另一个影响博通走势的因素是国际半导体行业的整体环境。全球半导体市场正在经历调整，美国提升进 口关税的政策可能会提升博通等公司的成本负担。同时，市场对博通与三星合作的潜在增长前景保持关 注，毕竟这种合作有可能加强博通在先进半导体技术领域的市场地位。 从全球电子行业的市场动态来看，半导体产业的技术更新和应用场景的拓展也是影响博通股价的重要背 景。美国和中国之间的贸易摩擦，尤其是在技术产品领域的紧张态势，也为半导体供应链和相关公司的 股价走势增添了更多的不确定性。 面对市场的不确定性，建议投资者在关注博通的同时，也需密切监测相关政策变化和行业趋势。投资者 可以考虑分散投资，以降低单一股票波动带来的风险。同时，对于像博通这样的科技公司，理解其在创 新领域的投入和市场策略亦非常重要，以便在投资中获得更佳的收益。 来源：市场资讯 （来源：美股情报站） 在最新的市场行情中，博通（AVGO）的股价在8月19日经历了显著下跌，下降了3.55%。这种走势标志 着该股连续三天的下跌，累计跌幅达到5.24%。投资者对这一现象的关注也加深了对其背后原因的思 考。 近期，美国政府决定对半导体进口关税进行上调的计划无疑是博通股价波动的重要 ...

三星电子：HBM3E芯片的供应增长快于需求。 ...

智通财经7月31日电，三星电子表示，下半年HBM3E芯片销售将占逾90%，已向客户提供HBM4芯片样 品。 ...

三星电子：HBM3E芯片销售额下半年将占90%以上，已向客户提供了HBM4芯片的样品。 ...

特朗普关税政策 - 特朗普向14国发信威胁征收25%-40%不等关税 日本韩国面临25% 老挝缅甸面临40%最高税率 并警告若日韩反击将追加同等幅度关税 [1] - 美国三个月宽限期仅与英国越南达成有限协议 与欧盟日本韩国印度等主要贸易伙伴谈判陷入僵局 特朗普试图以关税威胁换取有利条件 [1] - 关税暂缓期延至8月1日 短期内缓解通胀压力但排除美联储7月降息可能性 长期若关税提升将导致进口商品涨价 [2] 日本制铁产能扩张 - 日铁计划十年内粗钢产量提升60%至1亿吨 通过收购美国钢铁公司和印度基地扩产 目标重返世界第一宝座 [3] - 2024年中国宝武以1.3亿吨产量居首 日铁在高端特种钢领域仍具优势 但面临中国钢企向高端市场渗透的竞争压力 [3][4] - 本土需求疲软迫使日铁选择全球扩张路线 收购美国钢铁公司承受巨额亏损和苛刻条件 [3] 国内挖掘机市场 - 6月挖掘机销量18804台同比增13.3% 其中国内8136台增速由负转正达6.2% 出口10668台保持19.3%高增长 [5] - 上半年累计销量120520台同比增16.8% 国内增速22.9%显著高于出口10.2% 专项债发行同比增44.7%至21607亿元支撑基建 [5] - 更新周期叠加以旧换新政策推动销量 非房建项目成新增长点但需求持续性待观察 [6] 三星电子业绩 - 二季度营业利润预计暴跌56%至4.6万亿韩元 芯片业务成主要拖累 库存减记和贸易摩擦导致代工业务上半年亏损超4万亿韩元 [7] - HBM芯片技术路线选择失误 未能获得英伟达认证 良率落后台积电致客户流失 中国订单受中美贸易影响 [7][8] - AI芯片需求爆发未转化为三星机遇 研发投入加大短期加剧利润压力但为必要转型手段 [8] 特斯拉市值波动 - 马斯克宣布成立新政党引发股价单日跌6.79% 市值蒸发680亿美元至9210亿美元 投资者担忧其政治活动分散精力 [13] - 二季度交付量38.41万辆同比降13.5% 连续两季度下滑 一季度33.67万辆创2022年来新低 [13] - 马斯克政治倾向已影响品牌形象 偏执性格成双刃剑 [14] 资本市场动态 - 沪指涨0.7%逼近3500点 创业板指领涨2.39% 两市成交额放量2453亿至1.45万亿 超4200只个股上涨 [15] - 算力硬件光伏板块爆发 大金融稳定币游戏轮动 硅料收储传闻刺激光伏板块 [15] - 指数慢牛格局形成但板块轮动缺乏主线逻辑 个股行情依赖消息驱动 [16] 其他行业动态 - 山姆定制冰块2公斤售22.8元引争议 特殊工艺使融化速度降低20% 定价处于市场中位水平 [9][10] - OpenAI股权激励占比达营收119% 44亿美元支出应对Meta挖角 长期或影响融资和上市 [11][12]

点击 上方 硬AI 关注我们 亮眼的财报可能掩盖了深层次的风险，摩根士丹利分析师Shawn Kim表示，在更大的影响因素下，财报季并不重要。关 税对内存的真正影响就像一座冰山，大多数危险都隐藏在水面之下，而且仍在逼近。 硬·AI 作者 | 赵 颖 编辑 | 硬 AI 得益于全球AI领域的竞争以及客户在关税征收前抢进口，SK海力士3月营业利润超出预期增长了158%， 但关税风险下的风险仍在逼近。 硬·AI * 感谢阅读！ 周四，韩国内存巨头SK海力士公布3月份当季营业利润增长了158%，为7.44万亿韩元（约合52亿美 元），超过预期的6.6万亿韩元，营收增长42%。这是该公司第二好的季度业绩，此前该公司上一季度营 收和营业利润均创历史新高。 作为英伟达重要供应商，SK海力士受益于HBM等AI关键组件的强劲需求增长。SK海力士表示，12层 HBM3E芯片的销售额预计将在第二季度增长，占HBM3E总营收的一半以上。该芯片是目前市场上与 Nvidia(GPU)使用的最先进的HBM芯片。 然而，亮眼的财报掩盖了更深层次的风险。摩根士丹利分析师Shawn Kim本周在给投资者的一份报告中表 示： 在更大的影响因素下，财 ...

全球DRAM市场格局变化 - SK海力士首次超越三星电子成为全球DRAM市场冠军，占据36%的市场份额，三星电子以34%位居第二，美光科技以25%排名第三 [1][2][4] - SK海力士的成功主要归功于其在HBM领域的主导地位，占据70%的市场份额 [2][4][6] - 这是SK海力士自1983年成立以来首次在全球存储器市场占据主导地位，打破了三星电子长达30多年的统治 [4] HBM技术驱动增长 - HBM产品占SK海力士第四季度DRAM总销售额的40%以上 [7] - SK海力士独家供应12层HBM3E芯片给英伟达的AI加速器 [7] - 公司预计到2027年HBM内存芯片需求将以每年82%的速度增长 [7] - SK海力士计划在2025年将HBM销量翻一番 [7] - 公司预计HBM3E将在2024年上半年占HBM产品的一半以上，并计划在2026年推出12层HBM4作为旗舰产品 [8] 技术研发与制程优势 - SK海力士新的1c DRAM良率达到80%，开发出全球首款基于1c工艺的16GB DDR5 DRAM [10] - 1c工艺约等于11-12纳米，是目前最先进的DRAM技术 [10] - SK海力士在DRAM技术领域暂时超越三星电子 [11] - 三星电子在1c DRAM模块开发中遇到良率问题，正在重新评估以提高良率 [11][12] - SK海力士计划将1c技术应用于HBM4，可能推出性能更强大的HBM4E [10] 行业技术发展趋势 - 三星和SK海力士已将D1a和D1b单元设计产品商业化 [13] - 两家公司在采用EUV光刻技术方面处于领先地位 [13] - 高K金属栅极(HKMG)技术正在普及，三星、美光和SK海力士都在不同产品中集成该技术 [13] - 预计2026-2027年将推出10纳米级DRAM器件(D1d或D1δ节点) [14] - 到2030年DRAM技术预计将缩小到个位数纳米节点 [14] 市场竞争格局 - 中国厂商如长鑫存储、长江存储等正在技术进步，竞争格局可能发生变化 [16] - 传统DRAM需求减弱，价格下降，推动SK海力士凭借HBM优势进一步领先 [8] - 地缘政治和人工智能崛起加剧了行业竞争 [16] - DRAM技术正处于变革关键期，可能催生新的行业巨头 [16]

美光第六代DRAM技术突破 - 美光率先向客户出货基于1γ节点的16Gb DDR5内存样品，速度达9200MT/s，较上一代提升15% [1][4] - 1γ节点采用新一代高K金属栅极CMOS技术，功耗降低超20%，比特密度提升超30% [4][5] - 该技术将应用于云端、工业、消费电子及端侧AI设备，满足高性能计算需求 [3][4] DRAM市场竞争格局变化 - 美光市场份额从19.6%升至22.2%，三星和SK海力士分别降至41.1%和34.4% [8] - SK海力士已完成1c DDR5量产认证，计划2月初全面量产 [6][7] - 三星1c DRAM开发延迟至2025年6月，良率目标70%，可能影响HBM4进度 [7][10] HBM市场竞争态势 - SK海力士保持领先地位，正加快开发HBM4目标2026年量产 [13] - 美光已向英伟达供应8层HBM3E，即将量产12层产品，功耗低20%且容量高50% [11][12] - 三星落后于竞争对手，8层HBM3E刚进入小规模量产，12层产品仍在测试阶段 [11][14] 低功耗DRAM市场进展 - 美光将为三星Galaxy S25提供主要LPDDR5X芯片，首次成为三星主要内存供应商 [15] - 美光LPDDR5X芯片在功耗效率和性能上优于三星产品，解决发热问题 [15][17] - 2022年美光已为iPhone 15系列提供基于1b工艺的LPDDR5X [16] 技术发展与产能扩张 - EUV光刻技术使1γ DRAM容量密度提升30%，减少多重光刻步骤提高良率 [20][21] - 美光在日本和台湾增加EUV系统，计划发展1δ工艺和3D DRAM架构 [22] - 公司获得美国61.65亿美元补贴，计划在新加坡建70亿美元封装设施，日本广岛建HBM产线 [18] 行业影响与未来展望 - 美光计划2025年HBM市场份额达20%-25%，挑战SK海力士和三星主导地位 [23] - 三星已开始建设第七代DRAM试验线，试图重夺技术领先地位 [14] - 存储芯片行业竞争加剧，推动整体技术进步和产品升级 [19][23]