12月17日午后，荟聚电子板块核心龙头的电子ETF（515260）强势冲高，场内涨幅一度上探2.71%，现涨2.39%，盘中收复5日、10日、20日三根均线，技术 面呈现为多头反攻的强势信号！ 细分方向来看，半导体方面，晶合集成涨超8%，卓胜微涨逾7%。印制电路板（PCB）方面，深南电路涨超6%，鹏鼎控股、沪电股份、东山精密、胜宏科技 携手涨超4%。此外，消费电子龙头领益智造涨超4%。 | | 序号 名称 | 涨跌幅 ▼ 两日图 | 申万一级行业 | 申万二级行业 | 中方三级行业 | 总市值 | 成交额 | | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | | 1 | 晶合集成 | And Concession of Canadian 8.66% | 电子 | 半导体 | 集成电路制造 | 733亿 | 21.20亿 | | 2 | 卓胜微 | 7.30% -- | 电子 | 半导体 | 模拟芯片设计 | 421亿 | 21.46亿 | | 3 | 华工科技 | 6.18% h w | 机械设备 | 自动化设备 | 敷光设备 | 775亿 | 39.59 ( ...

12月17日午后，荟聚电子板块核心龙头的电子ETF（515260）强势冲高，场内涨幅一度上探2.71%，现 涨2.39%，盘中收复5日、10日、20日三根均线，技术面呈现为多头反攻的强势信号！ 华安证券表示，全球AI技术从训练转向推理，驱动硬件产业链升级。云服务商与主权AI计划推动全球 AI基础设施高景气建设，带动服务器、存储、光互连等云侧硬件价值提升与技术创新。同时，AI手机 与AR眼镜等端侧设备加速智能化演进，重塑产业格局。建议关注受益于推理算力增长和硬件升级的相 关产业链。 布局工具上，电子ETF（515260）及其联接基金（A类：012550/C类：012551）被动跟踪电子50指数， 重仓半导体、消费电子行业，荟聚AI芯片、汽车电子、5G、云计算、印制电路板（PCB）等热门产 业。外部环境倒逼中国尽快实现半导体产业链自主可控，AI重塑消费电子产品的功能边界，革新用户 体验。国家顶层政策支持，产业政策配套落地，电子板块有望乘势崛起。 图：电子 ETF 标的指数涨幅前 10 大成份股 风险提示：电子ETF及其联接基金被动跟踪中证电子50指数，该指数基日为2008.12.31，发布于 2009.7.22， ...

（原标题：狂飙超300%！存储芯片价格罕见暴涨！消费电子产品涨势已定？） 今年三季度以来，全球存储芯片市场出现一轮"史诗级"涨价潮。据第三方调研机构数据，存储芯片领域 两大主要产品类别DRAM（内存）与NAND Flash（闪存）现货价格9月至今均已累计上涨超过300%。 业内人士指出，与以往的涨价潮不同，此轮涨价潮由人工智能发展转向应用中"以存代算"技术兴起推 动，且市场缺口在最近一两年内很难补齐。 多位消费电子企业负责人、存储行业专家对证券时报记者表示，2026年手机、电脑等主要的消费电子产 品涨势已定，消费电子企业或将祭出组合拳，具体表现为结构性涨价与降配、与产业链共担成本等多管 齐下，组合拳推出的时点可能是即将到来的元旦。 "以存代算"撬动周期 "这么短的时间这么大的涨幅，让我非常震惊，也是我从业十几年来第一次遇到。"时创意董事长倪黄忠 对记者表示。 "我研究存储产业大概20年，从来没看到这么疯狂的情况。"集邦咨询资深研究副总经理吴雅婷说。 "无论闪存还是内存，现在钱不是重点，而是没货。"集邦咨询资深研究副总经理郭祚荣说。 对于本轮存储芯片涨价根源，倪黄忠对记者表示："以前存储涨价，基本都是手机容量倍 ...

市场行情与指数表现 - 截至2025年12月16日10:23，中证消费电子主题指数(931494)成分股涨跌互现，其中卓胜微领涨8.82%，景旺电子上涨3.77%，生益科技上涨2.91%，信维通信领跌 [1] - 消费电子ETF(561600)最新报价为1.14元 [1] - 中证消费电子主题指数前十大权重股合计占比56.39%，包括立讯精密、寒武纪、工业富联、中芯国际、京东方A、澜起科技、兆易创新、豪威集团、东山精密、亿纬锂能 [3] 存储芯片价格动态 - 2025年第三季度以来，全球存储芯片市场出现“史诗级”涨价潮，DRAM与NAND Flash现货价格自9月至今累计上涨均超过300% [1] - 此轮涨价由人工智能发展转向应用中“以存代算”技术兴起推动，市场缺口预计在未来一两年内很难补齐 [1] 消费电子终端与成本趋势 - 多位消费电子企业负责人及存储行业专家表示，2026年手机、电脑等主要消费电子产品价格涨势已定 [1] - 消费电子企业可能采取组合拳应对成本压力，包括结构性涨价、产品降配以及与产业链共担成本，推出时点可能在即将到来的元旦 [1] AI赋能与电池需求 - AI全方位赋能智能手机、电脑、可穿戴设备等终端，通过创新交互方式和新增功能，拓宽应用场景并丰富端侧AI设备品类，驱动上游消费类锂电池市场需求持续扩容 [2] - 端侧AI设备的强交互属性要求传感器全时感知，且AI运算与数据存储拉升功耗，导致消费电子终端对电池容量需求更高，消费类锂电池行业迎来量价齐升机遇 [2] 指数与产品构成 - 消费电子ETF(561600)紧密跟踪中证消费电子主题指数，该指数选取50只业务涉及元器件生产、整机品牌设计及生产等消费电子相关的上市公司证券作为样本 [2] - 该ETF提供场外联接基金，包括平安中证消费电子主题ETF发起式联接A(015894)、C(015895)、E(024557) [3]

南方财经12月16日电，据人民财讯，今年三季度以来，全球存储芯片市场出现一轮"史诗级"涨价潮。据 第三方调研机构数据，存储芯片领域两大主要产品类别DRAM（内存）与NAND Flash（闪存）现货价 格9月至今均已累计上涨超过300%。 业内人士指出，与以往的涨价潮不同，此轮涨价潮由人工智能发展转向应用中"以存代算"技术兴起推 动，且市场缺口在最近一两年内很难补齐。 多位消费电子企业负责人、存储行业专家对证券时报记者表示，2026年手机、电脑等主要的消费电子产 品涨势已定，消费电子企业或将祭出组合拳，具体表现为结构性涨价与降配、与产业链共担成本等多管 齐下，组合拳推出的时点可能是即将到来的元旦。 ...

文章核心观点 - 全球存储芯片市场正经历由AI应用驱动的“史诗级”涨价潮，DRAM与NAND Flash现货价格自9月以来累计上涨超过300% [1] - 此轮涨价的根本驱动力是AI发展从训练转向推理阶段后，“以存代算”技术兴起，导致存储芯片从成本部件转变为战略性物资，引发结构性、长周期的供需失衡 [2][3] - 存储芯片产能短期内难以缓解，预计将推动2026年手机、电脑等消费电子产品价格上涨，相关企业将通过结构性涨价、降配、与产业链共担成本等“组合拳”应对 [1][5][7] 存储芯片市场现状与涨价驱动因素 - DRAM与NAND Flash现货价格自9月以来累计上涨超过300% [1] - 涨价根源在于AI发展转向应用，催生“以存代算”技术，该技术通过将中间数据直接存储在SSD等介质中，减少对昂贵显存的依赖，从而成为降本增效的核心路径 [2][3] - AI服务器对存储芯片需求激增，一台典型AI服务器的DRAM需求量约为普通服务器的8倍，NAND Flash需求量约为普通服务器的3倍 [4] - 存储芯片原厂（如三星、美光、SK海力士）将主要产能转向利润更丰厚的AI服务器产品，如同等规格LPDDR5在AI服务器上的溢价是智能手机的1.5倍，挤占了消费电子产能 [4] - 供需失衡预期引发下游厂商恐慌性采购和渠道商惜售囤货，短期内放大了需求，加剧价格螺旋式上涨 [4] 行业供需格局与产能制约 - 此轮存储芯片结构性缺货情况短期内预计难以缓解 [5] - 存储芯片扩产周期漫长，通常需要三到四年，且资本投入巨大，新厂房从宣布建设到落成至少需要两年 [5] - 2028年之后才可能有更多新厂出现，2026年、2027年的产能大幅扩张可能性非常小 [5] - AI基础建设带来长期算力需求结构改变，供给端需要时间调整，高科技产业投资需要长时间投入 [6] - 存储行业采购模式转变为竞价模式，供应商话语权远大于客户 [5] 对消费电子终端市场的影响 - 存储芯片占电脑、手机物料清单成本的10%至20% [6] - 2026年，智能手机整机价格预计将上涨，全球智能手机及笔电的生产出货量预计将分别年减2%及2.4% [6][7] - 多家消费电子品牌已感受到成本压力并采取行动：联想已通知客户新报价将大幅上调，最高涨幅或达20%；戴尔、惠普承认成本压力；vivo、小米、荣耀、OPPO、一加、realme等多款中高端旗舰新品自今年秋季以来集体涨价 [6] 消费电子企业的应对策略 - 企业预计将通过“组合拳”综合应对成本压力，包括结构性涨价、降低配置、加强供应链管理、内部降本增效、强化技术研发、调整旧机价格或供应周期等 [1][7] - 完全将成本转嫁给消费者并非最佳选择，可能冲击销量，企业需在成本控制、产品调整和价格策略之间找到平衡 [7] - 缩减规格配置或暂缓升级已成为平衡成本的必要手段：预计明年中端智能手机将主推6GB、8GB内存版本（放弃12GB），低端入门机主推4GB版本（放弃8GB），高端机型维持12GB、16GB配置 [8] - 其他策略包括：采用动态库存模式，优先保障热门型号供应；探索采用QLC闪存等新型存储技术；与经销商共担成本并选择在明年1月等时间点涨价；通过产品错峰发布（如将旗舰机提前至第二季度）来避开传统涨价高峰 [8] - 此轮涨价将考验消费电子企业的供应链韧性、高端化与技术升级能力，可能加速行业洗牌与供应链国产替代进程 [9]

市场整体表现 - 三大指数全线收跌，沪指跌0.46%，深成指跌0.11%，创业板指跌0.2% [1] - 沪深两市成交额为1.91万亿，较上一交易日缩量473亿 [1] - 沪指小幅跌破20日均线，深成指与创业板指维持弱势震荡结构 [1] 板块热点轮动 - 福建自贸/海西概念板块连续三个交易日位列涨幅榜前列 [2] - 锂电池板块在五个交易日中有四日上榜，表现活跃 [2] - ST股板块连续五个交易日均出现在涨幅榜中，热度持续 [2] - 大消费板块在五个交易日中有四日上榜，显示其韧性 [2] - 光伏板块在五个交易日中有三日上榜 [2]

公司股东减持 - 公司第二大股东上海志颀计划通过询价转让方式减持558.32万股，占总股本的3.77% [2] - 减持后，该股东持股比例将从18.37%下降 [3] - 公司实际控制人及财务负责人兼董事会秘书通过该股东间接持有的股份不参与此次转让 [3] 公司股价表现 - 公司股价在两个月内（9月3日至11月3日）从74.18元/股上涨至146.14元/股，区间涨幅达97%，接近翻倍 [4] - 股价上涨主要受存储行业涨价潮推动 [4] 存储行业市场动态 - 存储行业出现全面涨价潮，NAND和DRAM供应全面收紧，部分产品报价涨幅超出客户预期 [4] - 涨价源头为人工智能需求，预计2025年HBM需求量年增达130%以上，2026年仍将有70%以上的年成长 [4] - 资源端持续控货导致NAND、DDR颗粒价格全面大幅拉涨，贸易商哄抬报价，动辄翻倍 [8] 新兴技术趋势 - “以存代算”作为颠覆性技术范式兴起，旨在突破AI推理的算力瓶颈 [5] - 在此趋势下，SSD不再是单纯的数据存储载体，而是深度参与AI推理的核心组件 [5] 公司财务业绩 - 公司2025年前三季度营业收入为14.33亿元，同比增长4.89%；利润总额为0.47亿元，同比下降79.98% [7] - 第三季度营业收入为5.27亿元，同比增长11.94%；利润总额为0.11亿元，同比下降87.95% [7] - 第三季度毛利率同比减少4.51个百分点，且资产减值损失同比增加4476.08万元，主要因公司采取积极供应链策略导致库存水平较高 [7] 公司业务定位 - 公司存储产品主要面向利基市场，而非主流存储市场 [6]

市场指数表现 - 上证指数于10月27日收涨1.18%，盘中最高触及3999.07点，创2015年8月18日以来近十年新高 [1] - 市场距离4000点关键心理关口仅一步之遥 [1] 市场资金面状况 - 截至10月24日，沪深京三市融资余额达24398.18亿元，处于历史次高水平，仅略低于10月16日的24401.38亿元 [1] - 当前融资余额较2015年峰值22666.35亿元高出1732亿元 [1] - 融资余额占流通市值比例约为2.5%，远低于2015年时的水平 [1] 板块轮动表现 - 10月27日涨幅居前板块包括福建自贸/海西概念（涨7%）、DRAM内存（涨6%）、机器人（涨7%）、核聚变（涨7%）、业绩增长（涨20%）和ST股（涨12%） [2] - 10月24日领涨板块为DRAM内存（涨10%）、航天（涨12%）、机器人（涨10%）和ST股（涨13%） [2] - 10月23日量子计算（涨6%）、深圳本地股（涨14%）、煤炭（涨8%）板块表现突出 [2] - 10月22日深地经济（涨12%）、国企改革（涨5%）、一带一路（涨7%）板块涨幅领先 [2] 个股连板情况 - 10月27日5进6连板晋级率为100%，代表个股为盈新发展 [2] - 4进5连板晋级率为100%，代表个股为世龙实业 [2] - 3进4连板晋级率为50%，代表个股为时空科技 [2] - 2进3连板晋级率为50%，代表个股包括农心科技、平潭发展、达华智能 [2] - 1进2连板晋级率为13%，代表个股包括德明利、汇绿生态、青岛双星等 [2]

核心观点 - 公司第四财季业绩加速增长并超越指引，第一财季业绩指引远超华尔街预期，主要受人工智能基础设施建设对高带宽内存的强劲需求推动 [1] - 高带宽内存业务表现突出，营收创单季新高，客户群扩大至六家，未来数月内2026年产品预计将售罄，公司成为AI支出增长的主要受益者 [1][12] - 存储芯片行业周期因AI繁荣而有望延长，公司预计DRAM市场供应将持续紧张，行业需求中期复合年增长率将达15%左右 [1][10] 第四财季财务业绩 - 营业收入达113.2亿美元，同比增长46%，超过公司111亿至113亿美元的指引区间和分析师预期的111.5亿美元 [4][9] - 非GAAP调整后每股收益为3.03美元，同比增长156.8%，高于公司2.78至2.92美元的指引区间和分析师预期的2.86美元 [4][9] - 调整后营业利润为39.55亿美元，同比增长126.6%，高于分析师预期的37.23亿美元 [4] - 调整后毛利率为45.7%，同比提升9.2个百分点，高于公司44%至45%的指引区间和分析师预期的44.1% [4][9] - 全财年营收同比增长49%，达到创纪录的374亿美元 [9] 第四财季细分业务表现 - DRAM业务营收为90亿美元，环比增长27%，占总营收的79% [5] - NAND业务营收为23亿美元，环比增长5%，占总营收的20% [5] - 云存储业务营收达45.43亿美元，同比增长213.5% [9] 第一财季业绩指引 - 营收指引中值为125亿美元，区间为122亿至128亿美元，同比增长43.5%，远超分析师119亿美元的预期 [8][10] - 非GAAP调整后每股收益指引中值为3.75美元，区间为3.60至3.90美元，同比增长109.5%，远超分析师3.05美元的预期 [7][10] - 调整后毛利率指引中值为51.5%，区间为50.5%至52.5% [7] 高带宽内存业务进展 - HBM营收创下单季新高，是利润最高的产品之一 [9] - HBM客户群已扩大至六家，并与几乎所有客户就2026年大部分HBM3E产品价格达成协议 [12] - HBM4 12H产品样品已交付客户，按计划推进以满足平台扩容需求，性能较HBM3E提升超60%，功耗降低20% [12] 资本支出与行业展望 - 2025财年资本支出为138亿美元，同比增长约70% [11] - 预计2026财年资本支出将高于2025财年水平，第一财季资本开支指引约为45亿美元，同比增长近44%，高于分析师预期的39亿美元 [11] - 上调2025自然年行业需求预期，预计DRAM Bit需求增长率将超过15%，NAND Bit需求增长率在10%至15% [10][11] - 预计到2026年DRAM市场供应将继续紧张，NAND市场状况将持续好转 [10]