Micron Technology (MU) delivered what Morgan Stanley called the best revenue and earnings beat in U.S. semiconductor history outside Nvidia (NVDA). Following its fiscal Q1 earnings, MU stock rose 10% as the memory chipmaker revealed it cannot keep up with surging demand for artificial intelligence. The company's blunt assessment during its earnings call captured the supply-demand imbalance reshaping the memory market: “We are more than sold out.” Micron stock is up 200% over the last 12 months and brough ...

智通财经APP获悉，根据TrendForce集邦咨询最新调查，近期因存储器市况呈现供不应求，带动一般型 DRAM(Conventional DRAM)价格急速攀升，尽管HBM3e受惠于GPU、ASIC订单同步上修，价格也随之 走扬，但是预期未来一年HBM3e和DDR5的平均销售价格(ASP)差距仍将明显收敛。 另一方面，随着Conventional DRAM获利逐步上升，部分供应商产能开始倾向DDR5，给予HBM3e更大 涨价空间。在GPU与ASIC需求上调后，主要买家皆追加HBM3e采购以因应来年的AI系统建设。综合以 上因素，供应商重新获得定价主导权，开始调整先前过低的合约价，预计2026年HBM3e整体ASP将略 微上修。 TrendForce集邦咨询表示，2025年5月NVIDIA(英伟达)率先与三大DRAM供应商展开2026年采购协商， 当时在买方主导定价的情况下，2026年HBM3e的初始采购单价显著低于2025年水平。 然而，存储器市场供需情况于2025年第三季开始快速反转，由于AI相关的Server布局需求优于预期，各 大云端服务供应商(CSP)扩大Server DDR5备货，同时拟定2026 ...

Dec. 18, 2025 产业洞察 根 据 Tr e n dFo r c e 集 邦 咨 询 最 新 调 查 ， 近 期 因 存 储 器 市 况 呈 现 供 不 应 求 ， 带 动 一 般 型 DRAM(Co n v e n ti o n a l DRAM)价格急速攀升，尽管HBM3 e受惠于GPU、ASIC订单同步上修， 价 格 也 随 之 走 扬 ， 但 是 预 期 未 来 一 年 HBM3 e 和 DDR5 的 平 均 销 售 价 格 (ASP) 差 距 仍 将 明 显 收 敛。 Tr e n dFo r c e集邦咨询表示，2 0 2 5年5月NVIDIA（英伟达）率先与三大DRAM供应商展开2 0 2 6 年采购协商，当时在买方主导定价的情况下，2 0 2 6年HBM3 e的初始采购单价显著低于2 0 2 5年 水平。 然而，存储器市场供需情况于2 0 2 5年第三季开始快速反转，由于AI相关的Se r v e r布局需求优于 预期，各大云端服务供应商(CSP)扩大Se r v e r DDR5备货，同时拟定2 0 2 6 - 2 0 2 7年的采购计划， 形成市场缺货格局，故DRAM供应商大幅提 ...

市场表现 - A股市场午后出现跳水，但半导体板块成为唯一逆势上涨的科技板块，显示出较强的抗跌性 [1] - 半导体设备ETF易方达(159558)当日上涨0.95%，年内累计涨幅达到45.03% [1] 行业驱动因素 - 全球半导体行业正经历涨价潮，存储芯片大厂如三星电子、SK海力士宣布2025年第四季度价格上调30% [5][7] - AI服务器对存储芯片需求激增，单台AI服务器存储需求是传统服务器的8-10倍，OpenAI等企业月度采购量占全球DRAM产能40% [6] - 业内机构将第四季度Conventional DRAM价格预估涨幅从8%-13%上调至18%-23%，并可能继续上调 [8] - 代工巨头台积电计划自2026年1月起对5纳米以下先进制程连续四年涨价，平均涨幅约3%-5% [11] - 台积电表示生成式AI需求强劲，2026年前AI相关产能难以满足全部需求，未来两年资本支出保持高位 [11] - 亚马逊AWS与OpenAI签署380亿美元协议，支持AI计算需求 [15] 公司业绩表现 - 第三季度三星电子存储芯片业务收入创历史新高，SK海力士创下季度历史最高业绩 [9] - A股存储芯片企业兆易创新前三季度营收68.32亿元，同比增长20.92%，净利润10.83亿元，增长30.18% [9] - 兆易创新预计NOR Flash明年价格维持温和上涨态势 [9] - 江波龙前三季度营业收入167.34亿元，同比增长26.12%，净利润7.1亿元，增长27.95% [9] - 江波龙第三季度营收65.39亿元，同比增长54.6%，净利润6.98亿元，扭亏为盈 [9] - A股半导体设备板块25Q3整体营收同比增长超过35%，归母净利润同比增长超过50% [20] - 北方华创Q3营收突破100亿元，创单季度新高，同比增速38.31% [21] - 中微公司Q3营收增速50.62%，拓荆科技Q3营收增速124.15% [21] - 长川科技Q3营收增速60.04%，华峰测控Q3营收增速67.21% [21] - 半导体设备材料指数前三季度营收、净利实现双位数增长 [21] - 半导体设备ETF易方达(159558)近20日净流入5.47亿元 [21] 产能扩张与技术进展 - 国内存储客户扩产，长存三期、长鑫存储加速新产能扩张，2026年有望开启确定性强的扩产周期 [4][10] - 中芯国际2025年上半年新增近2万片/月12英寸标准逻辑晶圆产能，月产能提升至约99万片(折合8英寸) [16] - 中芯国际计划未来2-3年内保持每年约5万片12英寸晶圆的稳定产能增长 [16] - 华虹半导体第二季度总月产能攀升至44.7万片(折合8英寸)，加速华虹九厂产能建设 [16] - 国产半导体设备在多个关键环节取得实质性进展，实现从"点的突破"到"系统化崛起" [18] - 中微公司5纳米及更先进制程刻蚀设备通过多家头部厂商3纳米工艺验证，晶圆边缘刻蚀设备将产能提升40% [18] - 拓荆科技PECVD领域进展顺利，3D NAND晶圆对晶圆混合键合设备实现批量销售 [18] - 北方华创在ALD领域取得重大突破，原子层沉积设备被多家客户导入 [18] - 中科飞测发布新一代缺陷检测设备，灵敏度与吞吐量达到国际主流水平 [19] - 设备龙头企业研发投入占营业收入比重普遍超过15%，部分企业高达30%以上 [19] 产业链传导逻辑 - 半导体景气周期传导路径清晰：涨价→厂商盈利能力恢复→资本开支扩张→设备采购订单增加→国产设备商受益 [12] - 全球地缘政治不确定性促使半导体企业将供应链安全置于重要位置，主动引入国产设备 [13] - 行业景气期为国产设备提供了"试错"和"迭代优化"的机会 [13] - 国家政策支持为国产设备销售提供政策和资金支持 [13] 估值水平 - 半导体设备板块龙头公司动态市盈率回落至40-60倍区间 [23] - 该估值水平与净利润年复合增长率可能超过50%的高成长性相匹配 [23]

2025年第四季及2026年DRAM市场展望 - 2025年第四季Server DRAM合约价涨势转强，受全球云端供应商扩充数据中心规模推动，并带动整体DRAM价格上扬 [1] - 2025年第四季一般型DRAM合约价涨幅预估从原先的8-13%上修至18-23%，并且很有可能再度上修 [1] - 2025年第四季HBM混合合约价涨幅预估为23-28% [2] 2026年DRAM需求与价格趋势 - 预估2026年服务器整机出货量年增幅度将扩大至4%左右 [4] - 因云端供应商积极导入高效能运算架构支持大型模型运算，服务器单机DRAM搭载容量将提高，推升整体DRAM位元需求优于预期，导致供给短缺情况延续 [4] - 预期DDR5合约价于2026全年呈上涨态势，尤其以上半年较为显著 [4] DDR5与HBM3e的获利表现对比 - 2025年第二季时，HBM3e和DDR5仍有四倍以上价差，HBM3e能为供应商带来较佳获利 [4] - 随着DDR5价格持续走扬，两者价差将于2026年明显收敛，预计从2026年第一季起，DDR5的获利表现将优于HBM3e [1][4] - 对比2026年HBM议价情况，随着三大原厂于HBM3e竞争格局形成且买方有一定库存水位，预计HBM3e合约价将转为年减 [4] 供应商未来产能与价格策略 - 由于HBM3e和DDR5产能互相竞争，预期获利结构翻转后，供应商可能选择进一步增加Server DDR5供给量以巩固获利基础 [5] - 因HBM3e价格渐趋稳定且需求动能仍强，供应商可能争取提高HBM3e平均销售单价来平衡产品组合获利 [5] - 未来原厂在DDR5与HBM之间的产能配置与价格策略将成为影响下阶段市场走向的变量 [5]

**SK海力士HBM4技术进展与内存定价观点** **涉及的行业与公司** * 行业为内存半导体行业 重点关注高带宽内存HBM和传统内存DRAM/NAND [1][2][3] * 核心公司为SK海力士 同时提及竞争对手三星电子和美光科技 [1][2][3] **HBM4技术开发与量产计划** * SK海力士宣布已完成全球首款HBM4开发并建立量产系统 [1] * HBM4相比其12层HBM3E的关键规格提升包括：带宽翻倍以上 I/O端子数量翻倍 数据传输速度提升至超过10Gb/s 能效提升超过40% [1] * 主要HBM客户近期将HBM4速度要求从8Gb/s提升至10Gb/s 海力士的进展表明其能满足新要求 [2] * 选择采用逻辑工艺制造基础晶圆的韩国供应商海力士和三星可能比竞争对手更具优势 [2] * 三星也准备在本月内提供符合更高速度要求的HBM4样品 [2] * 两家公司的当前样品测试结果预计在2025年第四季度中后期可见 若最终客户采样顺利 HBM4量产预计于2025年底或2026年初开始 [2] **HBM能效与竞争对比** * 海力士称其HBM4能效提升超40% 而美光称其提升超20% 但能效的定义和测试条件可能因公司而异 此数据不能直接证明海力士进展更优 [2] **HBM定价前景** * 与最大客户关于明年HBM量价的细节尚不明确 但预计本月内将达成协议 [3] * 鉴于满足HBM4要求的难度增加 定价可能存在上行风险 [3] * 即便如此 预计明年HBM平均销售价格ASP同比仍将下降接近两位数百分比 主要因预期HBM3E 12层价格将大幅下降 [3] **传统内存需求与定价前景** * 服务器内存需求持续超预期 主要动力来自美国云服务提供商CSP 企业级SSD需求尤为强劲 [3] * 当前预测传统DRAM和NAND价格将持续上涨至年底 随后因库存调整在2026年上半年出现价格修正 [3] * 若服务器相关需求持续 此轮涨价周期可能延长至2026年上半年 [3] **公司财务预测与估值** * 高盛对SK海力士给出12个月目标股价300,000韩元 该目标基于1.8倍市净率P/B应用于2025/2026年平均每股净资产BVPS [7] * 当前股价为307,000韩元 预示有2.3%的下行空间 投资评级为中性 [9] * 财务预测显示2025年预期收入88.331万亿韩元 EBITDA为52.199万亿韩元 每股收益EPS为45,694韩元 [9] **关键投资风险** * 上行/下行风险包括：智能手机/PC/服务器需求强弱影响传统内存需求 三星HBM业务进展的负面/正面消息影响HBM收入与利润 AI相关资本支出高低影响整体HBM需求 进而影响公司HBM收入与利润 [8] * 其他风险包括估值方法基于市净率 以及公司M&A Rank为3 被收购概率较低0%-15% [7][9][15] **利益冲突与披露** * 高盛集团及其关联公司在报告发布前一个月末时 持有SK海力士1%或以上普通股 [18] * 高盛在过去12个月内与SK海力士存在投资银行业务客户关系和非证券服务客户关系 [18] * 高盛预计在未来3个月内将寻求或获得SK海力士的投资银行业务报酬 [18]