据业DRAM报价网站DRAMeXchange显示，DDR4现货价持续飙涨，23日晚间DDR4 16Gb芯片均价为12 美元，同为16Gb容量的DDR5 16G（2Gx8）4800/5600报价6.014美元，这也是DRAM史上首次出现前一 代产品报价比最新规格高100%。 (台湾经济日报) ...

DDR4价格暴涨现象 - DDR4 16Gb芯片现货价首次比DDR5贵约一倍，出现历史性报价倒挂[1] - DDR4现货价两周内上涨约50%，本季以来各容量价格暴涨逾200%[1] - DDR4 16Gb(1Gx16)3200现货价最新报12美元，较DDR5 16Gb(2Gx8)4800/5600的6.014美元贵一倍[2] - DDR4 16Gb现货价从Q1末的3.95美元涨至12美元，涨幅超200%[2] - DDR4 8Gb(1Gx8)3200从1.63美元涨至5.2美元，涨幅近220%[2] 行业供需状况 - DDR4市场严重供不应求，下游不惜追价抢货[1] - 原厂已预订淡出中低阶市场，供不应求状况料将持续[2] - 客户下大单排队等出货，Q3 DDR4合约价看涨30%-40%[3] 公司动态 - 南亚科为全球最大DDR4供应商，DDR3+DDR4占营收比重达80%[2] - 南亚科罕见加码投入DDR4旧世代产能扩充，打破行业惯例[2] - 华邦同为DDR4主要供应商，将受益报价上涨[1][2] - 威刚作为存储器模组龙头，预期DDR4需求强劲[3] 市场反应 - 南亚科股价盘中一度翻红，终场跌0.5元至58.4元，表现强于大盘[3] - 华邦股价逆势上涨3.4%至19.6元[3] - 威刚股价劲扬5.4%至98.9元[3]

长鑫存储DRAM出货量增长预测 - 公司今年DRAM出货量预计同比增长50% [1] - 公司在整体DRAM市场的出货份额将从第一季度的6%增至第四季度的8% [1] - 公司在DDR5市场份额预计从第一季度不到1%上升至年底的7% [1] - 公司在LPDDR5市场份额预计从0.5%激增至9% [1] 长鑫存储产品结构变化 - 公司在传统产品DDR4和LPDDR4上持续提升产量 [1] - 公司在DDR5和LPDDR5产品上实现显著增长 [1]

报告行业投资评级 - 维持买入评级，目标价从140.20元上调至149.50元 [2][5] 报告的核心观点 - 看好长鑫存储供应结构调整下兆易创新特种DRAM的供需动态，预计其2025-26年DRAM收入分别增长22%和28% [3] - 认为兆易创新3D DRAM业务进展顺利，有望在2025年下半年开始产生收入 [4] - 引入2027年营收和净利润预测，分别为146.11亿元和2.659亿元 [31] 根据相关目录分别进行总结 公司表现 - 过去两个月兆易创新股价上涨11%，同期沪深300指数上涨3% [2] - 预计2024-27年净利润复合年增长率为34%，低于2018-22年50%的历史平均水平 [5] DDR4市场情况 - 三星、SK海力士、美光等DDR4主要供应商发出产品停产通知，预计2025-27年将为其他供应商分别腾出120亿、450亿和460亿元的市场空间 [3] - 由于当前产能短期内无法填补缺口，急单可能进一步推高DDR4产品价格 [3] 业务发展 - 预计兆易创新2025年特种DRAM平均销售价格将从10%提高到35%，并将继续扩大4Gb/8Gb DDR4产能 [3] - 3D DRAM业务与智能手机和AIPC客户进展顺利，预计2025年下半年开始产生收入 [4] 财务预测调整 - 下调2025-26年每股收益预测2%和1%，主要考虑NOR闪存和MCU毛利率低于预期 [2][31] - 上调2025-26年营收预测3%和6%，主要因DRAM收入增加和子公司贡献 [33] - 下调2025-26年毛利率预测2.3和1.6个百分点，主要因NOR闪存价格反弹幅度低于预期和MCU定价压力 [33] 估值与目标价 - 采用市盈率倍数估值，目标市盈率倍数为52.3倍，基于12个月远期每股收益预测2.86元，目标价上调至149.50元 [5]

内存市场规模与增长 - 2025年内存市场规模有望连续第二次创下2000亿美元纪录，受数据中心AI训练工作负载需求激增带动 [2] - 2024-2030年全球HBM收入将以33%的复合年增长率增长，到2030年HBM在DRAM市场份额将达到50% [2] - NOR闪存市场2024年同比增长约15%，得益于出货量增长和价格环境改善 [2] 行业竞争格局 - SK海力士、三星和美光积极提升良率并扩大生产规模，应对2025年预计出现的缺货局面 [6] - 中国加大内存制造本土化力度，技术差距缩小，战略延伸至个人电脑和消费电子领域 [6] - NAND行业面临消费需求弱于预期和供应链库存上升压力，供应商降低晶圆厂利用率和减产以恢复市场平衡 [2] 技术创新趋势 - CMOS键合成为实现更高密度、高性能存储器件的重要解决方案，长江存储Xtacking™架构实现晶圆间混合键合 [7] - 3D NAND器件未来可能需要键合三个不同晶圆（逻辑芯片+双存储阵列）以实现超过500层扩展 [7] - DRAM领域预计平面设计将通过0c/0d节点发展，6F² DRAM单元将被基于CMOS键合布局的4F²单元架构取代 [8] - 主要DRAM供应商积极探索3D集成途径，包括1T-1C单元和无电容器结构 [8] - 半导体设备公司如应用材料、泛林集团和东京电子加大投资应对3D DRAM制造工艺挑战 [8]

三星1c DRAM进展 - 公司在第六代10纳米级DRAM（1c DRAM）晶圆测试中实现50%至70%良率，较去年不足30%大幅提升[1] - 与SK海力士和美光坚持使用HBM4 1b DRAM不同，三星押注下一代1c DRAM技术[1] - 计划在华城和平泽工厂提高1c DRAM产量，投资预计年底启动[1] - 重新设计芯片导致量产延迟一年，新DRAM将在平泽4号线生产，供应移动和服务器应用[3] HBM4市场动态 - 三星HBM4量产计划预计今年晚些时候启动，DRAM作为核心组件进展是关键[1] - TrendForce指出HBM4产品周期尚未开始，验证仍处早期阶段[1] - 2026年HBM总出货量预计超300亿千兆位，HBM4市场份额将在2026年下半年超越HBM3e[6] 竞争对手策略差异 - SK海力士采取谨慎立场，HBM4继续采用1b DRAM工艺，HBM4E量产后才扩大1c DRAM产量[5] - SK海力士1c DRAM测试良率超80%，最高达90%，已于2024年8月完成开发[6] - 三星可能利用规模经济和产量优势在HBM4时代超越竞争对手[3]

3D DRAM技术开发进展 - 三星电子和SK海力士加速开发下一代3D DRAM，计划年底前完成垂直结构"4F² DRAM"早期原型测试[1] - 4F²架构采用垂直堆叠方法，相比传统6F²平面架构减少两条线(位线和字线各减一条)，晶体管垂直放置以提升密度[1] - 该设计预计提升性能、数据传输速率和能效，被定位为向成熟3D DRAM过渡的技术[1] 技术路线差异 - 三星和SK海力士采取渐进路线，先验证4F² DRAM商业可行性再进军3D DRAM领域[2] - 美光科技选择跳过4F²阶段直接开发3D DRAM，形成技术路线差异[2] 行业转型背景 - 平面DRAM微缩面临技术瓶颈，10纳米以下工艺导致复杂度与成本激增[5] - 目前最先进为第六代(1c)DRAM，三星第七代(1d)后拟推出4F²，SK海力士可能在下一代产品采用[5] - 垂直结构DRAM有望三年内量产，性能预计比现有型号提升近50%[5] 产业链协同准备 - 芯片制造商正与设备商(如应用材料公司)合作开发4F²专用制造工艺[6] - 需同步建立可扩展的制造基础设施，涉及工艺、材料、设备全面升级[6] - 学术界认为垂直架构是突破平面DRAM物理极限的唯一可行路径[6]

DDR4现货价格暴涨 - DDR4 16Gb（1G×16）3200现货价单日上涨6.32%，均价达9.25美元，DDR4 4Gb（512M×16）单日暴涨8.77% [1] - 本周仅两个交易日，DDR4 16Gb和8Gb规格分别累计上涨12.8%和16.13% [3] - 近三个交易日DDR4现货价累计涨幅达20%，部分PC DDR4产品价格调涨超50% [2][3] 价格上涨驱动因素 - 国际大厂退出DDR4生产，南亚科暂停报价，引发市场追价买盘 [2] - 客户因安全库存恐慌性追货，导致需求激增，渠道厂商强势拉涨报价 [3] - 三星、美光将陆续停供DDR4，OEM/ODM厂大举扫货巩固货源 [4] 价格趋势与行业动态 - 6月以来DDR4 8Gb（1G×8）3200现货价从2.73美元涨至3.775美元，涨幅38.27%，本季累计涨幅达132% [4] - 行业呈现"追涨不追跌"现象，惜售情绪加剧市场紧张，涨势或延续至年底 [2][3] - DDR4现货价已超过厂商损益平衡点，技术改进与折旧降低推动盈利能力提升 [4]

微短剧演员签约趋势 - 核心观点：微短剧演员正被传统影视公司、MCN机构及垂直短剧制作公司争相签约，形成四类主要签约路径[3][4][5][6] - 头部微短剧演员如姚冠宇、蔡欣洋等已签约唐人影视、耀客传媒等传统影视公司[1][2] - 听花岛、星链无限等垂直短剧公司集中签约姜十七、王格格等演员以稳定爆款输出[3] - MCN机构如麦芽传媒、奇迹时代通过签约糖一、张集骏等实现短剧与短视频/直播业务联动[5] 签约公司类型及特点 垂直短剧制作公司 - 听花岛签约赵佳等演员，背靠咪蒙厂牌并专注爆款短剧制作[3] - 星链无限采用「制作人中心制」，拥有马厩/赤兔制片厂等短剧厂牌[3] 传统影视公司 - 欢娱影视（于正工作室）签约刘擎等演员，提供长剧资源如《玉茗茶骨》[4] - 耀客传媒依托张萌资源与腾讯视频合作，签约蔡欣洋[2] - 唐人影视以古偶剧优势签约"微短剧一哥"姚冠宇[2] MCN转型公司 - 麦芽传媒签约糖一，结合短剧与直播带货业务[5] - 奇迹时代从MCN转型，签约张集骏等演员强化短剧内容[5] 行业驱动因素 公司侧动机 - 低成本签约新人演员获取长期溢价，如传统影视公司视微短剧演员为"潜力股"[8] - 通过签约保障演员档期供给，提升短剧工业化生产效率[8] 演员侧需求 - 头部演员日均拍摄超12小时，年接戏量达30-50部，签约后可专注表演[9] - 获得长剧/综艺资源倾斜，如马秋元进组《明月千里》、丞磊活跃于综艺[4][9] 行业生态演变 - 演员与公司深度绑定内容生产、流量运营和商业开发，推动行业正规化[10] - 自立门户型演员如柯淳成立工作室后商务资源专业化，签约多项代言[6] - 行业面临演员流失风险，部分公司尝试通过"买股"模式培养新人[8][10]

DRAM市场动态 - DDR4现货价单日暴涨近8%，本季以来报价已翻涨一倍以上 其中DDR4 8Gb（1G×8）3200大涨7 8%至3 775美元 DDR4 16Gb（1G×16）3200涨7 9%至8 2美元 行业人士称十年未见如此涨幅 [1] - 美光宣布停产DDR4 同时加速推进DDR5技术 其1γ工艺DDR5速度达9200MT/s 较前代提升15% 功耗降低20% 计划2026年用于旗舰智能手机 [2] 美光科技战略布局 - 公司12层堆叠36GB HBM4样品已交付客户 采用1β工艺 预计2026年量产 目标HBM市场份额达20%-25% [2] - 获英伟达SOCAMM模块独家供应权 该方案采用16个LPDDR5X芯片铜线键合技术 用于Rubin AI加速器平台 [4] - 计划投资2000亿美元扩大美国DRAM制造和研发 台湾 日本产能扩张中 爱达荷州新厂2027年投产 [4][5] 三星电子技术进展 - HBM3E认证多次延迟 最新进展是向AMD供应12层HBM3E芯片 用于MI350加速器 这是其首次官方确认HBM3E供货 [7][8] - 加速1c DRAM量产线建设 平泽P4工厂产能将扩至每月4万片 华城工厂计划年底投产 该技术将用于HBM4开发 [9][10] SK海力士市场表现 - 2025年Q1以36%份额首超三星(34%)成为DRAM市场第一 美光占25% [11] - 推迟M15X工厂设备投资计划 月产能从1 5万片下调至不足1万片 转向2024年全面投资策略 [12][13] - 公布4F² VG平台和3D DRAM技术路线图 计划通过材料创新突破制程限制 [14] 技术演进趋势 - 各厂商加速10nm级工艺竞赛 美光1γ将引入EUV 三星 SK已商业化12nm级D1a/b产品 [16] - HKMG技术普及加速 三星用于D1y DDR5 美光从1β代全面推广 SK在D1b DDR5集成 [17] - HBM技术迭代明确 2026年HBM4带宽达2TB/s 2038年HBM8将实现64TB/s 堆叠层数从12Hi增至24Hi [20][21] - 行业共识2030年后转向3D DRAM架构 平面DRAM预计持续至2033-2034年0c/0d节点 [19]