市场表现 - 沪指接近3500点 深成指和创业板指涨幅均超1% 两市4200多只股票上涨 成交额达1.45万亿 创近三个月新高 [2] - 北向资金净流入30亿 主力资金净流入154亿 电子和电力设备板块吸金超百亿 工业富联获11.6亿资金流入 [2] 政策驱动 - 香港证监会宣布将人民币股票交易柜台纳入港股通 未来南下资金可直接用人民币买港股 [2] - 工信部明确光伏行业要"反内卷" 禁止低价倾销和盲目扩产 推动光伏板块全线爆发 通威股份、钧达股份等龙头涨停 [2] - 国家计划2025年实现芯片自主率70%以上 北方华创、中芯国际等设备和制造企业获资金重点加仓 [2] 资金动向 - 北向资金重点加仓新能源和AI算力标的 宁德时代、中科曙光等核心资产受追捧 [2] - 资金从防御性板块转向高弹性赛道 贵州茅台遭外资抛售32亿 [2] 行业动态 - 光伏龙头企业集体减产30% 多晶硅期货价格涨停 行业盈利拐点出现 [3] - 工业富联二季度净利润预计暴增47%-52% 引爆AI服务器板块 其液冷技术可满足超800W散热需求 未来有望突破1500W [3] 投资方向 - 技术壁垒高、市场份额稳定的龙头企业值得关注 如光伏的通威股份、算力的工业富联、半导体设备的北方华创 [3] - 科技突围和能源转型两条主线在政策红利和产业升级驱动下具有长期增长确定性 [4]

台湾光罩子公司群丰破产案 - 台湾光罩旗下子公司群丰因消费电子市场竞争剧烈、亏损扩大，已向法院声请宣告破产 [3][4] - 群丰主营业务为封测和系统级封装(SiP)，但调整后效益有限，亏损持续扩大 [4][5] - 光罩本业为半导体前段制程用光罩，占比达90%，客户主要为大中华区中小型IC设计公司 [4] 印度半导体合作项目 - 群丰曾与印度Kaynes Semicon签订550万美元技转协议，协助建立封测能力 [5] - Kaynes Semicon计划投资285亿卢比(约3.4亿美元)建封测厂，8.3亿卢比建矽光子研发设施 [5] - 合作最终破局，因Kaynes Semicon未履行协议承诺条件 [6] 印度半导体发展现状 - 鸿海2022年与Vedanta合作半导体项目，后因补助未获批和策略分歧退出 [8] - 鸿海2024年与HCL集团合作建IC封测厂，获印度政府批准 [8] - 力积电与塔塔集团合作建12吋晶圆厂，预计带来200亿新台币以上获利 [8] - 力积电2025年Q1将认列16.8亿新台币技转授权金和服务费 [8] 台厂对印度半导体态度 - 力积电董事长表示台厂对印度设厂疑虑多，大厂不愿前往 [10] - 力积电参与印度项目是因台湾高层请托，仅承担建厂和技术转移角色 [11] - 印度曾力邀台积电、联电、世界先进等半导体大厂，均遭婉拒 [11] 行业警示 - 供应链业者指出印度半导体自主计划进度缓慢，合作投资案质量参差不齐 [8] - 群丰案例显示印度半导体发展面临高门槛和难度 [6][11]

新品发布 - 小米举行15周年战略新品发布会，发布小米15S Pro、小米平板7 Ultra、小米手表S4，均搭载自研玄戒O1芯片 [1] - 小米YU7定位豪华高性能SUV，雷军称其满载先进科技、豪华和空间舒适性 [1] 汽车业务表现 - 小米SU7上市一年两个月累计交付25.8万辆，4月交付2.8万辆，成为20万元以上车型销量冠军 [3] - 小米SU7在中大型轿车销量榜中超过奥迪A6L、奔驰E级、宝马5系等车型 [3] 芯片研发突破 - 玄戒O1采用第二代3nm工艺，CPU采用10核架构，GPU为Immortalis-G925，跑分超300万 [5] - 小米成为中国大陆首家、全球第四家能够自主研发设计3nm旗舰SoC的企业 [5] - 小米芯片研发历时11年，从2014年澎湃项目立项开始，经历多次挫折后最终成功 [5][7] 芯片研发投入 - 玄戒项目计划至少投入10年、500亿元资金，目前累计研发投入超135亿元 [8] - 团队规模达2500人，预计今年研发投入将突破60亿元 [8] 芯片行业挑战 - 3nm芯片整体设计和开发费用接近10亿美元 [12] - 大芯片业务生命周期短，需在一两年内卖出上千万台才能回本 [12] - 过去十几年里大芯片领域可能死掉了上百家公司 [12] 战略意义 - 芯片自主可逐步实现手机成本可控，提升利润率，促进迭代研发 [14] - 芯片业务将强化汽车、家电及物联网业务竞争力，构建自研芯片+人车家生态护城河 [14] - 小米成为从"性价比"到"技术溢价"转型的生动写照 [16] 行业背景 - 2024年国产游戏《黑神话：悟空》斩获2800万销量，90亿元销售额 [18] - DeepSeek发布R1惊艳全球 [19] - 宇树科技机器人登陆春晚 [20] - 电影《哪吒2》票房达68亿，登顶全球动画电影票房榜 [21]

中国低调撤销对来自美国8种半导体产品的125%进口关税。 美媒消息指出，中国政府正试图降低贸易 争端对其关键科技领域所造成的负面影响。 尽管中国大陆在半导体自主研发方面已有所突破，但其在 芯片与半导体生产设备上，仍极度仰赖美国、韩国、日本以及荷兰等地的供应。 本文引用地址： CNN报道，位于深圳的三家进口商于24日透露，他们获知中国政府已取消对特定美国制造的半导体所 征收的125%报复性关税。 据悉，这些关税豁免适用于集成电路产品，也就是通常所说的微芯片或半导 体。 然而，目前为止，这项豁免措施尚未获得大陆官方的正式回应。 进口代理商Zhengnenliang Supply Chain经理陈少林（音译）表示，他在周四为客户办理常规通关手续时 发现，除了内存产品之外，有八种类型的集成电路关税已被调降至零。 陈少林指出：「在我们提交申报资料之后才发现这个情况，否则根本不会知道。 这个消息正如同野火 一般迅速地传播开来。」 报道提到，过去几个月以来，中国政府方面一直展现出强大的气势和自信，认为自己有能力应对与美国 之间不断升温的贸易争端。 但是，这些关税豁免的动作，表明中国需要取消某些无法在国内生产或者 从其他地区 ...

中国EUV光刻技术突破 - 中国科学院上海光学精密机械研究所林楠团队在EUV光源领域取得重大突破，开发出基于固体激光器技术的LPP-EUV光源，能量转换效率达到3.42%，超越国际顶尖水平[2] - 该技术打破西方在EUV核心技术上的垄断，标志着中国半导体产业正式进入7纳米以下先进制程领域[2] - EUV光刻技术是制造高端芯片的关键，能够将芯片电路图案缩小到纳米级别，提升性能并降低功耗[4] EUV技术现状 - EUV技术长期被国外企业垄断，荷兰ASML是全球唯一能生产商用EUV光刻机的企业[4] - 自2019年美国实施出口管制后，ASML被禁止向中国出售先进EUV光刻设备，严重制约中国高端芯片自主生产[4] - ASML采用激光轰击液态锡靶技术，使用20千瓦级二氧化碳激光器，但效率仅为0.02%[6] - ASML的光学系统使用蔡司制造的多层镀膜反射镜，表面粗糙度控制在0.1纳米以内，反射率达70%[6] 林楠团队技术路线 - 采用固体脉冲激光器代替二氧化碳激光作为驱动光源，实现3.42%的能量转换效率[8] - 固体激光器具有体积小、电光转换效率高（~20%）的优势，未来商业化后有望降低制造成本[11] - 通过优化激光峰值功率密度、改进激光脉冲控制算法和靶材材料实现关键技术突破[12] - 自主研发的LPP系统通过双脉冲打靶技术将锡液滴控制精度提升至纳米级[12] 技术对比与潜力 - 固体激光器理论最大效率接近6%，为进一步优化留足空间[11] - 固体脉冲激光器已实现千瓦级功率输出，未来有望达到万瓦级[12] - 与清华大学SSMB-EUV光源方案协同，形成多技术路径并行的研发格局[12] 产业链影响 - 短期提振中国半导体产业信心，有望摆脱对国外设备的依赖[18] - 长期将带动半导体产业链协同发展，从上游材料到下游应用市场[18] - 吸引更多优秀人才投身半导体产业，形成良好的人才培养和创新生态[18] 技术挑战与进展 - 构建完整EUV生态系统仍是巨大挑战，中国在EUV光学元件、光刻胶、对准系统等关键领域仍依赖进口[19] - 上海光机所的离子束抛光技术已实现反射镜表面粗糙度低于0.1nm[20] - 中国电子科技集团研发的纳米级同步定位技术可将同步误差控制在0.5nm以内[22] - 国产EUV光刻胶国产化率不足1%，日本垄断全球99%的市场[21] 科研背景 - 林楠研究员师从诺贝尔物理学奖得主，曾在ASML担任研发科学家和光源技术负责人[14] - 已申请/授权美、日、韩等国国际专利110余项，多项专利成功实现产品转化[14] - 2021年放弃国外优厚待遇全职归国，组建先进光刻研究小组[14]