智通财经APP获悉，根据TrendForce集邦咨询最新调查，近期因存储器市况呈现供不应求，带动一般型 DRAM(Conventional DRAM)价格急速攀升，尽管HBM3e受惠于GPU、ASIC订单同步上修，价格也随之 走扬，但是预期未来一年HBM3e和DDR5的平均销售价格(ASP)差距仍将明显收敛。 另一方面，随着Conventional DRAM获利逐步上升，部分供应商产能开始倾向DDR5，给予HBM3e更大 涨价空间。在GPU与ASIC需求上调后，主要买家皆追加HBM3e采购以因应来年的AI系统建设。综合以 上因素，供应商重新获得定价主导权，开始调整先前过低的合约价，预计2026年HBM3e整体ASP将略 微上修。 TrendForce集邦咨询表示，2025年5月NVIDIA(英伟达)率先与三大DRAM供应商展开2026年采购协商， 当时在买方主导定价的情况下，2026年HBM3e的初始采购单价显著低于2025年水平。 然而，存储器市场供需情况于2025年第三季开始快速反转，由于AI相关的Server布局需求优于预期，各 大云端服务供应商(CSP)扩大Server DDR5备货，同时拟定2026 ...

Dec. 18, 2025 产业洞察 根 据 Tr e n dFo r c e 集 邦 咨 询 最 新 调 查 ， 近 期 因 存 储 器 市 况 呈 现 供 不 应 求 ， 带 动 一 般 型 DRAM(Co n v e n ti o n a l DRAM)价格急速攀升，尽管HBM3 e受惠于GPU、ASIC订单同步上修， 价 格 也 随 之 走 扬 ， 但 是 预 期 未 来 一 年 HBM3 e 和 DDR5 的 平 均 销 售 价 格 (ASP) 差 距 仍 将 明 显 收 敛。 Tr e n dFo r c e集邦咨询表示，2 0 2 5年5月NVIDIA（英伟达）率先与三大DRAM供应商展开2 0 2 6 年采购协商，当时在买方主导定价的情况下，2 0 2 6年HBM3 e的初始采购单价显著低于2 0 2 5年 水平。 然而，存储器市场供需情况于2 0 2 5年第三季开始快速反转，由于AI相关的Se r v e r布局需求优于 预期，各大云端服务供应商(CSP)扩大Se r v e r DDR5备货，同时拟定2 0 2 6 - 2 0 2 7年的采购计划， 形成市场缺货格局，故DRAM供应商大幅提 ...

涉及的行业与公司 * **行业**：全球存储芯片行业，特别是DRAM（动态随机存取存储器）和NAND闪存市场，以及高带宽内存（HBM）细分领域 [1] * **公司**：SK海力士（SK Hynix）、三星电子（Samsung Electronics）、南亚科技（Nanya Tech）、美光（Micron）、西部数据/铠侠（Kioxia & JVs）、长江存储（YMTC）、长鑫存储（CXMT）[5][6][19][20] 核心观点与论据 行业周期与市场展望 * 预计2026年将出现类似1990年代的存储“超级周期”，全球DRAM销售额预计达到1958亿美元（同比增长51%），NAND销售额达到1139亿美元（同比增长45%）[1][9] * 此轮上行周期由AI驱动，预计持续时间较长，类似1992-95年由PC带动的上升周期，并假设2027年销售额仍有10%以上的增长[1] * 平均销售价格（ASP）上涨是关键驱动力（预计2026年DRAM ASP +33%，NAND ASP +26%），而非出货量增长（DRAM bit +14%，NAND bit +15%）[1][9] * 服务器（含HBM）和智能手机是DRAM销售的主要驱动力，而NAND销售主要由SSD和智能手机应用驱动[17][18] 供需动态与价格趋势 * **HBM短缺风险**：由于新一代GPU/ASIC（如Rubin Ultra, v7, Trn3）的单芯片内存容量强劲增长，HBM年需求增长（50-100%）可能轻易超过晶圆产能增长（低于50%）[2] * **供应约束**：尽管资本支出高企（例如SK海力士2025/26年预计为23万亿/35万亿韩元），但大量支出用于基础设施（占总支出30%以上）和制程节点迁移（40%以上），且新产品的制造周期时间延长，导致DRAM和NAND产量增长可能保持在20%以下[3] * **库存与产能利用率**：截至2025年12月，DRAM和NAND的成品芯片库存均处于3-4周的低位，低于正常水平的1-2个月；剔除旧闲置产能后，DRAM和NAND工厂的利用率均处于满负荷状态[12][13][14][15] * **价格可持续性**：尽管现货价格可能修正，但高ASP预计可持续。传统DRAM合约价格（低于10美元）仍有50%以上的上行空间。HBM市场由于需求强劲且新ASIC/GPU推出，可能成为卖方市场，降价压力小[4] 资本支出与竞争格局 * **DRAM资本支出**：预计将加速增长，2026年同比增长36%。SK海力士的DRAM资本支出已接近三星，远超美、中、台同业，主要用于HBM产能扩张（如韩国M15X和龙仁新厂）[3][19] * **NAND资本支出**：复苏势头不强，主要由于利润率较低以及从128/178层向200-300+层迁移困难。长江存储的资本支出增长因被列入美国实体清单而受限[20] * **资本支出结构**：非设备支出（如厂房和公用设施）占比很高。剔除传统DRAM设备支出后，HBM相关资本支出可能强劲增长，但传统DRAM和NAND的支出总体保持克制[21] HBM市场深度分析 * **市场规模**：预计2026年HBM总市场规模（TAM）将扩大至550亿美元，同比增长58%。增长动力来自强劲的位元增长（+69%）和有限的价格降幅（混合ASP -6%）[23] * **技术演进与竞争**：HBM规格快速迭代，HBM4已于2025年9月投入量产，预计将用于英伟达下一代“Rubin”GPU系列。SK海力士在12-Hi HBM3e和HBM4的进展上领先竞争对手1-2个季度[25][27][28] * **市场集中度**：SK海力士在HBM市场占据主导地位，预计2025-27年其在HBM销售额中的市场份额将超过50%，而三星电子预计占20%左右[24] * **需求驱动力**：除英伟达GPU外，谷歌TPU v7 Ironwood（192GB HBM3e）和AWS Trainium 3（144GB HBM3e）等ASIC芯片的单机HBM容量显著提升，且具备大规模集群扩展能力，进一步推高HBM需求[29][30][31][32][33] 投资建议与公司观点 * **首选标的**：SK海力士为全球存储板块首选。同时维持对三星电子和南亚科技的“买入”评级。基于2026年更有利的存储芯片定价环境，上调了三家公司的每股收益（EPS）预测和目标价（PO）[5] * **SK海力士**：目标价上调至900,000韩元（原800,000韩元）。预计2026年营业利润（OP）达77万亿韩元。HBM领导地位可持续，2026年EPS上调23%，主要基于DRAM ASP上调9%的假设[6] * **三星电子**：目标价上调至150,000韩元（普通股，原140,000韩元）。预计2026年营业利润达76万亿韩元。传统DRAM ASP走强将推动周期上行，但HBM仍落后于海力士。2026年EPS上调17%，基于DRAM ASP上调11%的假设[6] * **南亚科技**：目标价上调至新台币200元（原178元）。将成为传统DRAM短缺的受益者。2026年EPS上调25%，主要基于DRAM ASP上调12%的假设[6] 其他重要信息 * **下游产品假设**：服务器、SSD和智能手机的出货量复苏相对突出；汽车增长也颇具潜力。预计2025-27年，服务器出货量年复合增长率为9.9%，SSD为5.1%，汽车DRAM嵌入式为6.8%[11] * **宏观风险提示**：报告包含利益冲突声明，指出美银证券与所覆盖公司有业务往来，投资者应将此报告仅作为投资决策的单一考虑因素[8]

HBM技术进展与市场地位 - 公司在高带宽内存领域已实现全面追赶，HBM3e产品目前正向所有AI计算客户出货 [1][3] - HBM4产品正在进行多重资质认证测试，首批结果预计将在12月初公布 [1][3] - 凭借1c DDR5前端技术、4nm逻辑基础晶粒和低功耗特性，公司在产品质量和规格方面保持领先优势，无需修改设计要求 [3] - 公司在高速>11 Gbps领域具有独特优势，并拥有从DRAM到代工再到封装的端到端解决方案能力 [3] 产能与市场策略 - 公司目前拥有50万片DRAM有效产能，远超竞争对手，总产能约65万片/月 [1][3] - DRAM订单履约率已降至客户需求的70%左右，可见度延续至2026年上半年 [3] - 公司采取理性策略，不与关键客户追逐市场热潮，而是根据真实需求实现可持续盈利 [3] - P4厂房设计产能超过10万片/月，为内存和代工业务提供了充足的扩张空间 [3] 盈利增长预期 - 公司有望重新掌控存储市场主导权，2026年盈利将较2025年暴增超过150% [1][3] - 预计2026年每股收益将达到14,464韩元，较当前市场共识预期9,800韩元高出近50% [5] - 市场对公司的积极进展准备不足，从相对盈利修正到技术领先地位的转变可能成为股价催化剂 [1][5] NAND闪存价格展望 - 预计4Q25E的NAND闪存总价格将环比上涨25-30%，其中3D NAND晶圆价格预计环比上涨75-80% [4] - 预计1Q26E的NAND闪存总价格将环比上涨20-25%，企业级SSD价格预计环比上涨20-25% [4] - 价格涨势预计持续至3Q26E，届时NAND闪存总价格预计环比上涨5-10% [4] 代工业务复苏 - 代工业务最坏时刻已过，利用率提升和先进制程性能改善将推动盈利复苏 [5] - 公司在2nm制程领域赢得多个订单，以客户为中心的文化转变已开始显现成效 [5] - 尽管产量仍需提升，且寻找特斯拉以外的大客户是优先任务，但整体前景明显改善 [5]

公司战略与市场地位 - 公司正凭借“技术领先优先”战略重新掌控存储市场主导权，预计2026年每股收益将较2025年暴增超过150% [1] - 在高带宽内存领域已实现全面追赶，HBM3e产品目前向所有AI计算客户出货，HBM4产品正在进行多重资质认证测试，首批结果预计在12月初公布 [1] - 公司拥有50万片DRAM有效产能，远超竞争对手，DRAM订单履约率已降至客户需求的70%左右，可见度延续至2026年上半年 [1] - 公司采取理性策略，不愿追逐市场热潮，而是与关键客户合作根据真实需求实现可持续盈利 [1] 存储业务价格展望 (DRAM) - 2025年第四季度DRAM整体价格预期大幅上调，其中服务器DDR4价格预期从上涨20-25%上调至上涨60-65%，服务器DDR5价格预期从上涨15-20%上调至上涨53-58% [2] - 2026年第一季度DRAM价格预期亦被上调，例如PC DDR4价格预期从上涨10-15%上调至上涨18-23%，移动LPDDR5(x)价格预期从上涨8-13%上调至上涨20-25% [2] - 高带宽内存渗透率预计从10%提升至11%，其混合价格预计上涨50-55% [2] 存储业务价格展望 (NAND Flash) - 2025年第四季度3D NAND晶圆价格预期从上涨35-40%大幅上调至上涨75-80% [3] - 企业级固态硬盘价格预期从上涨20-25%上调至上涨25-30% [3] - 2026年第一季度NAND Flash整体价格预期从上涨18-23%上调至上涨20-25% [3] 代工业务与盈利预测 - 代工业务最坏时刻已过，利用率提升和先进制程性能改善将推动盈利复苏，并在2nm制程领域赢得多个订单 [4] - 基于供应短缺环境下的强劲定价能力，预计公司2026年每股收益将达到14,464韩元，较当前市场共识预期9,800韩元高出近50% [4] - 市场对公司特定的积极进展准备不足，从相对盈利修正到技术领先地位的转变可能成为股价催化剂 [4]

涉及的行业与公司 * 行业为大中华区科技半导体行业[1][6][65] * 报告重点提及的公司包括**CXMT**（长鑫存储，非上市公司）[1][2]和**Winbond Electronics Corp**（华邦电子，2344 TW）[3][9][65] * 报告覆盖了众多大中华区半导体公司，如台积电、联电、中芯国际、华虹半导体等[65][67] 核心观点与论据 * 报告对一则关于**CXMT**将增加DDR4/LPDDR4产能并加速DDR5/LPDDR5供应的市场消息表示怀疑[1][2] * 怀疑论据包括：切换回DDR4/LPDDR4需要电路设计更改和产线重组、其市场规模小于DDR5、以及考虑到其国家使命应更专注于先进产品[2] * 报告认为**CXMT**的LPDDR5样品与三大存储器厂商存在性能差距，距离大规模量产尚远[2] * 预计**CXMT**明年产能可能增加**10-20 kwpm**，主要用于先进产品如HBM3e或DDR5，但量产仍需时间[2] * 尽管市场存在波动，报告仍看好其覆盖范围内的传统存储器厂商，并重申对**华邦电子**的**Top Pick**评级[3] * 对**华邦电子**的估值采用**3 0倍2026年预期市净率**，理由是看好其异常的DRAM价格上行潜力和可持续的NOR Flash价格上涨[9] 其他重要内容 * 报告包含对美国行政命令14105的合规风险提示，该命令可能限制美国人士与某些实体的交易[4] * 报告披露摩根士丹利持有**华邦电子**1%或以上的普通股[17]，并在过去12个月内从**华邦电子**获得了投资银行服务及其他服务报酬[18][19][20][21] * 行业观点为**Attractive**（具吸引力）[6] * 报告列出了影响**华邦电子**股价的上行与下行风险，上行风险包括NOR Flash和DRAM价格涨幅超预期，下行风险则相反[10][11]

内存价格走势 - 今年以来内存价格已累计上涨50% [1] - 预计2025年第四季度价格将继续上涨30% [1] - 明年初价格可能再上升约20% [1] - 传统LPDDR4面临的涨价风险最大 [1] - 预测2025年第一季度至2026年底，DDR5 64GB RDIMM的DRAM模组价格将上涨两倍 [3] 市场供需与结构变化 - 传统LPDDR4供给趋紧，供应商将产能转向更高端工艺以满足AI需求 [1] - 现货市场价格出现倒挂：服务器和PC使用的DDR5交易价格约为每千兆位1.50美元，而老款DDR4价格高达2.10美元，甚至高于目前约1.70美元的先进HBM3e [1] - 当前芯片短缺主要集中在传统产品端，对使用LPDDR4的经济型智能手机等低价消费电子产品造成影响 [2] - 英伟达在服务器端大幅提升对LPDDR的需求，其需求量已达到大型智能手机制造商的规模，对供应链造成巨大冲击 [2] 主要厂商动态与产能预测 - 预测2026年主要芯片厂商的DRAM产量将增长超过20% [2] - 三星可能会调整其不断扩大的1C工艺产能分配 [2] - SK海力士正在提升产量并上调销售目标 [2] - 长鑫存储可能会带来超预期表现 [2] - 美光不太可能继续按兵不动 [2] 对消费电子行业的影响 - 短缺主要出现在中低端智能手机市场，但影响很可能向整个智能手机与消费电子生态系统蔓延 [5] - 智能手机BOM成本显著攀升，部分机型涨幅可能高达15% [5] - 成本上涨将波及核心的中高端市场，进一步压缩利润率或拖累增长 [5] - 行业正处于产能受限与价格飙升的双重压力下 [5]

文章核心观点 - 受AI服务器对先进内存的强劲需求及关键芯片短缺影响，内存价格预计将持续大幅上涨，并对消费电子市场产生广泛冲击 [4][5][6] - 供应链产能向高端工艺转移导致传统内存供给趋紧，价格出现结构性倒挂，中低端消费电子产品面临最大风险 [5][6][9] - 内存成本攀升将显著推高智能手机等终端产品的物料清单成本，压缩制造商利润率 [9][10] 内存价格走势预测 - 内存价格预计将在2026年第二季度之前在当前基础上再上涨约50% [4] - 自今年以来，内存价格已累计上涨50%，预计2025年第四季度将继续上涨30%，2026年年初可能再上升约20% [5] - 2025年第一季度至2026年年底，DDR5 64GB RDIMM的DRAM模组价格预计将上涨两倍 [6] 内存市场供需与结构变化 - 当前核心问题之一是传统LPDDR4供给趋紧，供应商将产能转向更高端工艺以满足AI需求 [5] - 现货市场价格出现倒挂：服务器和PC使用的DDR5交易价格约为每千兆位1.50美元，而用于消费电子产品的老款DDR4价格高达2.10美元，甚至高于目前约1.70美元的先进HBM3e [5] - 2026年主要芯片厂商的DRAM产量预计将增长超过20% [6] - 英伟达在服务器端大幅提升对LPDDR的需求，其需求量已达到大型智能手机制造商的规模，对供应链造成巨大冲击 [6] 对消费电子市场的影响 - 当前的芯片短缺对使用LPDDR4的经济型智能手机等低价消费电子产品造成了影响 [6][9] - 智能手机物料清单成本显著攀升，部分机型涨幅可能高达15%，影响将波及核心的中高端市场，进一步压缩利润率或拖累增长 [10] - 行业面临产能受限与价格飙升的双重压力，供应商与制造商需进行艰难权衡 [10]

涉及的行业与公司 * 行业：全球存储芯片行业，特别是DRAM和NAND闪存市场，以及高带宽内存（HBM）细分领域 [1][2][8] * 公司：三星电子（SEC）、SK海力士（Hynix）、美光（Micron）、硅邦（SIMO）、韩美半导体（Hanmi Semi）、力成科技（Powertech）、LG电子（LGE）[1][2][3] 核心观点与论据 **1 公司比较：SK海力士近期盈利动能强于三星电子** * 海力士已确认HBM4量产及2026年年度合约，而三星尚处于样品阶段 [1] * 海力士第三季度存储业务营业利润超过11万亿韩元（DRAM营业利润率60%），高于三星的不足8万亿韩元（DRAM营业利润率37%） [1] * 三星第三季度HBM比特增长弱于预期（环比增长85%，预期为100%），且第四季度增长假设仅为10%（因英伟达12-hi HBM3e订单有限），全球市场份额维持在20%，远低于海力士的60%以上 [1] * 三星可从传统DRAM价格上升周期中受益，预计第四季度非HBM DRAM平均售价环比增长21%，整体DRAM平均售价环比增长18%，DRAM营业利润率预计为44% [1] **2 行业展望：全球存储预测进一步上调，价格前景更趋乐观** * 海力士和三星对DRAM和NAND价格前景给出了更积极的指引，但承认销量增长低于趋势，例如三星预计第四季度DRAM比特增长仅为低个位数百分比，NAND比特增长为-10% [2] * 本周DRAM现货价格涨幅显著，16Gb DDR4和DDR5产品上涨超过20%，尽管存在情绪超调，但基于实际需求与供应紧张（产能转向HBM） [2][6] * 全球存储行业模型显示，2026年DRAM和NAND销售额较此前预测上调约5% [2][9] * 预计全球DRAM销售额在2024年增长80%以上后，2025年将增长46%，NAND销售额在2025年相对持平后，2026年将强劲复苏（增长28%） [8] **3 HBM市场：保持看涨观点，海力士主导地位稳固** * 预计2026年HBM销售额将达到550亿美元（同比增长59%），基于有限的价格下降（混合平均售价下降7%）和强劲的比特增长（71%） [19] * 海力士在12-hi HBM3e和HBM4（9月开始量产）方面的领先地位是关键贡献因素，行业平均营业利润率超过40% [19][20] * 海力士在HBM比特出货量市场份额预计从2024年的55%微升至2025年的58%，而三星从39%降至22% [20] * 三星的上升空间可能来自12-hi HBM3e（2025年下半年）和HBM4（2026-2027年），重点聚焦英伟达二级客户和非美国数据中心 [23] **4 资本支出：DRAM资本支出强劲增长，主要用于HBM产能扩张** * 2025年全球DRAM资本支出预计为466亿美元（同比增长30%），海力士和美光是主要驱动者，三星支出相对克制 [24] * 海力士的DRAM资本支出金额已接近三星，主要用于新建晶圆厂（M15X和龙仁）的HBM产能扩张 [24] * NAND资本支出复苏不强（2025年预计增长5%）， due to 低利润率以及向200-300+层迁移的困难 [25] * 半导体生产设备资本支出增长强劲，2025年DRAM和NAND的半导体生产设备资本支出总计将增长24% [26][27] **5 其他公司动态：设备订单疲软及LG电子盈利** * 韩美半导体第三季度业绩远低于预期（销售额1660亿韩元，营业利润680亿韩元，同比下降20%/32%），主要因海力士的热压焊接设备订单延迟 [3] * 力成科技第三季度毛利率较低（16% vs 通常20%） [3] * LG电子第四季度营业利润可能疲软，但可能被更盈利的关联公司（LG伊诺特、LG显示）所抵消 [3] 其他重要内容 **库存与产能利用率** * 截至2025年10月，DRAM和NAND成品芯片库存仅为3-4周，低于正常水平（1-2个月） [11][12] * 除旧闲置产能外，DRAM和NAND晶圆厂在2025年10月已完全利用 [14][15] **终端需求驱动** * 服务器（包括HBM）和智能手机是DRAM销售的主要驱动力，预计到2027年服务器将占DRAM销售的59% [17] * SSD和智能手机是NAND销售的主要应用 [18] * 服务器、SSD和智能手机的出货量复苏相对突出，汽车增长也颇具潜力 [10] **价格数据** * 现货价格：16Gb DDR5当前价格为15.5美元，周环比上涨23%，季度环比上涨151%，16Gb DDR4当前价格为25.5美元，周环比上涨24%，季度环比上涨197% [6]

行业需求与缺货预期 - 人工智能应用带动存储器需求 预期DRAM在2026年将全年缺货 NAND Flash市场在2026年也将缺货[1] - 存储器缺货潮是结构性缺货 并非由供应商减产带动 市场存在重复下单情况[1] - 随着三星 SK海力士及美光新厂逐步投产 预期2027年DRAM缺货情况可望获得缓解[1] 产品价格与盈利展望 - 研究机构预期DDR5合约价于2026全年均将呈上涨态势 尤以上半年较显著[1] - 2026年第1季起DDR5获利将优于HBM3e 两者价差明显收敛[1][2] - 当前2026年HBM议价情况 因三大原厂在HBM3e竞争激励且买方有一定库存 预计合约价转为年减[1] 市场竞争格局变化 - 预期三年后NAND Flash市场版图将出现变化 除三星 SK海力士及铠侠外 长江存储在中国内需带动下可望跻身全球前四大厂之列[1] - 今年第2季HBM3e和DDR5仍有四倍以上价差 HBM3e能带来较佳的获利[2]