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第六代高带宽内存(HBM4)
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美股异动 | 存储概念股集体大涨 希捷科技(STX.US)涨逾9%
智通财经网· 2025-11-05 23:05
美股存储概念股市场表现 - 周三美股存储概念股集体大涨 希捷科技和SanDisk股价上涨超过9% 美光科技股价上涨接近8% 西部数据股价上涨超过5% [1] SK海力士HBM4供应谈判与定价 - SK海力士在与英伟达的第六代高带宽内存HBM4供应谈判中占据上风 成功将价格提升超过50%至每颗约560美元 [1] - 英伟达最初对大幅涨价表现出抗拒 但最终供应价格敲定在SK海力士提议的每颗约560美元 [1] - SK海力士高管表示考虑到工艺进步和投入成本 HBM4具备大幅提价的因素 [1] SK海力士财务与运营前景 - 基于HBM4的高利润率和通用型DRAM价格飙升 分析师预计SK海力士明年营业利润可能突破70万亿韩元创下历史新高 [1] - SK海力士已提前售罄明年产能 [1] 高端存储芯片市场竞争格局 - SK海力士巩固了其在高端存储芯片市场的主导地位 [1] - 英伟达的考量包括三星电子和美光将大规模供应HBM4 [1]
报道:SK海力士与英伟达谈判后宣布HBM4较前代产品提价超50%
华尔街见闻· 2025-11-05 19:43
公司市场地位与产品进展 - SK海力士证实其作为高带宽内存市场最强厂商的地位 [1] - 公司向英伟达供应的第六代高带宽内存价格较前代产品涨幅超过50% [1] - 公司于今年3月率先向英伟达交付全球首款12层堆叠的高带宽内存样品 [1] - 在获得积极评估后,公司于6月开始高带宽内存的初期供货 [1] 客户合作与业绩前景 - 公司成功完成与英伟达关于明年高带宽内存供应的谈判 [1] - 此次合作为公司创造破纪录的业绩铺平道路 [1] - 价格谈判涉及英伟达计划明年下半年发布的下一代人工智能芯片"Rubin"所需的高带宽内存 [1]
三星代工发力,HBM4弯道超车海力士?
半导体芯闻· 2025-10-20 18:40
三星电子HBM4业务进展 - 公司即将对英伟达第六代高带宽内存HBM4进行最终质量测试,存储事业部和代工事业部正协同合作以建立稳定生产体系[1] - 代工事业部正扩大逻辑芯片晶圆投入量并将良率提升至最大水平,以配合大幅增加的HBM4产量[1] - 从HBM4开始,逻辑芯片将采用先进制程,该部件是连接DRAM与GPU的控制器,负责电力供应和数据信号控制,为核心部件[2] 三星电子代工工艺能力 - 公司代工事业部生产的4纳米工艺逻辑芯片良率已超过90%,表明技术已稳定到足以进行大规模量产[2] - 代工事业部将逻辑芯片产量提升至整个4纳米生产线产能的一半水平,并在全力运转以支持HBM4样品供应和量产[2] - 公司代工事业部4纳米整体工艺良率超过80%,逻辑芯片良率在年初试生产阶段就超过40%,表现出稳定态势[3] - 与竞争对手相比,公司在HBM4逻辑芯片上采用了更先进的4纳米工艺,而SK海力士使用台积电12纳米级工艺,美光采用自家12纳米级DRAM工艺[3] HBM技术发展趋势 - 随着HBM代际更替,性能要求不断提高且发热问题愈加严重,因此行业从HBM4开始在其核心逻辑芯片上引入先进制程[3] - 半导体工艺越微细化,性能越高,功率效率也越好[3] - 从第七代HBM(HBM4E)开始,"定制化HBM"时代预计将正式开启,需根据客户AI半导体应用进行优化开发[3] - 在下一代HBM市场中,代工工艺技术力的重要性将更加凸显,需具备根据多样化需求进行生产的能力[3][4]