台积电产能扩张与技术进展 - 2024年台湾与海外扩建9个厂，包含8座晶圆厂和1座先进封装厂，远超往年平均每年5个厂的扩建速度[1] - 3纳米产能2024年预计增加60%，2025年整体产能将成长超过60%[1][2] - 2纳米制程将于2025年下半年量产，初期良率表现超越预期，将在新竹与高雄建置专属产线[1][2] - 台中晶圆25厂预计2028年量产2纳米及更先进技术，高雄将建5座厂包含A16及更先进技术[1] 制程技术发展 - 3纳米家族制程进入第三年量产，包括N3E、N3P、N3X多样技术版本，良率表现与5纳米相当且已具备车用芯片品质[1] - 2纳米技术采用新一代纳米片电晶体架构，制程更为精细[2] - A14制程预计2028年量产，与2纳米相比：相同功耗下速度提升10%-15%，相同速度下功耗降低25%-30%，逻辑密度增加超过20%[4] 全球布局与产能 - 美国亚利桑那州厂2024年底量产4纳米，日本熊本厂2024年初投产且良率与台湾接近，熊本二厂已开建，德国德勒斯登厂按计划推进[2] - 先进封装领域3D Fabric平台通过AI自动化提升良率，SOIC产能自2022年以来已倍增，CoWoS产能年增达80%[2] - 在台中、嘉义、竹南、龙潭和台南持续扩大封装厂产能，并规划设立海外封装基地[2] AI与半导体行业展望 - AI芯片规模2021-2025年预计成长12倍，与AI直接相关的大面积芯片出货量将成长8倍[2] - 2025年半导体行业预计成长10%以上，2030年产值有望达1万亿美元，其中AI占比将达45%[3][4] - 2024年为AI元年，AI将持续推动5纳米、4纳米及3纳米等先进制程及先进封装技术需求[3] 应用领域发展趋势 - 智能手机、电脑和物联网市场增长温和，汽车市况疲软但自驾功能将推动技术向5纳米等先进制程演进[4] - 2030年半导体应用占比预测：手机约25%，汽车15%，物联网10%[4] 永续发展目标 - 2040年达成RE100，2050年实现净零排放目标，已导入碳捕捉技术与AI节能机制[3] - 2025年起碳排放将出现拐点并呈下降趋势[3]

行情速递 - 主板领涨个股包括西陇科学(+10 00%)、武汉凡谷(+5 10%)、盛路通信(+4 87%)、立昂微(+4 75%)、大晟文化(+4 46%) [1] - 创业板领涨个股包括海联讯(+9 36%)、新晨科技(+8 35%)、飞天诚信(+7 33%) [1] - 科创板领涨个股包括莱尔科技(+6 07%)、世华科技(+5 56%)、新点软件(+3 31%) [1] 国内新闻 - 台积电揭示A14制程技术进展，该技术基于N2制程，旨在提升AI运算速度和能源效率，并增强智能手机的装置端AI功能，计划2028年投产，目前良率表现优于预期 [1] - 和辉光电递交香港联交所主板上市申请，此前已登陆上交所科创板，A股市值约292亿元，此次IPO旨在拓展国际融资渠道并支持技术研发和产能扩张 [1] - 斯凯孚（SKF）在2025上海车展展示"智能+清洁"双轮驱动战略，推出新能源技术战略全景图，应对汽车产业电动化、智能化转型 [1] - 中国信科科协第一次会员代表大会在武汉举行 [1] 公司公告 - 盈趣科技2025年一季度总营业收入8 59亿元（同比+12 45%），归母净利润0 77亿元（同比+37 81%） [2] - 欧菲光2025年一季度总营业收入48 82亿元（同比+5 07%），归母净利润-0 59亿元（同比-470 51%） [2] - 恒银科技2025年一季度总营业收入0 94亿元（同比+1 27%），归母净利润0 05亿元（同比+125 24%） [2] - 朗威股份2025年一季度总营业收入2 50亿元（同比+21 43%），归母净利润0 20亿元（同比+110 43%） [2] 海外新闻 - Meta推出翻新版Quest 3S，128GB版售价270美元（约1950元人民币），256GB版360美元（约2600元人民币） [2] - 谷歌I/O开发者大会议程包含Android XR应用开发会议 [2] - 贝思半导体（BESI）表示亚洲晶圆代工厂因AI相关数据中心应用产品需求增加，一季度订单量增长 [2] - 诺基亚一季度利润低于市场预期，美国关税将影响二季度利润，实现全年业绩预期面临挑战 [2] 行业研究团队 - 孙远峰为太平洋证券科技行业首席分析师，拥有电子实业工作经验，曾多次获得新财富、水晶球等行业奖项，2023年和2024年带领团队获得Wind金牌分析师进步最快研究机构奖 [3]

行情速递 - 主板领涨个股包括西陇科学(+10.00%)、武汉凡谷(+5.10%)、盛路通信(+4.87%)、立昂微(+4.75%)、大晟文化(+4.46%) [1] - 创业板领涨个股包括海联讯(+9.36%)、新晨科技(+8.35%)、飞天诚信(+7.33%) [1] - 科创板领涨个股包括莱尔科技(+6.07%)、世华科技(+5.56%)、新点软件(+3.31%) [1] 国内新闻 - 台积电A14制程技术进展顺利，良率表现优于预期，计划于2028年开始生产，旨在提升AI运算速度和能源效率，并增强智能手机的装置端AI功能 [1] - 和辉光电正式向香港联交所递交主板上市申请，此前已于2021年5月登陆上交所科创板，A股市值约292亿元，此次赴港IPO旨在拓展国际融资渠道并支持技术研发和产能扩张 [1] - 斯凯孚（SKF）在2025上海车展上展示新能源技术战略全景图，以"智能+清洁"双轮驱动应对汽车产业电动化、智能化转型 [1] - 中国信科科协第一次会员代表大会暨一届一次全体委员会议在武汉举行 [1] 公司公告 - 盈趣科技2025年一季度总营业收入8.59亿元（同比增长12.45%），归母净利润0.77亿元（同比增长37.81%） [3] - 欧菲光2025年一季度总营业收入48.82亿元（同比增长5.07%），归母净利润-0.59亿元（同比减少470.51%） [3] - 恒银科技2025年一季度总营业收入0.94亿元（同比增长1.27%），归母净利润0.05亿元（同比增长125.24%） [3] - 朗威股份2025年一季度总营业收入2.50亿元（同比增长21.43%），归母净利润0.20亿元（同比增长110.43%） [3] 海外新闻 - Meta推出翻新版Quest 3S，128GB版售价270美元（约合人民币1950元），256GB版360美元（约合人民币2600元） [3] - 谷歌年度I/O开发者大会议程公布，包含Android XR应用开发会议 [3] - 贝思半导体（BESI）表示亚洲晶圆代工厂因AI相关需求增加，第一季订单量出现成长 [3] - 诺基亚第一季度利润远低于市场预期，美国关税将对其第二季度利润造成短期影响 [3]

台积电2025年北美技术论坛发布的新技术 - 公司推出A14制程技术，并计划在2027年量产9.5倍光罩尺寸的CoWoS技术，相较现阶段CoWoS-L的3.3倍和去年推出的8倍有显著升级，可将12个或更多HBM堆叠整合到一个封装中 [2] - 公司发表新的逻辑制程、特殊制程、先进封装和3D芯片堆叠技术，为HPC、智能手机、汽车和IoT技术平台做出贡献 [2] - 公司推出以CoWoS技术为基础的SoW-X，计划2027年量产，拥有当前CoWoS解决方案40倍运算能力 [2] 先进封装与逻辑技术进展 - 公司推进CoWoS技术以满足AI对逻辑和HBM的需求，2027年量产的9.5倍光罩尺寸CoWoS可整合12+个HBM堆叠 [2] - 公司提供新解决方案包括：硅光子整合(COUPE技术)、用于HBM4的N12/N3逻辑基础裸片、新型IVR(5倍垂直功率密度传输) [2] 智能手机技术突破 - 公司推出N4C RF技术，与N6RF+相比提供30%功率和面积缩减，支持Wi-Fi 8和AI功能真无线立体声，计划2026年Q1试产 [2] 汽车与物联网技术布局 - 公司N3A制程正进行AEC-Q100第一级验证最后阶段，将进入汽车应用生产阶段，满足ADAS和AV的严苛需求 [2][3] - 公司超低功耗N6e制程进入生产，将继续推动N4e拓展边缘AI的能源效率极限 [3]

核心观点 - 台积电在TSMC Symposium 2025上发布了第二代GAA工艺14A，计划2028年投产，相比N2工艺在相同功耗下速度提升15%，相同速度下功耗降低30%，逻辑密度提升20%以上 [2][8][10] - 公司推出多项新技术覆盖高性能计算、手机、汽车和物联网领域，包括9.5光罩尺寸CoWoS封装、SoW-X晶圆级系统等 [2][4][5][6] - 3nm工艺路线图更新，N3P已投产，N3X计划2025年下半年量产，相比N3E性能提升5%，功耗降低7% [16][17][18] - 先进封装技术成为发展重点，3DFabric技术组合支持从微凸块到无凸块的多层次集成方案 [34][36][38] - 人工智能成为技术发展主要驱动力，推动半导体行业向更高性能、更低功耗方向发展 [19][21][43] 技术路线图更新 14A工艺 - 采用第二代GAA纳米片晶体管和NanoFlex Pro架构，2028年量产基础版，2029年推出带背面供电的SPR版本 [8][13][14] - 与N2相比性能提升10-15%，功耗降低25-30%，逻辑密度提升1.2-1.23倍 [10][12][25] - 初期版本采用正面供电，适合客户端和边缘应用，高性能版本将引入背面供电网络 [13][25] 3nm工艺进展 - N3P已投产，相比N3E性能提升5%，功耗降低5-10%，密度提升4% [16][17] - N3X计划2025年下半年量产，支持1.2V高压，Fmax性能再提升5%但漏电增加250% [17][18] - N3C为压缩版本，优化工艺密度 [23] 16A工艺 - 首款采用SPR背面供电技术，计划2026年下半年量产 [27] - 相比N2P速度提升8-10%，功耗降低15-20%，密度提升7-10% [12][27] 应用领域技术 高性能计算 - CoWoS技术升级至9.5光罩尺寸，支持12个以上HBM堆栈集成，2027年量产 [2] - SoW-X晶圆级系统计算能力达现有CoWoS方案的40倍，2027年量产 [2] - 集成硅光子引擎COUPE和IVR电压调节器，功率密度提升5倍 [3][43][46] 智能手机 - N4C RF技术支持WiFi8和AI功能，相比N6RF+功耗和面积减少30%，2026年Q1风险生产 [4] 汽车电子 - N3A工艺通过AEC-Q100一级认证，满足汽车级DPPM要求，已开始量产 [5] 物联网 - N6e超低功耗工艺已投产，N4e工艺继续提升边缘AI能效 [6] 先进封装发展 - 3DFabric技术组合包含SoIC-P（16微米间距）、SoIC-X（几微米间距）等方案 [36] - CoWoS系列支持硅中介层、有机中介层和局部硅桥三种互连方式 [38] - InFO平台扩展至汽车应用，TSMC-SoW实现晶圆级系统集成 [38] - 集成稳压器和高密度电感器技术将功率传输密度提升5倍 [46] 行业趋势 - AI成为半导体技术发展核心驱动力，推动高性能计算需求爆发式增长 [19][21][43] - 先进制程与先进封装协同发展成为关键，台积电提供从晶体管到系统级完整解决方案 [51] - 人形机器人、AR眼镜等新兴应用将需要更复杂的异构集成方案 [48][49]