公司专利技术 - 通威微电子申请了一项名为"一种沟槽 MOSFET 器件及其制作方法"的专利，公开号 CN119997567A，申请日期为 2025 年 4 月 [1] - 该专利涉及半导体技术领域，通过改进栅氧层结构和材料（低 K 介质层），大幅降低栅氧失效概率，提高栅氧可靠性及器件鲁棒性 [1] - 专利技术方案包括 N 型衬底、双外延层结构、沟槽区栅极设计等具体工艺细节 [1] 公司基本情况 - 通威微电子成立于 2021 年，位于成都市，主要从事计算机、通信和其他电子设备制造业 [2] - 公司注册资本达 8.5 亿人民币，显示较强的资金实力 [2] - 公司已参与招投标项目 14 次，拥有 287 条专利信息和 12 个行政许可，显示较强的技术积累和业务活跃度 [2]

光电子信息产业发展 - 光电子信息产业规模从不足50亿元增长至突破6000亿元 [1] - 2000年13位住鄂全国政协委员提出提案建议在武汉建立"中国光谷" [1] 激光技术应用 - 华工激光复杂曲面六轴激光微孔加工装备可在2秒内完成孔径0.3毫米、倾斜角15度的发动机气膜冷却孔加工 [3] - 激光加工技术在航空精密件领域具有高效优势 [3] 机器人技术发展 - 机器人及穿戴型肢体动作识别设备可应用于高风险地质勘探场景如狭窄矿洞探测 [3] 半导体技术创新 - 九峰山实验室展示搭载氮化镓芯片的AI眼镜 芯片集成于镜腿中 [7][8] - AI眼镜具备会议提词、眨眼拍照、无线充电等功能 未来有望普及半导体技术 [8] 行业活动与展示 - 第二十届光博会展示多项前沿技术包括激光装备、机器人、半导体等 [3][7][8] - 华工科技、九峰山实验室等企业参展并演示最新科技成果 [3][7][8]

文章核心观点 - 英特尔多家客户对14A技术感兴趣 [1]

文章核心观点 中芯国际旗下三家公司申请“半导体结构及其形成方法”专利，该方法可提高器件集成度，同时介绍了中芯国际集成电路制造(北京)有限公司的基本情况 [1][2] 专利申请情况 - 中芯国际集成电路制造(北京)、中芯京城集成电路制造（北京）、中芯国际集成电路制造(上海)申请“半导体结构及其形成方法”专利，公开号CN 119833523 A，申请日期为2023年10月 [1] - 专利方法包括提供存储晶圆和第一衬底、形成第一器件层、键合、形成阱区、导电插塞和互连结构等步骤，可使各晶圆竖直电连接，减小水平芯片面积，提高器件集成度 [1] 公司基本情况 - 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司成立于2002年，位于北京，从事计算机、通信和其他电子设备制造业 [2] - 企业注册资本100000万美元，对外投资1家企业，参与招投标项目51次，有专利信息5000条，拥有行政许可226个 [2]