2018年7月，合肥长鑫首条12寸DRAM晶圆产线正式投片，中国大陆存储半导体产业，就此进入了一个 新的时代。 对长鑫建厂居功至伟的业界泰斗王宁国，选择了在此时功成身退，由兆易创新"少帅"朱一明接掌长鑫存 储。壮怀激烈的朱一明，直接喊出"在项目盈利之前，不领取一分钱薪酬和奖金"。 从长鑫的原点"506项目"起就深度参与其中的朱一明，非常清楚这个军令状的分量。 彼时，全球DRAM市场被韩国三星、SK海力士和美国美光牢牢把控，中国在这个价值近千亿美元的市 场中份额几乎为零。 那时的业内专家们或许很难想象，仅仅七年之后，长鑫会给全球产业界带来如此翻天覆地的变化。 7月7日，中国DRAM存储芯片巨头长鑫科技在安徽证监局办理辅导备案登记，正式启动A股上市进程。 而在稍早前，国内NAND巨头长江存储旗下新芯股份也向科创板递交了IPO申报材料。 这些密集的动向，标志着中国存储半导体产业迎来了又一个新的发展阶段，从产业政策托举孵化到独立 走向资本市场，中国产业界正迎来自己的"成年礼"。 从合肥到武汉，从长存到长鑫，中国存储半导体企业也正在用实际行动证明：在这个曾经被认为牢不可 破的寡头垄断市场，中国企业不仅能够活下来，更有能 ...

关税政策与市场反应 - 特朗普签署行政令将关税暂停期延长至8月1日，并宣布对14国征收新关税，税率从25%至40%不等[1] - 美股道指跌近400点，10年期美债收益率上行7个基点，新兴市场货币创4月以来最大跌幅[1] - 欧盟寻求与美国达成初步贸易协议以锁定10%关税税率[1] - 市场预期特朗普可能撤销部分加征关税，但也可能维持高关税以吸引外资[2] - 美股下跌主因政策预期波动，若8月1日前关税威胁不解除，美股或进一步调整5%[2] 美国经济展望 - 美国GDP呈下跌趋势，财政赤字和贸易赤字5年均值达2.98万亿美元[2] - 鲁比尼预计美国下半年将面临"迷你滞胀冲击"，核心PCE或达3.5%[3] - 标普500企业上季度盈利同比增长13%，科技和医疗板块值得关注[3] - 高盛预计美联储未来6个月将降息三次，明年上半年再降息两次[5] 美元与全球资产配置 - 美元指数今年跌超10%，但全球投资者寻找替代资产选择有限[5] - 美元短期内难被替代，全球贸易仍以美元计价，美债是主要外汇储备资产[6] - 投资者可通过分散投资降低美元和美债风险[6] HBM市场前景 - HBM市场供需紧张将持续至2027年，HBM4技术迭代将推动市场扩容[7] - HBM市场规模预计从2022年23亿美元增长至2026年300亿美元，年复合增长率90%[7] - SK海力士、三星和美光合计占HBM市场90%份额，订单已累积至2027年[8] - AI芯片与主权AI双轮驱动HBM需求增长[7] 日本经济状况 - 日本5月实际薪资同比下降2.9%，为20个月最大降幅[9] - 消费者通胀率同比上涨4.0%，远超名义工资1.0%的增长[9] - 工会员工薪资创34年来最大增幅，但非工会员工薪资增长缓慢[10] A股市场展望 - A股在3500点附近存在压力，整体维持箱体震荡态势[2] - A股政策拐点显现，等待业绩拐点[4] - 半导体板块受AI和自主可控需求推动仍可看好[8]

DDR4价格暴涨 - DDR4内存条价格近一个月内上涨近100%，部分产品从100元涨至200多元，200多元产品涨至近400元 [1][6][7] - DDR4 16G 3200现货均价从4月初3.97美元涨至6月超6美元，涨幅超200% [3] - 6月底几天内价格突然上涨70元左右，部分产品一个月内涨幅达100元以上 [7] 涨价原因 - 美光等原厂确认DDR4/LPDDR4X停产计划，导致市场抢购囤货 [11][13] - 原厂将产能转向HBM和DDR5，HBM占DRAM产能比例达18%-26% [13] - 预计手机LPDDR4X将出现15%-20%供应缺口，推动三季度合约价环比涨20%以上 [14] 市场现状 - 当前DDR4价格与DDR5接近甚至倒挂，DDR4 32G价格超500元，DDR5 16G近300元 [11] - 进口品牌零售市场供应充足，但国产品牌出现缺货现象 [10] - 价格进入高位横盘阶段，预计降价曲线将较为平缓 [8] 行业影响 - 国内DRAM颗粒厂商迎来提升市占率机会 [15] - 江波龙表示正调整采购策略应对DDR4价格上涨 [15] - 澜起科技DDR5内存接口芯片订单超12.9亿元，预计2025年渗透率大幅提升 [15]

DDR4价格暴涨 - DDR4 16G内存条价格从100元涨至200多元，32G产品从200多元涨至近400元，近一个月涨幅近100% [1][4] - 4月初DDR4 16G 3200现货均价3.97美元，6月最新报价较4月初涨幅超200% [2] - 部分DDR4产品6月底单日涨幅达70元，过去一个月累计涨幅超100元 [4] 涨价驱动因素 - 美光6月确认DDR4/LPDDR4X停产计划，原厂减产导致现货供给紧张 [1][8] - 买方抢购补充库存加剧供需失衡，HBM和DDR5产能倾斜挤压DDR4产出 [8] - 预计第三季度LPDDR4X手机内存将出现15%-20%供应缺口，合约价环比涨幅或超20% [9] 市场供需现状 - 进口品牌DDR4零售市场供应充足，国产品牌因前期价格优势出现缺货 [7] - DDR4 32G产品现价540元与DDR5 16G价格（近300元）接近，出现代际价格倒挂 [7] - 华强北商家反馈市场存在囤货行为，预计降价曲线将较涨价更平缓 [4][7] 产业链影响 - 国内DRAM颗粒厂商或受益于海外原厂减产，有望提升市占率 [9] - 澜起科技称DDR5内存接口芯片在手订单超12.9亿元，预计2025年渗透率大幅提升 [10] - 存储模组厂商江波龙表示正调整采购策略应对DDR4/DDR5价格波动 [9] 技术迭代趋势 - 原厂资源向HBM和DDR5倾斜，三星/海力士/美光HBM产能占比达18%-26% [8] - 集邦咨询预计DDR4价格涨幅将持续高于DDR5，加速需求向DDR5迁移 [8]

文章核心观点 - Rapidus宣布进军半导体后道工艺领域，计划开发混合键合和面板级封装等下一代技术，以实现超短TAT生产[3][4] - 作者质疑Rapidus在前道工艺实现2纳米量产及后道工艺实现超短TAT的可行性[8][9] - 半导体行业正经历从前道工艺微缩化向后道3D IC技术的范式转变[26][29] - 3D IC时代代工厂需承担封装平台提供、芯片管理、外部采购及最终组装等任务[34][35][36][37] - 台积电已建立包括CoWoS、InFO、SoW等在内的3D IC平台布局[40][42][43] - HBM制造周期长、良率低且产能紧张，成为AI芯片生产的瓶颈[66][67][68] - Rapidus的2纳米量产和超短TAT 3D IC制造计划面临重大技术挑战[70][71] 半导体制造流程 - 半导体制造分为设计、前道工艺（晶圆制造）和后道工艺（芯片封装）三个阶段[5] - Rapidus计划2027年量产2纳米芯片，2025年已在北海道建成试验生产线[7] - 晶体管微缩化面临发热限制速度提升的瓶颈，促使Chiplet（3D IC）技术兴起[17][21] 3D IC技术发展 - 3D IC技术通过集成不同制程节点的多个芯片实现高性能运算，如英特尔GPU集成47个芯片[21][22] - 半导体行业技术重心从前道光刻转向后道3D IC，封装设计成为首要环节[29][30] - 台积电CoWoS平台用于英伟达GPU，需整合4纳米GPU、12纳米Base Die及1µm布线层等[47][57][58] 行业竞争格局 - 台积电建立完整3D IC平台体系（3D Fabric），包括CoWoS、InFO、SoW等[40][42][43][44] - HBM3e制造工艺复杂，良率仅55-70%，生产周期5-6个月，SK海力士2025年产能已售罄[65][66][67][68] - 日本政府已向Rapidus投入超1.7万亿日元补贴，但其技术路线面临现实性挑战[71] 技术挑战分析 - Rapidus仅具备2纳米工艺，但AI芯片需多制程节点协同，外部供应链难以配合超短TAT[70] - HBM采购周期长且产能受限，直接制约AI芯片封装进度[67][68][69] - 作者认为Rapidus在前道和后道工艺的目标均缺乏现实可行性[8][9][71]

DDR4价格倒挂现象 - DDR4与DDR5芯片现货价格已基本持平，部分DDR4价格甚至高于DDR5，呈现"价格倒挂"现象 [1] - 6月初16GB、32GB、64GB DDR4 RDIMM价格分别涨至58美元、105美元、195美元，32GB DDR4 RDIMM现货价格4月初至6月中旬累计涨幅超30% [1] - DDR4 16GB（1Gx16）3200现货价从Q1末的3.95美元涨至6月25日的12.5美元，同期DDR5 16GB报价仅6.053美元，DDR4价格已达DDR5两倍 [2] 价格上涨驱动因素 - 供给端减产是主因，三星电子要求客户6月前确认DDR4订单，SK海力士计划将DDR4产能压缩至总产能20%以下，2026年4月正式停产 [2] - 原厂将产能重点分配至高利润的DDR5和HBM产品，导致DDR4供应紧张 [2] - AI服务器需求激增推动HBM和DDR5需求，对DDR4产生排挤效应 [3] 价格涨幅调整与市场影响 - TrendForce将Q2服务器DDR4模组价格涨幅从5%-10%上修至18%-23%，PC DDR4模组合约价涨幅从3%-8%上调至13%-18% [3] - 预计Q3服务器DDR4价格涨幅缩窄至10%-15% [5] - 部分原厂重新评估DDR4停产计划，考虑客户长尾需求和旧处理器平台库存 [4] DDR5加速渗透 - DDR4与DDR5价差大幅缩减，64GB DDR4/DDR5 RDIMM价差从去年Q4的近一倍降至36% [6] - 服务器OEM加速向DDR5方案过渡，验证周期需6-12个月，DDR4将逐步退出主流市场 [6] - 国产厂商如佰维存储、江波龙已推出DDR5产品，澜起科技DDR5内存接口芯片出货量超DDR4，Q1净利润同比增长135.14% [6] - 国产DDR5产能和良率处于爬坡阶段，但DDR4短缺将推动终端增加DDR5应用 [7]

固态电池行业 - 第五届中国国际固态电池科技大会将于2025年6月19-20日举行，前4个月行业投资额达150亿元 [1] - 政策端2025年4月工信部印发全固态电池标准体系，投入60亿专项研发资金，终端路试如宝马、奇瑞等车企启动商业化进展超预期 [2] - 璞泰来铝塑膜业务开拓固态电池市场并送样测试，利元亨设备导入头部企业硫化物全固态电池项目，曼恩斯特完成"湿法+干法"工艺装备布局 [2] 人形机器人灵巧手 - 灵心巧手获蚂蚁集团等入股，聚焦"灵巧手+云端智能"平台，自主研发Linker Hand系列产品 [3] - 华西证券认为灵巧手是人形机器人落地关键，需突破丝杠、减速器、电机等零部件技术 [3] - 震裕科技灵巧手精密结构件已交付头部客户，汉威科技柔性传感器获小批量订单，拓邦股份空心杯电机实现人形机器人高精度响应 [4] 物流无人车 - 菜鸟新款无人车GT-Lite定价2.18万元（优惠后1.68万元），支持L4级无人驾驶 [5] - 华源证券称物流无人车售价降至5万元以内，路权政策开放推动2025年规模化商用 [5] - 星网宇达自动驾驶系统实现路径规划与避障，湘邮科技适配邮政无人配送车辆需求 [6] HBM存储芯片 - 三星电子获博通HBM3E供应合同，SK海力士预计HBM需求将"爆炸式增长" [7] - 华金证券指出HBM3/HBM3e为AI服务器主流配置，国产供应链加速配套 [7] - 盛美上海设备用于HBM工艺，赛腾股份海外HBM设备订单交付，联瑞新材Lowα球形氧化铝产品供应AI/HPC领域 [8] AI数字人 - 百度推出多模态融合数字人直播间，基于文心大模型4.5T升级语言、声音、形象协调 [9] - 新国都子公司研发"数字员工"通用智能体，三维通信子公司获百度数字人营销奖 [9][10] 海底数据中心 - 上海临港海底数据中心项目开建，为全球首个海上风电融合型零碳新基建示范项目 [10] - 天玑科技数据中心服务市场排名第七，仕佳光子提供数据中心AWG器件及光纤连接器 [10] 可控核聚变 - 中油资本拟出资6.55亿元增资昆仑资本投资可控核聚变，昆仑资本已布局聚变新能20%股权 [10][11] - 中油工程中标聚变新能实验装置主机系统总装，旭光电子合作中科院合肥等离子研究所 [11] 国产CPU - 兆芯集成启动科创板IPO募资41.69亿元，研发x86架构服务器/桌面处理器 [12] - 2024年中国CPU市场规模达2326.1亿元，广电运通子公司年产能18万台服务器，中科曙光参股海光公司生产CPU/DCU [12][13]

市场表现 - A股市场整体震荡回落，但电路板、光伏逆变器板块逆势走高，半导体板块开盘强劲后调整回落 [1] - 中证半导体材料设备主题指数微跌0.11%，成分股芯源微领涨3.67%，盛美上海上涨1.68%，中晶科技领跌2.10% [1] - 半导体材料ETF下跌0.19%至1.03元，近1年累计上涨13.86% [1] 行业趋势 - 全球半导体产业在地缘动荡与AI技术竞赛背景下重塑，HBM迭代加速并重塑内存行业供给格局 [1] - 氮化镓处于大规模应用临界点，正向汽车、AI数据中心、人形机器人等高功率场景推广 [1] - AI需求从云端向端侧扩展，拉动GPU、HBM、PCB等上游硬件需求，半导体周期核心驱动力为AI [2] 半导体材料ETF - 半导体材料ETF跟踪中证半导体材料设备主题指数，覆盖40只半导体材料与设备领域上市公司 [2] - 指数成分股包括北方华创、中微公司（刻蚀设备）、沪硅产业、南大光电（硅片/电子化学品）等国产替代龙头企业 [2] - 场外联接基金包括华夏中证半导体材料设备主题ETF发起式联接A（020356）和C（020357） [3]

Marvell 2026财年第一季度财报核心信息 - 总营收19亿美元，略超市场预期的18.8亿美元（+0.89%），同比增长4.3% [1] - 数据中心收入14.4亿美元（占总营收76%），环比增长5%，同比增长76% [7] - GAAP毛利率50.3%，同比提升4.8个百分点，Non-GAAP毛利率59%-60%指引 [3] - 经营活动现金流3.33亿美元，股票回购3.4亿美元（上季度2亿美元） [1] 业务板块表现 数据中心 - 主要增长引擎：AI相关收入占新业务"大部分"，定制XPU项目进展顺利 [16] - 技术布局：量产A0以太网控制芯片，3纳米工艺产品预计2026年投产 [16][18] - 合作动态：与英伟达合作NVLink Fusion技术，开发HBM和CPO技术优化AI加速器 [9][10] 企业网络与运营商基础设施 - 合计收入3.06亿美元（企业网络1.68亿+运营商1.38亿），环比增长14% [11] - 运营商业务收入1.38亿美元，同比大幅增长92.8% [1] - 预计下季度合计收入环比增长5%左右 [11] 消费电子与汽车工业 - 消费电子收入6300万美元，环比下降29%，下季度预计环比增长50% [12][13] - 汽车工业收入7600万美元，环比下降12%，下季度指引持平 [14][15] - 出售汽车以太网业务获25亿美元现金，预计2025年完成交割 [6] 未来展望与战略 - 下季度营收指引20亿美元（±5%），Non-GAAP每股收益0.62-0.72美元 [2][3] - 定制AI芯片将成为新增长点，6月17日举办专项投资者活动 [17] - 3纳米XPU项目非独家，客户可能采用多供应商策略 [18][19] - 资本配置：持续股票回购，上季度股息支付5200万美元 [1]

韩国限制HBM设备出口事件 - 韩国政府计划限制关键HBM设备TC Bonder的出口，要求本土制造商暂停向特定地区交付设备并收紧技术出口审批[2] - TC Bonder是HBM制造中的核心设备，负责多芯片堆叠与电气连接，技术精度需达亚微米/纳米级[3][5] - 韩国企业占据全球TC Bonder市场80%以上份额，其中韩美半导体垄断HBM3E设备市场[7][8] TC Bonder技术与市场 - TC Bonder技术分为TC-NCF、TC-NCP等类型，应用场景涵盖Chip-to-Substrate等多种封装形式[3] - 2022年高精度TC Bonder全球市场规模0.8亿美元，预计2029年达4亿美元，CAGR为25.6%[6] - AI/HPC需求推动HBM市场爆发，2024年HBM需求增速近200%，2025年或再翻倍[6] 韩国企业市场策略 - 断供旨在维护韩国企业在HBM市场的垄断地位（SK海力士占50%、三星占40%）并强化产业链话语权[10] - 三星主要采购SEMES和日本Shinkawa设备，SK海力士依赖韩美半导体和韩华[7] - 韩美半导体为SK海力士12层HBM3E量产提供设备，计划Q2向英伟达供货[8] 行业影响与替代方案 - 短期将加剧HBM供应紧张并推升价格，长期或加速全球供应链重构与设备国产化[11] - 国产厂商普莱信已推出Loong系列键合机，精度达±1μm@3σ，支持TC-NCF等工艺[12] - 韩国断供可能刺激国际竞争对手技术突破，削弱其长期市场优势[11]