] - AVS(可调电压供电技术)与EPR一同在USB PD 3.1中引入,使USB-C充电器能够提供更高的电压和功率,最高可达240W[5] - USB PD 2.0因USB-C的引入,促使许多制造商(如任天堂Switch、超极本和Chromebook)放弃了专用的电源适配器[9] - USB PD 3.1的高功率输出(如240W)通常与采用氮化镓(GaN)半导体的电源配合使用,其优势在于体积更小、效率更高、散热更佳[13] - 采用USB PD 3.1标准的设备包括高性能笔记本电脑,例如游戏本和工作站替代型笔记本电脑(如Framework Laptop 16)[13]
台积电日本厂,要做2nm?
半导体行业观察· 2025-12-22 09:49
台积电熊本第二工厂建设与制程技术规划动态 - 日媒报道熊本二厂兴建工程已实质上停止,原因可能是公司考虑将生产制程从原计划的6纳米转为更先进的4纳米 [1][2] - 台积电熊本工厂运营子公司JASM社长堀田佑一最新表示,熊本二厂兴建工程“持续进行”,并将与合作伙伴协商建设细节与进度 [1] - 对比施工现场照片发现,11月至12月初,工地上的重型机械设备已被清理干净,建设已暂停 [3] - 一些供应商被告知施工自11月底左右起将暂时中断,但公司未具体说明原因 [2][3] 制程技术变更的潜在原因与市场背景 - 熊本二厂原计划生产车用半导体(6/7纳米),但因电动车市场失速导致需求低迷 [2] - 反观4纳米用于生产AI半导体,来自AI数据中心的需求攀高,是考虑变更制程的原因之一 [2] - 自2024年宣布第二座工厂计划以来,市场对6纳米和7纳米芯片的需求有所下降 [3] - 公司位于台湾台中市的主要芯片工厂的6/7纳米产能利用率一直未能达到令人满意的水平,因为英伟达、苹果、谷歌和亚马逊等客户都在转向更先进的芯片 [3] 制程技术升级的进一步可能性与影响 - 据关系人士指出,一旦采用更先进的4纳米技术,所需的制造设备重量会更重,可能需要重新进行厂房结构计算等作业,这可能导致工期延误和设计变更 [2] - 最新内部消息称,公司内部分析报告建议跳过4纳米,直接升级到2纳米工艺,因为4纳米两年后(约2027年)投产就会面临AI客户转向2纳米工艺的困境 [4] - 如果二期工厂采用2纳米工艺,其客户将不再是日系品牌,而是转向全球范围内的AI芯片客户 [4] - 此举若成真,将帮助日本本土直接获得全球最先进的工艺之一,对比本土Rapidus公司计划2027年量产2纳米但前景不确定的情况 [4] 熊本第一工厂运营现状与公司其他调整案例 - 熊本一厂已于2024年12月开始量产,其生产周期时间以不输给台湾姐妹工厂的水准进行生产 [1] - 截至2025年4月,熊本工厂员工数为2,400人,待熊本二厂投产后,预估将增加至3,400人以上 [1] - 公司已告知多家供应商,至少在2026年全年无需为日本市场的现有工厂(生产40/28/16/12纳米芯片)增设设备 [3] - 由于市场需求变化,公司暂停工厂建设并更改设计方案的情况并不罕见,例如其位于台湾高雄市的芯片工厂建设计划就从成熟的6/28纳米工艺改为采用最先进的2纳米技术 [4] - 除了可能采用更先进制程,公司还在考虑将其先进的芯片封装技术引入日本,因为该工艺对于制造人工智能芯片也至关重要 [4]
这匹芯片黑马,进入关键一年
半导体行业观察· 2025-12-22 09:49
文章核心观点 - 人工智能的蓬勃发展将彻底改变芯片制造方式,行业长期由x86和Arm主导的格局正在发生改变 [1] - 开源指令集架构RISC-V凭借其地缘政治中立性和技术灵活性,正成为关键的替代方案,并有望在未来一年迎来爆发式增长,成为AI领域的“黑马” [1][2][5] 行业格局与主导技术 - 目前全球大部分半导体依赖于英特尔控制的x86和Arm公司拥有的架构,这两种指令集架构是决定处理器如何执行软件命令的基础语言 [1] - 向芯片设计人员收取使用这些专有指令的费用已成为一项利润丰厚的业务,例如几乎所有智能手机芯片都基于Arm架构 [1] - Arm公司得益于强劲需求,其截至2028年3月财年的总收入(主要来自许可费和特许权使用费)有望达到70亿美元,高于2025财年的40亿美元 [1] RISC-V的兴起与驱动力 - RISC-V是一种前景广阔的开源技术,目前仍属小众,但有望在未来一年迎来爆发式增长 [1] - 科技巨头开始对Arm的依赖感到不安,原因之一是Arm被软银收购后,计划进军芯片制造领域并推出处理器,这将使其与英伟达、高通等客户直接竞争 [2] - 中国企业正竞相减少对西方控制技术的依赖,积极采用开源替代方案,RISC-V的“最大优势”在于其“地缘政治中立性” [2] - 在管理RISC-V的瑞士非营利组织的23个“主要成员”中,有一半来自中国,这意味着中国企业在制定全球标准方面占据举足轻重的席位 [2] RISC-V的现状与挑战 - Arm和x86架构根深蒂固,拥有完善的软件和工具生态系统,使得芯片制造商转换架构的成本高昂 [3] - 目前RISC-V主要用于低端计算,如恒温器、洗衣机等智能设备中的简单微控制器,也越来越多地被部署在更大、更复杂芯片的单个处理器(内核)中 [3] - 到2024年,采用RISC-V内核的芯片销售额仅为520亿美元,市场渗透率仅为10.4% [3] RISC-V的未来机遇与预测 - 随着AI模型和数据中心需求演进,RISC-V的一个新兴优势在于比专有架构更容易添加自定义指令和扩展 [4] - 2025年,英伟达宣布计划扩展其编程平台CUDA以支持RISC-V,这可能是让该开放架构在高性能计算领域与x86和Arm并驾齐驱的重要一步 [4] - 分析师认为,RISC-V与现有架构之间的性能差距正在缩小,最迟到2027年初将基本消除,这将标志着一个转折点 [4] - 从Meta到GlobalFoundries等知名芯片制造商以及RISC-V初创公司达成的合作协议也强有力地支持了这一趋势 [4] - SHD Group估计,到2030年,RISC-V市场规模可能超过2600亿美元 [5]
黄仁勋:美国芯片领先好几代
半导体行业观察· 2025-12-22 09:49
文章核心观点 - 英伟达首席执行官黄仁勋澄清其关于中国在人工智能竞赛中领先的言论,认为相关新闻标题省略了其分析的前提和细节[1] - 黄仁勋通过一个简化的“五层蛋糕”模型(能源、芯片、基础设施、模型和应用)来系统分析中美在人工智能领域的竞争态势[1] 中美人工智能竞争的五层分析框架 - **能源层面**:中国在能源领域占据主导地位,其能源储备是美国的**两倍**,而美国经济规模更大,这种能源优势是“交易中的致命因素”之一[1] - **芯片层面**:美国在芯片领域领先中国**好几代**,但需警惕自满,半导体制造是复杂过程,不能忽视中国的制造能力[3] - **基础设施层面**:中国建设速度极快,例如周末就能建好一家医院,而在美国建设一个数据中心到人工智能超级计算机需要**大约三年时间**,这是美国面临的真正挑战[3] - **模型与应用层面**:文章未提供黄仁勋对这两层的具体分析细节,但指出其分析框架包含这两部分[1] 黄仁勋言论的背景与澄清 - 黄仁勋此前曾对《金融时报》表示“中国将在人工智能竞赛中胜出”,理由是中国的能源成本更低、监管更宽松[4] - 随后英伟达官方账号发布澄清声明,黄仁勋称中国在人工智能领域仅落后美国“几纳秒”,并强调美国必须奋起直追以赢得全球开发者支持[4] 对美国工业与能源政策的评论 - 黄仁勋提及美国前总统特朗普的政策,认为重振美国工业、恢复国内制造业至关重要,而这需要充足的能源支持[1] - 他指出美国长期“妖魔化”能源,而特朗普总统帮助国家认识到能源对国家发展的关键性[2] - 美国同时建造芯片工厂、超级计算机工厂和人工智能工厂,但都面临能源制约[2]
全球半导体市值TOP100,中国表现几何?
半导体行业观察· 2025-12-22 09:49
全球半导体市值TOP100格局概览 - 基于2025年12月中旬的实时市值统计,全球半导体市值前100的公司中,来自中国大陆、中国台湾和中国香港的公司合计占据35席,占比约35% [1] - 中国大陆有17家公司上榜,中国台湾有16家,中国香港有2家 [1] - 市值排名本身是特定时间节点的结果,但在成熟产业中,市值是技术路径、供需结构、资本开支与竞争格局等多重产业变量长期作用的结果,可视为产业权力结构的切片 [1] - 近期完成IPO的摩尔线程与沐曦虽未在本次榜单中,但按其最新公开市值(分别约470亿美元和440亿美元)横向对比,已具备进入全球前30的体量,对应排名约第26位和第28位,这意味着中国本土AI GPU阵营已有接近TOP25量级的企业规模 [2] 市值排名前列公司表现 - **英伟达**以约4.26万亿美元的市值位居榜首,同比增长29.57%,其意义已超越单一芯片厂商,成为全球AI算力体系的事实入口 [2][5] - **博通**以约1.699万亿美元市值排名第二,同比增长50%,其价值在于卡住云端定制ASIC与网络互连的关键入口 [2][5] - **台积电**以约1.514万亿美元市值排名第三,同比增长44.84%,凭借先进制造与封装的入口属性,估值呈现出“产业底座溢价”特征 [2][6] - **三星**市值约4754.7亿美元,同比增长96.06% [2] - **ASML**市值约4195.2亿美元,同比增长49.50% [2] - **AMD**市值约3431.5亿美元,同比增长68.91% [2] - **美光**市值约2713.6亿美元,同比增长174.80% [2] - **SK海力士**市值约2585.9亿美元,同比增长218.68% [2] - **应用材料**市值约2064.9亿美元,同比增长52.12% [2] - **Lam Research**市值约2024.2亿美元,同比增长114.33% [2] - **高通**市值约1923.7亿美元,同比增长10.12% [2] - **英特尔**市值约1803.5亿美元,同比增长105.99% [2] - **德州仪器**市值约1631.1亿美元,同比下滑6.47% [2] - **KLA**市值约1572.2亿美元,同比增长82.29% [2] - **Arm Holdings**市值约1388.7亿美元,同比增长2.27% [2] - **ADI**市值约1367.7亿美元,同比增长27% [2] - **东京电子**市值约916.7亿美元,同比增长29.34% [2] - **爱德万测试**市值约912.2亿美元,同比增长107.09% [2] - **新思科技**市值约863.1亿美元,同比增长13.75% [2] - **中芯国际**市值约815.7亿美元,同比增长58.42% [2] - **寒武纪**市值约813.3亿美元,同比增长116.09% [2] 产业权力结构分析:前25名厂商分类 - **万亿俱乐部掌握话语权**:英伟达、博通、台积电三家市值过万亿美元的公司代表了产业控制力,分别控制着AI算力入口、云端定制ASIC/网络互连入口和先进制造入口 [5][6] - **HBM将存储从“周期品”变为“战略品”**:SK海力士、美光、三星的市值集体大幅上行(分别增长超218%、近175%和近翻倍),表明AI正在彻底改写DRAM的价值逻辑,HBM已成为高性能算力系统不可或缺的组成部分,资本定价逻辑从“周期反弹”转向“系统必需品” [7] - **设备与量测公司“吃下AI的确定性”**:ASML、应用材料、Lam Research、KLA、东京电子、爱德万测试等公司市值高且增速显著,表明资本奖励的是工艺复杂度持续抬升带来的长期确定性需求,而不仅仅是某一代具体工艺的领先 [8][9] - **设计公司出现分化**:AMD因异构算力平台能力获得高增长(市值增近69%),高通因转型期市场判断审慎增速较慢(10%),Arm因平台化边界预期收敛增长有限(2.27%),Marvell因订单兑现节奏等问题市值下滑近26% [10] - **模拟与车规芯片公司属于“慢变量”修复**:德州仪器、ADI、恩智浦、英飞凌等公司的估值更多锚定于工业、汽车与能源系统长期电气化与智能化进程的持续推进,而非短期技术跃迁 [11] 中国半导体力量的结构分析 - **中国台湾:承担中枢节点角色**:16家上榜公司市值层级最高、结构最完整 [13] - 台积电市值稳定在万亿美元量级,具备“系统级定价权” [13] - 联发科市值约734.9亿美元,在SoC与通信芯片领域具备成熟能力 [2][13] - 日月光、联电市值在百亿美元左右,覆盖先进封装与成熟制程 [2][13] - 力积电、世界先进市值在40-60亿美元区间,覆盖特色工艺 [2][13] - 南亚科、环球晶圆等存储与材料企业构成长期供给能力 [13] - **中国大陆:制造、设备与工程密度的纵深体系**:17家上榜公司行业分布更为分散,市值集中在数十亿至数百亿美元区间 [14] - **设备与工艺环节**:北方华创(市值约466.6亿美元,增63.23%)、中微公司(市值约244.5亿美元?,表格数据不完整)、华海清科(市值约77.9亿美元)构成确定性最高的一组 [2][14] - **材料与基础能力**:沪硅产业(市值约93.6亿美元,增32.71%)、三安光电(市值约94.7亿美元,增13.80%)价值高度稳定 [2][14] - **设计端**:集中于功率、模拟、MCU与特色SoC领域,包括兆易创新(市值约193.7亿美元,增99.27%)、圣邦微(市值约56.8亿美元,增7.40%?)、士兰微(市值约59.3亿美元,增10.59%?)、格科微(市值约55.6亿美元,增16.29%)、思特威(市值约52.1亿美元,增22.30%)、恒玄科技(市值约52.9亿美元,降0.81%)、乐鑫科技(市值约36.1亿美元,增6.01%?)、芯原股份(市值约99.5亿美元,增177.45%)等,代表以工程密度驱动的现实路径 [2][15] - **AI GPU新势力**:摩尔线程与沐曦的市值(分别约470亿和440亿美元)体现资本对中国本土AI算力体系必须存在的“战略期权”定价,其估值逻辑基于算力自主可控的系统性意义、技术路径未完全收敛的可能性以及赛道尚未进入充分竞争阶段的预期权重 [15] - **中国香港:连接资本与全球体系的“接口层”**:2家上榜公司ASMPT(市值约40.7亿美元)和Silicon Motion(市值约29.8亿美元)具有全球化运营体系和中国资本背景,扮演着连接器与缓冲器的角色 [16]
一颗40年前发布的芯片,依旧大卖
半导体行业观察· 2025-12-22 09:49
文章核心观点 - MAX232芯片通过高度集成与创新的电荷泵设计,仅需单一+5V电源和四个外部电容即可实现全电压RS-232接口功能,极大地简化了嵌入式与工业系统的串行通信设计,其设计理念成为行业标准并被后续产品长期沿用[1][3][6][10][11] MAX232的技术创新与设计 - 芯片解决了传统RS-232接口需要正负双电源(如+/-12V)的难题,通过内部开关电容泵将+5V电源倍压至+10V并反相生成-10V电源轨,从而仅需单一电源[1][6] - 芯片集成了双驱动器与双接收器,驱动器将TTL/CMOS输入转换为RS-232信号,接收器可接受约+/-3V至+/-25V的输入并产生纯净的5V逻辑输出,实现了完整的接口功能[1][6] - 其内部电荷泵架构包含两个振荡器驱动的开关和飞跨电容,分别用于升压和反相,并由储能电容稳定输出,专为驱动RS-232负载设计[7] - 接收端内置带迟滞的比较器,提供了出色的抗干扰能力,能有效应对噪声、慢边沿和工业环境干扰[7] - 驱动器具备短路保护和限流功能,防止因接线错误或非常规硬件导致的过载[7] - 该设计将原本需要多芯片、多电源的复杂接口简化为一个IC封装加四个电容(初期为1µF,MAX232A为0.1µF)的即插即用模块[3][5][6] MAX232的历史意义与行业影响 - 芯片于20世纪80年代末推出,正值嵌入式设备电源设计趋向精简的单轨+5V逻辑时代,其出现是一项重大突破[1][6] - 它取代了早期采用独立驱动芯片(如MC1488)和接收芯片(如MC1489)并依赖稳压+/-12V电源的经典RS-232设计架构[5] - 芯片支持高达约120 kbit/s的数据速率,并能确保在电缆远端电压仍高于RS-232最低要求的+/-5V[6] - 其成功验证了电荷泵供电RS-232收发器的可行性,随后成为标准模板,催生了大量衍生产品,如电容更小的MAX232A、ESD防护更强的MAX202系列以及适用于3.3V系统的MAX3232[10] - “兼容MAX232”成为一项功能性描述,几乎所有主流模拟电路厂商都推出了类似产品[10] - 即使USB在消费领域普及,MAX232及其后续产品仍在嵌入式设计、工业控制器、数控系统、实验室仪器和电信设备中广泛应用,得益于RS-232协议的高噪声容限和简单点对点特性[10] - 芯片的影响力与CD4000系列、741运算放大器、英特尔1103 DRAM和2708 EPROM等经典产品类似,定义了一种稳定的接口模型,其寿命超越了诞生时代[8][10][11]
MicroLED,生死时刻
半导体行业观察· 2025-12-22 09:49
文章核心观点 - MicroLED技术发展进程显著慢于预期,行业已进入更务实、理性的孵化阶段,对技术挑战和所需解决方案有了更清晰的认识 [1] - 2025年将迎来首批小批量商业产品,其成功与否将决定MicroLED能否在消费领域大规模推广,否则增强现实(AR)将成为其主要大批量应用方向 [1] 技术发展现状与阶段 - MicroLED概念验证阶段比预期更长,苹果在2024年取消智能手表项目是重大挫折,2025年发展势头回升但速度放缓 [1] - 技术目前刚进入孵化阶段,首批小批量商业产品计划于2025年投产,包括为Garmin生产的智能手表显示屏和索尼-本田电动汽车外置显示屏,均由友达光电(AUO)生产 [1] - 友达光电的G4.5生产线是MicroLED技术成败的关键,其良率、成本和可制造性需显著改善 [1] 供应链与技术挑战 - 供应链格局趋于清晰,多数领先显示器制造商已控制或与MicroLED芯片制造商结盟 [3] - 大规模转移的TFT基大尺寸显示器和LED-on-Si(LEDoS)正发展为两条日益独立的技术平台和供应链,但共同面临根本性技术挑战:良率以及如何提高超小芯片的效率 [3] - LEDoS的目标是亚微米级发光体尺寸,更大显示器的中期目标是10微米,长期目标是5微米左右,而目前大多数厂商芯片尺寸在15x30微米或以上 [3] - 初创企业融资额预计在2025年增长10-15%,但低于2023年峰值,对芯片和显示器工厂的投资保持稳定但态度谨慎 [3] - 行业面临两难:需要量产能力来孵化技术和说服客户,但过早大量投资可能面临设备迅速过时的风险 [3] 成功关键与特定应用挑战 - MicroLED要取得成功,必须在提供差异化性能的同时,将成本控制在与OLED相近的水平 [3] - 实现目标的主要挑战包括:MicroLED芯片的成本、性能和制造基础设施;传质设备和技术;良率管理策略和设备;TFT背板的局限性 [3][4] - 对于AR应用,LED-on-Si是目前最能满足高亮度、高分辨率、低功耗、轻量化和小尺寸综合要求的技术,但尚未达到理想状态 [4] - LEDoS面临的剩余挑战包括:在极小的芯片尺寸(约1微米甚至更小)下效率不足(尤其是红色);开发紧凑且经济高效的全彩(RGB)显示解决方案;与CMOS背板高效混合(几何良率和工艺良率);以及小型企业开发和流片CMOS背板的高昂成本 [4]
存储大缺货,IDM也要找代工
半导体行业观察· 2025-12-22 09:49
行业供需与市场前景 - 存储行业正面临大缺货,价格飙涨,供给远远无法跟上客户需求,短期内难以缓解,在可预见的未来,整个产业供应仍将明显低于需求 [1] - 美光对部分关键客户仅能满足约50%至三分之二的供货量,对新产能需求殷切 [1] - 由于AI相关需求预期持续骤增,产能日益被视为竞争力的关键决定因素 [4] - 全球DRAM市场规模预估在2026年前达到1700亿美元,高于2024年的1000亿美元 [4] 主要厂商动态与产能扩张 - 美光计划将2026财年资本支出由原规划的180亿美元上调至200亿美元,以追加存储投资与建立新产能 [1] - 南韩三星电子正逐渐增加国内DRAM和NAND快闪存储产线的利用率,并扩大高频宽存储等高端产品的产量,其平泽五厂预定2028年开始量产 [4] - 南韩SK海力士位于淸州的新M15X厂准备投产,将聚焦于DRAM和其他AI导向的存储产品,并力图提前完成龙仁半导体园区内的首座晶圆厂 [4] 力积电铜锣新厂的战略价值 - 力积电铜锣新厂已完成厂房建设,厂区设计以存储制程为核心,成为少数可快速转换、立即放量的“即战力产能”,对急需新产能的国际大厂吸引力非常大 [2] - 该新厂最大月产能可达4万至5万片,目前仅建置约8000多片设备,装机率仅约20%,扩产弹性充裕 [2] - 美光与晟碟均希望在该厂导入其技术与机台生产存储,以在最短时间开出新产能,形成“双龙抢珠”态势 [1] 美光与力积电潜在合作模式 - 合作模式一为“纯代工”模式,美光将既有后里厂的1x纳米世代设备迁入力积电铜锣新厂生产,晶圆全数回销美光 [2] - 合作模式二为“技转加设备迁入”模式,力积电重新回归存储产品公司角色,量产晶圆回销技术母厂 [2] - 合作模式三为“分销制”,力积电产出的存储晶圆中可保留一定比重自行销售,在存储价格狂飙的环境下能直接认列产品毛利,被视为对力积电最有利的方案 [3]
英伟达入股英特尔,美国核准
半导体行业观察· 2025-12-21 11:58
监管审批与交易概述 - 美国联邦贸易委员会已核准英伟达与英特尔价值50亿美元的合作协议 暗示主管机关认为该交易并未立刻构成反垄断疑虑 [1] - 两家公司于2024年9月签署策略伙伴协议 英伟达将以每股23.28美元的价位买进价值50亿美元的英特尔股票 以共同开发AI与芯片技术 [1] 合作内容与战略目标 - 协议旨在整合英伟达的图形处理器与英特尔的中央处理器技术 与台积电、超微等对手竞争 [1] - 两家公司将致力于使用NVIDIA NVLink技术将双方架构无缝连接 结合英伟达的AI和加速计算优势与英特尔的CPU技术及x86生态系统 为客户提供尖端解决方案 [1] 市场地位与历史背景 - 英伟达掌控大约85–95%的数据中心GPU市场 其支配地位已引发反垄断疑虑 [1] - 此次与英特尔的交易若完成 将进一步巩固英伟达的市场地位 [1] - 在2022年 美国联邦贸易委员会曾挡下英伟达与芯片设计业者安谋价值400亿美元的并购案 [1] 市场观点与估值分析 - 有分析师指出 相较于费城半导体指数 英伟达股票目前的交易价格约有13%的折价 [2] - 从历史估值来看 英伟达的PR值是1 意味着只有1%的情况比现在更低 这显示其股票罕见地出现具吸引力的水准 [2]
2026年恐爆发史上最严重存储芯片短缺
半导体行业观察· 2025-12-21 11:58
文章核心观点 - 人工智能投资热潮正在打破存储芯片行业传统的周期性循环,导致供需结构发生根本性变化 [1][2] - 由于AI服务器对高频宽存储的庞大需求挤占了传统DDR产能,预计到2026年全球存储芯片将出现严重短缺,其规模可能超越2020至2021年疫情期间的芯片供应危机 [1][3][6] - 存储芯片制造商因此迎来显著利好,业绩大幅改善,但下游智能手机、PC、汽车等终端客户将面临成本上升和供应压力 [1][7] 行业趋势与变化 - AI服务器对存储需求极为庞大,例如英伟达的DGX GB300伺服器单系统就使用20TB高频宽存储和17TB DDR存储 [2] - 全球服务器市场在第三季年增61%,规模达到1,120亿美元 [2] - 存储芯片行业正从高度商品化、价格剧烈波动的传统模式,转向因AI需求驱动的结构性供应紧张新阶段 [1] 主要存储厂商动态 - 美光科技最新一季营收年增57%,毛利率强势回升至56%,并预测本季营收将年增132%,毛利率上看68% [1] - 美光、SK海力士与三星电子的高频宽存储产能至2026会计年度已全数售罄,2027年订单也迅速填满 [3] - 为应对供应压力并优化产能,美光甚至关闭了经营多年的消费型品牌Crucial [3] - 尽管三大存储厂近两年资本支出创高并积极扩产,但新晶圆厂短期内无法投产,难以缓解即将到来的短缺 [3] 供需失衡与短缺分析 - 高频宽存储的生产会严重排挤传统DDR产能,每生产1GB的高频宽存储,约需牺牲3GB的DDR产能,且下一代高频宽存储的排挤比例可能更高 [3] - OpenAI与三星、SK海力士签署协议,为其规模高达5,000亿美元的“星际之门”AI数据中心计划,预留了全球超过三分之一的高频宽存储产能,进一步压缩了其他客户的供应空间 [4] - 英伟达为降低数据中心耗电,在DGX GB300中采用低功耗DDR,使得AI服务器的存储需求直接与高阶智能手机争夺相同芯片 [4] - 消费性电子市场推动“端侧AI”,高阶手机与笔电对存储容量的需求持续攀升,加剧了整体供需紧张 [5] 对下游产业的影响 - 存储价格在第四季季增约50%,并预计在2026年上半年再上涨约40% [7] - 存储短缺与价格上涨预计将导致2026年全球智能手机出货量下滑 [7] - 苹果与三星凭借规模与议价能力尚可维持出货,但其他品牌,特别是中国平价Android手机品牌,将面临严峻的成本压力,可能被迫在市占率与利润率之间做出取舍 [7] - 回顾2020至2021年芯片荒,当时美国车市年销量仅约1,500万辆,远低于疫情前水准,预示了新一轮短缺可能对汽车等产业的冲击 [6] - 2020至2022年财报电话会议中提及“芯片供应链问题”的次数高达2,821次,远高于近三年的459次,市场预期相关讨论将再度升温 [6]