来源：中国基金报 免责声明 文章封面图来源于AI，以上观点来自相关机构，不代表天天基金的观点，不对观点的准确性 和完整性做任何保证。收益率数据仅供参考，过往业绩和走势风格不预示未来表现，不构成 上天天基金APP搜索777注册即可领500元券包，优选基金10元起投！限量发放！先到先得！ 中国基金报记者最新获悉， 华为将于8月27日发布全新AI SSD（固态硬盘）产品，或将对中国AI存储器市场的现有格局产生重要影响。 在当前的AI存储器领域，HBM（高带宽内存）占据重要地位。HBM是一种通过3D堆叠和超宽接口，实现极高数据传输带宽的先进内存技 术，通常直接封装在GPU（图形处理器）卡中。 问题在于，相比于之前的内存技术，HBM牺牲容量换取极致带宽和能效的策略，导致现有算力卡上HBM的容量比较有限。 华为将发布的全新AI SSD产品，可以有效满足AI训练推理过程中的超大容量和超强性能的需求，助力AI训练推理、大模型部署。此举将进 一步强化华为存储器在AI时代的竞争力，推动国产存储生态发展。 据悉，华为计划与一体机厂商合作，改变现有局面，为AI存储器市场注入新活力，带来更多的可能性。 分享、点赞、在看 顺手三连越来越 ...

产品发布计划 - 华为将于8月27日发布全新AI SSD产品 [1] - 产品旨在满足AI训练推理过程中的超大容量和超强性能需求 [1] - 华为计划与一体机厂商合作改变现有市场局面 [1] 技术特点与优势 - 当前AI存储器领域HBM技术通过3D堆叠和超宽接口实现极高数据传输带宽 [1] - HBM技术牺牲容量换取极致带宽和能效 导致算力卡上HBM容量有限 [1] - 全新AI SSD产品可有效支持大模型部署 强化华为存储器在AI时代的竞争力 [1] 市场影响 - 新产品发布或将对中国AI存储器市场现有格局产生重要影响 [1] - 此举将推动国产存储生态发展 为AI存储器市场注入新活力 [1]

华为AI推理技术突破 - 华为将发布AI推理领域突破性技术成果 可能降低中国AI推理对HBM技术的依赖 [1] - 该技术有望提升国内AI大模型推理性能 完善中国AI推理生态关键部分 [1] - 华为联合中国银联将于8月12日共同发布AI推理最新应用成果 推出推理加速黑科技 [1] HBM技术重要性 - HBM是解决"数据搬运"问题的关键技术 [2] - HBM不足会导致AI推理体验下降 出现任务卡顿、响应慢等问题 [2] 金融AI推理论坛议程 - 8月12日将召开"2025金融AI推理应用落地与发展论坛" [3] - 论坛议程包括： - 14:10-14:30 银联推理应用成果介绍及发布仪式 [5] - 14:30-14:45 华为AI存储推理加速解决方案介绍 [5] - 14:45-15:00 大模型推理优化技术突破与产业落地新范式（信通院专家） [5] - 15:00-15:15 以KV Cache存储为中心的大模型推理架构（清华大学专家） [5] - 15:15-15:30 讯飞MaaS平台大模型高性能推理实践（讯飞专家） [5]

华为AI推理技术突破 - 公司将于8月12日发布AI推理领域突破性技术成果，可能降低中国AI推理对HBM技术的依赖，提升国内AI大模型推理性能，完善中国AI推理生态关键部分 [1] - 当前AI产业从"追求模型能力的极限"转向"追求应用价值的最大化"，推理成为AI下一阶段发展重心 [1] - HBM是解决"数据搬运"的关键，HBM不足会导致AI推理体验下降，出现任务卡顿、响应慢等问题 [2] 金融AI推理应用 - 公司携手中国银联共同发布AI推理最新应用成果，探索AI推理技术在金融领域的规模化落地路径 [3] - AI成为金融行业智能化转型核心驱动力，AI推理技术落地应用正在加快提升金融服务效率 [3] - 截至6月，公司在金融行业已携手全球超过1.1万名伙伴，在80多个国家和地区服务超过5600家金融客户 [3] 行业论坛与专家观点 - 信通院、清华大学和科大讯飞专家将在"2025金融AI推理应用落地与发展论坛"上分享大模型推理加速与体验优化实践 [2] - 公司是国家人工智能应用中试基地生态建设合作伙伴 [3] 相关ETF表现 - 食品饮料ETF(515170)近五日涨0.53%，市盈率19.93倍，最新份额60.0亿份，主力资金净流出668.8万元 [7] - 游戏ETF(159869)近五日涨7.91%，市盈率46.48倍，最新份额58.0亿份减少3.5亿份，主力资金净流入3106.7万元 [7] - 科创半导体ETF(588170)近五日涨0.37%，最新份额3.9亿份增加600.0万份，主力资金净流出664.7万元 [7] - 云计算50ETF(516630)近五日跌1.63%，市盈率114.56倍，最新份额3.9亿份减少200.0万份，主力资金净流出1490.2万元 [8]

全球半导体行业经济利润分配 - 全球半导体行业去年产生的经济利润几乎全部被前5%的头部企业瓜分，包括英伟达、台积电、SK海力士和博通等 [1] - 头部5%企业获得1590亿美元经济利润，中间90%企业利润总额仅50亿美元，最底层5%公司亏损370亿美元 [1] - 头部企业利润超过整个半导体行业创造的1470亿美元总经济利润 [1] - 市场结构在2-3年内发生巨变：疫情期间中间90%公司年均利润1.3亿美元，2023年降至3800万美元，去年进一步下滑至1700万美元，两年降幅达88% [1] AI半导体与传统半导体增长差异 - AI相关半导体公司预计将以每年18%-29%速度持续增长至2030年，非AI传统半导体企业年增长率仅2%-3% [2] - 部分企业借助AI浪潮获得前所未有的利润，但大多数公司面临完全不同的现实 [2] 赢家通吃现象的形成机制 - 领先企业通过掌握新型半导体产品标准制定权形成竞争优势 [2] - 传统产品标准由JEDEC设定，但全新产品由先入企业主导标准建立，如SK海力士开发HBM时同步制定标准 [2] - 英伟达推进SOCAMM特殊DRAM模块是单独制定内存标准的典型案例 [2] - 行业转向客户定制芯片趋势将加剧这种现象 [2] 韩国半导体行业现状与挑战 - 韩国在全球存储芯片市场占超50%份额，但在GPU和ASIC等AI核心芯片领域竞争力远逊于美国和台湾 [3] - 除SK海力士HBM外，几乎没有韩国企业能进入英伟达AI价值链 [3] - AI半导体初创企业因缺乏资金与人才，只能涉足小众市场 [3] - 韩国在AI半导体零部件方面自主能力有限，R&D投资、技术实力、人才、资金吸引等各方面严重不足 [4] 韩国企业的应对策略 - 需从存储领域"第二、第三个HBM"开始构建AI半导体生态系统 [3] - 三星电子与SK海力士正关注CXL、PIM、LPCAMM等低发热、响应速度快的新型技术 [3] - 三星电子在CXL领域推进速度快于SK海力士，可能重塑产业格局 [4] - 需要类似台湾"官民团队协作体制"的财政支持方式，包括补贴或股权投资 [4] - 考虑吸引海外企业设立研发中心以丰富本土生态系统 [4]

中国存储半导体产业发展 - 2018年7月合肥长鑫首条12寸DRAM晶圆产线投片，标志中国大陆存储半导体进入新时代 [1] - 长鑫科技启动A股上市进程，长江存储新芯股份递交科创板IPO材料，行业进入资本市场新阶段 [3] - 中国存储企业从产业政策扶持转向独立市场竞争，迎来"成年礼" [3][17] 市场格局变化 - 全球DRAM市场长期被三星、SK海力士、美光垄断，中国份额曾接近零 [3] - 长鑫DRAM产能从2023年162万片增至2024年273万片，增幅68%，接近SK海力士规模 [4] - 中国企业通过激进定价策略已对传统巨头财务业绩产生实质性影响 [4] 技术突破与竞争策略 - 采用"农村包围城市"路径，从中低端市场切入并快速扩产 [10] - 在HBM高带宽内存和3D DRAM等前沿技术加速布局 [10][14] - 打破传统"三足鼎立"格局，推动全球市场向多强竞争转变 [14] 资本运作与产业协同 - 兆易创新向长鑫科技增资15亿元，参与其108亿元融资，估值达1400亿元 [8][9] - 清华校友网络形成的产业协同模式成为重要发展范式 [6][7] - 兆易创新与长鑫建立从研发到生产的全产业链闭环合作 [7] 产能与市场影响 - 长鑫存储已在DRAM市场站稳脚跟，长江存储在NAND领域同步扩张 [4] - 中国存储企业改变全球DDR4/DDR5市场定价权平衡 [5] - 打破"失火-涨价"行业潜规则，为全球消费者创造正外部性 [14] 未来发展前景 - 人工智能、云计算、5G等新兴领域带来高端存储需求增长机遇 [14] - 上市进程将推动企业接受更严格市场检验，建立可持续商业模式 [17] - 中国企业从技术追赶者向并跑者甚至领跑者转变 [18]

关税政策与市场反应 - 特朗普签署行政令将关税暂停期延长至8月1日，并宣布对14国征收新关税，税率从25%至40%不等[1] - 美股道指跌近400点，10年期美债收益率上行7个基点，新兴市场货币创4月以来最大跌幅[1] - 欧盟寻求与美国达成初步贸易协议以锁定10%关税税率[1] - 市场预期特朗普可能撤销部分加征关税，但也可能维持高关税以吸引外资[2] - 美股下跌主因政策预期波动，若8月1日前关税威胁不解除，美股或进一步调整5%[2] 美国经济展望 - 美国GDP呈下跌趋势，财政赤字和贸易赤字5年均值达2.98万亿美元[2] - 鲁比尼预计美国下半年将面临"迷你滞胀冲击"，核心PCE或达3.5%[3] - 标普500企业上季度盈利同比增长13%，科技和医疗板块值得关注[3] - 高盛预计美联储未来6个月将降息三次，明年上半年再降息两次[5] 美元与全球资产配置 - 美元指数今年跌超10%，但全球投资者寻找替代资产选择有限[5] - 美元短期内难被替代，全球贸易仍以美元计价，美债是主要外汇储备资产[6] - 投资者可通过分散投资降低美元和美债风险[6] HBM市场前景 - HBM市场供需紧张将持续至2027年，HBM4技术迭代将推动市场扩容[7] - HBM市场规模预计从2022年23亿美元增长至2026年300亿美元，年复合增长率90%[7] - SK海力士、三星和美光合计占HBM市场90%份额，订单已累积至2027年[8] - AI芯片与主权AI双轮驱动HBM需求增长[7] 日本经济状况 - 日本5月实际薪资同比下降2.9%，为20个月最大降幅[9] - 消费者通胀率同比上涨4.0%，远超名义工资1.0%的增长[9] - 工会员工薪资创34年来最大增幅，但非工会员工薪资增长缓慢[10] A股市场展望 - A股在3500点附近存在压力，整体维持箱体震荡态势[2] - A股政策拐点显现，等待业绩拐点[4] - 半导体板块受AI和自主可控需求推动仍可看好[8]

DDR4价格暴涨 - DDR4内存条价格近一个月内上涨近100%，部分产品从100元涨至200多元，200多元产品涨至近400元 [1][6][7] - DDR4 16G 3200现货均价从4月初3.97美元涨至6月超6美元，涨幅超200% [3] - 6月底几天内价格突然上涨70元左右，部分产品一个月内涨幅达100元以上 [7] 涨价原因 - 美光等原厂确认DDR4/LPDDR4X停产计划，导致市场抢购囤货 [11][13] - 原厂将产能转向HBM和DDR5，HBM占DRAM产能比例达18%-26% [13] - 预计手机LPDDR4X将出现15%-20%供应缺口，推动三季度合约价环比涨20%以上 [14] 市场现状 - 当前DDR4价格与DDR5接近甚至倒挂，DDR4 32G价格超500元，DDR5 16G近300元 [11] - 进口品牌零售市场供应充足，但国产品牌出现缺货现象 [10] - 价格进入高位横盘阶段，预计降价曲线将较为平缓 [8] 行业影响 - 国内DRAM颗粒厂商迎来提升市占率机会 [15] - 江波龙表示正调整采购策略应对DDR4价格上涨 [15] - 澜起科技DDR5内存接口芯片订单超12.9亿元，预计2025年渗透率大幅提升 [15]

DDR4价格暴涨 - DDR4 16G内存条价格从100元涨至200多元，32G产品从200多元涨至近400元，近一个月涨幅近100% [1][4] - 4月初DDR4 16G 3200现货均价3.97美元，6月最新报价较4月初涨幅超200% [2] - 部分DDR4产品6月底单日涨幅达70元，过去一个月累计涨幅超100元 [4] 涨价驱动因素 - 美光6月确认DDR4/LPDDR4X停产计划，原厂减产导致现货供给紧张 [1][8] - 买方抢购补充库存加剧供需失衡，HBM和DDR5产能倾斜挤压DDR4产出 [8] - 预计第三季度LPDDR4X手机内存将出现15%-20%供应缺口，合约价环比涨幅或超20% [9] 市场供需现状 - 进口品牌DDR4零售市场供应充足，国产品牌因前期价格优势出现缺货 [7] - DDR4 32G产品现价540元与DDR5 16G价格（近300元）接近，出现代际价格倒挂 [7] - 华强北商家反馈市场存在囤货行为，预计降价曲线将较涨价更平缓 [4][7] 产业链影响 - 国内DRAM颗粒厂商或受益于海外原厂减产，有望提升市占率 [9] - 澜起科技称DDR5内存接口芯片在手订单超12.9亿元，预计2025年渗透率大幅提升 [10] - 存储模组厂商江波龙表示正调整采购策略应对DDR4/DDR5价格波动 [9] 技术迭代趋势 - 原厂资源向HBM和DDR5倾斜，三星/海力士/美光HBM产能占比达18%-26% [8] - 集邦咨询预计DDR4价格涨幅将持续高于DDR5，加速需求向DDR5迁移 [8]

文章核心观点 - Rapidus宣布进军半导体后道工艺领域，计划开发混合键合和面板级封装等下一代技术，以实现超短TAT生产[3][4] - 作者质疑Rapidus在前道工艺实现2纳米量产及后道工艺实现超短TAT的可行性[8][9] - 半导体行业正经历从前道工艺微缩化向后道3D IC技术的范式转变[26][29] - 3D IC时代代工厂需承担封装平台提供、芯片管理、外部采购及最终组装等任务[34][35][36][37] - 台积电已建立包括CoWoS、InFO、SoW等在内的3D IC平台布局[40][42][43] - HBM制造周期长、良率低且产能紧张，成为AI芯片生产的瓶颈[66][67][68] - Rapidus的2纳米量产和超短TAT 3D IC制造计划面临重大技术挑战[70][71] 半导体制造流程 - 半导体制造分为设计、前道工艺（晶圆制造）和后道工艺（芯片封装）三个阶段[5] - Rapidus计划2027年量产2纳米芯片，2025年已在北海道建成试验生产线[7] - 晶体管微缩化面临发热限制速度提升的瓶颈，促使Chiplet（3D IC）技术兴起[17][21] 3D IC技术发展 - 3D IC技术通过集成不同制程节点的多个芯片实现高性能运算，如英特尔GPU集成47个芯片[21][22] - 半导体行业技术重心从前道光刻转向后道3D IC，封装设计成为首要环节[29][30] - 台积电CoWoS平台用于英伟达GPU，需整合4纳米GPU、12纳米Base Die及1µm布线层等[47][57][58] 行业竞争格局 - 台积电建立完整3D IC平台体系（3D Fabric），包括CoWoS、InFO、SoW等[40][42][43][44] - HBM3e制造工艺复杂，良率仅55-70%，生产周期5-6个月，SK海力士2025年产能已售罄[65][66][67][68] - 日本政府已向Rapidus投入超1.7万亿日元补贴，但其技术路线面临现实性挑战[71] 技术挑战分析 - Rapidus仅具备2纳米工艺，但AI芯片需多制程节点协同，外部供应链难以配合超短TAT[70] - HBM采购周期长且产能受限，直接制约AI芯片封装进度[67][68][69] - 作者认为Rapidus在前道和后道工艺的目标均缺乏现实可行性[8][9][71]