文章核心观点 - 先进制程提升半导体化学品使用强度，高端光刻胶、电子特气价值量弹性和国产替代空间更突出 [2] - 半导体氟化工四类核心材料（氟化液、含氟电子特气、含氟聚合物、电子级氢氟酸）打开高端国产替代空间 [56][59] 半导体化学品市场总览 - 2026年全球半导体化学品市场预计超过200亿美元，其中电子气体占比约31%，湿电子化学品占比约19% [2][17] - 2026年全球晶圆制造材料市场约489亿美元，电子气体、湿电子化学品、光刻胶、光刻胶配套材料及CMP材料市场规模分别约68、41、32、37、39亿美元 [18] - 2024-2028年全球300mm晶圆制造产能CAGR约7%，2028年达到1110万片/月；≤7nm产能CAGR约14%，增速约为行业整体的2倍 [22] - 2025年中国大陆已成为第二大半导体材料市场 [24] 先进制程对材料价值量的影响 - ≤7nm相较12/16nm制程，光刻胶单片价值量弹性约2-5倍，CMP材料约1.5-4倍，电子特气约1.2-3倍 [21] - 先进制程对光刻胶分辨率、缺陷控制和配方稳定性要求提高，推动高端产品占比提升，SEMI预计2028年先进光刻胶收入占比将达84% [22] - CMP受益于平坦化次数增加及膜层体系复杂化，抛光液配方和单位用量同步提升 [22] - 电子特气受益于刻蚀、沉积和清洗步骤增加，单片晶圆气体消耗和高端品种占比均有望提升 [22] 国产替代现状 - 2025年湿化学品整体国产化率预计达50%-60%，高端G5级产品国产化率预计仅约25%-30% [2][29] - 2025年KrF光刻胶国产化率预计不足3%，ArF光刻胶国产化率不足1% [2][29] - 2025年电子特气国产化率预计约25% [2][31] - 2025年CMP抛光液国产化率约34%，28nm及以上成熟制程国产化率已超过50% [43] - 2025年全球半导体前驱体市场约38亿美元，国产化率约10%-40% [31][48] 氟化液及氢氟酸 - 3M于2022年底宣布退出PFAS制造，预计当时占全球半导体控温液约80%份额（按产量计），2025年底正式退出后原有份额开始重新分配 [3] - 预计2030年PFPE需求1.2万吨、市场空间63亿元，具备量产和设备认证能力的国内厂商有望承接份额 [3] - 预计2030年HFE全球需求0.76万吨、市场空间14.4亿元，竞争重点转向客户认证和稳定供货 [3] - 电子级HF受晶圆投片增长、先进/存储占比提升及G5/G5+渗透驱动，预计2030年需求27万吨、市场空间54亿元 [3] - PFPE半导体设备侧耗材需求量由2025年4,200吨提升至2030年11,621吨，25-30年CAGR约23% [68] - PFPE市场空间由2025年30.7亿元提升至2030年63.3亿元，25-30年CAGR约16% [68] - 新宙邦K型PFPE路线液相产出率领先，优化后液油比约7:3 [67] 含氟电子特气 - WF6用于CVD/ALD钨沉积，受先进存储、逻辑金属化及海外供给扰动驱动，测算2025-2030年全球需求由约0.94万吨增至1.93万吨，市场空间由103亿元增至221亿元 [4] - 2026年WF6供需仍偏紧，产品价格中枢上移，中船特气具备2000吨6N级产能，另有1000吨规划产能预计2027年投产 [4] - C4F6用于高深宽比介质刻蚀，受先进逻辑、HBM及3D NAND推动，测算2025-2030年全球需求由0.2-0.3万吨增至0.6万吨，市场空间由55亿元增至140亿元 [4] - 2026年5N级C4F6有效需求约0.22万吨，存在供需缺口，国内昊华科技、中船特气等已形成产能或小批量供应 [4] - 中船特气2026年NF3年产能18,500吨/年，六氟化钨年产能2,000吨/年 [23] 含氟聚合物 - PFA是湿法工艺核心结构材料，2025年全球半导体级PFA需求约2万吨，预计2030年超纯PFA需求或至4万吨左右 [5] - 截至2026H1，科慕+大金名义产能占全球PFA名义产能40%+，国内巨化逐步突破 [5] - PTFE用量最大，中低端国产供给充足但超纯级仍依赖海外 [5] - FFKM是刻蚀、沉积设备关键密封材料，预计2026年全球半导体级生胶需求约200吨 [5] - 海外高端FFKM密封件由杜邦、Greene Tweed等主导，国内巨化、东岳加速替代，但2025年有效产能仅8-10吨 [5] 湿电子化学品 - SEMI预计全球大宗湿化学品市场由2025年38亿美元增至2030年65亿美元 [37] - 2023年按销售额口径，欧美、日本、中国台湾企业全球份额分别约30%、27%和18% [37] - 2024年电子级双氧水、硫酸、氢氟酸及磷酸等通用湿电子化学品，国内企业供应量占国内需求量约55%，28nm以上制程基本实现规模供应 [37] - 兴福电子2025年电子化学品及配套原材料产能规模约40.42万吨/年 [27] - 江化微截至2025年末三基地合计约26万吨/年设计产能 [23] 光刻胶 - SEMI预计2026年全球晶圆制造用光刻胶市场约32亿美元，ArF/ArFi市场体量最大 [40] - 预计2025年东京应化、JSR、信越化学、富士胶片、住友化学等日本企业占据全球光刻胶约70%-80%的市场份额 [40] - 2025年我国g/i线光刻胶国产化率20%-25%，KrF光刻胶整体国产化率约3%，ArF光刻胶整体国产化率不足1% [40] - 彤程新材2025年半导体光刻胶年产能约1000吨/年，利用率仅21.5% [24] - 截至2025年底，南大光电累计6款ArF通过认证并销售，收入突破0.2亿元 [39] CMP材料 - SEMI预计2026年全球CMP抛光液及抛光垫市场约39亿美元 [43] - 2025年按收入计，国内厂商CMP抛光液市场份额约34% [43] - 安集科技2025年CMP抛光液收入20.4亿元、毛利率58.3%，成本中直接材料占76.6% [27] - 安集科技2025年按收入计，CMP抛光液全球份额约13% [43] 前驱体 - 2025年全球半导体用前驱体市场规模38亿美元，硅基前驱体为最大品类 [49] - 2025年按收入计，全球半导体前驱体材料市场CR5约85%，前五大分别为Merck、Air Liquide、韩国先科、日本三化、南大光电 [49] - 雅克科技High-k前驱体已在国内头部客户28nm以下制程应用 [49] 电镀液 - 2027年全球半导体电镀化学品市场规模约12.6亿美元 [52] - 2024年按收入计，全球半导体电镀化学品市场CR5合计份额预计47% [52] - 2024年前端制程及先进封装用电镀液国产化率不足5% [52] 先进封装材料 - 2025年全球半导体封装材料274亿美元，其中先进封装材料约120亿美元 [55] - 2026年味之素ABF在高性能半导体封装基板用层间绝缘材料市场的全球份额约95% [55] - ABF膜国产化率小于5%，高端FC-BGA载板国产化率小于8% [54] - TGV玻璃基板国产化率小于3%，仍处产业化早期，SEMI预计约2028年开始有限规模量产 [55]

文章核心观点 AI和高性能计算需求推动先进封装从传统后道制造升级为决定系统性能的关键平台，Chiplet与HBM发展带动Fan-out、2.5D/3D、TSV及混合键合等技术加快应用，工艺步骤增加和材料性能升级将扩大本土供应商的导入空间 一、全球先进封装市场与技术趋势 (一) 人工智能构成核心驱动力 - AI、高性能计算和数据中心推动逻辑芯片、HBM和I/O芯片向同一封装集成，封装升级为影响系统性能、功耗和可靠性的关键平台[9] - 全球封测市场规模由2019年554.6亿美元增长至2024年1,014.7亿美元，预计2029年达1,349亿美元，2024-2029年CAGR为5.9%[9] - 先进封装市场规模预计由2024年407.6亿美元增长至2029年674.4亿美元，CAGR为10.6%，占全球封测市场比重由40.2%提升至约50%[9] (二) 摩尔定律放缓转向系统级集成 - 传统晶体管微缩速度放缓，制造成本、功耗及互连问题突出，单纯依靠制程迭代难以满足系统性能提升需求[10] - IEEE IRDS指出摩尔微缩面临功耗和数据带宽约束，imec将瓶颈归纳为尺寸、存储与带宽、功耗与散热等"扩展墙"[10] - 先进封装通过更高密度互连实现逻辑、存储及其他功能芯片的异质集成，核心不再只是保护和连接芯片[10] (三) Chiplet与HBM推动紧密集成 - Chiplet将处理器、存储、I/O等功能拆分为多个裸片并通过先进封装集成，提高模块化程度和裸片复用能力，改善大面积芯片制造良率[15] - HBM利用TSV贯穿多层DRAM裸片，通过微凸点或铜—铜键合实现垂直互连，预计由HBM1的4层堆叠向HBM5的20层堆叠发展[18] - DRAM裸片厚度由约90μm降至36μm，TSV及凸点间距由35μm缩小至10-15μm，裸片间连接由微凸点向铜—铜键合演进[18] (四) 横向互连与纵向堆叠构成主要集成方式 - 扇出型封装利用重布线层将芯片焊盘向裸片外部延伸，获得大于裸片面积的布线和I/O区域，支持多个裸片在同一封装内互连[19] - 2.5D集成将逻辑裸片、HBM等并排放置在中介层上，通过高密度布线实现裸片间连接，可采用硅、RDL、有机材料或玻璃等不同技术方案[25] - 台积电CoWoS-S采用大面积硅中介层，CoWoS-R以RDL中介层连接SoC与HBM，CoWoS-L结合RDL中介层与局部硅互连[26] - 3D集成将不同裸片沿垂直方向堆叠，通过TSV、微凸点或铜—铜混合键合形成垂直互连，缩短连接距离并提高集成密度[36] - 英特尔EMIB在封装基板内部嵌入小尺寸硅桥，仅在硅桥区域采用细间距微凸点，已于2017年进入大规模制造[32] (五) 混合键合提升互联密度 - 混合键合同时形成铜—铜电气连接和介质层—介质层机械连接，将互连间距缩小至微米级甚至亚微米，不再依赖传统焊料微凸点[44] - 英特尔Foveros Direct 3D采用直接铜—铜混合键合，互连间距缩小至10µm以下，密度可达传统微凸点技术的约10倍[44] - 三星正在开发间距低于6μm的混合铜键合，用于逻辑裸片的高密度3D堆叠[45] (六) 韬定律与逻辑折叠推动三维设计 - 2026年5月华为在IEEE ISCAS 2026提出韬(τ)定律，以特征时间常数τ为统一优化目标，通过降低器件开关延迟、互连延迟及系统通信时间提升性能[47] - 逻辑折叠在芯片设计阶段将同一逻辑模块拆分为更细逻辑单元，分别布置在上下有源晶圆中，通过高密度垂直互连组成完整电路[49] - 华为V2论文披露Kirin 2026采用晶圆对晶圆、面对面混合键合，间距达1.5µm，对准精度目标低于0.5µm[51] - 逻辑折叠将晶体管密度由155MTr/mm²提高至238MTr/mm²，增幅约55%，同等性能下功耗降低约41%[52] - 双层折叠结构使时钟缓冲器数量减少超过50%，时钟偏斜降低约25%，布线长度减少约30%[52] 二、全球与中国先进封装竞争格局 (一) 全球先进封装平台加快演进 - 台积电围绕3DFabric建立InFO、CoWoS和SoIC平台，覆盖Fan-out、2.5D中介层及3D混合键合[59] - 英特尔通过EMIB和Foveros发展局部硅桥和3D堆叠，三星围绕I-Cube、X-Cube及混合键合推进协同集成[59] - 日月光以VIPack为核心形成FOCoS、FOCoS-Bridge、FOSiP、2.5D/3D及光电共封装等技术布局[59] - 安靠围绕SWIFT、S-SWIFT、SiP和2.5D/3D TSV等平台发展高密度多芯片集成[59] - 2024年全球前十大封测企业中中国大陆企业占四席，长电科技、通富微电、华天科技和盛合晶微分别位列第三、第四、第六和第十[60] - 长电科技市场份额11.3%，通富微电7.8%，华天科技3.8%，盛合晶微1.6%[60] (二) 国内先进封装扩产加速 - 盛合晶微SmartPoser®-Si已大规模量产，SmartPoser®-RDL处于小量试产，SmartPoser®-BD已完成全流程验证[69] - 盛合晶微SmartPoser®-3DIC-BP已由小量试产升级至大规模量产，SmartPoser®-3DIC-HB已完成全流程验证[69] - 长电科技XDFOI®芯粒高密度多维异构集成平台已实现规模量产，具备超大尺寸及超薄FCBGA工程开发和规模量产能力[69] - 通富微电薄Die Hybrid SiP双面封装及光电合封技术通过可靠性验证[70] - 甬矽电子RWLP产品线已实现量产，基于硅转接板和硅桥方案的2.5D产品均已实现客户送样[70] - 华天科技重点推进2.5D技术平台规模化量产，完成2.5D SiCS工艺技术开发[71] 三、先进封装材料需求与本土供应 (一) 全球先进封装材料市场持续扩张 - 全球先进封装材料市场规模由2021年493亿元增长至2025年1,044亿元，CAGR为20.6%[77] - 预计2026年达1,154亿元，2030年达1,647亿元，2026-2030年CAGR为9.3%[77] - 中国市场规模由2021年91亿元增长至2025年203亿元，CAGR为22.3%[77] - 预计2030年达365亿元，2026-2030年CAGR为12.0%，高于全球同期9.3%增速[77] - 中国市场占全球比重由2025年19.4%提高至2030年22.2%[77] (二) 封装基板向大尺寸、高密度升级 - ABF载板具有更强多层布线和细线路加工能力，主要应用于CPU、GPU、ASIC及FPGA等高I/O高性能芯片[85] - AI/HPC芯片封装基板向更大面积、更高层数和更细线路发展，ABF膜需降低介电常数、介质损耗和表面粗糙度[85] - 玻璃芯基板具有较高结构完整性、较好尺寸稳定性和较低电信号损耗，截至2023年9月仍处于技术开发和客户验证阶段[89] - 深南电路和兴森科技均已布局FC-BGA封装基板[88] (三) RDL制造带动光刻、介电及电镀材料需求 - 多层RDL需反复进行介电层涂覆、曝光显影、种子层沉积、铜电镀、去胶、蚀刻和清洗，材料增量来自加工次数增加和性能要求提高[93] - PSPI、PBO等介电材料向低温固化、低介电常数、低介质损耗和低应力方向升级[94] - 鼎龙股份已布局8款半导体封装用PI产品，其中3款取得多家客户订单[96] - 上海新阳TSV工艺铜互连电镀添加剂已实现量产[96] - 艾森股份形成"电镀液及添加剂+光刻胶"产品矩阵，覆盖Bumping、RDL、TSV等工艺环节[96] - 江丰电子形成铝、钛、锂、铜及多种超高纯金属合金溅射靶材布局[96] (四) 细间距互连推动凸点材料升级 - 铜柱和微凸点制造需反复进行光刻、种子层沉积和电镀，对应厚膜光刻胶、铜及钛钨靶材、电镀液和添加剂[99] - 上海新阳、艾森股份已布局先进封装电镀材料，江丰电子形成铜、钛和钛钨等高纯金属靶材布局[99] - 康强电子键合丝已通过国内主要封装企业及多家国际客户认证，2026H1销售收入同比增长32.64%[100] (五) TSV、晶圆减薄与混合键合推动晶圆级材料升级 - TSV向高深宽比发展，要求电镀液及添加剂实现均匀、无空洞的铜填充[101] - 晶圆减薄需临时键合胶和解键合材料提供支撑，并在加工完成后实现低损伤剥离[101] - 混合键合对铜表面平坦度和洁净度提出更高要求，推动CMP抛光液、抛光垫及晶圆清洗液需求增长[101] - 安集科技TSV、TGV及混合键合抛光液已在更多客户端上线使用并逐步扩大销售[105] - 鼎龙股份TSV抛光液已通过国内先进封装龙头客户验证[105] - 鼎龙股份临时键合胶已在客户处实现持续稳定规摸出货[105] (六) 底填、塑封及胶黏材料升级 - 细间距互连要求底部填充材料降低黏度和填料粒径，同时提高粘结强度和耐湿可靠性[103] - Fan-out封装使用环氧塑封料形成重构晶圆，要求材料兼顾低热膨胀系数、低固化收缩和良好流动性[103]

临时股东会基本安排 - 公司拟召开2026年第三次临时股东会 召集方为董事会 采用现场投票加网络投票的表决方式[1][2] - 现场会议召开时间为2026年10月13日14点30分 地点位于河北省邯郸市世纪大街6号派瑞科技产业园103会议室[2] - 网络投票依托上海证券交易所股东会网络投票系统 投票时间为2026年10月13日当日[2][3] - 本次公告发布时间为2026年9月23日 公司后续将在上交所网站登载本次股东会的全套会议资料[4][19] - 公司A股股票代码为688146 股票简称为中船特气 本次股东会股权登记日为2026年10月8日[12] - 参会股东登记材料需在2026年10月12日下午15:00前送达公司 现场登记时间为2026年10月12日13:30-15:00[16] - 本次股东会预计时长为半日 与会人员往返交通 食宿等相关费用需自行承担[17] - 公司委托上证信息提供股东会提醒服务 可通过智能短信向股东推送参会邀请及议案相关信息[6] 股东会审议事项 - 本次股东会共审议2项议案 分别为与中船财务有限责任公司签订《金融服务补充协议》的议案 补选1名第二届董事会独立董事的议案[4] - 全部2项审议议案均需对中小投资者单独计票 涉及关联股东回避的议案1需由派瑞科技有限公司 中船投资发展有限公司回避表决[5][6] - 公司非累积投票议案包含审议与中船财务有限责任公司签订《金融服务补充协议》的议案[22] - 公司累积投票议案包含补选第二届董事会独立董事的议案 候选人为郭国庆[22] 累积投票规则说明 - 公司累积投票制下 股东每持有一股即拥有与对应议案组下应选董事人数相等的投票总数[23] - 股东可在对应议案组选举票数限额内 将票数集中投给某一候选人或按任意组合分散投给不同候选人[24]

董事会会议相关 - 中船（邯郸）派瑞特种气体股份有限公司第二届董事会第十四次会议于2026年9月21日以现场加通讯方式召开[2] - 本次会议通知于2026年9月11日通过邮件送达全体董事[2] - 本次会议应出席董事9人 实际出席董事9人[2] - 本次公告发布时间为2026年9月23日[8] 经营相关议案 - 公司拟向中国宋庆龄基金会捐赠2万元参与2026年"芯肝宝贝计划" 用于贫困患儿肝移植手术[3] - 捐款相关议案表决结果为9票同意 0票反对 0票弃权[3] - 公司同意立项开展《绿色高效有机物电化学氟化关键技术开发》项目[4] - 项目立项相关议案表决结果为9票同意 0票反对 0票弃权[4] - 公司拟于2026年10月13日召开2026年第三次临时股东会[6] - 召开临时股东会相关议案表决结果为9票同意 0票反对 0票弃权[6]

1 报告行业投资评级 - 半导体含氟材料行业投资评级为增持 预期未来6个月内行业指数相对强于基准5%以上 [250] 2 报告核心观点 - 先进制程扩产抬升半导体化学品使用强度 高端光刻胶 电子特气价值量弹性和国产替代空间更突出 [2] - 2026年全球半导体化学品市场预计超过200亿美元 电子气体 湿电子化学品占比约31% 19% 贡献主要基础价值量 [2] - 2025年湿化学品整体国产化率预计已达50%-60% KrF/ArF光刻胶国产化率预计不足3%/1% 电子特气国产化率预计约25% 高端光刻胶与电子特气仍是国产替代空间更大的方向 [2] - 3M于2022年底宣布退出PFAS制造 当时其占全球半导体控温液约80%份额 2025年底正式退出后原有份额重新分配 新宙邦可承接主要份额 [2] - 预计2030年PFPE需求1.2万吨 市场空间63亿元 具备量产和设备认证能力的国内厂商有望承接份额 [2] - 预计2030年全球HFE需求0.76万吨 市场空间14.4亿元 竞争重点转向客户认证和稳定供货 [2] - 预计2030年电子级HF需求27万吨 市场空间54亿元 高等级有效供给仍受提纯 洁净包装和客户认证约束 [2] - 2025-2030年全球WF6需求由约0.94万吨增至1.93万吨 市场空间由103亿元增至221亿元 2026年供需仍偏紧 产品价格中枢上移 2026年中船特气具备2000吨6N级产能 另有1000吨规划产能预计2027年投产 [2] - 2025-2030年全球C4F6需求由0.2-0.3万吨增至0.6万吨 市场空间由55亿元增至140亿元 2026年5N级有效需求约0.22万吨 存在供需缺口 国内昊华科技 中船特气等已形成产能或小批量供应 [2] - 2025年全球半导体级PFA需求约2万吨 预计2030年超纯PFA需求或至4万吨左右 截至2026H1 科慕+大金名义产能占全球PFA名义产能40%+ 国内巨化逐步突破 [2] - 2026年全球半导体级FFKM生胶需求约200吨 2025年国内有效产能仅8-10吨 后续放量仍取决于低析出 批次一致性及先进制程认证 [2] - 高端含氟材料国产替代持续推进 看好具备氟化工底层平台能力 并在电子级HF HFE/PFPE WF6/C4F6 PFA/FFKM等高端品类实现客户认证和规模放量的企业 推荐新宙邦 天赐材料 建议关注三祥新材 巨化股份 中巨芯 雅克科技 昊华科技 中船特气 安集科技 多氟多等 [2] 3 分目录内容总结 PART1 制程升级抬升用量 高端品类国产替代加速 - 半导体制造分为前道晶圆制造和后道封装测试 前道在晶圆表面反复进行清洗 氧化/沉积 光刻 刻蚀 离子注入 CMP 金属化等工序 芯片通常包含数百道顺序工序 后道围绕晶圆切割 键合 先进封装与测试展开 工艺链条越长 循环次数越多 对电子化学品的纯度 批次稳定性和连续供应能力要求越高 [9] - 每一轮图形转移都涉及超纯水清洗 光刻胶/显影液 沉积前驱体 离子注入气体及CMP抛光液等材料 随着制程微缩 3D NAND层数提升及TSV/2.5D/3D等先进封装发展 清洗 沉积 光刻 刻蚀和CMP循环次数继续增加 电子化学品价值量有望持续提升 [9] - 半导体制造中主要使用七类电子化学品 分别为湿电子化学品 光刻胶及配套材料 CMP材料 电子特气 前驱体和沉积材料 电镀和剥离材料 先进封装材料 覆盖晶圆制造全流程 [10] - SEMI预计2026年全球晶圆制造材料市场约489亿美元 其中半导体化学品市场超过200亿美元 电子气体 湿电子化学品 光刻胶 光刻胶配套材料及CMP材料市场规模分别约68 41 32 37 39亿美元 电子气体与湿化学品占晶圆制造化学品的市场份额约31.3% 19% [14] - 光刻胶壁垒最高 核心壁垒在于树脂 光酸发生剂等核心原料及配方体系 并需长期客户验证 CMP材料壁垒较高 需针对不同膜层和工艺节点进行配方定制 对去除速率 选择比及缺陷控制要求较高 电子特气和湿电子化学品壁垒相对较低 更多体现在超高纯度 杂质控制 批次稳定性及供应保障 [14] - SEMI预计全球300mm晶圆制造产能2024-2028年CAGR约7% 2028年达到1110万片/月 其中≤7nm产能由2024年的85万片/月增至2028年的140万片/月 CAGR约14% 增速约为行业整体的2倍 [18] - ≤7nm相较12/16nm的半导体化学品单片价值量弹性 光刻胶约2–5倍 CMP材料约1.5–4倍 电子特气约1.2–3倍 前驱体约2–5倍 湿电子化学品约10%–80%提升 光刻胶 CMP与电子特气兼具工艺用量增加和产品结构升级 价值量弹性相对突出 [17][18] - 2025年中国大陆已成为第二大半导体材料市场 国内半导体化学品已由单点产品突破进入规模扩产阶段 不同品类产业化进度明显分化 湿化学品和电子特气已形成万吨级规模供给 CMP进入规模放量 高端光刻胶和前驱体仍处于产能利用率提升与产品验证阶段 [22] - 2025年彤程新材半导体光刻胶年产能约1000吨/年 利用率仅21.5% 截至2025年底 南大光电累计6款ArF通过认证并销售 但收入量级仍小 [22] - 半导体化学品按生产方式分为三类 湿电子化学品与电子特气属于高纯提纯型 成本主要受原料 纯化效率 装置利用率及物流影响 兴福电子2025年电子化学品及配套原材料产能40.42万吨/年 通用/功能湿电子化学品毛利率分别为30.29%/38.12% [24][25] - CMP 光刻胶和电镀液属于配方复配型 核心壁垒在配方与客户适配 安集科技2025年CMP抛光液收入20.4亿元 毛利率58.3% 成本中直接材料占76.6% [24][25] - 前驱体属于分子合成型 盈利能力取决于合成路线与纯化能力 雅克科技高介电常数前驱体通过优化合成路线 提高产率及改进纯化工艺实现降本提纯 [24][25] - 2025年湿电子化学品整体国产化率预计达50%-60% 高端G5级产品国产化率预计仅约25%-30% 2026年全球半导体用湿化学品约41亿美元 [27][28] - 2025年g/i线光刻胶国产化率预计20%-25% KrF光刻胶整体国产化率约3% ArF光刻胶整体国产化率不足1% 2026年半导体光刻胶+配套材料约69亿美元 其中光刻胶32亿美元 配套材料37亿美元 [27][28] - 2025年全球CMP材料市场约35亿美元 2026年预计约39亿美元 2025年按收入计 国内厂商CMP抛光液市场份额约34% 28nm及以上成熟制程国产化率已超过50% 安集科技2025年按收入计 CMP抛光液全球份额约13% [27][41] - 2025年电子特气整体国产化率预计约25% 2026年全球晶圆制造用电子气体市场约68亿美元 2025年按收入计 林德 液化空气 日本酸素控股等四大国际巨头合计占全球电子特气市场份额预计超过60% [30][45] - 2025年全球半导体用前驱体市场规模38亿美元 2025年按收入计 全球半导体前驱体材料市场CR5约85% 前五大分别为Merck Air Liquide 韩国先科 日本三化 南大光电 [30][49] - 2027年全球半导体电镀化学品市场规模约12.6亿美元 2024年按收入计 全球半导体电镀化学品市场CR5合计份额预计47% 2024年前端制程及先进封装用电镀液国产化率不足5% [30][53] - 2025年全球半导体封装材料274亿美元 预计先进封装材料约120亿美元 2025年ABF膜国产化率<5% 高端FC-BGA载板国产化率<8% 12英寸硅中介层国产化率12% TGV玻璃基板国产化率<3% 底部填充胶国产化率22% 先进塑封料国产化率28% [30][55] PART2 半导体氟化工 四类核心材料打开高端国产替代空间 - 半导体氟化工相关品类分为四层 基础含氟湿法材料 含氟电子特气 有机氟功能液和含氟光刻/封装材料 电子级HF NH4F BOE主要用于湿法清洗和氧化层刻蚀 需求受晶圆投片 清洗次数和成熟制程扩产拉动 CF4 CHF3 C4F8 NF3 WF6 ClF3用于刻蚀 腔体清洗和沉积 受刻蚀层数 沉积腔体及存储/逻辑扩产驱动 [59][60] - PFPE主要用于半导体设备温控 3M于2022年底宣布退出PFAS制造 当时其占全球半导体控温液约80%份额 2025年底正式退出后释放约4000吨国产替代缺口 原全氟胺路线复制难度高 PFPE成为核心替代路线 新宙邦K型路线液油比约7:3 液相产出率领先 [73] - 预计PFPE半导体设备侧耗材需求量由2025年4200吨提升至2030年11621吨 2025-2030年CAGR约23% 市场空间由2025年30.7亿元提升至2030年63.3亿元 2025-2030年CAGR约16% [75][76] - 新宙邦2025年半导体冷却液出货500-600吨 2026年预计出货约1000吨 2027年预计出货约2000吨 远期HFE+半导体冷却液总产能预计1万吨+ [78][79] - HFE主要用于半导体及精密电子清洗 3M Novec退出后进入替代期 海外仍以AGC Chemours等为主 预计全球HFE需求量由2025年0.56万吨提升至2030年0.76万吨 市场空间由2025年13.3亿元增至2030年14.4亿元 [87][89] - 新宙邦2026年HFE产能约3000吨/年 2026年出货预计约3000吨 远期HFE与半导体冷却液等合计规划提升至1万吨以上 [92][93] - 电子级HF受晶圆投片增长 先进/存储占比提升及G5/G5+渗透驱动 预计全球12寸等效晶圆投片由2025年1.18亿片增至2030年1.82亿片 对应半导体HF需求由2025年15.2万吨提升至2030年27.1万吨 2025-2030年CAGR约12% 市场空间由2025年23.6亿元提升至2030年53.7亿元 2025-2030年CAGR约18% [100][101] - 2026年7月 G5半导体级HF价格约1.5-1.7万元/吨 高端G5+/超G5价格约1.6-1.7万元/吨 49%浓度G5产品完全生产成本约1.1-1.2万元/吨 单吨利润约4000-5000元 毛利率约30% [103][106] - 2026年日本半导体级HF产能18.9万吨 潜在形成约10万吨替代缺口 中国大陆名义产能已超10万吨 多氟多具备4万吨半导体级HF产能 中巨芯具备3万吨高等级HF产能 [109][110] - WF6用于CVD/ALD钨沉积 受先进存储 逻辑金属化及海外供给扰动驱动 测算2025-2030年全球WF6需求由约0.94万吨增至1.93万吨 市场空间由103亿元增至221亿元 2025-2030年CAGR约17% [120][121] - 2025年中国钨矿产量约6.7万吨 占全球产量约79% 钨储量约250万吨 占全球储量约53% 高纯钨粉占WF6生产成本约60%-70% 2026年生产一吨WF6的完全成本约82万元 [123][133] - 2026年全球WF6需求约1.03万吨 供给缺口约900–1300吨 对应需求缺口率约9%–13% 2026年中船特气拥有2000吨6N级WF6产能 2026年上半年WF6营业收入同比增长近3倍 另有1000吨规划产能预计2027年投产 [141][143] - C4F6用于高深宽比介质刻蚀 受先进逻辑 HBM及3D NAND推动 测算2025-2030年全球C4F6需求由0.2-0.3万吨增至0.6万吨 市场空间由55亿元增至140亿元 2025-2030年CAGR约21% [154] - 2026年全球5N级C4F6有效供给约2000-2100吨 对应半导体需求约2200吨 缺口约100-200吨 昊华科技2026年C4F6产能1000吨/年 为全球第一大六氟丁二烯厂商 亚洲唯一可大规模稳定量产5N级产品企业 [161][165] - 2025年全球半导体级PFA需求约2万吨 预计2030年超纯PFA需求或至4万吨左右 截至2026H1 科慕+大金名义产能占全球PFA名义产能40%+ 2026年半导体级PFA国内进口依存度60%以上 巨化股份2026年国内首家万吨级超纯PFA投产 [176][178] - 2025年全球半导体专用高纯PTFE树脂市场空间约38亿元 2026年7月PTFE主流价格约4.8万元/吨 同比约+25% 2025年按出货量测算 科慕 大金 索尔维三家合计市占率达80%+ [185][188] - 2026年全球半导体级FFKM生胶需求约200吨 2025年全球FFKM O型圈市场规模约9.54亿美元 2025年高端半导体级FFKM国产化率低于15% 国内有效产能仅8-10吨 2025年巨化FFKM国内市占率32%第一 东岳2025年FFKM在国内半导体刻蚀设备密封件细分市场市占率41.5% [168][200] PART3 产业链 平台型龙头与专精厂商多路径切入高端化学品 - 新宙邦2025年电池化学品收入66.8亿元 毛利率10.9% 有机氟/电子信息化学品收入14.2/14.6亿元 毛利率约62%/48% 2025年半导体冷却液出货500-600吨 收入2.5-3亿元 2026年预计出货1000吨+ 收入约5亿元 2025年HFE出货约2500-3000吨 电容化学品2025年收入8亿元+ 2

行业投资评级 - 报告对半导体行业给予“增持（维持）”评级 [1] 核心观点 - 半导体板块在深度回调后出现放量转强，但修复时间尚短，不足以确认趋势 [3][22] - 回撤深度提供了修复空间，但空间不等于兑现，需要回撤收窄与成交回升同时出现 [3][22] - 环节间差异显著，设备最抗跌、存储跌得最深且反弹最弱，定价分歧仍未收敛 [3][19][22] - 小市值标的弹性更大，但更依赖换手，推动力量以短线资金为主 [3][20][21] 报告详细总结 1. 一周的涨幅撑起了二十日的大部分 - 2026年9月12日至9月18日半导体板块上涨8.76%，在54个行业板块中居第二位 [1][9] - 同期石油石化下跌3.68%、煤炭采选下跌2.98%、银行下跌1.42% [1][9] - 9月18日单日板块上涨3.93%，收盘处在近20日区间的最高位置 [9] - 板块近20日累计仅上涨1.89%，其中最近5日就贡献了8.76%，此前15个交易日累计下跌约6.3% [1][10] - 电子化学品（近20日1.23%、近5日10.52%）与光学光电子（1.57%、7.32%）也呈现类似特征，说明是电子大类在同一时间窗口内的同步转强 [10] 2. 修复的起点：回撤仍深，成交逐步回补 - 截至9月18日收盘，板块193只样本距前期高点回撤中位数为35.07% [1][11] - 回撤超过40%的占32.6%，超过50%的占7.3% [1][11] - 近60个交易日涨跌幅中位数为−20.68%，下跌个股占比88.1% [1][11] - 近20日涨跌幅中位数已转正至1.38%，说明最近一周的反弹把板块从持续下跌拉回了小幅收正 [13] - 近5日与近60日均量之比的中位数为0.60，成交尚未回到近三个月的常态水平，但已较9月11日的0.45明显回升 [1][13] - 近115个交易日（约半年）板块涨跌幅中位数为24.93%，76.2%的个股为正收益，说明此前60日的回调是在一段更长上行之后的调整 [13] 3. 分环节看，设备最抗跌、存储跌得最深 - 设备环节近60日下跌12.62%、距前期高点回撤29.10%，是八个环节中最抗跌的 [2][19] - 光芯片与接口近60日下跌13.64%、封测与先进封装下跌20.08%次之 [19] - 存储环节近60日下跌49.59%、回撤53.94%，跌得最深 [2][19] - 最近一周的反弹中，材料与零部件上涨13.28%、模拟功率射频上涨10.51%领先 [2][19] - 存储仅上涨2.38%，是八个环节中最弱的 [2][19] - 存储环节PE（TTM）中位数24.1倍，是八个环节中最低的，但其近5日涨幅同样最低 [19] - 长鑫科技在九成个股上涨的一周里逆势下跌2.10%，提示存储链的定价分歧仍未收敛 [3][22] 4. 小市值弹性更大，但更依赖换手 - 36只可比样本按总市值中位数1172.5亿元分组，低市值组近5日涨幅中位数10.80%，高于高市值组的6.93% [2][21][23] - 低市值组回撤中位数43.30%，高于高市值组的36.08% [2][21] - 低市值组9月18日换手率中位数6.44%，接近高市值组3.38%的两倍 [2][21] - 低市值组PE（TTM）中位数91.0倍，高市值组96.7倍，差异不大 [21][23] - 低市值组PB中位数6.74倍，低于高市值组的13.04倍，净资产定价更便宜 [21][23] 5. 主要判断与后续值得跟踪的几个指标 - 半导体最近一周的转强有量能配合，但时间太短，尚不足以确认趋势 [22] - 近5日的表现占到了近20日涨幅的全部，若后续几周成交不能从0.60的量比水平继续往上走，回补行情的持续性会打折扣 [22] - 板块距前期高点回撤中位数仍在35%以上，回撤超过40%的个股仍占三成 [22] - 设备在回调中最抗跌、反弹中也不落后，是结构上相对占优的一方 [22] - 存储跌得最深但反弹最弱，市场对其定价的分歧并未随板块转强而收敛 [22] - 后续值得跟踪四个指标：板块量比能否从0.60继续回升、回撤超40%的个股占比是否下降、大小市值组换手率差距是否收敛、三季报后PE（TTM）读数的变化方向（尤其存储环节） [3][24]