据韩国《朝鲜日报》11月18日报道，韩国两大半导体企业三星和SK海力士16日宣布将对半导体设 施进行大规模投资。其中，三星电子投资至少60万亿韩元用于平泽5号工厂建设，扩大包括HBM在内的 下一代存储半导体产能，SK海力士在龙仁至少投资128万亿韩元建设4座晶圆厂，提高HBM等高附加值 产品产能。 业界预计，明年三星电子预计营业利润为76.20万亿韩元，SK海力士为70.27万亿韩元。外国证券公 司对明年预计更为乐观，认为三星电子利润将达116.45万亿韩元，SK海力士将达99亿韩元。原因是AI 催生的HBM等需求持续扩大的同时，通用DRAM需求也在持续增加。 （原标题：韩国两大半导体公司营业利润预计将破200万亿韩元） ...

投资计划 - 三星电子将在平泽园区启动第五座工厂P5的建设，计划于2028年竣工，预计投资额至少为60万亿韩元，旨在扩大下一代存储半导体如高带宽内存HBM的产能 [2] - SK海力士将在龙仁半导体产业集群投资至少128万亿韩元，建设四座晶圆厂，同样旨在提高高附加值存储产品如HBM的产能 [2] 业绩预测 - 三星电子今年合并营业利润预计比上年增长15.14%，达到37.6809万亿韩元，明年年度营业利润预计达到76.2045万亿韩元，是今年的两倍 [3] - SK海力士今年营业利润预计比上年增长79.2%，达到4.20528万亿韩元，明年年度营业利润预计比今年增长67.1%，达到70.2742万亿韩元 [3] - 外国证券机构预测更为乐观，摩根士丹利预测三星电子明年营业利润将达到116.448万亿韩元，其中半导体部门预计贡献94.625万亿韩元 [4] - 野村证券预测SK海力士明年营业利润将达到99万亿韩元，2027年将达到128万亿韩元，可能超过台积电 [5] - 根据相对较高的预测，三星电子和SK海力士明年的合并营业利润预计将超过200万亿韩元 [5] 市场动态与价格趋势 - 人工智能AI普及导致内存需求激增，大型科技公司持续面临内存短缺，市场预期此次半导体超级周期由结构性因素引发，可能史无前例 [2] - DRAM价格出现异常上涨趋势，通用型PC用DRAM价格从3月31日每盎司1.35美元上涨至10月31日每盎司7美元，涨幅达4.2倍 [6] - 市场分析公司TrendForce预测，今年第四季度DRAM价格将比现有水平上涨30%至35%，明年第一季度还将再上涨20%至25% [6] - DRAM价格上涨原因包括：半导体公司在增加HBM产量同时减少DRAM产量、服务器进入更换周期导致通用DRAM需求激增、公司对通用DRAM产能扩张持谨慎态度 [5] - 有分析预计，通用DRAM的销售利润可能在2026年超过HBM，三星电子70%的DRAM总产能用于通用DRAM，将直接受益 [6]

公司业绩表现 - 第三季度营业利润达12.1万亿韩元，同比增长31.8%，时隔五个季度重回10万亿韩元以上水平 [2] - 第三季度销售额达86万亿韩元，创下历史新高 [2] - 半导体部门是主要推动力，预计其营业利润约为5万亿韩元 [2] - 移动、显示、家电等部门也保持稳健表现 [2] 半导体业务分析 - 通用DRAM价格上涨与高带宽存储器出货量增加带动盈利改善 [2] - 公司重新夺回存储芯片销售冠军，市场份额达19.4%，领先第二名1.9个百分点 [2] - 利润大增部分源于减产导致的DRAM价格飙升，而非结构性改善 [2] 技术研发与战略合作 - 公司正全力推进第六代HBM4研发，并已完成量产体系建设 [2] - 公司与OpenAI达成合作，将为其AI项目提供高性能低功耗存储芯片 [2] - 公司正与英伟达进行HBM4产品认证 [2]

DRAM市场动态 - 通用DRAM价格已连续七个月持续上涨，10月份DDR4 8Gb (1Gx8 2133MHz)平均合约价达到7美元，较上月6.30美元上涨11.11% [2] - 价格自2025年4月开始反弹，当月涨幅达22.22%，5月至8月期间月度涨幅均超过20%，但9月份涨幅收窄至约10% [5] - PC厂商正提前囤积库存以应对供应短缺，而供应商增加服务器DRAM生产比例并减少PC DRAM供应，加剧了供需失衡 [5] - 预测显示第四季度PC DRAM合约价格将环比上涨25-30%，主要供应商将调整生产并专注于高附加值产品 [5] NAND闪存市场动态 - NAND闪存价格连续第十个月上涨，创下今年以来最大涨幅，10月份128Gb MLC NAND闪存平均合约价为4.35美元，较上月3.79美元上涨14.93% [4][6] - 价格上涨主要由于供应减少以及工业、汽车和电信设备需求增加，特别是SLC和MLC闪存产能萎缩推动细分市场走强 [6] - 行业预测指出，受人工智能服务器、工业设备和汽车电子产品稳定需求推动，NAND闪存价格可能在2026年上半年进一步上涨 [6] 价格历史数据趋势 - DRAM价格数据显示从2025年1月至10月持续上涨，平均价格从1月的1.35美元大幅攀升至10月的7.00美元 [3] - NAND闪存价格在2024年经历下跌后，自2025年1月开始持续上涨，平均价格从1月的2.18美元上涨至10月的4.35美元 [4]

行业需求趋势 - 人工智能基础设施和AI智能体生成数据爆炸式增长，导致对高带宽存储器和通用DRAM的需求急剧增加 [1] - 部分海外大型电子、服务器及数据中心企业因担心DRAM供应短缺，正与三星电子和SK海力士洽谈为期2至3年的中长期供应合同，改变了以往按季度或年度签约以保持库存灵活性的做法 [1] - 对DRAM短缺的担忧正促使需求方进行抢先采购，一些服务器客户已在商谈2027年及以后的订单 [2] 供应格局与产能制约 - 三星电子和SK海力士合计占据全球通用DRAM市场70%以上的份额，两家公司正将DRAM设备投资重点转向HBM，导致通用DRAM产能不可避免地萎缩 [2] - 由于HBM在晶圆上的产量约为通用DRAM的一半（假设一块晶圆产100个通用DRAM，HBM产量约为其一半），随着HBM生产份额增加，通用DRAM出货量将受到限制 [2] - 随着公司加大利润率更高的HBM占比，通用DRAM的产能扩张在短期内仍将举步维艰，花旗集团诊断未来1-2年DRAM供应增长将非常困难 [2] 价格动态与市场展望 - 通用DRAM产品DDR4 8Gb现货价格达到7.3美元，为自2018年10月（7.042美元）以来约七年间首次超过7美元，相较于4月份的2美元，价格在短短六个多月内飙升了265% [2] - 瑞银将第四季度DRAM固定交易价格增长率预测从5%（环比）上调至17%，并预测受AI服务器需求激增推动，存储器市场将在2026年迎来十年一遇的繁荣期 [3] - 内存价格上涨直接转化为半导体行业业绩提升，KB证券预测明年三星电子和SK海力士的合并营业利润将达到12.8万亿韩元，同比增长64% [3]

公司业绩与预测 - 三星电子第三季度营收达86万亿韩元，营业利润达12.1万亿韩元，同比分别增长8.7%和31.8%，季度营收首次突破80万亿韩元[2] - SK海力士第三季度营业利润预计将达到10至11万亿韩元，创下公司历史上最高的季度营业利润[1] - 多家证券公司上调SK海力士业绩预测，Kiwoom证券将其营业利润预测从11.6万亿韩元上调至12.3万亿韩元，兴国证券则从10.9万亿韩元上调至11.6万亿韩元[2] - SK海力士今年第三季度业绩预计将自成立以来首次达到12万亿韩元[1] 内存半导体市场动态 - 内存半导体行业迎来繁荣期，通用DRAM和NAND闪存市场价格走势强劲，超出预期[1][2] - PC DRAM价格较上一季度上涨了20%至30%，主要由于库存减少和溢价上涨[2] - 通用内存价格上涨进一步推高SK海力士业绩[1] 高带宽内存（HBM）业务 - SK海力士凭借对人工智能基础设施的投资，以高带宽内存为中心保持了高盈利能力[1] - 截至第二季度，SK海力士占据了全球HBM市场约60%的份额[2] - 用于AI服务器的高带宽内存出货量持续增长的势头持续到第三季度，SK海力士的HBM销量预计将超出第三季度的计划[2] - 尽管第五代HBM产品价格在第三季度开始下滑，但向下一代HBM4的过渡将抵消其带来的盈利下滑[2]

文章核心观点 - 全球半导体行业已进入新的超级周期，预计至少持续到2027年 [1][2] - 本轮超级周期由AI、数据中心和自动驾驶等新需求驱动，与过去由IT和移动设备驱动的周期存在结构性差异 [1][4] - 高性能、高附加值存储器（如HBM）和代工厂竞争成为新周期的核心特征 [1][5] - 三星电子等存储器半导体巨头有望成为本轮超级周期的最大受益者 [2][5] 半导体超级周期的四大迹象 - AI计算数据中心大规模建设带动AI加速器需求快速增长，进而推动HBM需求，使三星电子和SK海力士受益 [2] - 全球半导体公司将DRAM生产线转向专用高附加值HBM生产，导致通用DRAM产量下降和供应紧张 [2] - 第三季度末全球DRAM供应商平均库存达3.3周历史最低水平，DRAM供应下降导致价格飙升 [2] - 9月份通用PC DRAM（DDR4 8Gb）平均合约价格为6.30美元，环比上涨10.5%，为六年零八个月来首次超过6美元 [2] - AI向推理领域扩展导致数据收集存储需求增加，推动企业级SSD销量增长 [2] - 中国内存公司在尖端DRAM领域尚未赶上韩国公司，在转向HBM后无法提高产量，加剧供应紧张 [2] 结构性不同的超级周期 - 本轮超级周期由大型科技公司对AI的投资驱动，而非过去的智能手机和PC需求 [4] - 用于AI计算的大型数据中心、高性能计算和自动驾驶半导体将引领市场，物联网、移动设备和家用电器半导体形成支撑 [4] - 市场焦点从通用DRAM和NAND闪存转向用于AI加速器的高性能、高附加值、高利润的高端存储产品（如HBM） [5] - 由AI和HBM定制订单增长驱动的结构性变化正在削弱行业传统的周期性波动，预示着“非周期性”趋势出现 [5] - 一个AI数据中心的投资决策，将产生与数百万至数千万部智能手机需求激增类似的效果 [5] 三星电子的市场地位与前景 - 三星电子第三季度销售额创历史新高，营业利润超出市场预期 [1] - 三星电子通过了NVIDIA的HBM3E质量测试，并在下一代HBM4供应竞争中与SK海力士媲美 [2] - 得益于收购AMD等多元化客户，三星电子低迷的HBM出货量预计将回升 [2] - 预计到2026年，三星电子将在三大DRAM公司中创下最高增长率 [2] - 三星电子第三季度重夺内存市场龙头地位，销售额达194亿美元，超过SK海力士的175亿美元 [5] - 预计到2026年，三星电子将占据整个行业DRAM产量的32%和NAND闪存产量的30% [5] - 韩国投资证券公司将三星电子2026年的营业利润预期上调36%，至73万亿韩元 [5]

行业供需分析 - 预计明年通用DRAM和NAND Flash将出现供应不足并带动价格上涨 [2] - 供应紧张主因是三星电子、SK海力士、美光等企业集中扩大HBM产能以应对AI产业需求 [2][3] - AI数据中心推动HDD向SSD替换需求，加剧NAND Flash供应压力 [3] 产能与需求预测 - IM证券预计明年DRAM产能增幅13.5%，需求增幅13.7%；NAND Flash产能增幅13.9%，需求增幅14% [2] - 未来资产证券预测DRAM需求增长12%但产能仅增6.5%；NAND需求增长18%但产能仅增0.6% [2] - 三大DRAM厂商未规划新扩产计划，仅通过工艺转换提升产能 [3] 价格变动趋势 - 闪迪本月初通知客户NAND Flash产品价格上调10% [3] - 美光通知部分通用DDR5产品涨价幅度超过20% [3] - HBM持续供应高利润产品推动通用存储芯片进入涨价周期 [4] 市场结构变化 - HDD市场重组为由希捷和西部数据主导的供应格局 [3] - 云计算企业对高速读写NAND Flash SSD需求持续增加 [3] - 内存半导体厂商受限于供应能力导致扩产决策保守 [3]

核心观点 - 全球芯片市场尤其是内存芯片领域正释放复苏信号，包括DRAM和HBM市场价格回升、库存去化、订单恢复 [3] - 行业供需结构、产品组合与资本流向正发生深刻变化，新一轮存储周期正以不同于以往的节奏启动 [26] 韩国DRAM出口激增 - 韩国DRAM出口额自2月起连续四个月实现两位数增长：3月增长27.8%，4月增长38%，5月增长36%，6月前20天增长25.5% [4] - 6月前20天韩国DRAM出口额达2.69万亿韩元（约19亿美元），同比增长25.5% [6] - TrendForce预计第三季度通用型DRAM价格将上涨18%~23% [6] 三星DRAM业绩复苏 - 三星半导体部门第二季度营业利润预计达2万亿韩元，环比翻倍增长，主要归因于通用DRAM价格回升 [9] - 三星已向AMD供应HBM3E 12层芯片，但需进入英伟达供应链以站稳HBM市场 [9] - 今年以来三星股价上涨12.9%，走势明显改善 [9] DDR4与DDR5价格走势 - DDR4芯片现货均价达12.5美元，最高价触及24美元，而DDR5价格维持在6美元上下 [11] - 16Gb DDR4 3200芯片现货价格从5月23日的5.6美元上涨至6月20日的11.5美元，几近翻倍 [13] - DDR5 4800/5000芯片价格上涨9%至6美元左右 [13] 美光财报表现 - 季度营收达93亿美元，环比增长15.5%，同比增长36.6%，高于预期的88.6亿美元 [15] - 调整后每股收益1.91美元，高于预估的1.60美元，毛利率提升至39% [15] - HBM业务季度收入环比增长约50%，计划2025年底将HBM市场份额提升至23%~24% [15] SK海力士HBM表现 - SK海力士第一季度在全球DRAM市场份额达36%，高于三星的34%和美光的25% [17] - HBM领域占据70%市场份额，市值突破200万亿韩元（1470亿美元） [17] - 预计第二季度营业利润达9万亿韩元（66亿美元），下半年季度营业利润有望突破10万亿韩元 [17] 行业结构性变化 - 三星、美光、SK海力士相继宣布停产DDR4系列，转向DDR5与HBM [22] - HBM生产带来更高单位利润，厂商将传统产线转向高附加值产品 [22] - 欧美关税政策不明促使终端厂商囤货避险，推高短期价格 [23] AI与HBM需求 - 英伟达预计"数十GW"的AI基础设施项目，每建设一个GW收入将在400亿至500亿美元之间 [24] - 预计英伟达2025年GPU出货量达650万台，2026年达750万台，平均销售价格超40,000美元 [24] - HBM供不应求，存储厂商宣布HBM库存将在2025年之前售罄 [23]

全球芯片市场复苏信号 - 2025年上半年全球芯片市场释放复苏信号，尤其是内存芯片领域，包括通用DRAM和HBM，市场价格回升、库存去化、订单恢复 [1] - 韩国DRAM出口额自2月起结束同比下滑，连续四个月实现两位数增长：3月增长27.8%，4月增长38%，5月增长36%，6月前20天增长25.5% [2][4] - 6月前20天韩国DRAM出口额达2.69万亿韩元（约19亿美元），同比增长25.5%，不包括HBM等复杂多芯片封装产品 [4] 通用DRAM市场供需紧张 - TrendForce预计第三季度通用型DRAM价格将上涨18–23%，供应受限导致买家难以获得所需产品 [5] - 市场对头部半导体企业自2026年起实现盈利增长的预期增强，通用DRAM周期不会断崖式下滑 [5] - DDR4芯片价格大幅上涨，16Gb DDR4 3200芯片现货价格从5月23日的5.6美元上涨至6月20日的11.5美元，几近翻倍 [7] 三星业绩复苏与HBM布局 - 三星半导体部门第二季度营业利润预计达2万亿韩元，环比翻倍增长，主要受益于通用DRAM价格回升 [6] - 三星向AMD供应HBM3E 12层芯片，但需进入英伟达供应链以在HBM市场站稳脚跟 [6] - 今年以来三星股价上涨12.9%，走势明显改善 [6] SK海力士HBM市场主导地位 - SK海力士第一季度在全球DRAM市场拿下36%的份额，高于三星的34%和美光的25%，主要得益于HBM业务 [11] - SK海力士在HBM领域占据70%的市场份额，市值突破200万亿韩元（1470亿美元） [11][13] - 预计第二季度营业利润达9万亿韩元（66亿美元），HBM3E 12层芯片占HBM出货量一半以上，下半年占比将超80% [15][16] 美光财报与HBM业务增长 - 美光季度营收达93亿美元，环比增长15.5%，同比增长36.6%，调整后每股收益1.91美元，毛利率提升至39% [10] - HBM业务季度收入环比增长约50%，计划2025年底将HBM市场份额提升至23–24% [10] - 预计下一季度营收达104–110亿美元，创历史新高 [10] DDR4与DDR5价格分化 - DDR4芯片价格飙涨，三星/SK海力士3200 MHz DDR4 16Gb芯片现货均价达12.5美元，最高价触及24美元 [7] - DDR5 4800/5000芯片价格上涨9%至6美元左右，首次出现DDR4价格显著高于DDR5的倒挂现象 [7] - 终端厂商因担忧地缘政治与贸易政策影响集中备货，推动DDR4价格飙升 [8] 行业结构性变化 - 三星、美光、SK海力士相继宣布停产DDR4系列，将产品重心转向DDR5与HBM [19] - HBM生产带来更高单位利润，厂商将传统产线转向高附加值产品，加剧通用型DRAM芯片短缺 [20] - 欧美关税政策不明朗，终端厂商囤货避险推高短期价格 [21] 行业周期反转与AI需求 - HBM供不应求，存储厂商宣布HBM库存将在2025年之前售罄，与摩根士丹利此前预测的供给过剩形成鲜明对比 [21] - 英伟达预计GPU出货量2025年达650万台，2026年达750万台，平均售价超40,000美元，推动HBM需求 [22] - 摩根士丹利分析师承认此前判断过于悲观，预计行业周期底部或提前至2026年初 [22] 行业展望 - 从通用型DRAM到HBM，多个维度数据表明芯片寒冬或已过去，新一轮存储周期悄然启动 [24] - 半导体行业供需结构、产品组合与资本流向发生深刻变化，春潮已至 [25]