宽禁带半导体
搜索文档
这家公司赴港IPO,不过有股东减持套现超4亿
国际金融报· 2025-03-26 00:05
公司概况与行业地位 - 天岳先进是全球排名前三的碳化硅衬底制造商,按2023年碳化硅衬底销售收入计算[1] - 公司专注于高质量碳化硅衬底的研发与产业化,业务覆盖电动汽车、AI数据中心、光伏系统等领域[1] - 截至2024年9月30日,已与全球前十大功率半导体器件制造商中一半以上建立合作关系[1] 财务表现 - 2020-2023年营业收入分别为4.25亿元、4.94亿元、4.17亿元和12.51亿元[7] - 同期归母净利润为-6.62亿元、0.9亿元、-1.75亿元、-0.46亿元,连续两年亏损[7] - 2024年实现营业收入17.68亿元,同比增长41.37%,归母净利润1.8亿元,实现扭亏为盈[7] - 碳化硅衬底销售收入占比从2022年78.2%提升至2023年86.8%,2024年前三季度为82.2%[8] 产品与市场 - 碳化硅衬底销量从2022年6.38万片增至2024年前三季度25.15万片[8] - 平均售价从2022年每片5110元降至2023年4798.1元,2024年前三季度进一步降至4185元[8] - 碳化硅单晶衬底具有优异物理性能,但制备工艺精密复杂,需高温低压密闭环境[2] 资本市场表现 - 2022年1月科创板上市发行4297.11万股,发行价82.79元,募资35.58亿元,首日市值367.4亿元[2] - 股价从2022年10月高点137.5元下跌,曾于2022年4月跌至41元,市值蒸发上百亿元[4] - 2023年以来股东辽宁中德、海通新能源和海通创新两次减持,2024年10月完成减持787万股(占总股本1.8315%),套现4.34亿元[8] 股权结构 - 创始人宗艳民直接持股30.0906%,2022年以130亿元财富成为济南首富,2024年降至65亿元[2][4][9] - 其他主要股东包括济南国材持股9%、哈勃投资持股6.3444%、辽宁中德持股7.9305%[2][10] - 战略配售曾获海通证券等多家知名机构参与,IPO超募12.03亿元[3] 港股IPO计划 - 公司申请港交所上市,中金公司和中信证券担任联席保荐人[1] - 募资净额拟用于扩张8英寸或更大尺寸碳化硅衬底产能、加强研发能力及营运资金[10]
首批报告嘉宾公布!2025九峰山论坛蓄势待发
半导体芯闻· 2025-03-14 18:22
2025九峰山论坛概况 - 全球化合物半导体领域旗舰级盛会,将于2025年4月23-25日在武汉光谷科技会展中心举办 [2] - 包含11大平行论坛,覆盖从关键材料到AI赋能的EDA工具链、光子神经网络到太赫兹通信技术等前沿领域 [2] - 已确认超100份高质量重磅报告,首批演讲嘉宾名单公布 [4] 平行论坛核心亮点 技术前沿 - 聚焦神经形态计算、二维材料器件、硅光量子集成、宽禁带半导体等前沿领域,覆盖类脑芯片、第三代半导体、先进封装技术 [5] - 异质集成技术融合材料/封装/电路设计,神经形态器件突破传统架构,光电子技术赋能AI算力革命 [7] 产业链协同 - 全链条布局从材料制备、核心装备、检测技术到系统集成,形成"基础研究-技术开发-产业化应用"生态闭环 [6] - 集中展示国产透射电镜、化合物半导体装备、光电测试仪器等关键成果,揭秘国产FIB、SiC刻蚀核心技术突破 [8] 市场应用 - 深度解析5G通信、智能驾驶、量子计算等领域需求,分享新能源汽车、数据中心等场景下的半导体解决方案 [9] - 汇聚全球领军企业、科研机构与投资机构,共商第三代半导体产能布局、检测技术标准制定等议题 [10] 平行论坛嘉宾阵容 - **化合物半导体关键材料**:明士新材料研发总监陈兴、超硅半导体副总裁胡浩、化讯半导体CTO黄明起 [12] - **光电子技术**:EDWATEC首席技术官Amir Youssefi、华中科技大学教授邓磊/董建绩 [13][14] - **先进显示技术**:秋水半导体董事长蒋振宇、瑞典皇家科学院院士Lars SAMUELSON [15] - **先进半导体检测技术**:中科院研究员曹兴忠、滨松光子销售经理工藤宏平、华中科技大学教授谷洪刚 [17][18] 论坛日程框架 - **4月22日**:注册报到 [19] - **4月23日**:开幕式、主旨报告、平行论坛1-4(关键材料/核心装备/EDA工具链/光电子技术) [19] - **4月24日**:平行论坛5-6(功率电子技术/无线电子技术) [19] - **4月25日**:平行论坛7-11(先进显示/异质集成/类脑计算/检测技术/第三代半导体标准) [19][20]
【电子】充分受益AI数据中心及AR眼镜等行业增长,天岳先进进入业绩快速增长期——碳化硅行业跟踪报告之一(刘凯/于文龙)
光大证券研究· 2025-02-27 21:48
碳化硅材料特性 - 碳化硅由碳和硅元素组成,具有高硬度、耐高压、耐高频、高热导性、高温稳定性及高折射率等优异物理化学性能 [2] - 宽禁带半导体(碳化硅/氮化镓)相比硅基半导体具备高频、高效、高功率、耐高压、耐高温等优势,是半导体行业未来重要方向 [2] - 碳化硅的高禁带宽度、高击穿电场强度、高电子饱和漂移速率和高热导率使其在电力电子器件中发挥关键作用,尤其在xEV及光伏领域表现突出 [2] 碳化硅应用领域 - 碳化硅衬底和外延片可应用于功率半导体器件、射频半导体器件,下游覆盖xEV、光伏储能、电力电网、轨道交通、通信、AI眼镜、智能手机及半导体激光等行业 [3] - 碳化硅在功率半导体器件中渗透率从2019年1 1%提升至2023年5 8%,预计2030年达22 6% [4] 市场增长趋势 - 2019-2023年xEV领域碳化硅功率半导体器件全球收入复合年增长率达66 7%,2024-2030年预计仍保持36 1%高增长 [4] - 光伏储能、电网、轨道交通领域2024-2030年复合年增长率预计分别为27 2%、24 5%和25 3% [4]