股东大会基本信息 - 股东大会将于2025年9月8日14点00分在江苏省昆山市千灯镇中庄路299号公司五楼会议室召开 [1][3] - 会议采用现场投票和网络投票相结合的方式 网络投票通过上海证券交易所系统进行 时间为当日9:15-15:00 [1][3] - 股权登记日为2025年9月1日 A股股东可参与投票 [5][6] 审议事项 - 主要审议非累积投票议案《关于终止基地项目并签署项目终止协议的议案》 [2] - 议案已经2025年8月21日第三届董事会第十七次会议和监事会第十三次会议审议通过 [2] - 会议资料将在上海证券交易所网站披露 无关联股东需要回避表决 [2][3] 投票规则 - 股东可通过交易系统投票平台或互联网投票平台(vote.sseinfo.com)进行投票 首次需完成身份认证 [4] - 公司委托上证信息通过智能短信推送参会邀请和议案信息 方便中小投资者投票 [4] - 采用累积投票制选举董事时 每股拥有与应选董事人数相等的投票权 可集中或分散投票 [9][10][11] 会议登记 - 登记时间为2025年9月5日9:00-11:30和13:30-16:30 地点为公司证券事务部 [6] - 可通过现场、信函或邮件方式登记 需提供股东身份证明文件及授权委托书 [6][7] - 联系方式：徐雯 电话0512-50103288 邮箱ir@asem.cn [7][10]

行业与公司 * 半导体设备与材料行业 涉及产业链上游零部件 中游设备与材料 下游晶圆制造环节[1] * 中国大陆半导体设备公司 受益于自主可控需求提升 迎来发展机遇[3][16] 核心观点与论据 * 半导体产业链盈利能力逐级递减 IC设计盈利最强 其次是晶圆制造 设备与材料相对较低[1][4] * 半导体制造分为前道工艺（80%价值量）和后道工艺（20%价值量） 前道包括扩散 薄膜沉积 光刻 刻蚀等 后道涉及晶圆封装[1][5] * 芯片结构从平面向3D转变 增加晶体管密度 提升工艺复杂度 推动资本开支 例如NAND芯片已实现3D结构 逻辑芯片转向Finfet和GAA等3D晶体管[1][8] * 先进制程对设备需求量增加 资本开支密度显著提升 28纳米制程每万片对应6亿美元资本开支 7纳米制程需约12亿美元 5纳米制程每5万片资本开支达83亿美元[1][9][10] * 全球半导体设备市场规模约1000亿美元 呈周期性增长 与半导体需求同步波动 2021年之前需求量不到800亿美元 2021年之后达到1000多亿美元[1][10][11] * 光刻 刻蚀 薄膜沉积和量测检测设备占比最高 光刻设备占比约20% 其次是刻蚀 薄膜沉积机台 最后是量测检测[12] * 半导体行业集中度高 前五大公司占据近80%市场份额 包括ASML 应用材料 泛林 东京电子和贺磊等公司[1][13] * 下游市场封闭性决定上游格局 工艺迭代和稳定性要求高 更换供应商风险大 新玩家进入难度大[1][15] * 半导体设备和材料行业研究框架分为Beta因素（行业扩产和市场份额提升）和Alpha因素（新产品研发能力和旧产品迭代能力）[2] * 国产化率在光刻机领域最低（低于5%） 材料领域较高 部分已实现国产替代[3][19] * 全球半导体材料市场规模约600多亿美元 晶圆制造材料约429亿美元 封装材料约246亿美元 中国大陆占比约30%（135亿美元）[20] * 半导体材料需求具有持续性和累积性 一旦产线开出 需求会一直存在 不受周期性波动影响[21] 其他重要内容 * ASML预测2025-2030年全球半导体市场销售额将从6790亿美元增长至1万亿美元 复合年增长率9% 主要由服务器 数据中心及AI芯片推动[3][17] * 预计2025和2026年中国大陆半导体设备采购需求保持在400亿美元以上 较2024年有所下滑 但由于去年存在超额采购以应对制裁风险[3][18] * 国内半导体行业正处于扩产和自主可控需求提升的重要阶段 半导体设备和材料估值偏低 有大约30%的增长空间[22]

大宗交易情况 - 8月21日大宗交易成交量10.21万股，成交金额541.54万元，成交价53.04元，较当日收盘价折价16.51% [2] - 买方为兴业证券北京复兴门外大街营业部，卖方为中国银河证券北京金融街营业部 [2] - 近3个月累计发生2笔大宗交易，合计成交金额3696.14万元 [2] 股价及资金表现 - 当日收盘价63.53元，下跌4.12%，日换手率2.63%，成交额7.32亿元 [2] - 当日主力资金净流出1.34亿元，近5日累计上涨2.35%但资金净流出2.91亿元 [2] - 融资余额7.24亿元，近5日增加3259.23万元，增幅4.71% [2]

掩膜版行业概况 - 掩膜版是半导体工业的"蓝图"和"能力放大器"，技术壁垒高且行业地位关键，是国产半导体链条中亟待补强的核心环节 [2] - 国内龙头公司如清溢光电、路维光电、龙图光罩正从平板显示领域向半导体130nm、90nm乃至28nm等高端节点发起攻坚，新产能落地与技术迭代形成共振 [2] - 掩膜版行业兼具高壁垒、高弹性和强α属性，是半导体材料领域百亿规模国产替代的重要赛道 [2] 掩膜版技术原理与重要性 - 光刻工艺是半导体制造核心流程，包括晶圆制备、图案转移、材质掺杂、沉积、蚀刻、封装等步骤，其中光刻工艺通过涂胶、曝光、显影等流程将细微几何图形结构转移到衬底上 [5][6] - 掩膜版作用是将承载的电路图形通过曝光方式转移到硅晶圆等基体材料上，实现集成电路批量化生产，其功能类似于传统相机的"底片"，品质直接关系到最终产品质量与良率 [8][11] - 半导体器件通过生产工艺一层层累计叠加形成，芯片设计版图通常由十几层到数十层图案组成，每层掩膜版图案需通过多次光刻工艺精准转移到晶圆上 [11] 光刻技术发展对掩膜版的影响 - 为制造更小线宽的高端集成电路，光刻技术经历重大革新，分辨率提高和产率提升成为光刻机演进主线，瑞利判据(CD = k1·λ/NA)是重要理论依据 [16][17] - 光源波长从g-line发展到DUV(249nm和193nm)和EUV(13.5nm)，当芯片关键尺寸小于光源波长时，掩膜版复杂度大幅提升 [18][20] - 光刻方式根据曝光方式分为接触式、接近式和投影式三类，平板显示产品多用接近式光刻(1:1复制)，半导体产品多用投影式光刻(4:1或5:1复制) [21][22] 掩膜版技术演进与挑战 - 掩膜版研发是不断探索光学物理极限的过程，需要解决光的干涉与衍射现象，随着线宽和线缝接近光波长，会出现夫琅禾费衍射导致图形边缘失真和CD精度下降 [23][27] - 光刻增强技术(RET)是掩膜版向前演进的核心技术，包括离轴照明(OAI)、光学邻近校正(OPC)、移相掩模(PSM)等方法，大多数RET都对掩模形状和相位进行改动 [28][32] - 计算光刻技术在90nm以下节点变得必要，包括光学邻近效应修正(OPC)、光源-掩膜协同优化(SMO)、多重图形技术(MPT)和反演光刻技术(ILT) [31][33] 掩膜版市场规模与格局 - 掩膜版占半导体材料市场规模约12%，是前三大细分材料之一，仅次于硅片和电子特气 [60][63] - 2024年全球半导体材料市场规模达675亿美元，其中晶圆制造材料429亿美元(同比增长3.3%)，封装材料246亿美元(同比增长4.7%) [65][69] - 预计2025年全球半导体掩膜版市场规模89.4亿美元，其中国内市场规模约187亿元人民币，晶圆制造用掩膜版占100亿元 [66][68] 市场竞争与国产化现状 - 全球半导体掩膜版市场晶圆厂自配套占比65%，独立第三方占比35%，其中美国Photronics、日本Toppan和DNP控制八成以上市场份额 [70][71] - 国产半导体掩膜版厂商包括中芯国际光罩厂、迪思微、中微掩模、龙图光罩、清溢光电、路维光电等，目前整体营收规模较低，国产渗透率很低 [72] - 2024年清溢光电半导体芯片掩膜版营收1.93亿元(同比增长33.98%)，路维光电半导体业务收入规模较小，龙图光罩营收2.47亿元 [73][109] 下游应用驱动因素 - 半导体芯片产能向中国大陆转移，2024年中国大陆晶圆月产能达860万片(年增速13%)，全球占比42%，直接拉动光刻机、光刻胶、光掩膜等需求 [79][80] - 先进封装需求推动掩膜版用量提升，传统封装需2-3张掩膜版，先进封装需5-10张，2025年全球先进封装市场规模达569亿美元(占封装市场50%) [81][82] - OLED显示技术在小尺寸终端渗透率快速提升，2024年OLED面板在中小尺寸显示市场营收占比超50%，AMOLED/LTPS制造商继续扩大投资 [84][87] 技术壁垒与供应链 - 掩膜版生产涉及CAM、光刻、检测三个主要环节，包括版图处理、图形补偿、曝光、显影、刻蚀等复杂工艺，对补偿算法、制程能力、精度水平要求严格 [88][89] - 掩膜版成本结构中直接材料占比67.35%，其中石英基板占原材料采购额80.07%，是主要成本构成 [103][105] - 电子束光刻机主要供应商为瑞典Mycronic和德国海德堡仪器，高端掩膜版需要更先进设备和材料配套 [98][106] 重点公司进展 - 清溢光电2024年平板显示掩膜版营收8.59亿元(同比增长17.59%)，其中AMOLED/LTPS营收3.61亿元(同比增长21.75%)，近期完成12亿元定增用于高精度和高端半导体掩膜版项目 [109][111] - 路维光电投资建设路芯半导体130-28nm半导体掩膜版项目，总投资规划20亿元，一期计划投资14-16亿元，2024年第四季度开始搬入设备 [73][114] - 龙图光罩珠海项目2025年上半年投产，年规划产能1.8万片(预计产值5.4亿元)，90nm节点PSM产品已完成量产跨越，65nm产品开始送样验证 [73][117]

财务表现 - 2025年上半年营业收入2.17亿元 同比下降1.62% [1] - 归属于上市公司股东的净利润2573.66万元 同比增长144.05% [1]

股价表现 - 港股收报43.22港元 跌幅5.09% 盘中最低至43.00港元 创上市后新低 [1] - A股收报63.53元 跌幅4.12% [1] - 当前A股股价较发行价82.79元/股处于破发状态 [1] A股IPO情况 - 2022年1月12日于上交所科创板上市 发行价格82.79元/股 [1] - 公开发行股份数量4297.11万股 [1] - 募集资金总额35.58亿元 扣除发行费用后净额32.03亿元 [1] - 实际募集净额较原计划20亿元超额12.03亿元 [1] - 原计划募集资金用于碳化硅半导体材料项目 [1] 港股IPO情况 - 2025年8月20日在港交所上市 最终发售价42.80港元 [2] - 全球发售股份总数47,745,700股H股 [2] - 其中香港发售16,711,000股 国际发售31,034,700股 [2] - 所得款项总额2043.5百万港元 净额1938.1百万港元 [2] 发行费用结构 - A股发行费用合计3.54亿元 [2] - 保荐机构获得承销及保荐费用3.19亿元 [2] 承销团队构成 - 港股联席保荐人包括中金香港证券、中信证券(香港)、中信里昂证券 [3] - 整体协调人包含海通国际证券、中银国际亚洲、大华继显(香港)等机构 [3] - 联席全球协调人涉及汇丰银行、中泰国际证券等多家金融机构 [3]

江苏省徐州市新沂市2024年同时实现地区生产总值、工业开票销售收入、服务业开票销售收入"三个过 千亿"，且PM2.5平均浓度、国家和省地表水考核断面水质等环境质量指标持续向好。新沂在实现高质量 发展的探索中，将生态理念深度融入发展肌理，构建起生态筑基、产业赋能、制度保障的绿色发展闭 环。 在过去，生态环境保护常被视为经济增长的"成本项"，但新沂通过重构生态环境与经济发展的价值逻 辑，用实践证明良好生态环境既是核心竞争力也是重要生产力。马陵山"生态岛"试验区投入6700万元实 施生态修复，不仅使植物种类增至521种、动物种类增至1332种，更通过"生态+文旅"模式实现年旅游收 入超30亿元；骆马湖（新沂段）投入10亿元退圩还湖，在恢复4.5万亩自由水面的同时，带动周边发展 低碳旅游项目。"保护—增值—再投入"的良性循环，打破了"先污染后治理"的路径依赖，印证了"绿水 青山"可以向"金山银山"转化的真理。 产业转型实现了"绿色筑基、创新赋能"的升级。面对钢铁、化工等传统产业，新沂市拒绝"一刀切"式关 停，通过集中入园、技术改造推动其"腾笼换鸟"。中新钢铁投资12.6亿元实施全流程超低排放改造，年 减排二氧化硫28 ...

上市概况 - 天岳先进于2025年8月20日在香港联交所主板挂牌上市，成为两市唯一"A+H"上市的碳化硅衬底公司 [1] - 上市首日高开6.54%，报45.6港元，发行价为每股42.80港元 [1] - 全球发售4774.57万股H股，占发行后总股本的10%，其中香港发售占比5%，国际发售占比95%，并设15%超额配股权 [1] - 基石投资者认购占发售总数的36.23%，包括未来资产证券、山金资产管理等机构 [1] - 孖展倍数达2809.19倍，显示市场高度热情，A股从招股以来最高涨幅约16% [1] 行业地位与技术优势 - 公司是全球少数实现8英寸碳化硅衬底量产并商业化的企业之一，率先推出12英寸产品 [2] - 2024年全球导电型碳化硅衬底市场份额达22.80%，稳居全球第二 [2] - 已实现8英寸导电型衬底批量供应并率先实现海外客户批量销售 [3] - 2024年11月推出业内首款12英寸碳化硅衬底，显著提升产量并降低成本 [3] - 成功交付高质量低阻P型碳化硅衬底，加速高性能SiC-IGBT发展 [3] - 累计获得发明专利194项，实用新型专利308项，境外发明专利14项，专利数量全球前五 [4] 市场认可与荣誉 - 2025年6月荣获"金牛上市公司科创奖"和日本"半导体电子材料"类金奖，为中国企业首次问鼎 [5] - 奖项认可公司在碳化硅衬底材料技术的革命性突破，彰显国际领先地位 [5] 行业前景与增长动力 - 全球碳化硅衬底市场规模从2019年26亿元增长至2023年74亿元，CAGR 29.4%，预计2030年达664亿元，CAGR 39.0% [7] - 下游需求近80%来自新能源汽车，预计2025年全球新能源车消耗SiC衬底达199.6万片/年 [7] - 与英飞凌、博世等汽车电子厂商有长期战略合作 [7] - AI数据中心领域，产品应用于英伟达等巨头的数据中心电源系统，受益于800V HVDC架构推出 [8] - AR眼镜领域，12英寸高纯半绝缘碳化硅衬底实现轻量化与高透光度突破，与舜宇奥来、Meta等合作开发衍射光波导技术 [9] 全球化布局 - 2024年海外收入8.4亿元，同比增长104.43%，境外收入占比首次超境内达57.03%，境外毛利率42.05%显著高于境内20.8% [10] - 与全球前十大功率半导体器件制造商中过半建立合作，包括英飞凌、博世、安森美等 [10] - 2025年7月开始向日本市场批量供应碳化硅衬底材料 [10] - 港股IPO募资部分将用于海外产能建设，满足国际客户需求 [10]

核心观点 - 掩膜版是微电子制造过程中的图形转移母版 是平板显示 半导体 触控 电路板等行业生产制造过程中重要的关键材料 其精度和质量水平直接影响下游制品的优品率 [2] - 中国大陆平板显示产能超过全球产能的60% 但掩膜版仍由美国和日韩厂商垄断 国内清溢光电 路维光电处于不断追赶渗透率持续提升的过程 [1][2] - 预计2025年国内半导体掩膜版市场规模约为187亿元人民币 其中晶圆制造用掩膜版预计为100亿元人民币 封装用掩膜版预计为26亿元人民币 其他器件用掩膜版为61亿元人民币 [3] - 国内厂商掩膜版营收体量相对较低 各厂商正处于技术持续升级 新高端产能即将陆续释放 半导体掩膜版渗透率由1走向N的阶段 [3] 掩膜版行业地位 - 掩膜版是光刻复制图形的基准和蓝本 连接工业设计和工艺制造的关键 [2] - 2019年半导体晶圆制造材料市场规模达322亿美元 掩膜版成本占比约13% 仅次于硅片 [2] 平板显示领域 - 中国大陆作为全球最大的面板生产制造基地和研发应用中心 平板显示产能超过全球产能的60% [1][2] - 上游掩膜版材料目前仍由美国和日韩厂商垄断 [1][2] 半导体领域市场规模 - 2025年国内半导体掩膜版市场规模预计约为187亿元人民币 [3] - 晶圆制造用掩膜版预计为100亿元人民币 [3] - 封装用掩膜版预计为26亿元人民币 [3] - 其他器件用掩膜版预计为61亿元人民币 [3] 国内厂商发展现状 - 国内清溢光电 路维光电处于不断追赶渗透率持续提升的过程 [1][2] - 国内厂商掩膜版营收体量整体相对较低 [3] - 各厂商正处于技术持续升级 新高端产能即将陆续释放的阶段 [3] - 半导体掩膜版渗透率正处于由1走向N的发展阶段 [3]

行业概况 - 溅射靶材是半导体产业的基础材料，用于物理气相沉积（PVD）工艺，通过磁控溅射技术形成功能薄膜，决定芯片性能、良率和可靠性 [6][8] - 主要应用于晶圆制造和封装测试环节，支撑先进制程（如7nm以下），薄膜厚度需控制在纳米至微米级，均匀性误差要求极高 [8][9] - 核心特性包括超高纯度（5N5级别以上）、高精度尺寸和高微观结构一致性，满足芯片对电性、可靠性和集成度的严苛要求 [8] 靶材分类 - 按材质分为金属靶材（铜、铝、钛等）、合金靶材（铜锰合金等）、陶瓷靶材（氧化铟锡等） [12] - 铝靶用于110nm以上制程导电层，铜靶用于110nm以下先进制程互连层，钽靶用于阻挡层防止金属扩散 [12] - 制程微缩推动靶材纯度要求提升，14nm需6N纯度，3nm及以下需7N纯度 [13] 产业链分析 上游供应 - 原材料依赖高纯金属（如6N级铜），国内企业如新疆众和（高纯铝）、江丰电子（钨靶）部分实现自给，但多数仍进口 [15][16] - 关键设备（熔炼炉、粉末冶金设备）被欧美日企业垄断，影响靶材生产效率和质量 [17] 中游制造 - 技术密集环节，涵盖熔炼、成型、加工、绑定等工序，精度需控制在微米/纳米级 [18] - 工艺包括熔炼铸造法（效率高但易氧化）、粉末冶金法（成分均匀但成本高）、沉积法（高纯度但产能低） [28][31][32] 下游应用 - 主要需求来自半导体芯片制造，形成金属互连层、阻挡层等关键结构，AI、5G、物联网推动需求增长 [22][23] - 溅射镀膜市场被美日企业垄断，专用设备精密度高 [21] 市场情况 - 全球溅射靶材市场规模从2018年821亿元增至2022年1,163亿元（CAGR 9.1%），预计2027年达1,945亿元（CAGR 10.7%） [47][48] - 中国半导体靶材市场2022年27亿元（CAGR 14.4%），预计2027年57亿元（CAGR 15.8%），晶圆制造靶材增速更高（CAGR 16.7%） [49][52][53] 竞争格局 - 全球80%份额被美日企业占据，JX日矿金属（30%）、霍尼韦尔（20%）、东曹（20%）为龙头 [60][63] - 国内企业如江丰电子（7nm量产）、有研新材（钌基靶材）、阿石创（钼靶全球市占25%）加速替代，但高端市场仍存差距 [64][82][86] 技术趋势 - 3nm制程需7N纯度靶材，推动新型提纯技术（区域熔炼、离子交换）发展 [43] - 材料创新：钴、钌合金靶材应对功耗问题，EUV光刻专用靶材研发 [68] - 3D封装需求催生垂直互连结构靶材，提升薄膜沉积方向性控制 [68] 核心投资逻辑 - 刚性耗材属性：与晶圆厂CAPEX和产能利用率强相关，弱化周期波动 [74] - 三重壁垒：技术（高纯度）、认证（长周期）、客户粘性（高切换成本） [75] - 国产替代：国内企业从加工环节向上游核心材料突破，侵蚀海外份额 [76] - 技术跃迁：布局先进制程（钴/钌靶）和封装（大尺寸铜靶）的企业更具成长性 [77] 国内外企业清单 - 国际龙头：JX日矿金属（钛靶）、霍尼韦尔（钛/铝靶）、东曹（钴/镍靶） [79][80] - 国内领先：江丰电子（铜靶市占率超20%）、先导薄膜（ITO靶全球30%）、映日科技（光伏靶材） [82][91][94] - 高纯金属供应商：新疆众和（高纯铝）、有研亿金（超高纯铜）、东方钽业（高纯钽） [101]