核心观点 - 全球芯片市场尤其是内存芯片领域正释放复苏信号，包括DRAM和HBM市场价格回升、库存去化、订单恢复 [3] - 行业供需结构、产品组合与资本流向正发生深刻变化，新一轮存储周期正以不同于以往的节奏启动 [26] 韩国DRAM出口激增 - 韩国DRAM出口额自2月起连续四个月实现两位数增长：3月增长27.8%，4月增长38%，5月增长36%，6月前20天增长25.5% [4] - 6月前20天韩国DRAM出口额达2.69万亿韩元（约19亿美元），同比增长25.5% [6] - TrendForce预计第三季度通用型DRAM价格将上涨18%~23% [6] 三星DRAM业绩复苏 - 三星半导体部门第二季度营业利润预计达2万亿韩元，环比翻倍增长，主要归因于通用DRAM价格回升 [9] - 三星已向AMD供应HBM3E 12层芯片，但需进入英伟达供应链以站稳HBM市场 [9] - 今年以来三星股价上涨12.9%，走势明显改善 [9] DDR4与DDR5价格走势 - DDR4芯片现货均价达12.5美元，最高价触及24美元，而DDR5价格维持在6美元上下 [11] - 16Gb DDR4 3200芯片现货价格从5月23日的5.6美元上涨至6月20日的11.5美元，几近翻倍 [13] - DDR5 4800/5000芯片价格上涨9%至6美元左右 [13] 美光财报表现 - 季度营收达93亿美元，环比增长15.5%，同比增长36.6%，高于预期的88.6亿美元 [15] - 调整后每股收益1.91美元，高于预估的1.60美元，毛利率提升至39% [15] - HBM业务季度收入环比增长约50%，计划2025年底将HBM市场份额提升至23%~24% [15] SK海力士HBM表现 - SK海力士第一季度在全球DRAM市场份额达36%，高于三星的34%和美光的25% [17] - HBM领域占据70%市场份额，市值突破200万亿韩元（1470亿美元） [17] - 预计第二季度营业利润达9万亿韩元（66亿美元），下半年季度营业利润有望突破10万亿韩元 [17] 行业结构性变化 - 三星、美光、SK海力士相继宣布停产DDR4系列，转向DDR5与HBM [22] - HBM生产带来更高单位利润，厂商将传统产线转向高附加值产品 [22] - 欧美关税政策不明促使终端厂商囤货避险，推高短期价格 [23] AI与HBM需求 - 英伟达预计"数十GW"的AI基础设施项目，每建设一个GW收入将在400亿至500亿美元之间 [24] - 预计英伟达2025年GPU出货量达650万台，2026年达750万台，平均销售价格超40,000美元 [24] - HBM供不应求，存储厂商宣布HBM库存将在2025年之前售罄 [23]

全球芯片市场复苏信号 - 2025年上半年全球芯片市场释放复苏信号，尤其是内存芯片领域，包括通用DRAM和HBM，市场价格回升、库存去化、订单恢复 [1] - 韩国DRAM出口额自2月起结束同比下滑，连续四个月实现两位数增长：3月增长27.8%，4月增长38%，5月增长36%，6月前20天增长25.5% [2][4] - 6月前20天韩国DRAM出口额达2.69万亿韩元（约19亿美元），同比增长25.5%，不包括HBM等复杂多芯片封装产品 [4] 通用DRAM市场供需紧张 - TrendForce预计第三季度通用型DRAM价格将上涨18–23%，供应受限导致买家难以获得所需产品 [5] - 市场对头部半导体企业自2026年起实现盈利增长的预期增强，通用DRAM周期不会断崖式下滑 [5] - DDR4芯片价格大幅上涨，16Gb DDR4 3200芯片现货价格从5月23日的5.6美元上涨至6月20日的11.5美元，几近翻倍 [7] 三星业绩复苏与HBM布局 - 三星半导体部门第二季度营业利润预计达2万亿韩元，环比翻倍增长，主要受益于通用DRAM价格回升 [6] - 三星向AMD供应HBM3E 12层芯片，但需进入英伟达供应链以在HBM市场站稳脚跟 [6] - 今年以来三星股价上涨12.9%，走势明显改善 [6] SK海力士HBM市场主导地位 - SK海力士第一季度在全球DRAM市场拿下36%的份额，高于三星的34%和美光的25%，主要得益于HBM业务 [11] - SK海力士在HBM领域占据70%的市场份额，市值突破200万亿韩元（1470亿美元） [11][13] - 预计第二季度营业利润达9万亿韩元（66亿美元），HBM3E 12层芯片占HBM出货量一半以上，下半年占比将超80% [15][16] 美光财报与HBM业务增长 - 美光季度营收达93亿美元，环比增长15.5%，同比增长36.6%，调整后每股收益1.91美元，毛利率提升至39% [10] - HBM业务季度收入环比增长约50%，计划2025年底将HBM市场份额提升至23–24% [10] - 预计下一季度营收达104–110亿美元，创历史新高 [10] DDR4与DDR5价格分化 - DDR4芯片价格飙涨，三星/SK海力士3200 MHz DDR4 16Gb芯片现货均价达12.5美元，最高价触及24美元 [7] - DDR5 4800/5000芯片价格上涨9%至6美元左右，首次出现DDR4价格显著高于DDR5的倒挂现象 [7] - 终端厂商因担忧地缘政治与贸易政策影响集中备货，推动DDR4价格飙升 [8] 行业结构性变化 - 三星、美光、SK海力士相继宣布停产DDR4系列，将产品重心转向DDR5与HBM [19] - HBM生产带来更高单位利润，厂商将传统产线转向高附加值产品，加剧通用型DRAM芯片短缺 [20] - 欧美关税政策不明朗，终端厂商囤货避险推高短期价格 [21] 行业周期反转与AI需求 - HBM供不应求，存储厂商宣布HBM库存将在2025年之前售罄，与摩根士丹利此前预测的供给过剩形成鲜明对比 [21] - 英伟达预计GPU出货量2025年达650万台，2026年达750万台，平均售价超40,000美元，推动HBM需求 [22] - 摩根士丹利分析师承认此前判断过于悲观，预计行业周期底部或提前至2026年初 [22] 行业展望 - 从通用型DRAM到HBM，多个维度数据表明芯片寒冬或已过去，新一轮存储周期悄然启动 [24] - 半导体行业供需结构、产品组合与资本流向发生深刻变化，春潮已至 [25]

美国政府半导体监管新规 - 2025年1月美国政府出台针对半导体行业的严格监管规定 重点加强对先进半导体和集成电路的审查 要求晶圆代工厂识别客户身份并每季度向美国当局报告信息 旨在维护技术领导地位和保障国家安全 [2] - 规定要求确保由主要晶圆代工厂生产的先进芯片不会流向中国等受制裁国家的企业 这是美国在贸易摩擦和技术竞争中采取的战略举措 [2] - 三星电子向美国商务部提交意见函 表达对监管规定的担忧 认为可能导致意想不到的后果并阻碍创新 呼吁放宽监管并强调明确术语和适用范围的必要性 [2] 行业反馈与影响 - 三星指出对客户的识别和报告要求可能抑制创新 亟需在外包半导体封装与测试服务 已批准芯片设计商参与的处理环节以及晶体管数量定义等关键领域给出明确解释 [2] - 美国设备厂商应用材料公司和KLA公司以及半导体行业协会也递交函件请求放宽监管 SIA指出这些规定可能对全球供应链和技术进步造成负面影响 [2] - 美国商务部预计将很快公布最终规则 行业希望新措施能在保障国家安全与促进行业增长和创新之间找到平衡 [2] 美国对半导体征收新关税 - 特朗普政府于4月10日宣布新一轮关税 对钢铁等产品征收25%的关税 并计划扩大到半导体 预计首先针对智能手机和个人电脑中使用的ICT芯片 可能扰乱全球供应链并加剧内存两极分化 [4] - 对半导体征收关税被视为遏制中国在美国市场影响力的战略举措 将首先针对实体手机或电脑服务器芯片 限制美国大公司从中国采购廉价半导体 [6] 韩国半导体公司面临的挑战 - 三星电子等韩国半导体公司将面临重大挑战 因其依赖主要安装在一般IT设备中的通用DRAM和NAND闪存产品 [6] - 三星在越南北宁和太原拥有大型智能手机生产工厂 在中国西安拥有一条NAND闪存生产线 SK海力士在无锡拥有DRAM生产线 在大连拥有NAND闪存生产线 这些设施可能受到高关税不利影响 [6] - 在中国大陆 中国台湾和越南生产的IT设备出口到美国 其中用到韩国芯片 这种相互联系使得企业难以避免负面影响 [6]