债务重组与资本结构优化 - Wolfspeed与主要债权人签署重组支持协议（RSA），涉及97%优先担保票据债权人、瑞萨电子子公司及67%可转换债券持有人[1] - 交易将使公司整体债务减少约70%（46亿美元），年度现金利息支出减少约60%[1] - 公司获得2.75亿美元新融资，形式为第二留置权可转换票据，由现有可转换债券持有人全额支持[3] - 优先担保票据将以109.875%利率偿还2.5亿美元，同时降低未来现金利息和流动性要求[3] - 52亿美元现有可转换票据和瑞萨电子贷款将转换为5亿美元新票据和95%新普通股[3] 股权结构调整 - 现有股权将被取消，持有人按比例获得3%或5%新普通股，可能因其他股权发行而稀释[4] - 瑞萨电子将获得2.04亿美元可转换票据（占重组后股份13.6%未稀释/11.8%完全稀释）[8] - 瑞萨电子将获得38.7%普通股（未稀释）或17.9%（完全稀释）及5%认股权证[9][10] 运营与执行计划 - 公司计划根据美国破产法第11章提交自愿重组申请，预计2025年第三季度末完成[5] - 重组期间保持正常运营，继续向供应商付款并维持员工薪酬福利计划[5] - 碳化硅材料和器件供应不受影响，公司强调200毫米全自动制造基地的技术领先优势[2][5] 瑞萨电子财务影响 - 瑞萨电子20.62亿美元定金将转换为Wolfspeed可转换票据、普通股和认股权证[7] - 预计在2025年6月30日前合并报表中记录约2500亿日元损失（按150日元/美元汇率）[10] - 原定2025年上半年利润预测保持不变，因采用Non-GAAP标准未调整[11] 战略定位与行业影响 - 公司强调碳化硅技术全球领导地位，聚焦电气化转型中质量、耐用性和效率需求[2] - 重组旨在加速盈利并支持长期增长战略，巩固碳化硅市场领先地位[1][2] - 瑞萨电子保留在未获监管批准时获得同等经济价值工具的权利[10]

公司重组计划 - 公司宣布与主要债权人达成《重组支持协议》以优化资本结构并加速盈利进程 [1] - 计划通过预打包重组大幅削减总债务约70%相当于减少46亿美元负债 [2] - 年度现金利息支出预计降低60%显著提升财务稳健性 [2] - 公司将获得2.75亿美元新融资以第二留置权可转换票据形式提供 [2] 债务与股权安排 - 现有股权持有人将按比例获得新公司普通股3%或5%的份额 [2] - 2.5亿美元优先担保票据将以109.875%溢价部分偿付 [3] - 52亿美元可转换债券及Renesas贷款债权将置换为5亿美元票据及新发行普通股95%初始股权 [3] 运营保障与资金状况 - 公司承诺破产重整期间维持正常经营确保全球客户供应不受影响 [3] - 通过紧急裁决动议保障供应商付款员工薪酬及福利计划持续执行 [3] - 截至2025财年第三季度公司拥有约13亿美元现金储备 [4] 管理层表态与战略目标 - 首席执行官强调此次重组是全面评估后的最佳选择旨在强化财务基础 [3] - 公司作为碳化硅技术全球领导者拥有全自动化200毫米专用生产体系 [3] - 重组后公司将更专注于电气化垂直领域的快速增长与创新 [4]

公司重组计划 - Wolfspeed宣布根据第11章破产法进行重组以整合债务，并与主要贷方达成重组支持协议[2] - 重组计划将消除公司67亿美元总债务中的约70%（约46亿美元），并减少年度现金利息支出总额约60%[2][6] - 重组后债权人对公司控制权将增强，现有股权将被取消，持有人按比例获得3%或5%的新普通股[2][8] 财务与资本结构优化 - 公司获得2.75亿美元新融资，以第二留置权可转换票据形式由现有可转换债券持有人支持[7] - 优先担保票据将以109.875%利率偿还，并修改条款以降低未来现金利息和流动性要求[8] - 52亿美元现有可转换票据和瑞萨电子贷款将置换为5亿美元新票据和95%新普通股[8] 市场与运营影响 - 公司股价自2024年以来已下跌约96%[4] - 半导体需求疲软及政策不确定性（如《芯片与科学法案》17.5亿美元拨款可能取消）加剧财务压力[3] - 重组期间公司将继续正常运营，供应商付款和员工薪酬不受影响[9] 战略与未来展望 - 公司预计2025年第三季度末完成重组，目标为长期增长和盈利加速奠定基础[5][6] - 首席执行官强调碳化硅技术领先地位及200毫米制造基地优势，聚焦电气化转型领域创新[7] - 重组后公司将专注于快速扩张的垂直行业，强化在碳化硅市场的竞争力[6][7]

行业动态 - 5月15日上海将举办"电动交通&数字能源SiC技术应用及供应链升级大会"，三菱电机、意法半导体、Wolfspeed等多家企业参会 [1] - 12英寸碳化硅技术成为行业新趋势，2025Q1共有13家碳化硅企业公布12英寸技术进展 [1][3] 技术突破 - 7家SiC企业公布12英寸技术进展，聚焦激光切割、电阻法等工艺 [3] - 连城数控开发"8吋/12吋碳化硅电阻炉及工艺成套技术"，加热功率下降35%至28Kw，技术达国际领先水平 [5][6][8] - 中国电科装备推出8至12英寸碳化硅材料加工智能解决方案，单片加工时间从90分钟缩短到25分钟，晶片损失从220微米减少到80微米 [9] 衬底发展 - 6家中国SiC企业展示12英寸SiC晶锭和衬底，包括天岳先进、烁科晶体、天科合达等 [3][10][12] - 12英寸SiC衬底分为5种类型：导电型(N型和P型)、半绝缘/光学级、热沉级、多晶型 [14] - 天科合达2025年H2将推出12英寸产品瞄准AR眼镜光波导镜片市场 [16] 应用前景 - 12英寸导电型衬底在功率半导体应用仍需时间，目前80%的12英寸晶圆用于逻辑芯片和存储芯片 [15] - 非导电型12英寸SiC晶圆预计未来2-3年将应用于AR眼镜、散热片、先进封装等领域 [17] - AR眼镜光波导镜片潜在规模达百万片级(8英寸)，散热片基板衬底潜在规模达数万片(12英寸) [17]

财务表现 - 公司2025年一季度营收4 1亿元 同比微降但显著优于行业表现 [1] - 产品出货量增长但价格下降 导致阶段性营收下滑 [1] - 市场份额稳步增长 2024年全球导电型碳化硅衬底市场占有率稳居前三 [1] 行业动态 - 碳化硅半导体行业增长受宏观环境影响 终端需求复苏放缓 [1] - 碳化硅在新能源汽车800V高压平台中成为刚需 主驱逆变器 车载充电机等环节应用广泛 [1] - 800V高压平台向低价车型渗透 将持续拉动碳化硅产业需求 [1] 市场前景 - 新能源汽车 AI眼镜 智能电网等新兴领域市场空间广阔 [2] - 内需市场长期向好 为公司提供稳定增长动力 [2] - 客户覆盖全球前十大功率半导体企业超半数 品牌国际影响力显著 [2] 研发与技术 - 一季度研发支出4494万元 占营收比例11 02% [2] - 核心技术覆盖设备设计 晶体生长 衬底加工等全环节 拥有十余年技术积累 [2] - 研发重点包括产品矩阵完善 新兴市场布局 质量成本优化 [2] - 光学级碳化硅材料在AR眼镜领域应用加速推进 [2]

呼和浩特投融资大会核心内容 - 大会主题为"投资青城 产融共赢"，旨在集聚资本与智慧资源，搭建产融对接平台，为地区产业转型升级注入动力 [1] - 呼和浩特市聚焦"六大产业集群"，依托政府投资基金打造"科技-产业-金融"循环体系，培育经济增长新动能 [1] - "耐心资本+科技创新"被定位为推动区域经济高质量发展的双引擎 [1] 大会议程安排 - 上午议程包含政府致辞、主题推介、签约仪式和两场主旨发言，主题分别为金融与产业协同发展、耐心资本驱动创新 [4] - 下午设置高端对话环节，讨论优化投资生态布局和打造产业高地 [4] - 14:30-16:30举办"六大产业集群"投融资合作对接会，包含赛罕区、经开区、和林格尔新区三个专场 [5][6] 参会企业及项目 - 新能源领域：欧晶科技（单晶硅棒硅片生产）、双杰塞都电气（新能源装备制造） [7] - 新材料领域：赛盛新材料（碳化硅材料研发）、宝升高新科技（无人机解决方案） [7] - 生物技术领域：金宇生物（兽用生物制品）、宇航人生物（沙棘产业开发） [7] - 数字经济领域：中科超算（大模型训练平台）、显鸿科技（物联网服务）、和林格尔新区城市大脑 [7][8] - 其他重点项目：北斗应用产业园（导航产业平台）、经开区智慧园区（VR技术应用） [7]

点击注册小程序 查看完整报告 特别申明： 本订阅号中所涉及的证券研究信息由光大证券研究所编写，仅面向光大证券专业投资者客户，用作新媒体形势下研究 信息和研究观点的沟通交流。非光大证券专业投资者客户，请勿订阅、接收或使用本订阅号中的任何信息。本订阅号 难以设置访问权限，若给您造成不便，敬请谅解。光大证券研究所不会因关注、收到或阅读本订阅号推送内容而视相 关人员为光大证券的客户。 今 日 聚 焦 【有色】电碳与工碳价差为去年11月以来新低，氧化镨钕价格创近5个月新高 ——金属新材料高频数据周 报（20250217-20250223） 军工新材料：价格持平。新能源车新材料：氧化镨钕价格创近5个月新高。光伏新材料：EVA价格上涨。 氧化镨钕价格创近5个月新高，关注2025年需求情况。锂价已跌至8 万元/吨以内，产能后续存在加速出清 的可能性，锂矿板块建议关注成本具有优势且资源端存在扩张的标的。 （王招华/马俊/王秋琪） 2 025- 02-27 您可点击今日推送内容的第1条查看 【电子】充分受益AI数据中心及AR眼镜等行业增长，天岳先进进入业绩快速增长期——碳化硅行业跟踪报 告之一 碳化硅材料拥有耐高压、耐高频、高热 ...

碳化硅材料特性 - 碳化硅由碳和硅元素组成，具有高硬度、耐高压、耐高频、高热导性、高温稳定性及高折射率等优异物理化学性能 [2] - 宽禁带半导体（碳化硅/氮化镓）相比硅基半导体具备高频、高效、高功率、耐高压、耐高温等优势，是半导体行业未来重要方向 [2] - 碳化硅的高禁带宽度、高击穿电场强度、高电子饱和漂移速率和高热导率使其在电力电子器件中发挥关键作用，尤其在xEV及光伏领域表现突出 [2] 碳化硅应用领域 - 碳化硅衬底和外延片可应用于功率半导体器件、射频半导体器件，下游覆盖xEV、光伏储能、电力电网、轨道交通、通信、AI眼镜、智能手机及半导体激光等行业 [3] - 碳化硅在功率半导体器件中渗透率从2019年1 1%提升至2023年5 8%，预计2030年达22 6% [4] 市场增长趋势 - 2019-2023年xEV领域碳化硅功率半导体器件全球收入复合年增长率达66 7%，2024-2030年预计仍保持36 1%高增长 [4] - 光伏储能、电网、轨道交通领域2024-2030年复合年增长率预计分别为27 2%、24 5%和25 3% [4]