行业动态与价格预测 - TrendForce集邦咨询全面上修2026年第一季DRAM与NAND Flash合约价季成长幅度 其中Conventional DRAM合约价预估从季增55-60%上修至上涨90-95% NAND Flash合约价预估从季增33-38%上修至55-60% 并且不排除仍有进一步上修空间[1] - 2026年第一季AI与数据中心需求持续加剧全球存储器供需失衡 原厂议价能力有增无减[1] - 由于2025年第四季PC整机出货优于预期 PC DRAM仍普遍缺货 即便是确定取得原厂供给的tier-1 PC OEM业者 DRAM库存水平仍有下滑[1] 细分市场表现 - 在卖方市场格局抬升合约价商谈行情的背景下 预计2026年第一季PC DRAM价格将季增100%以上 涨幅达历史新高[1] 市场反应 - 存储板块走强 闪迪(SNDK.US)股价涨超7% 希捷科技(STX.US)涨超5% 西部数据(WDC.US)涨超4% 美光科技(MU.US)涨超2%[1]

行业动态与价格预测 - 2026年第一季AI与数据中心需求加剧全球存储器供需失衡，原厂议价能力增强[1] - 机构全面上修2026年第一季DRAM和NAND Flash合约价季成长幅度预测[1] - 预估整体Conventional DRAM合约价季增幅度从55-60%上修至90-95%[1] - 预估NAND Flash合约价季增幅度从33-38%上修至55-60%[1] - 价格预测不排除仍有进一步上修空间[1] 细分市场分析 - 2025年第四季PC整机出货优于预期，导致PC DRAM仍普遍缺货[1] - 即便是确定获得原厂供给的一线PC OEM厂商，其DRAM库存水平仍在下降[1] - 在卖方市场格局下，预计2026年第一季PC DRAM价格将季增100%以上，涨幅达历史新高[1] 市场反应 - 存储板块股价走强，闪迪(SNDK.US)涨超7%，希捷科技(STX.US)涨超5%，西部数据(WDC.US)涨超4%，美光科技(MU.US)涨超2%[1]

Feb. 2, 2026 根据Tr e n dFo r c e集邦咨询最新存储器产业调查，2 0 2 6年第一季AI与数据中心需求持续加剧全球 存储器供需失衡，原厂议价能力有增无减，Tr e n dFo r c e集邦咨询据此全面上修第一季DRAM、 NAND Fl a s h各产品价格季成长幅度， 预估整体Conv enti ona l DRAM合约价将从一月初公布 的 季 增 5 5 - 6 0% ， 改 为 上 涨 9 0 - 9 5% ， NAND Fl a sh 合 约 价 则 从 季 增 3 3 - 3 8% 上 调 至 5 5 - 6 0% ， 并且不排除仍有进一步上修空间。 产业洞察 上 调 1Q2 6 Co n v e n ti o n a l DRAM 合 约 价 至 季 增 9 0 - 9 5% ， NAND Fl a s h 合 约 价 季 增 5 5 - 6 0%； CSP 、 Se r v e r OEM 、 PC OEM 普 遍 面 临 DRAM 供 给 缺 口 ， 预 估 第 一 季 PC DRAM 价 格 将至少季增一倍； 北 美 CSP 需 求 带 动 En t e r p ...

2026年第一季度存储芯片市场展望 - 预计2026年第一季度，整体DRAM合约价将季增55%至60%，其中HBM（高带宽存储器）价格季增50%至55% [1] - 预计2026年第一季度，整体NAND Flash合约价将季增33%至38% [1] DRAM市场动态 - 尽管PC整机出货下修，但原厂收紧供应，导致PC OEM需向模组厂高价采购，预计将大幅推升PC DRAM价格 [2] - AI推理带动服务器建设，美系云端服务业者持续提前拉货或追加Server DRAM需求，加剧供不应求，预计第一季度Server DRAM价格季增逾60% [3] - 手机品牌在淡季维持较强拉货力道，LPDDR4X与LPDDR5X供不应求且资源分配不均，价格走强 [3] - 尽管Graphics DRAM需求动能转趋保守，但其产能受DDR5排挤，供应偏紧带动价格上涨 [3] - Consumer DRAM客户愿以较高价格换取优先供应，但供给仍低于需求，支撑价格上涨 [3] NAND Flash市场动态 - 预计2026年Enterprise SSD（企业级SSD）需求将首度超越手机应用，成为NAND Flash最大应用 [4] - 尽管Client SSD（客户端SSD）需求受笔电出货季减及部分SSD容量降级影响，但因供给受数据中心SSD排挤，预计第一季度合约价仍将季增至少40%，涨幅为各类NAND Flash产品之最 [4] - 北美云端服务业者加码AI基础建设，带动Enterprise SSD需求，但供应商因产能有限采取控制出货策略，供给紧缩推升价格 [4] - eMMC/UFS需求因手机出货季减而疲弱，但原厂产能占比缩减导致整体供不应求 [5] - NAND Flash Wafer因消费市场低迷需求走弱，但原厂优先保障高毛利产品线，压缩对模组厂供应，价格持续上涨 [5]

核心观点 - 美光科技最新季度业绩远超市场预期 其营收和每股收益均大幅超出华尔街共识 并给出了远超预期的下一季度指引 这主要得益于人工智能领域对存储芯片的强劲需求 公司目前处于供不应求的状态[1][3] - 公司正从人工智能大趋势中显著受益 特别是用于AI服务器的高带宽内存需求旺盛 供应紧张 公司已停止向消费者直接销售内存 将所有可用产能转向利润丰厚的AI基础设施客户[1][5][6] - 公司上调了资本支出指引并看好未来市场 预计到2028年 专用内存的总可寻址市场将达到1000亿美元 年增长率达40% 同时公司预计毛利率将高达68% 显示出强大的定价能力[4] 财务业绩与指引 - 在截至11月的季度 公司营收达136.4亿美元 调整后每股收益为4.78美元 远超华尔街预期的128.4亿美元营收和3.95美元每股收益[3] - 对于当前季度 公司营收指引为187亿美元 比市场共识高出46亿美元 预计每股收益为8.42美元 远超市场预期的4.78美元[3] - 公司将2026财年的资本支出指引从180亿美元上调至200亿美元[4] - 公司预计毛利率将达到68% 反映了强劲需求下的定价能力[4] 市场需求与供应状况 - 公司直言无法满足激增的人工智能需求 在财报电话会议中明确表示“我们完全售罄”[1] - 供应紧张涉及用于AI服务器的高带宽内存 用于数据中心的传统DRAM以及NAND闪存存储[6] - 公司已停止向消费者直接销售内存 将所有可用产能重新分配给高利润的AI基础设施客户[5] - 生产瓶颈源于物理限制而非规划失误 有意义的产能扩张需要新建工厂 这些新产能要到2027财年才能对供应产生实质性影响[7] 行业格局与公司前景 - 目前全球仅有三家公司生产用于AI应用的高带宽内存 美光科技是其中之一[5] - 公司预计其定价能力可能与三年前的英伟达相似[5] - 公司估计到2028年 专用内存的总可寻址市场将达到1000亿美元 年增长率达40%[4] - 过去12个月 美光股价上涨了200% 过去十年为投资者带来了超过1655%的回报[1]

市场供需动态与价格趋势 - 存储器市场在2025年第三季开始快速反转，呈现供不应求格局，主要因AI相关的服务器布局需求优于预期，以及各大云端服务供应商扩大Server DDR5备货并拟定2026-2027年采购计划 [1] - 市场缺货导致DRAM供应商大幅提高产品售价，2025年第四季Server DDR5合约价季增幅度远超市场预期 [1] - 随着常规DRAM获利上升，部分供应商产能开始倾向DDR5，这给予了HBM3e更大的涨价空间 [2] 产品价格变化与价差收敛 - HBM3e价格原本高出Server DDR5四至五倍，但预期至2026年末，两者之间的价格差距将缩小为一至二倍 [1] - 尽管HBM3e价格随GPU、ASIC订单上修而走扬，但未来一年HBM3e和DDR5的平均销售价格差距仍将明显收敛 [1] - 2025年5月，英伟达与三大DRAM供应商展开2026年采购协商时，在买方主导定价下，2026年HBM3e的初始采购单价显著低于2025年水平 [1] - 在GPU与ASIC需求上调后，主要买家追加HBM3e采购以应对来年的AI系统建设，供应商重新获得定价主导权并调整先前过低的合约价，预计2026年HBM3e整体平均销售价格将略微上修 [2] 行业盈利前景 - 2025年第四季Server DDR5的晶圆获利将转强 [1]

文章核心观点 - 存储器市场供需格局在2025年第三季度发生快速反转，由AI服务器需求驱动，导致Server DDR5供不应求、价格飙升，而HBM3e价格因早期买方定价偏低，其与DDR5的价差预计将显著收敛[2][3][4] 市场动态与价格趋势 - 近期存储器市场呈现供不应求，带动一般型DRAM价格急速攀升[2] - 2025年第四季度Server DDR5合约价季增幅度远超市场预期，其晶圆获利转强[3] - HBM3e价格原高出Server DDR5四至五倍，预期至2026年末，差距将缩小为一至二倍[3] - 随着Conventional DRAM获利上升，部分供应商产能开始倾向DDR5，给予HBM3e更大涨价空间[4] - 在GPU与ASIC需求上调后，主要买家追加HBM3e采购以应对来年AI系统建设[4] - 供应商重新获得定价主导权，开始调整先前过低的合约价，预计2026年HBM3e整体平均销售价格将略微上修[4] 关键事件与驱动因素 - 2025年5月NVIDIA率先与三大DRAM供应商展开2026年采购协商，当时在买方主导定价下，2026年HBM3e的初始采购单价显著低于2025年水平[2] - AI相关的Server布局需求优于预期，各大云端服务供应商扩大Server DDR5备货，同时拟定2026-2027年的采购计划，形成市场缺货格局[3]

市场表现 - A股市场午后出现跳水，但半导体板块成为唯一逆势上涨的科技板块，显示出较强的抗跌性 [1] - 半导体设备ETF易方达(159558)当日上涨0.95%，年内累计涨幅达到45.03% [1] 行业驱动因素 - 全球半导体行业正经历涨价潮，存储芯片大厂如三星电子、SK海力士宣布2025年第四季度价格上调30% [5][7] - AI服务器对存储芯片需求激增，单台AI服务器存储需求是传统服务器的8-10倍，OpenAI等企业月度采购量占全球DRAM产能40% [6] - 业内机构将第四季度Conventional DRAM价格预估涨幅从8%-13%上调至18%-23%，并可能继续上调 [8] - 代工巨头台积电计划自2026年1月起对5纳米以下先进制程连续四年涨价，平均涨幅约3%-5% [11] - 台积电表示生成式AI需求强劲，2026年前AI相关产能难以满足全部需求，未来两年资本支出保持高位 [11] - 亚马逊AWS与OpenAI签署380亿美元协议，支持AI计算需求 [15] 公司业绩表现 - 第三季度三星电子存储芯片业务收入创历史新高，SK海力士创下季度历史最高业绩 [9] - A股存储芯片企业兆易创新前三季度营收68.32亿元，同比增长20.92%，净利润10.83亿元，增长30.18% [9] - 兆易创新预计NOR Flash明年价格维持温和上涨态势 [9] - 江波龙前三季度营业收入167.34亿元，同比增长26.12%，净利润7.1亿元，增长27.95% [9] - 江波龙第三季度营收65.39亿元，同比增长54.6%，净利润6.98亿元，扭亏为盈 [9] - A股半导体设备板块25Q3整体营收同比增长超过35%，归母净利润同比增长超过50% [20] - 北方华创Q3营收突破100亿元，创单季度新高，同比增速38.31% [21] - 中微公司Q3营收增速50.62%，拓荆科技Q3营收增速124.15% [21] - 长川科技Q3营收增速60.04%，华峰测控Q3营收增速67.21% [21] - 半导体设备材料指数前三季度营收、净利实现双位数增长 [21] - 半导体设备ETF易方达(159558)近20日净流入5.47亿元 [21] 产能扩张与技术进展 - 国内存储客户扩产，长存三期、长鑫存储加速新产能扩张，2026年有望开启确定性强的扩产周期 [4][10] - 中芯国际2025年上半年新增近2万片/月12英寸标准逻辑晶圆产能，月产能提升至约99万片(折合8英寸) [16] - 中芯国际计划未来2-3年内保持每年约5万片12英寸晶圆的稳定产能增长 [16] - 华虹半导体第二季度总月产能攀升至44.7万片(折合8英寸)，加速华虹九厂产能建设 [16] - 国产半导体设备在多个关键环节取得实质性进展，实现从"点的突破"到"系统化崛起" [18] - 中微公司5纳米及更先进制程刻蚀设备通过多家头部厂商3纳米工艺验证，晶圆边缘刻蚀设备将产能提升40% [18] - 拓荆科技PECVD领域进展顺利，3D NAND晶圆对晶圆混合键合设备实现批量销售 [18] - 北方华创在ALD领域取得重大突破，原子层沉积设备被多家客户导入 [18] - 中科飞测发布新一代缺陷检测设备，灵敏度与吞吐量达到国际主流水平 [19] - 设备龙头企业研发投入占营业收入比重普遍超过15%，部分企业高达30%以上 [19] 产业链传导逻辑 - 半导体景气周期传导路径清晰：涨价→厂商盈利能力恢复→资本开支扩张→设备采购订单增加→国产设备商受益 [12] - 全球地缘政治不确定性促使半导体企业将供应链安全置于重要位置，主动引入国产设备 [13] - 行业景气期为国产设备提供了"试错"和"迭代优化"的机会 [13] - 国家政策支持为国产设备销售提供政策和资金支持 [13] 估值水平 - 半导体设备板块龙头公司动态市盈率回落至40-60倍区间 [23] - 该估值水平与净利润年复合增长率可能超过50%的高成长性相匹配 [23]

2025年第四季及2026年DRAM市场展望 - 2025年第四季Server DRAM合约价涨势转强，受全球云端供应商扩充数据中心规模推动，并带动整体DRAM价格上扬 [1] - 2025年第四季一般型DRAM合约价涨幅预估从原先的8-13%上修至18-23%，并且很有可能再度上修 [1] - 2025年第四季HBM混合合约价涨幅预估为23-28% [2] 2026年DRAM需求与价格趋势 - 预估2026年服务器整机出货量年增幅度将扩大至4%左右 [4] - 因云端供应商积极导入高效能运算架构支持大型模型运算，服务器单机DRAM搭载容量将提高，推升整体DRAM位元需求优于预期，导致供给短缺情况延续 [4] - 预期DDR5合约价于2026全年呈上涨态势，尤其以上半年较为显著 [4] DDR5与HBM3e的获利表现对比 - 2025年第二季时，HBM3e和DDR5仍有四倍以上价差，HBM3e能为供应商带来较佳获利 [4] - 随着DDR5价格持续走扬，两者价差将于2026年明显收敛，预计从2026年第一季起，DDR5的获利表现将优于HBM3e [1][4] - 对比2026年HBM议价情况，随着三大原厂于HBM3e竞争格局形成且买方有一定库存水位，预计HBM3e合约价将转为年减 [4] 供应商未来产能与价格策略 - 由于HBM3e和DDR5产能互相竞争，预期获利结构翻转后，供应商可能选择进一步增加Server DDR5供给量以巩固获利基础 [5] - 因HBM3e价格渐趋稳定且需求动能仍强，供应商可能争取提高HBM3e平均销售单价来平衡产品组合获利 [5] - 未来原厂在DDR5与HBM之间的产能配置与价格策略将成为影响下阶段市场走向的变量 [5]

**SK海力士HBM4技术进展与内存定价观点** **涉及的行业与公司** * 行业为内存半导体行业 重点关注高带宽内存HBM和传统内存DRAM/NAND [1][2][3] * 核心公司为SK海力士 同时提及竞争对手三星电子和美光科技 [1][2][3] **HBM4技术开发与量产计划** * SK海力士宣布已完成全球首款HBM4开发并建立量产系统 [1] * HBM4相比其12层HBM3E的关键规格提升包括：带宽翻倍以上 I/O端子数量翻倍 数据传输速度提升至超过10Gb/s 能效提升超过40% [1] * 主要HBM客户近期将HBM4速度要求从8Gb/s提升至10Gb/s 海力士的进展表明其能满足新要求 [2] * 选择采用逻辑工艺制造基础晶圆的韩国供应商海力士和三星可能比竞争对手更具优势 [2] * 三星也准备在本月内提供符合更高速度要求的HBM4样品 [2] * 两家公司的当前样品测试结果预计在2025年第四季度中后期可见 若最终客户采样顺利 HBM4量产预计于2025年底或2026年初开始 [2] **HBM能效与竞争对比** * 海力士称其HBM4能效提升超40% 而美光称其提升超20% 但能效的定义和测试条件可能因公司而异 此数据不能直接证明海力士进展更优 [2] **HBM定价前景** * 与最大客户关于明年HBM量价的细节尚不明确 但预计本月内将达成协议 [3] * 鉴于满足HBM4要求的难度增加 定价可能存在上行风险 [3] * 即便如此 预计明年HBM平均销售价格ASP同比仍将下降接近两位数百分比 主要因预期HBM3E 12层价格将大幅下降 [3] **传统内存需求与定价前景** * 服务器内存需求持续超预期 主要动力来自美国云服务提供商CSP 企业级SSD需求尤为强劲 [3] * 当前预测传统DRAM和NAND价格将持续上涨至年底 随后因库存调整在2026年上半年出现价格修正 [3] * 若服务器相关需求持续 此轮涨价周期可能延长至2026年上半年 [3] **公司财务预测与估值** * 高盛对SK海力士给出12个月目标股价300,000韩元 该目标基于1.8倍市净率P/B应用于2025/2026年平均每股净资产BVPS [7] * 当前股价为307,000韩元 预示有2.3%的下行空间 投资评级为中性 [9] * 财务预测显示2025年预期收入88.331万亿韩元 EBITDA为52.199万亿韩元 每股收益EPS为45,694韩元 [9] **关键投资风险** * 上行/下行风险包括：智能手机/PC/服务器需求强弱影响传统内存需求 三星HBM业务进展的负面/正面消息影响HBM收入与利润 AI相关资本支出高低影响整体HBM需求 进而影响公司HBM收入与利润 [8] * 其他风险包括估值方法基于市净率 以及公司M&A Rank为3 被收购概率较低0%-15% [7][9][15] **利益冲突与披露** * 高盛集团及其关联公司在报告发布前一个月末时 持有SK海力士1%或以上普通股 [18] * 高盛在过去12个月内与SK海力士存在投资银行业务客户关系和非证券服务客户关系 [18] * 高盛预计在未来3个月内将寻求或获得SK海力士的投资银行业务报酬 [18]