21世纪经济报道记者王峰 孙燕 北京、上海报道 近日，"百万英才汇南粤"2025年N城联动秋季招聘活动 （以下简称"N城联动秋招活动"）在北京、上海同步启幕，正式打响广东秋招季跨省揽才的"头炮"。 今年2月，广东启动"百万英才汇南粤"行动计划，拿出具有竞争力的薪酬和岗位，吸纳100万高校毕业生 来粤、留粤就业创业。截至2025年7月中旬，揽才目标提前实现。 此次N城联动秋招活动中，参聘单位将分赴全国超100所重点高校，提供超12万个优质岗位。通过大规 模人才吸纳，精准服务国家战略、赋能新兴行业发展。 服务科技自立自强 粤港澳大湾区国际科技创新中心已经全面启动建设，科研人才需求强烈。 广州国家实验室、鹏城国家实验室、深圳平湖实验室、江门双碳实验室、中国科学院深圳先进技术研究 院等参加了招聘会，发布大量岗位。 鹏城国家实验室此次带来研究员、工程师、博士后等百余个岗位，最高年薪达100万元。国家第三代半 导体技术创新中心深圳综合平台主任、深圳平湖实验室主任万玉喜介绍，该平台围绕碳化硅（SiC）、 氮化镓（GaN）、下一代先进功率电子材料及器件、核心装备及零部件、配套材料等领域，开展核心技 术攻关。今年计划招聘30位 ...

**行业与公司** * 行业涉及人工智能（AI）芯片、高性能计算（HPC）、先进封装和碳化硅（SiC）材料[1][13][40] * 公司包括台积电（TSMC）、英伟达（NVIDIA）、Marvell、ASE、英特尔（Intel）、三星（Samsung）、Wolfspeed、环球晶圆（GlobalWafers）等[1][45][300] **核心观点与论据** * AI芯片功率需求激增，单个GPU电流超过1000A，传统电源分配网络（PDN）和热管理方法接近极限，导致IR压降和瞬态电压下降[5][29][235] * 台积电通过CoWoS-L平台嵌入IVR和eDTC以增强功率稳定性，并开发背面电源分配网络（BSPDN）分离电源与信号层，减少电压降[10][236][293] * 碳化硅（SiC）因宽禁带、高热导率（370-490 W/m·K）、高击穿场强等特性，成为解决AI芯片热管理、电源分配和光互连的关键材料[14][40][120] * SiC可作为高压集成电路（HVIC）衬底、光互连基板和支持Chiplet与HBM堆叠的机械增强层，连接PDN、热管理和光互连领域[16][17][40] * 台积电探索将SiC引入COUPE平台，以同时解决热、电、光挑战，并在AI封装中建立竞争优势[44][196][230] * 12英寸SiC晶圆面临缺陷密度控制、工艺兼容性和成本挑战，但市场预计以22.24%的复合年增长率（CAGR）从2025年的9.7亿美元增长至2030年的26.5亿美元[53][168][216] * 英特尔专注于光学互连（OCI、CPO），三星采用玻璃中介层降低成本，而台积电通过SiC差异化应对热、电、光集成需求[45][205][209] **其他重要内容** * SiC在增强现实（AR）眼镜波导中应用，折射率2.6-2.7可实现70-80°视野（FOV），厚度仅0.55 mm，重量2.7 g，并解决“彩虹效应”和热管理问题[63][65][66] * Through-SiC Via（TSiCV）技术在高频和高温环境中表现优异，插入损耗低于0.5 dB/10 mm，适用于毫米波通信和恶劣环境MEMS集成[243][250][276] * Wolfspeed因中国SiC供应商崛起面临价格竞争（2024年衬底价格下降30%）、需求疲软和债务压力（65亿美元债务），而中国计划2027年实现12英寸SiC量产[134][136][137] * Marvell推出封装集成电压调节器（PIVR），将VRM嵌入封装缩短电源路径，降低PDN阻抗，与台积电的IVR和eDTC策略互补[7][287][289] * 环球晶圆提出SiC载板架构，将SiC作为纯热传导层插入封装堆栈，避免界面热阻问题，提升GPU和HBM的热耗散效率[302][304][305] **数据与百分比** * SiC热导率370-490 W/m·K，优于硅（150 W/m·K）和玻璃（0.9-1.5 W/m·K）[107][112] * 12英寸SiC晶圆缺陷导致良率低，8英寸良率较6英寸低15-20%[212][213] * SiC衬底价格2024年下降约30%[138] * 全球SiC晶圆市场预计从2025年9.7亿美元增长至2030年26.5亿美元，CAGR 22.24%[168][216] * 台积电IVR解决方案功率密度是离散VR的5倍[292]

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容来自半导体芯闻综合。 阿肯色大学 (UAPG) 是 全球知名的半导体和电力电子研究机构，其电力集团 (UAPG) 今天宣布启 动 美 国 首 个 多 用 户 碳 化 硅 半 导 体 研 究 制 造 设 施 (MUSiC) 。 MUSiC 是 美 国 首 个 致 力 于 碳 化 硅 (SiC) 研究、原型设计和大规模商业化的开放式 SiC 晶圆厂。 MUSiC 加速美国 SiC 商业化进程，同时持续推进 SiC 及相关材料的研究。MUSiC 的核心目标是 提供先进的原型设计能力，降低创新门槛，并缩短开发周期。其提供的行业参与模式涵盖标准多项 目晶圆、半定制平台、外部研发模块集成以及全定制构建。这种多功能性确保美国早期创新者和成 熟合作伙伴都能获得量身定制的途径，以满足其商业化需求。 "MUSiC 为美国提供了无与伦比的 SiC 研发资源，"UA Power Group 执行董事、阿肯色大学杰出 教授 Alan Mantooth 博士补充道。"MUSiC 的独特之处在于它能够充当研发与量产之间的桥梁， 帮助我们的合作伙伴（无论大小）提供从创新到市场部署的直接途径 ...

英伟达电力系统升级与SiC技术应用 - 英伟达启动电力系统革命 将AI服务器芯片输出电压从54V大幅提升至800V 未来计划利用SiC元件升级电力系统以打造高效能服务器机柜 [1][2] - 公司致力于推动800V高压直流数据中心架构 预计2027年实现全面量产 今年5月起已与Infineon、onsemi、Navitas等企业公开合作推进800V HVDC与SiC器件导入 [2] SiC技术特性与行业应用 - 碳化硅是一种由硅与碳化合而成的化合物半导体材料 具有更宽的能隙 耐温超过200摄氏度 高耐压特性 适合高电压环境稳定运作 散热性能优异 可提升电力转换效率 [1] - 该技术长期应用于5G通讯、电动车与充电桩电源模块、逆变器 以及可再生能源风电、太阳能逆变器和工业设备高压电源供应、伺服马达控制等领域 [1] 电力需求增长与技术挑战 - AI服务器电力消耗从千瓦级别跃升至百万瓦级别 未来电力需求预计暴增近100倍 [2] - 传统54V架构在铜耗、空间与转换效率上接近极限 多重整流和降压现象导致显著损耗与散热负担 高压快速开关环境需依赖SiC等宽能隙器件提升效率与功率密度 [2] - SiC元件在高温高压环境下具有更稳定电阻和更低损耗 但会放大某些负面效应 需更精细布线与设计 电力系统控制和安规验证复杂度增加 [4] 供应链与产业升级影响 - SiC元件导入意味着电力系统全面升级 涉及整条供应链提升 包括服务器电源供应器和高压直流配电模块 技术专业要求显著提高 [4][5] - 服务器机柜架构串联因效能提升需依赖SiC材料打造的高压电力系统 但芯片封装、CPU、GPU等核心设计制造仍依赖硅材料 SiC并非完全替代硅 [3] 历史应用限制与当前突破 - 过去因服务器电压要求不高（54V/48V供电架构） SiC的高成本优势难以发挥 且架构设计不匹配 [4] - 当前AI算力发展推动高压需求 SiC成为电源厂关键材料升级 技术应用从低阶向高阶电力系统转型 [1][4]

展会概况 - 2025年湾区半导体产业生态博览会（湾芯展）将于10月15—17日在深圳会展中心举办，展现全球半导体产业创新活力与商机 [1] - 展会规模扩容50%，总展示面积达60,000平方米，相当于8个标准足球场 [1] - 汇聚600家行业头部企业，预计吸引60,000名专业观众，举办20余场技术峰会和产业论坛 [1] 展区布局 - 四大核心展区全面升级：晶圆制造、化合物半导体、IC设计、先进封装，覆盖全产业链 [4] - 首创"技术展示+应用生态场景"模式，设立AI芯片生态、RISC-V生态、Chiplet与先进封装生态三个专区 [6] 参展企业 - 吸引600余家国内外龙头企业参展，包括北方华创、新凯来、华海清科等本土企业，以及ASML、Applied Materials、ZEISS等国际巨头 [8] - 晶圆制造展区展示8英寸到12英寸晶圆制造全流程解决方案 [7] - 化合物半导体展区聚焦GaN、SiC等材料在5G通信、新能源汽车等领域的应用 [7] 商务对接 - 展会撬动超百亿元产业合作机遇，涵盖设备采购、技术授权、产线建设等领域 [9] - 创新"项目采购展"模式，实现采购方与供应商精准对接 [11] - 六城联动产业协同，覆盖上海、无锡、合肥、武汉、深圳、广州六大半导体产业集聚城市 [12][13] 服务体系 - 构建全年度服务生态，实现展前精准匹配、展中高效对接、展后持续跟进 [10] - 提供展前需求调研、展中商务协调、展后项目跟踪等全流程服务 [19] - 举办四大主题供需对接会，聚焦设备采购、制造与设计服务、先进封装与测试、化合物材料及功率器件 [14][16] 展会目标 - 推动中国半导体产业从"技术跟跑"向"创新领跑"跨越，构建自主可控产业生态 [17] - 搭建全球半导体产业合作桥梁，促进技术创新、资本融合、人才交流 [17]

报告公司投资评级 未提及 报告的核心观点 2025年Q2意法半导体营收超预期但受重组、减值等影响单季度亏损，各下游业务有不同表现，库存待改善，公司预计Q3业绩好转，正执行制造布局重塑等战略以提升竞争力 [1][2] 各部分总结 意法半导体2025Q2情况 - 业绩情况：营收27.7亿美元（QoQ+9.9%，YoY - 14%）超指引中值，毛利率33.5%（QoQ+0.1pct，YoY - 6.6pct）与指引持平，净亏损0.97亿美元，非美国通用会计准则下净利润0.57亿美元 [1][2][8] - 营收划分：模拟、MEMS和传感器产品部营收同比降15.2%，功率和分立产品部降22.2%，嵌入式处理部降6.5%，射频与光通信部降17.9% [12][13][14] 战略重点领域 - 工业领域：Q2营收环比增约15%，同比降约8%超预期，确认Q1为市场底部，订单出货比超1，预计Q3环比增长，渠道库存改善，宣布与英伟达合作 [21] - 汽车领域：Q2营收环比增约14%，同比降约24%，确认Q1为业务低点，预计Q3环比增长，但订单出货比降至1以下，全球贸易和关税带来不确定性 [20] - 个人电子产品领域：Q2营收环比增约3%，同比降约5%好于预期，增长源于合作项目内容增加 [25] - 通讯设备与电脑外设领域：Q2营收环比增约6%，同比降约5%好于预期，增长机遇来自低地球轨道卫星市场 [23] 公司未来展望 - 2025Q3业绩指引：营收指引中值31.7亿美元（QoQ+14.6%，YoY - 2.5%），毛利率指引中值33.5%（QoQ持平），未提供全年营收指引，净资本支出维持在20 - 23亿美元 [4][24] - 公司发展战略：执行制造布局重塑和成本调整计划，目标到2027年底实现高额三位数百万美元级年度成本节约；推行“中国为中国”战略；保持技术与产品领先 [27][28] Q&A环节 - 毛利率：Q3毛利率环比降140个基点，预计Q4有“良好改善” [29][30] - 营收：预计Q4环比增长 [31] - 订单模式：Q3多数业务环比和同比增长，汽车业务基本处转折点，未观察到客户提前拉货 [32] - Mobileye业务：意法半导体负责EyeQ5、EyeQ6和EyeQ7全部设计等，公告不影响未来三到五年营收 [33] - 业绩变化：同比降幅收窄，未增长主要因无形资产减少和特定汽车客户预测下调 [34] - 特定客户：非市场份额损失，预计长远恢复 [35] - Q4增长：积压订单预示环比增长，有望接近同比增长转折点，未看到与美国电动汽车税收法案相关重大影响 [37] - 工业市场复苏：由真实需求驱动，通用微控制器是主要驱动力 [39] - 毛利率改善：虽汇率有负面影响，但未使用产能费用减少、制造效率提升和产品组合优化可支撑 [40] - 中国市场：通过“中国为中国”战略应对，中国客户贡献约13 - 14%总营收 [41] - 产品情况：通用微控制器定价低个位数变动，800V DC - DC电源开发中 [42] - 库存与定价：渠道库存改善，中国碳化硅市场价格压力大，公司采取应对策略 [43][44]

英伟达主导AI数据中心电力架构革新 - 市值4万亿美元的英伟达虽不设计功率器件，但正在定义未来AI数据中心的电力电子特性和功能，主导下一代动力总成架构设计[2] - 公司联合英飞凌、MPS、Navitas等半导体供应商及台达、施耐德电气等系统商，推动向800V高压直流(HVDC)架构转型[3] 技术路线与合作伙伴动态 - 英伟达计划2027年推出Rubin Ultra GPU和Vera CPU，需突破传统54V机架配电限制，解决千瓦级机架空间与铜线过载问题[8][9] - 新800V架构要求开发800V转12V/50V高密度转换器，需兼顾功率密度、效率及外形尺寸[10] - 英飞凌指出SiC适用于高功率/高压环节，GaN更适合800V-50V高频转换，硅/GaN混合方案用于54V-6V低压转换[11] - Navitas通过收购GeneSiC强化GaN/SiC组合，正与英伟达合作48V至处理器供电方案的原型开发[15] 行业竞争与市场影响 - 英伟达的激进路线可能使开放计算项目(OPC)标准过时，导致数据中心解决方案重回非兼容状态[16] - Yole预测GaN增速将超越SiC，GaN在直流/直流转换领域机会显著，潜在市场规模远超SiC的1亿美元[19] 半导体技术趋势 - 新800V架构需发明半导体继电器以安全控制过流，替代传统机械开关[12] - 行业类比英伟达推动GaN如同"特斯拉的SiC时刻"，英飞凌、纳微等厂商竞相布局新兴GaN市场[6]

Nvidia主导AI数据中心电力架构革新 - Nvidia虽不设计功率器件，但正在定义下一代AI数据中心的动力总成架构，推动800V高压直流(HVDC)技术转型[1] - 合作伙伴包括英飞凌、MPS、Navitas等半导体厂商，以及台达、施耐德电气等电力系统供应商[1] - 计划2027年推出Rubin Ultra GPU和Vera CPU，淘汰54V机架配电技术以应对千瓦级功率需求[4] 宽带隙半导体技术竞争格局 - 英飞凌被Yole评为电力电子领导者，覆盖SiC、GaN及半导体继电器全技术栈[9][12] - Navitas通过收购GeneSiC强化SiC能力，同时利用GaN技术开发48V至处理器供电方案[13] - Yole预测GaN增速将超SiC，SiC市场约1亿美元而GaN机会更大[16] 800V HVDC技术挑战与创新 - 需开发800V转12V/50V高密度转换器，GaN因高频特性适合中压转换，SiC主导高压环节[6][8] - 新型半导体继电器需求涌现，需解决过流保护问题替代传统机械开关[9] - 固态变压器技术可能重塑电网架构，Navitas布局超高压SiC相关应用[14] 行业生态与标准化进程 - Nvidia的激进路线可能使开放计算项目(OCP)标准过时，导致数据中心兼容性分化[15] - 超大规模企业如谷歌/Meta的应对策略未明，电力电子供应商或需服务多套技术路线[15][16]

氮化镓（GaN）市场动态 - 台积电宣布两年内全面退出GaN代工业务，原因是来自中国大陆厂商的竞争侵蚀利润率，停止200毫米晶圆研发[1] - 力积电接替台积电承接Navitas的GaN订单，计划2026年上半年生产100V系列产品[2] - 英飞凌推进12英寸GaN产线，首批客户样品计划2025年第四季度发布，300毫米晶圆芯片产量比200毫米增加2.3倍[4] - 瑞萨电子暂停碳化硅项目，转向GaN，推出三款650V GaN FET，芯片尺寸缩小14%，导通电阻降低14%[5][6] - ST与英诺赛科深化合作，ST延长禁售期至2026年6月29日，双方签署联合开发和制造协议[8][9][11][12] 中国厂商崛起 - 英诺赛科2024年营收8.285亿元人民币，同比增长39.8%，海外收入1.26亿元，占总收入15.3%[14] - 英诺赛科当前晶圆产能1.3万片/月，计划提升至2万片/月[14] - GaN被列入中国"第三代半导体"重点扶持方向，获得政府基金支持[14] 市场前景与挑战 - GaN功率半导体市场2024-2028年复合年增长率预计达98.5%，2028年市场规模将超68亿美元[15] - 消费电子领域GaN市场规模2028年预计达29亿美元，复合年增长率71.1%[15] - 电动汽车领域GaN市场规模2028年预计达34亿美元，复合年增长率216.4%[15] - GaN面临从快充向电动汽车主驱系统等高压核心场景突破的挑战，需解决热管理、封装、电流能力等问题[16][17] - 马自达与ROHM合作开发GaN汽车零部件，计划2027财年实现实际应用[17]

氮化镓市场动态 - 台积电宣布两年内全面退出GaN代工业务，因中国竞争侵蚀利润率[3] - 力积电接替台积电承接Navitas订单，计划2026年上半年生产100V系列GaN产品[4] - 英飞凌推进12英寸GaN产线，首批客户样品计划2025年第四季度发布[5] - 瑞萨电子暂停SiC项目，转向GaN研发，推出三款650V GaN FET[7][8] - ST与英诺赛科深化合作，延长禁售期至2026年6月29日[10][11] 技术发展与市场前景 - GaN具有更高功率密度、更快开关速度和更低能量损耗，适合消费电子和工业应用[5] - 英诺赛科2024年营收8.285亿元人民币，同比增长39.8%，海外收入占比15.3%[13] - Frost & Sullivan预测2024-2028年GaN功率半导体市场CAGR达98.5%，2028年市场规模超68亿美元[14] - Yole预计消费电子GaN市场2028年达29亿美元，电动汽车领域达34亿美元[14] 行业竞争格局 - 英诺赛科全球首家实现8英寸硅基GaN晶圆大规模量产，产能1.3万片/月[13] - Navitas 2024年GaN业务增长超50%，获得超180个GaN充电器设计订单[4] - 中国GaN企业崛起，获政策支持和政府基金注入[13] - 马自达与ROHM合作开发汽车用GaN零部件，计划2027年实现实际应用[16] 应用挑战与机遇 - GaN需从快充等边缘应用迈向电动汽车主驱系统等高压核心场景[2][14] - 主驱电源对温升、EMI、浪涌承受能力要求极高，GaN在热管理等方面仍需提升[15] - GaN器件"驾驭"难度高，系统设计厂商需适配栅极驱动、电磁兼容等问题[16] - 特斯拉、丰田、大众等车企正将GaN用于车载充电器和电池管理系统[16]