韩国贸易与出口表现 - 韩国2月前20天出口同比增长47.3%（经工作日调整），高于1月整月修正后的34%增幅 未经调整的2月前20天出口同比增长23.5%，进口同比增长11.7%，实现贸易顺差49.5亿美元 [1][6] - 韩国1月出口额同比增加33.9%至658.5亿美元，创历史同期最高纪录 1月贸易收支实现87亿美元顺差，单月贸易收支连续12个月实现顺差 [2][7] - 尽管报告期内包含春节假期，但韩国2月整体贸易数据依然强劲，表明剔除日历因素后出口动能旺盛 [1][6] 半导体行业出口与市场 - 受人工智能与数据中心投资拉动，韩国2月前20天的芯片出口同比暴增134% 电脑外设出口同比增长129% [1][5][6] - 韩国1月半导体出口额同比大增103%至205亿美元，连续两个月突破200亿美元，带动1月出口总额增加 [2][6] - 美国半导体产业协会（SIA）表示，在AI相关投资带动下，全球半导体销售额今年可望首度突破1万亿美元大关 SIA指出2025年全球芯片销售额达到7917亿美元，较前一年大幅成长25.6% [4][10] 主要公司动态与股价 - 三星电子和SK海力士股价在2月23日盘中双双创出历史新高 三星电子盘中一度涨超3%，SK海力士一度涨近3% [2][8][9] - 年初以来，韩国KOSPI指数累计涨幅已超过40% 2月23日盘中一度涨超2%，创下历史新高 [2][8] - 三星电子正就其最新一代AI存储芯片HBM4的定价进行谈判，价格将较上一代高出20%—30%，约为700美元 即将量产HBM4的SK海力士预计也将把价格定在同一水平 [3][9] 行业产能与战略 - 面对AI驱动的内存芯片需求激增，三星电子与SK海力士正加速推进新建晶圆厂投产进程，战略重心由谨慎控货转向积极扩产 [4][9] - SK海力士计划将龙仁一期晶圆厂的试运行时间提前至明年2—3月 三星电子将平泽P4工厂的投产时间从明年一季度提前至今年四季度，生产规划前移约三个月 [4][10] - 两家公司均将在新产线重点部署高附加值产品，如高性能DRAM与HBM（高带宽内存） [4][10] 其他行业表现 - 在芯片出口强劲的同时，韩国2月前20天汽车出口同比大跌近27%，汽车零部件出口同比下滑约21%，反映出在美国关税政策下汽车行业仍在调整 [1][6] - 2月23日汽车股也集体走高，现代汽车一度涨超4% [2][9]

三星与SK海力士HBM4定价与市场地位 - 三星正就新一代AI存储芯片HBM4进行定价谈判，计划售价约700美元，较HBM3E高出20%至30% [1] - 700美元的定价意味着三星HBM4的营业利润率高达50%至60% [1] - 三星HBM4的量产与定价凸显了行业“定价权”，表明AI存储芯片市场供应紧张，三星在高端市场重新夺回定价话语权 [3] - SK海力士预计也将把HBM4的价格定在更高水平，去年8月其供应给英伟达的HBM4单价约为500美元 [3] 主要厂商HBM供应份额与资本开支 - 英伟达2024年12月初步分配了2025年HBM供应份额：SK海力士获得55%以上，三星电子占20%多至接近30%，美光科技约20% [3] - 如果三星向英伟达供应更多HBM芯片，2026年三星与SK海力士的平均售价差距将会缩小 [3] - 面对AI带来的HBM需求井喷，厂商开启激进资本开支计划，SK海力士资本开支预计从2024年四季度的7万亿韩元激增至2025年三季度的12万亿韩元 [3] - 三星电子和SK海力士均表示将增加2025年资本支出以应对内存短缺，并计划在2026年大幅扩大设备投资规模 [6] 产能扩张与生产计划提前 - 三星电子与SK海力士正加速推进新建晶圆厂投产，战略重心由谨慎控货转向积极扩产 [5] - SK海力士计划将其龙仁一期晶圆厂的试运行时间提前至2026年2月至3月 [5] - 三星电子将平泽P4工厂的投产时间从2026年一季度提前至2025年四季度，生产规划前移约3个月 [5] - 两家公司均将在新产线重点部署高附加值产品，如高性能DRAM与HBM [5] 市场供需与产能数据 - 加速扩产的核心驱动力是AI数据中心扩张导致的服务器高性能DRAM需求激增 [5] - 由于生产线集中生产高附加值的HBM芯片，通用DRAM产量相对减少，加剧了供应紧张 [5] - 三星电子的DRAM年产能（以晶圆计）将从2024年的747万片增至2025年的817.5万片 [5] - SK海力士的DRAM年产能将从2024年的511.5万片扩大至2025年的639万片 [5] - 随着新工厂提前投产，2026年产量有望进一步增长 [5] - 摩根大通等机构预测，内存供应短缺将持续至2027年 [6] 行业动态与客户关系 - 英伟达CEO黄仁勋近期与SK海力士和英伟达工程师会面，并特别提及SK海力士承诺供应的第六代HBM4产品 [3] - 行业分析认为，HBM4定价谈判及扩产计划反映了存储厂商在AI浪潮下重新掌握市场主动权的趋势 [2][3]

三星电子股价与HBM4定价动态 - 三星电子股价盘中一度上涨逾5%，最高触及190,900韩元的历史新高，今年以来累计上涨近50% [1][10] - 有报道称三星正就其最新一代AI存储芯片HBM4的定价进行谈判，价格计划定在约700美元，较上一代HBM3E高出20%至30% [1][4][10][13] - 700美元的定价意味着三星HBM4的营业利润率高达50%至60% [4][13] 行业定价权与市场地位 - 分析指出，HBM4的定价报道凸显了AI存储芯片行业的“定价权”，表明市场供应依然紧张，且三星在高端市场重新夺回了一定的定价话语权 [4][13] - 在AI竞赛初期一度落后于SK海力士后，三星已开始量产HBM4芯片并向客户交付商用产品，正强势反攻 [4][13] - 报道称SK海力士预计也将把HBM4的价格定在更高水平，去年8月其向英伟达供应的HBM4单价约为500美元 [4][13] - 分析认为，若三星向英伟达供应更多HBM芯片，2026年三星与SK海力士的平均售价差距将会缩小，因为面向英伟达的定价会高于其他客户 [5][13] 韩国股市与存储芯片行业表现 - 在存储板块引领下，韩国基准股指Kospi指数周四盘中最高涨至5,681.65点，收盘上涨逾3% [3][12] - 存储芯片短缺持续利好三星与SK海力士，推动Kospi指数年初迄今大涨34%，使其成为全球表现最佳的股市 [4][13] 韩国芯片厂商战略调整与产能扩张 - 面对AI驱动的内存芯片需求激增，三星电子与SK海力士调整战略，通过提前推进生产计划以把握存储超级周期红利 [6][14] - 此前企业谨慎控制产能扩张，如今鉴于市场繁荣转向积极扩产 [6][15] - SK海力士计划将其龙仁一期晶圆厂的试运行时间从原计划明年5月提前至明年2-3月 [6][15] - 三星电子将平泽P4工厂的投产时间从明年一季度提前至今年四季度，生产规划前移约三个月 [6][15] - 两家公司均将在新产线重点部署高附加值产品，如高性能DRAM与HBM [7][15] 存储芯片供需状况与市场展望 - AI数据中心建设推动高性能DRAM需求大幅增长，存储芯片供应持续滞后于需求 [7][15] - 韩国KB证券指出，截至2月，内存芯片短缺程度较去年第四季度加剧，主要客户的订单满足率仅为60%，AI数据中心企业占据三星内存出货量的70% [8][15] - 花旗集团分析指出，今年DRAM供应量预计增长17.5%，需求预计增长20.1%；NAND闪存供应量预计增长16.5%，需求预计增长21.4%，需求增速持续超过供给 [8][15] - 晨星、摩根大通等主流市场研究机构均预测，存储芯片短缺状况将持续至2027年 [9][16]

行业动态与战略转向 - 面对人工智能驱动的内存芯片需求激增，韩国两大存储巨头三星电子与SK海力士的战略重心由此前的谨慎控货转向积极扩产，以抢占行业“超级周期”红利 [1] - 全球AI数据中心扩张带来服务器芯片需求井喷，是驱动本轮提速扩产的核心背景 [1][3] 公司扩产具体计划 - SK海力士计划将其龙仁一期晶圆厂的试运行时间从原定竣工日期（明年5月）提前至明年2-3月 [1][2] - 三星电子将平泽P4工厂的投产时间从明年一季度提前至今年四季度，生产规划前移约三个月 [1][2] - 两家公司均将在新产线重点部署高附加值产品，如高性能DRAM与HBM（高带宽内存） [1][2] - 三星电子在P4工厂新建用于HBM的10纳米第六代（1c）DRAM生产线，该产线月产能预计达10万至12万片晶圆 [2] 产能与需求数据 - 市场研究机构Omdia数据显示，三星电子的DRAM年产能（以晶圆计）将从2024年的747万片增至2025年的817.5万片，SK海力士同期产能将从511.5万片扩大至639万片 [3] - 花旗集团预测，2025年DRAM与NAND闪存的供给增速分别为17.5%和16.5%，而需求增速则高达20.1%和21.4%，需求持续超过供应 [1][3] - 截至2025年2月，主要客户的内存芯片需求满足率仅约60%，短缺程度较2024年四季度进一步加剧 [1][3] - 三星电子内存出货量中已有约70%被AI数据中心企业吸收 [1][3] 市场前景与资本支出 - 晨星和摩根大通等主要市场研究机构预测，内存供应短缺将持续至2027年 [1][4] - DS投资证券表示，如果2027年供应增长仅为1%，本轮DRAM周期将至少持续到2027年，价格上涨预计将持续至2026年三季度 [4] - 三星电子和SK海力士均表示将增加2025年的资本支出以应对内存短缺 [4] - 三星电子内存事业部副总裁表示，计划在2026年大幅扩大设备投资规模，但2025年和2026年设备扩张将受到限制，供应短缺现象可能加剧 [4][5]

文章核心观点 - 面对人工智能驱动的内存芯片需求激增，韩国存储巨头三星电子与SK海力士正加速推进新晶圆厂投产，战略重心由谨慎控货转向积极扩产，以抢占行业“超级周期”红利 [1] 公司扩产计划与进展 - SK海力士计划将其龙仁一期晶圆厂的试运行时间从原定竣工日期（明年5月）前提前至明年2-3月，将在率先建成的洁净室优先投产高性能DRAM和HBM产品 [1][2] - 三星电子将其平泽P4工厂的投产时间从明年一季度提前至今年四季度，生产规划前移约三个月，将专注生产供应紧张的高性能内存 [1][2] - 三星电子计划在P4工厂新建用于HBM的10纳米第六代（1c）DRAM生产线，该产线月产能预计达10万至12万片晶圆 [2] - SK海力士的龙仁一期工厂规模相当于其清州M15X晶圆厂的6倍，外部框架工程已完成约一半，6个洁净室中的3个正在同步建设 [2] 市场需求与供应状况 - 截至今年2月，主要客户的内存芯片需求满足率仅约60%，短缺程度较去年四季度进一步加剧 [1][4] - 三星电子内存出货量中已有约70%被AI数据中心企业吸收 [1][4] - 花旗集团预测，今年DRAM与NAND闪存的供给增速分别为17.5%和16.5%，而需求增速则高达20.1%和21.4%，需求持续超过供应 [1][4] - 由于生产线集中生产高附加值的HBM芯片，通用DRAM的产量相对减少，加剧了供应紧张 [3] 产能增长预测 - 三星电子的DRAM年产能（以晶圆计）预计将从2024年的747万片增至2025年的817.5万片 [3] - SK海力士的DRAM年产能预计将从2024年的511.5万片扩大至2025年的639万片 [3] - 随着新工厂提前投产，2026年产量有望进一步增长 [3] 行业周期与资本支出 - 市场普遍预期供应紧张态势将持续至2027年，晨星和摩根大通等机构也持相同预测 [1][5] - DS投资证券分析，如果2027年供应增长仅为1%，本轮DRAM周期将至少持续到2027年，价格上涨预计将持续至2026年三季度 [6] - 三星电子和SK海力士均表示将增加今年的资本支出以应对内存短缺，三星电子内存事业部副总裁表示计划在2026年大幅扩大设备投资规模 [6] - 尽管企业加大投资并提前投产，但从建设到稳定量产仍需时间，短期内难以完全缓解供需失衡 [6]

行业战略转向：加速产能扩张以把握超级周期 - 韩国半导体企业正加速推进在建晶圆厂的提前投产，以把握存储芯片“超级周期”带来的红利，战略从去年下半年的谨慎控制产能扩张转向主动出击 [2] - 此举旨在应对获得国家支持的中国竞争对手可能抢占市场缺口，同时留住现有客户并满足新增需求 [2] 韩国龙头厂商具体扩产计划 - SK海力士正在龙仁半导体集群建设一期晶圆厂，原计划2027年5月竣工，现计划最早于2027年2-3月提前试产 [2] - 龙仁一期厂房为三层建筑，规模相当于清州厂区的6座M15X晶圆厂，将主要生产AI时代需求激增的高性能DRAM（如DDR5）与HBM [2] - 三星电子平泽P4晶圆厂原计划2027年第一季度竣工，工期有望提前至2026年第四季度，整体缩短约三个月 [3] - 三星可能在P4厂新建一条10纳米级第六代（1c）DRAM生产线，专门用于HBM生产，新线月产能预计达10万至12万片晶圆 [3] 产能与需求数据 - 市场调研机构Omdia数据显示，三星年度DRAM产能（以晶圆计）预计从2024年的747万片提升至2025年的817.5万片 [3] - 同期SK海力士产能预计从511.5万片扩至639万片 [3] - 花旗银行分析认为，2025年DRAM供应量将增长17.5%，需求预计增长20.1%；NAND Flash供应量增长16.5%，需求增长21.4%，显示需求持续超过供给 [5] - 截至2025年2月，存储芯片的紧缺程度较2024年第四季度进一步加剧，主要客户的需求满足率仅为60% [4] AI驱动需求结构变化与长期展望 - AI数据中心扩张带动服务器用高性能DRAM需求暴增，产能向高价值HBM倾斜导致通用型DRAM产出相对减少 [4] - AI数据中心企业已消化三星70%的存储芯片出货量 [4] - 晨星、摩根大通等主流研究机构均预测存储芯片短缺将持续至2027年 [5] - DS证券补充指出，若2027年供给增速仍维持在1%左右，本轮DRAM周期至少将延续到2027年，以服务器为核心的DRAM价格涨势预计将持续至2026年第三季度 [5] 厂商资本支出与应对策略 - 三星与SK海力士近期均宣布2025年将增加资本支出以应对存储芯片短缺 [5] - 三星电子存储业务总裁表示，鉴于AI相关需求有望持续，公司计划在2026年大幅扩大设备投资，但考虑到今明两年产能扩张有限，供应缺口可能进一步扩大 [5] - 提前试产的目的被解释为尽快稳定量产体系，并向客户释放能够稳定供货的信号 [5] 供应链紧张现状与行业影响 - 群联电子首席执行官表示，2025年的闪存短缺危机可能会让大量中小厂商快速出局 [5] - 该首席执行官透露，在中国见到手机与车载领域头部企业向供应商跪求闪存芯片，并断言小型企业很可能完全拿不到闪存货源 [6] - 该首席执行官预计，AI数据中心正在吞噬全球内存与存储供应，可能导致智能手机产量削减1亿至2.5亿台，PC与电视出货量也会因供应受限而下滑 [6] - 全球三大NAND晶圆厂中，已有一家要求客户预付三年货款，这在行业内前所未闻 [6] 价格暴涨与未来预期 - 广泛用于消费电子与车载领域的8GB eMMC芯片，价格从2024年的1.5美元涨到2025年的20美元，涨幅高达13倍 [7] - 即便价格暴涨，货源依然极度紧缺，群联电子客户的订单满足率已不足30% [7] - 随着AI市场从模型训练转向推理部署，AI应用爆发式增长需要大量存储来承载数据，这可能导致数据中心以外几乎分不到任何闪存芯片 [7] - 西部数据称2025年硬盘已全面缺货，2027、2028年也已提前短缺 [7]

投资计划概述 - 公司宣布一项重大投资计划，将投入约1.1万亿韩元引进两台最新的High-NA双级极紫外（EUV）光刻机 [1] - 此举标志着公司在下一代半导体芯片量产领域迈出关键一步 [1] 设备部署与规划 - 公司此前仅在京畿道园区部署过一台High-NA EUV设备，且主要用于研发环节 [3] - 此次引进的两台设备则聚焦"产品量产"，是公司首次将此类先进设备应用于量产场景 [3] - 按照规划，公司将于今年内完成第一台设备的引进工作，明年上半年再引进第二台，逐步完善量产设备布局 [3] 设备技术规格 - 计划引进的设备为Twin Scan EXE:5200B，属于0.55数值孔径（NA）的High-NA极紫外光刻系统，是TWINSCAN EXE:5000的升级版本 [3] - 该设备不仅进一步提升了对准精度，还大幅提高生产效率 [3] - 设备被行业公认为生产下一代半导体芯片与高性能DRAM的核心必备设备 [3] 技术优势与行业影响 - 与此前的NXE系统相比，Twin Scan EXE:5200B的成像对比度提升40%，分辨率可达8纳米 [3] - 该设备能让芯片制造商通过单次曝光实现比TWINSCAN NXE系统精细1.7倍的电路刻蚀 [3] - 这一技术突破可将晶体管密度提升至原来的2.9倍 [3] - 技术优势可在降低大规模生产工艺复杂性的同时，有效提高客户晶圆厂的晶圆产量，为半导体产业技术升级提供有力支撑 [3]