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DRAM“危机”
半导体行业观察· 2025-04-20 11:50
大模型发展对存储技术的挑战 - AI大模型参数规模从GPT-3的1750亿增长至万亿级,计算资源需求激增,存储带宽成为关键瓶颈 [1] - 服务器算力峰值每两年增长3倍,但DRAM带宽增速仅1.6倍/两年,片间互连带宽增速仅1.4倍/两年,导致处理器利用率仅20%-30% [1] - "存储墙"问题制约AI训练和推理效率,内存存取速度滞后处理器计算速度长达20年 [1] HBM技术的突破与局限 - HBM实现每秒1.2TB数据传输速度,带宽为传统DRAM的数倍至数十倍,缓解AI芯片数据获取压力 [2] - 采用3D堆叠和硅通孔(TSV)技术缩短数据传输路径,但制造工艺复杂且成本高昂 [2] 3D铁电RAM的创新优势 - SunRise Memory开发垂直堆叠FeFET单元,存储密度比DRAM提高10倍,功耗降低90% [4][5] - 利用HfO2铁电效应实现非易失性存储,目标兼容3D NAND晶圆厂生产流程 [5] - KAIST通过调控HfO2准同型相界(MPB)实现4F²存储单元面积,为3D堆叠奠定基础 [6] DRAM+非易失性内存的融合方案 - FMC与Neumonda合作开发HfO2基DRAM+,兼具DRAM性能与非易失性,容量可达千兆位级 [8][9] - 相比传统PZT铁电层,HfO2兼容10nm以下制程,与CMOS工艺集成度更高 [9] Imec的2T0C架构革命 - 用两个IGZO薄膜晶体管(2T)替代传统1T1C单元,保留时间>400秒(传统DRAM的1000倍) [11][12] - 2021年优化后实现>1000秒保留时间、<10ns写入速度及无限耐久性(>10¹¹次读写) [15] - 14nm栅长IGZO晶体管保持>100秒保留时间,RIE技术将保留时间延长至4.5小时 [16] 其他新型存储技术进展 - KAIST开发纳米灯丝PCM技术,功耗降低15倍,兼具DRAM速度与NAND非易失性 [19][20] - 英国兰开斯特大学UK III-V Memory写入时间5ns(与DRAM相当),能耗仅DRAM的1% [21] - 德国JGU团队SOT-MRAM通过轨道霍尔效应降低20%写入电流,能效提升30% [23][24] 行业趋势与未来方向 - AI驱动存储技术进入"架构+材料"双创新阶段,3D堆叠与非易失性成为核心方向 [25] - 多元化技术路线包括3D铁电RAM、IGZO 2T0C、SOT-MRAM等,部分进入工程验证阶段 [25]
海力士HBM,重大调整
半导体行业观察· 2025-04-13 11:45
SK海力士HBM业务战略重组 - 公司将高带宽存储器(HBM)开发组织拆分为客户定制型(C-HBM)和标准型(S-HBM)两大方向,实施差异化战略以巩固技术领导力并扩大市场份额 [1] - 重组前由单一团队负责全流程开发,因技术复杂度提升决定分离开发体系,两个团队均隶属封装产品开发本部并由封装开发部门统一管理 [1] - C-HBM团队专注为英伟达等核心客户开发超高性能定制产品,S-HBM团队侧重通用性、良率和大规模供应能力 [2] 双轨战略的技术与市场意义 - C-HBM要求针对客户带宽、电力效率等需求快速响应,S-HBM瞄准AI服务器及科技公司自研芯片的通用市场需求 [2] - 组织分离标志着HBM技术路线正式分岔,公司计划通过C-HBM提升盈利能力和技术壁垒,通过S-HBM扩大出货量和市占率 [2] - 行业认为双轨制将显著提升开发速度和技术响应能力,强化公司在AI存储市场的主导权 [2][3] HBM4技术进展与市场表现 - 第六代HBM4采用12层堆叠设计,数据处理速度超2TB/秒,较HBM3E提升60%以上,可1秒处理400部5GB高清电影 [3] - 样品已交付英伟达,公司通过设备、工艺全方位布局加速技术领先,与三星、美光拉开差距 [3] - 当前SK海力士HBM全球份额突破50%,带动DRAM业务登顶行业第一,2024年Q1超越三星成为DRAM营收榜首 [3] 组织架构与研发体系 - 封装开发部门下设先进封装开发本部和封装技术开发本部,分别负责前沿技术开发和基础工艺研发 [1] - 此次重组聚焦客户响应与产品设计,是公司核心执行组织的重要调整 [1]
闪迪正在研发颠覆性内存?
半导体行业观察· 2025-04-12 09:18
公司动态 - Sandisk Corp 正在开发一种名为3D矩阵内存的非易失性相变内存技术 由前英特尔Optane内存业务高管Alper Ilkbahar领导 [1] - 公司于2025年2月从西部数据分拆 计划在提供闪存产品的同时开发新兴内存技术 [1] - 技术研发始于2017年 2024年启动名为"Project Neo"的产品化阶段 与比利时IMEC合作 [2] - 公司获得了美国空军研究实验室3500万美元资助 用于ANGSTRM项目开发抗辐射存储器 项目周期54个月 预计2028年11月完成 [10] 技术细节 - 3D矩阵内存与英特尔3D XPoint技术有相似之处 可能基于硫族化物相变技术 [2][6] - 技术目标是提供类似DRAM的性能 容量提高4倍 位成本降低一半 [8] - 开发平台包括4Gbit和8Gbit内存 计划推出32Gbit和64Gbit样品 [8] - 抗辐射存储器要求单片容量4Gbit至16Gbit 读/写次数10^9至10^12 数据保存时间10-15年 [10] 行业背景 - 3D XPoint技术由英特尔和美光联合开发 2015年发布 但傲腾业务在2022年停止 累计亏损可能超过10亿美元 [8] - 英特尔2020年以90亿美元出售非易失性存储器业务 但傲腾业务被排除在外 [8] - 意法半导体已将PCM技术应用于汽车微控制器等嵌入式领域 计划采用18nm FDSOI制造工艺 [13] 未解决问题 - 3D矩阵内存的具体材料配置和运行原理尚未披露 [2][12] - 需要明确该技术是否获得英特尔、美光等公司的许可 [12] - 需要验证Sandisk是否解决了英特尔在3D XPoint上遇到的技术/市场问题 [16] - 需要了解故障模式、操作敏感性和可靠性等关键参数 [16]
存储芯片概念涨4.62%,主力资金净流入这些股
证券时报网· 2025-04-11 17:28
存储芯片概念板块表现 - 截至4月11日收盘,存储芯片概念上涨4.62%,位居概念板块涨幅第4 [1] - 板块内91股上涨,雅创电子20%涨停,盈方微、上海贝岭、中电港等涨停,华虹公司、利尔达、华岭股份分别上涨19.75%、14.36%、11.40% [1] - 跌幅居前的有怡亚通、东方中科、古鳌科技,分别下跌2.31%、0.72%、0.48% [1] 概念板块涨跌幅对比 - 汽车芯片以6.04%涨幅居首,MCU芯片、国家大基金持股分别上涨5.92%、5.21% [2] - 转基因、玉米、粮食概念跌幅居前,分别下跌5.96%、5.84%、4.68% [2] 资金流动情况 - 存储芯片概念板块获主力资金净流入42.19亿元,73股获净流入,12股净流入超亿元 [2] - 上海贝岭主力资金净流入4.99亿元居首,华虹公司、通富微电、兆易创新分别净流入4.81亿元、4.64亿元、2.44亿元 [2] - 盈方微、大港股份、好上好主力资金净流入比率最高,分别为59.12%、56.30%、31.89% [3] 个股资金流入榜单 - 上海贝岭主力资金净流入4.99亿元,换手率7.50%,净流入比率28.16% [3] - 华虹公司主力资金净流入4.81亿元,换手率12.96%,净流入比率19.09% [3] - 通富微电主力资金净流入4.64亿元,换手率7.31%,净流入比率16.30% [3] - 兆易创新主力资金净流入2.44亿元,换手率4.86%,净流入比率6.73% [3] 其他重点个股表现 - 中电港主力资金净流入2.10亿元,换手率8.15%,净流入比率30.85% [3] - 全志科技主力资金净流入1.71亿元,换手率13.99%,净流入比率4.85% [3] - 大港股份主力资金净流入1.68亿元,换手率3.61%,净流入比率56.30% [4] - 雅创电子主力资金净流入1.13亿元,换手率14.01%,净流入比率23.59% [4] 资金流出个股 - 怡亚通主力资金净流出9195.59万元,换手率5.66%,净流出比率13.11% [8] - 深南电路主力资金净流出6274.39万元,换手率1.89%,净流出比率5.96% [8] - 大华股份主力资金净流出2812.03万元,换手率2.11%,净流出比率4.11% [7]
中芯国际概念涨3.86%,主力资金净流入45股
证券时报网· 2025-04-11 17:27
文章核心观点 截至4月11日收盘,中芯国际概念上涨3.86%,位居概念板块涨幅第5,板块获主力资金净流入15.30亿元 [1][2] 中芯国际概念板块表现 - 板块内66股上涨,凯德石英30%涨停,江化微涨停,华岭股份、芯朋微、安集科技等涨幅居前,分别上涨11.40%、10.00%、9.08% [1] - 跌幅居前的有苏试试验、新莱应材、华达科技等,分别下跌3.40%、1.75%、0.96% [1] 今日涨跌幅居前的概念板块 - 涨幅居前概念:汽车芯片涨6.04%、MCU芯片涨5.92%、国家大基金持股涨5.21%等 [2] - 跌幅居前概念:转基因跌5.96%、玉米跌5.84%、粮食概念跌4.68%等 [2] 中芯国际概念资金流向 - 板块获主力资金净流入15.30亿元,45股获主力资金净流入,6股主力资金净流入超亿元 [2] - 净流入资金居首的是中芯国际,主力资金净流入2.53亿元,韦尔股份、全志科技、南大光电等净流入居前,分别净流入2.36亿元、1.71亿元、1.49亿元 [2][3] 资金流入比率居前个股 - 江化微、中科飞测、芯联集成等流入比率居前,主力资金净流入率分别为19.74%、17.84%、12.25% [3]
中国产业叙事:兆易创新
新财富· 2025-04-10 15:30
中国半导体产业早期困境 - 21世纪之初中国半导体产业"大而不强",2007年成为全球最大半导体市场但核心技术受制于人,存储器等高附加值芯片几乎完全依赖进口 [1] - 2007年国内生产的集成电路仅满足22%市场需求,78%依赖进口,进口额1287亿美元占全球50%,净进口缺口高达1048亿美元 [1] - 分立器件呈现"大进大出"格局,进出口量分别为2677亿只和2412亿只,进出口额分别为117亿美元和88亿美元 [1] 兆易创新创立与技术突破 - 兆易创新创立于中国半导体产业困境时期,瞄准存储芯片战略领域,2008年推出首款180nm工艺SPI NOR Flash芯片实现零突破 [2] - NOR Flash作为嵌入式系统启动代码载体,此前完全依赖进口,该突破填补国内空白 [2] - 采用"架构降维"策略,将SPI协议引入NOR Flash使芯片引脚数从40+减至8个,客户改造成本降低90% [5] - 2008年金融危机期间NOR Flash出货量逆势增长300%,2010年销量突破1亿颗 [5] 存储芯片市场格局与技术演进 - 21世纪初存储芯片市场呈金字塔结构,中国长期停留在SRAM领域且90%产能集中在台资企业 [4] - 美国《出口管理条例》封锁130nm以下制程设备,迫使公司通过接口协议层架构创新突破限制 [4] - 持续迭代工艺从180nm向55nm进阶,产品线覆盖512KB至2GB全容量,2023年SPI NOR Flash全球市场份额跃居第二 [6] - 累计出货量超过230亿颗,车规级芯片验证十五年数据保留周期和十万次擦写寿命 [6] 多元化战略布局 - 2013年推出全球首款SPI NAND Flash和基于ARM Cortex-M3的32位MCU GD32系列,构建"存储+MCU"生态闭环 [8] - SPI NAND Flash使引脚数量从传统NAND的数十个锐减至8个,封装体积缩小70% [8] - GD32系列MCU性能较同类提升50%,功耗降低20%-30%,填补国产高端MCU空白 [9][10] - 截至2023年MCU累计出货量突破13亿颗,工艺从110nm迭代至22nm,跻身全球前十大MCU品牌 [10] 资本运作与技术升级 - 2016年上市募集5.8亿元用于研发,研发投入从2016年1.2亿元飙升至2020年7.6亿元 [13] - 2017年量产38nm SLC NAND,与中芯国际建立战略同盟(持股1.02%,签订12亿片/年采购协议) [14] - 2019年推出全球首款RISC-V内核MCU,计划2025年累计出货量超1亿颗 [15] - 与阿里平头哥合作推进RISC-V生态,在AIoT、汽车电子等领域协同发展 [15] DRAM领域突破 - 2017年与合肥产投共同投资180亿元开展19nm DRAM研发,合肥长鑫目标建成中国首个自主DRAM工厂 [18] - 2021年首款4GB DDR4 DRAM量产,实现设计、流片到封测全链条国产化 [19] - 2023年推出国内首款LPDDR5芯片,速率6400Mbps,容量12GB,将代际差距缩短至2-4年 [20] - 2024年国产DRAM产能达20万片/月占全球10%,产品覆盖DDR3L、DDR4及LPDDR4X [20] 市场策略与财务表现 - 采用"边缘突破"理论,在NOR Flash、MCU、DRAM领域均选择差异化竞争路径 [26] - 产品组合覆盖消费电子、工业控制、汽车电子三大市场,形成需求对冲策略 [27] - 2023年NOR Flash出货量25.33亿颗同比增长16.15%,抵消消费电子下行周期影响 [27] - 毛利率从2023年34.42%提升至2024年前三季度39.46% [24]
外媒:西门子可能抢亲Alphawave
半导体行业观察· 2025-04-08 09:36
文章核心观点 Alphawave Semi与西门子达成独家OEM协议,其股价飙升 高通和Arm可能有兴趣收购该公司 西门子可能因该协议有优先购买权,或需为其支付溢价 [1][3][4] 公司情况 - Alphawave Semi由Tony Pialis于2017年与他人共同创立,是全球技术基础设施高速连接和计算硅片领域领导者,在伦敦证券交易所公开上市,除IP授权业务外还生产Chiplet和定制ASIC,2022年以2.1亿美元收购SiFive的ASIC业务 [1][3] - 西门子数字工业软件公司自2017年以45亿美元收购Mentor Graphics后实施积极收购战略,收购了数十家公司 [2] 合作协议 - 西门子与Alphawave Semi签署针对EDA业务的独家OEM协议,西门子通过销售渠道将Alphawave Semi的高速互连硅IP产品组合推向市场,双方还将合作提供全面的Spec to Silicon解决方案 [1] - 该协议将通过西门子庞大的EDA全球销售团队,加速客户获得Alphawave Semi的AI驱动型先进硅IP平台,这些解决方案对AI、自动驾驶汽车等主要技术增长市场的客户尤其重要 [2] 收购猜测 - 高通和Arm可能有兴趣收购Alphawave Semi,英特尔鉴于其内部丰富的英特尔经验等因素也许也会提出报价 [3] - 猜测西门子拥有与OEM协议相关的某种优先购买权,Tony收到高通和Arm的报价将触发这一决定,西门子或需为Alphawave Semi支付溢价 [4]
AI 时代下的存储市场,Arm扮演重要角色
半导体芯闻· 2025-04-07 19:07
如果您希望可以时常见面,欢迎标星收藏哦~ 据 IDC 预 测 , 全 球 数 据 量 将 从 2024 年 的 159.2ZB 增 长 到 2028 年 的 超 过 384.6ZB 。 预 计 到 2028 年,37%的数据将会在云端直接产生,而其余数据会从边缘和终端产生。边缘数据的激增也 带来了边缘处理性能、能效以及数据安全等方面的挑战。 作为一家领先的计算平台公司,Arm 正日益成为最普及的 AI 计算基础,并被广泛应用于从云到 端数据触及的每个角落,包括服务器、存储控制器、智能网卡、边缘设备等,使得数据及 AI 处理 能够灵活地部署在最合适的位置。 而在存储市场,Arm也拥有多年的经验,这也让其成为了足轻重的角色。 AI大潮下,存储变了 过去几年,大模型正在以前所未有的速度席卷每个行业,这是一个不争的事实。就连大模型本身其 实也在发生翻天覆地的变化,给软硬件和系统厂商带来前所未有的挑战。 Arm物联网事业部业务拓展副总裁马健女士在MemoryS 2025中国闪存市场峰会的高峰论坛演讲中 提到,在AI爆火以后,大家需要学的知识越来越多,因为AI时代技术的演进实在是太迅速了,现 在这种演进主要聚焦在两个方向 ...
我敢打赌,可能有一半的人买不明白存储卡
虎嗅APP· 2025-03-27 21:58
存储卡行业标准演变 - 1984年闪存技术突破为存储卡发展奠定基础,NAND闪存推动1994-2000年存储卡形态爆发[15] - 早期存储卡规格竞争激烈:1994年闪迪推出3.3mm厚的CF卡[17],1995年东芝发布0.76mm超薄SM卡[20],1997年MMC卡缩小至指甲盖大小[22] - 1998年索尼推出封闭生态的记忆棒,读写速度碾压同期产品但价格高昂[24][26] - 1999年松下/东芝/闪迪组建SD协会推出SD卡,价格仅为记忆棒1/6并通过开放授权迅速占领市场[26][28] - 物理规格战争以SD卡胜利告终,衍生出Mini SD和Micro SD,索尼2006年推出Micro SD适配器变相妥协[30][31] 存储卡技术标准体系 - 容量标准迭代:SD(2GB)→SDHC(32GB)→SDXC(2TB)→SDUC(128TB),文件系统从FAT12/16升级至exFAT[38][41] - 速度等级标识三重体系:Class分级(C2-C10)、UHS分级(U1/U3)、Video分级(V6-V90),分别对应不同时代需求[48][49][50] - 接口版本决定理论速度上限:UHS-I接口最大104MB/s,UHS-II接口达312MB/s,需设备支持才能发挥性能[53][56] - 随机读写性能分级:A1标准(1500/500 IOPS)和A2标准(4000/2000 IOPS)影响手机/Switch等设备的应用加载速度[56][58] 当前行业痛点与选购逻辑 - 标准叠加导致标识混乱:同一张卡可能同时存在Class 10、U3、V30等冗余标识[60][62] - 厂商营销词汇加剧认知难度,如Professional/Extreme Pro等跨品牌无统一标准[62] - 选购核心逻辑:先匹配设备支持的容量标准(SD/SDHC/SDXC),再根据用途选择速度等级(相机重V等级,手机重A2随机读写)[37][45][59] - 技术迭代与标准碎片化并存,行业需推动标识简化与标准整合[34][64] 接口技术对比参考 - 全功能USB-C支持10Gbps传输/100W充电/4K 120Hz视频[5] - USB4 V2.0实现80Gbps传输/240W充电/8K 120Hz视频,雷电5同等性能但额外支持64Gbps PCIe传输[5] - 雷电接口持续领先:雷电3(20-40Gbps)→雷电4(40Gbps)→雷电5(80Gbps),视频输出能力同步提升[5]
连板率创近一个月新低【情绪监控】
量化藏经阁· 2025-03-27 20:08
市场表现 - 上证50指数上涨0.51%,沪深300指数上涨0.33%,中证500指数上涨0.15%,中证1000指数下跌0.10%,中证2000指数下跌0.73% [4] - 科创100指数表现较好,上涨1.14%,科创50指数上涨1.12%,创业板指上涨0.24%,北证50指数下跌0.69% [4] - 中证500成长指数上涨0.67%,沪深300成长指数上涨0.44%,沪深300价值指数上涨0.22%,中证500价值指数下跌0.13% [4] - 医药行业表现最好,收益1.88%,食品饮料、基础化工、银行、电子行业分别上涨0.84%、0.72%、0.46%、0.36% [5] - 有色金属行业表现最差,收益-1.27%,综合、钢铁、机械、建筑行业分别下跌1.08%、1.07%、1.05%、0.94% [5] - 光刻机概念涨幅最高,达4.99%,长江存储、阿尔兹海默、化学制药精选、中芯国际产业链概念分别上涨3.63%、3.27%、3.13%、3.06% [7] - 光热发电概念跌幅最大,达-3.33%,光纤、自行车、超导、钒钛概念分别下跌3.12%、3.12%、3.05%、3.04% [7] 市场情绪 - 收盘时53只股票涨停,30只股票跌停 [9] - 昨日涨停股票今日收盘收益-0.90%,昨日跌停股票今日收盘收益-3.86% [12] - 今日封板率61%,较前日下降15%,连板率13%,较前日下降11%,连板率创近一个月新低 [14] 市场资金流向 - 截至20250326两融余额19297亿元,融资余额19184亿元,融券余额113亿元 [18] - 两融余额占流通市值比重2.4%,两融交易占市场成交额比重8.7% [20] 折溢价 - 20250326信创50ETF溢价0.77%,科创综指ETF鹏华折价0.39% [23] - 近半年大宗交易日均成交金额16亿元,20250326当日成交金额8亿元,当日折价率10.33%,创近半年新低 [26] - 近一年上证50股指期货主力合约年化升水率中位数0.24%,沪深300年化贴水率中位数1.29%,中证500年化贴水率中位数6.47%,中证1000年化贴水率中位数10.64% [29] - 20250327上证50股指期货年化贴水率0.04%,沪深300年化贴水率3.16%,中证500年化贴水率9.90%,中证1000年化贴水率13.08% [29] 机构关注与龙虎榜 - 近一周汇顶科技被126家机构调研,芯动联科、汤臣倍健、巨星农牧、金徽酒等也被较多机构调研 [32] - 20250327龙虎榜机构净流入较多股票包括C华远、红宝丽、力星股份、久盛电气等,净流出较多股票包括新莱应材、三维通信、南方精工等 [35] - 陆股通净流入较多股票包括亚星锚链、深圳华强、富岭股份等,净流出较多股票包括佛山照明、韶能股份、大连重工等 [38]