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三大晶圆厂,巅峰之战
半导体行业观察· 2026-02-15 09:37
全球先进芯片制造三巨头格局 - 台积电、三星晶圆代工和英特尔晶圆代工是先进芯片制造领域的三大巨头,共同构成了对创新、韧性和产业长期健康发展至关重要的竞争格局 [2] 台积电的核心优势 - 台积电是纯晶圆代工领域的绝对领导者,通过专注于制造、避免与客户在设计领域竞争,与英伟达、AMD、苹果和高通等无晶圆厂公司建立了深厚信任 [2] - 公司的专注使其在制程技术上保持领先,持续提供最先进的制程节点,如N5、N3及即将推出的N2,并拥有极高的良率和可预测的执行性能 [2] - 在人工智能时代,台积电的优势尤为显著,其先进的制程节点和封装技术(如CoWoS)已成为关键瓶颈 [2] 三星晶圆代工的战略定位 - 三星晶圆代工代表垂直整合的替代方案,作为三星电子的一部分,既生产芯片也设计自己的产品,包括存储器、逻辑电路和消费电子设备 [3] - 公司积极进军尖端制程节点,例如采用环栅(GAA)晶体管的2纳米制程,并持续大力投资于先进封装和美国本土制造 [3] - 尽管与台积电相比,三星在良率稳定性方面面临显著挑战,但其晶圆价格通常较低,为市场提供了先进制程节点的重要第二供应商选择 [3] 英特尔晶圆代工的战略意义 - 英特尔晶圆代工是现代晶圆代工领域最具战略意义的新晋者,正从一家垂直整合型公司向外部客户开放其领先的晶圆厂 [3] - 公司致力于重塑其制程工艺的领先地位,路线图包括英特尔18A等先进制程节点,并在美国本土制造的先进封装(如EMIB、Foveros)方面具备差异化能力 [3] - 尽管目前仍处于赢得主要外部客户的初期阶段,但其成功将通过在美国本土增加大规模的领先产能,对整个行业格局产生深远影响 [3] 竞争对半导体生态系统的结构性意义 - 竞争推动技术进步:先进芯片制造需要巨额资本投入、深厚的工程技术人才及漫长的研发周期,竞争压力是推动从FinFET到GAAFET等晶体管架构快速发展的直接动力 [5] - 竞争提升供应链韧性:半导体关乎国家和经济安全,在不同地区拥有实力雄厚的竞争者能够降低因过度依赖单一代工厂或地区所带来的地缘政治、自然灾害和产能冲击风险 [5] - 竞争赋予客户选择权与议价能力:当无晶圆厂芯片设计商拥有多种代工厂选择时,他们在价格、产能分配和长期路线图规划方面拥有更大议价能力,促使代工厂更积极响应客户需求 [5] - 竞争推动生态系统发展:代工厂是设备供应商、材料公司、EDA供应商和OSAT合作伙伴网络的核心,多家代工厂的积极投资会加速整个生态系统的发展,使创新惠及整个产业 [5] 结论 - 台积电、三星晶圆代工和英特尔晶圆代工是至关重要的制衡力量,三者缺一不可,竞争确保了半导体这一全球最具战略意义行业之一的创新、韧性和可持续增长 [6]
英特尔谈先进封装的机遇
半导体芯闻· 2026-01-26 16:44
文章核心观点 英特尔代工业务正以稳健势头推进,其先进的18A/14A制程节点与先进封装技术(如EMIB/Foveros)获得了潜在客户的积极关注与订单承诺,有望为公司带来数十亿美元的收入,并成为其减少运营亏损、实现盈亏平衡的关键 [1][2][7] 制程技术进展与客户情况 - 英特尔18A制程已开始出货首批产品,良率正稳步提升,以满足强劲的客户需求 [2] - 英特尔18A-P工艺的PDK 1.0版本已在去年年底交付,正与内部及外部客户进行沟通 [2] - Intel 18A-P被视为可与台积电N3工艺竞争的可行解决方案,苹果等客户在送样过程中与英特尔保持接触 [2] - 关于下一代14A制程,客户目前正处于0.5 PDK送样阶段,风险试产预计在2027年后期,规模化量产将在2028年 [4] - 公司对14A的资本支出持谨慎态度,计划在2024年下半年至2025年上半年客户订单透明度提高后,再“解锁”相关支出 [2] 先进封装业务机遇 - 英特尔的先进封装(如EMIB和Foveros)被高性能计算客户视为极具前景的解决方案,目前该领域面临严重供应限制 [4] - 为锁定EMIB和EMIB-T的产能,已有客户愿意“预付生产费用”以展示合作承诺,表明外部需求真实存在 [4][5] - 先进封装的订单预计将扩大到“10亿美元”以上,进入2026年EMIB可能会出现在主流产品中 [7] - 先进封装业务是代工收入的重要增长点,对于减少代工业务运营亏损并最终实现盈亏平衡至关重要 [4][7] 代工业务整体前景 - 英特尔代工业务正面临资本压力,因为研发和晶圆厂开发占据了总资本支出的很大一部分 [2] - 公司预计芯片及先进封装订单将带来“数十亿美元收入” [2] - 英特尔代工是少数能同时提供芯片制造(前道)和封装(后道)服务的实体之一,这对客户具有吸引力 [7] - 将英特尔代工打造为成功的美国芯片公司的努力正在显效,公司处于更好的位置来利用外部订单获利 [7]
英特尔谈先进封装的机遇
半导体行业观察· 2026-01-25 11:52
英特尔代工业务进展 - 公司代工业务正以稳健势头推进 [1] - 公司预计芯片及先进封装订单将带来“数十亿美元收入” [2] 先进制程节点(18A/18A-P)进展 - Intel 18A工艺的首批产品已经开始出货,这是美国本土开发和制造的最先进半导体工艺,良率正在稳步提升 [2] - Intel 18A-P进展顺利,公司已与内部及外部客户进行沟通,并在去年年底交付了1.0版本PDK [2] - Intel 18A-P被视为可与台积电N3工艺竞争的可行的解决方案,苹果等客户在送样过程中与公司保持着接触 [2] 下一代制程节点(14A)规划 - 关于14A,公司采取审慎的资本支出策略,在确定客户之前不会盲目投入产能,仅会在技术开发或研发上进行投入 [2] - 14A客户落实订单的时间窗口预计在2025年下半年和2026年上半年,届时公司才会开始解锁相关支出 [2] - 客户目前正处于14A的0.5 PDK送样阶段,任何订单承诺都将在2026年下半年交付 [5] - 14A的风险试产预计在2027年后期,真正的规模化量产将在2028年,这与领先代工厂的时间表一致 [5] - 14A被公认为一项专注于外部客户的工艺 [5] 先进封装业务机遇 - 公司的先进封装(EMIB和Foveros)正成为代工收入的巨大增长点,被高性能计算客户视为极具前景的解决方案 [5] - 由于先进封装领域面临严重供应限制,且行业可行替代方案寥寥无几,客户正在“预付生产费用”以锁定EMIB和EMIB-T的产能,表明外部需求真实存在 [5][6] - EMIB-T被视为公司的巨大差异化优势,有客户愿意预付费用并与公司分担风险,展示了合作承诺 [6] - 先进封装的订单预计将扩大到“10亿美元”以上,进入2026年EMIB可能会出现在主流产品中 [8] - 先进封装业务对于减少代工业务运营亏损并最终实现盈亏平衡至关重要 [8] 代工业务整体定位与前景 - 公司面临的核心问题之一是是否有足够的资本支出来应对客户订单 [2] - 公司代工部门正面临资本压力,因为其研发和晶圆厂开发阶段占据了总资本支出的很大一部分 [2] - 业界主要疑虑在于,即使18A-P/14A制程被证明足够优秀,公司手头也可能没有足够资金来扩大生产 [2] - 公司是少数能在一处同时提供前道芯片制造和后道封装服务的实体之一,这对客户具有吸引力 [8] - 得益于其芯片和先进封装技术,公司现在正处于一个更好的位置来利用外部订单获利 [8]
2026年科技投资:七万亿美元芯片机遇与AI革命重塑全球格局
搜狐财经· 2026-01-23 01:17
核心观点 - 人工智能驱动的半导体超级周期正在重塑全球技术格局,预计到2030年用于AI优化数据中心的资本支出将超过7万亿美元,远超以往任何计算转型 [1][2] - 超大规模数据中心运营商是此轮投资的核心力量,已占据超过3200亿美元的投资,其中亚马逊投入约1000亿美元,微软800亿美元,谷歌750亿美元,Meta 650亿美元 [1] 趋势 - 2026年科技投资正站在一个前所未有的超级周期起点,人工智能正以超过以往任何计算浪潮的速度扩张,从根本上改变半导体行业的增长轨迹 [2] - 这一浪潮标志着与云计算周期的结构性突破,从计算弹性转向吞吐量密度,催生了对高性能半导体、先进封装和专用基础设施的爆炸性需求 [2] 焦点 - 半导体行业正经历根本性变革,芯片设计从以单颗系统级芯片为中心转向以系统级架构为核心,优先考虑可扩展的计算和内存架构 [3][4] - AI不仅驱动芯片需求,也深度重塑芯片设计方式,2026年AI将更深入地融入架构探索、互连拓扑生成和物理设计,优化2.5D/3D布局的功耗、性能和面积权衡 [5] - 先进封装和Chiplet技术成为关键瓶颈与机遇,高性能计算和AI加速器正推动2.5D和3D架构普及,但台积电CoWoS、英特尔Foveros等先进封装技术产能已排满至2027年中 [5][6] - 定制芯片浪潮正席卷数据中心,亚马逊Trainium2、谷歌TPUv7、微软Maia等芯片使超大规模云厂商从被动客户变为积极的芯片架构师,以更好地控制成本、能效和供应链 [6] 机遇 - 以高性能计算为中心的新型数据中心业态正在崛起,以CoreWeave、Lambda等为代表的“Neo-Cloud”专门为GPU高密度、低延迟的AI工作负载设计,重塑半导体供应链关系 [7] - AI数据中心的电力需求急剧增长,到2026年全球数据中心电力需求预计将超过1000太瓦时,推动了对核能、可再生能源的长期采购以及液冷系统的普及 [7] - 预计到2026年底,超过40%的新GPU集群将采用芯片级直接冷却或浸没式冷却 [7] - 光伏领域,钙钛矿技术作为突破晶硅效率极限的可选方向,已有全面积效率超过20%的大尺寸组件下线,其寿命问题也在被部分解决,领先厂商的量产计划有望重塑光伏制造格局 [8] - 储能领域,固态电池、钠离子电池、液流电池等多元化技术路径正齐头并进,为不同应用场景提供解决方案 [8] 展望 - 国家级战略规划牵引的新兴前沿科技正积蓄爆发性力量,航空航天、量子科技、生物制造、具身智能等是“十五五”时期高技术产业标志性工程的谋划重点 [9][10] - 在医疗健康领域,AI与生物技术的融合创造出精准医疗的新范式,AI医疗、脑机接口等创新器械正成为行业的新焦点和投资主线 [11] - 2026年的中国医药产业正迈入“创新兑现+全球布局”的关键阶段 [12] - 全球高带宽内存市场预计到2030年将增长超过四倍,达到1000亿美元以上 [14]
台积电狂建封装厂
半导体芯闻· 2026-01-20 18:05
台积电产能扩张与先进封装战略 - 台积电计划在台南地区扩建四座先进封装工厂,包括嘉义科学园和南方科学园,以解决CoWoS产能不足的问题[1] - 公司将于2026年上半年在紫怡科技园的AP工厂1开始量产,并将设备运至工厂2,同时,在收购的群创光电工厂改造的AP8工厂已开始采用CoWoS技术进行生产[1] - 此举旨在消除外界对其可能因美国工厂扩张而变成“美国台积电”的担忧,并巩固其“硅盾”地位[1] 先进封装成为AI硬件发展瓶颈 - 2026年AI行业的主要瓶颈从逻辑芯片短缺转移到先进封装,特别是台积电的CoWoS技术,该技术是连接计算芯片与高速存储器的关键[4] - CoWoS生产线已基本售罄至2026年底,确保封装产能成为英伟达、AMD等公司的最终竞争优势[4] - 现代AI硬件如NVIDIA的Rubin R100 GPU,因尺寸超过光刻机单次印刷极限,必须采用CoWoS-L技术拼接多个芯片,导致良率更低、生产周期更长[5] - 集成第六代HBM4内存需要高密度互连,台积电转向“混合键合”技术,对洁净室要求堪比前端制造,使封装成为高风险环节[6] 产能短缺重塑行业竞争格局 - 英伟达已锁定2026年近60%的CoWoS总产能,支持其12个月密集型发布周期,迫使AMD、博通等竞争对手争夺剩余40%产能[7] - 产能分层导致大型企业可维持产品路线图,而AI初创公司和各国政府计划面临超过9个月的交付周期[7] - 为应对瓶颈,英特尔将其“Foveros”和EMIB封装技术定位为替代方案,微软、亚马逊已在2026年初将部分订单转移至英特尔美国工厂[8] - 三星电子推广同时提供HBM4内存和I-Cube封装的“交钥匙”方案,旨在削弱台积电分散的供应链[8] 台积电的财务表现与资本支出 - 2025年台积电营收创纪录达1224.2亿美元,同比增长35.9%;净利润为551.8亿美元,同比增长51.3%,占总营收的45.1%[14] - 2025年资本支出为409亿美元,用于满足未来芯片蚀刻和封装需求[14] - 公司预计2026年至2030年期间资本支出可能高达2500亿美元,远高于2021-2024年间年均316.5亿美元的水平[22] - 2025年第四季度营收为337.3亿美元,环比增长1.9%,同比增长25.5%;净利润为163.1亿美元,同比增长40.7%,环比增长8%[19] 技术演进与成本挑战 - 台积电N2工艺千片成本远高于N3,而N2与1.4纳米A14工艺之间的成本差距更大[15] - 美国亚利桑那州及台湾以外地区的晶圆厂扩建已使毛利率下降2%至3%,随着更先进工艺投产,降幅可能扩大至3%至4%[15] - 公司历经五年投入1670亿美元资本支出和300亿美元研发资金,从2020年底的5纳米制程推进到2025年底的2纳米时代[20] - 晶体管价格不再下降,摩尔定律已失效,但技术进步仍至关重要,消费者需为更复杂工程支付更高费用[19] AI业务驱动增长预测 - 2025年台积电AI加速器销售额占总收入“接近百分之十几”,估算为19.2%,即235.1亿美元[27] - 2025年整体AI收入估算为334亿美元,占总收入的27.3%,较2024年的131.3亿美元增长3.54倍[27] - 公司预测2024年至2029年“AI加速器”复合年增长率达50%中高段位,取中值57.5%,则2024年AI加速器营收约102亿美元,到2029年可能达985亿美元[28] - 加上AI网络芯片,未来五年AI业务营收很可能超过台积电2025年全部营收[28] 行业长期发展趋势 - 解决产能瓶颈的近期方案包括扩建嘉义AP7工厂和改造AP8工厂,长期方向是向扇出型面板级封装转型,预计单批次芯片处理量可提高高达300%[10] - 向“玻璃基板”过渡是另一重大挑战,有望实现更高密度互连和更佳散热管理,英特尔在此领域取得先机[10] - 封装瓶颈为全球AI计算能力增长设置“硬性上限”,加速了AI能力向少数万亿美元级实体集中,并可能阻碍AI普及化[9] - 各国政府增加对“后端”制造的补贴,如美国《芯片法案》,将封装厂优先级与晶圆厂置于同等地位[9]
不给竞争对手机会,台积电美国搞封装厂
半导体行业观察· 2025-12-06 11:06
台积电美国先进封装布局 - 台积电正考虑将美国亚利桑那州的一个晶圆厂改造为先进封装工厂,以应对美国客户对CoWoS的巨大需求 [1] - 该先进封装工厂预计将于2027年底前建成 [1] - 台积电已加快在美国引进先进封装生产线的步伐,计划将一块芯片制造厂旧址改建为封装工厂 [1] 市场需求与行业背景 - 人工智能GPU和ASIC制造商对先进封装的需求急剧增长,因该技术是AI性能提升的关键之一 [1] - 英伟达和AMD等公司已将生产重心转向美国,但台积电在美国缺乏先进封装设施,迫使客户寻找替代方案 [1] - 此前,台积电将美国的封装服务外包给安靠等公司,而像英伟达这样的公司需将美国生产的Blackwell晶圆运往台湾进行封装 [1] 竞争格局与客户动态 - 鉴于台积电面临CoWoS供应限制,微软、高通、苹果和特斯拉等美国客户正考虑采用英特尔的EMIB和Foveros技术作为替代方案 [2] - 客户对英特尔封装解决方案的需求,影响了台积电对英特尔技术的重视,并加快了其在亚利桑那州的投产进程 [2] - 台积电在亚利桑那州的工厂预计将满足美国芯片行业相当大一部分需求 [2]
CoWOS,迎来劲敌
半导体行业观察· 2025-11-26 08:39
台积电CoWoS先进封装产能紧张现状 - 台积电CoWoS先进封装产能高度吃紧,除AI芯片龙头外,其他ASIC和二线AI芯片业者难以争取足够产能 [1] - 产能吃紧情况已延续一段时间,因云端AI芯片投资与需求暴增,台积电及配合的测试供应链均处于产能全满、持续赶单状态 [2] - 从台积电高效运算(HPC)相关营收在上一季几乎没有任何季增长可看出,现有产能已全部运转 [2] 英特尔EMIB技术成为替代方案 - 英特尔EMIB技术因价格较为实惠、散热表现不错,对技术规格需求相对不高的产品具有吸引力,成为芯片业者的考量之一 [1][2] - 包括苹果、高通在招募人才时加入需了解EMIB技术的要求,显示其兴趣 [3] - 部分业界人士认为EMIB技术成熟且有实绩,可用于支援需要快速完成设计到量产的Tier 2专案 [3] 潜在合作模式与客户动态 - 市场盛传网通芯片大厂Marvell和联发科积极尝试采用EMIB制程,以提供更便宜方案给客户 [1] - 出现“前段投片台积电、后段找上英特尔”的新生意模式探讨,需整合两家公司的制程 [1][5] - EMIB已有非英特尔自身的客户确定采用,且合作测试的业者有增加趋势 [2][4] 市场机遇与长期展望 - CoWoS产能不足及美系客户对本土生产的需求,为英特尔EMIB创造了替代机会窗口 [2] - 在强调性价比的ASIC与二线AI运算芯片环境下,EMIB具备优势 [4] - 长期看,若合作成效佳,英特尔的2.5D EMIB乃至3D封装的Foveros制程都有机会稳定接单 [4] - 对英特尔而言,从后段先进封装服务切入是进入AI芯片供应链的方式,需把握当前暂时的时间窗口争取专案练兵 [5][6]
苹果、高通或考虑采用英特尔先进封装技术
巨潮资讯· 2025-11-17 20:28
英特尔EMIB技术市场关注度 - 英特尔的EMIB先进封装技术吸引苹果和高通等主要客户关注 被视为台积电产品的可行替代方案[1] - 苹果公司发布DRAM封装工程师招聘需求 明确要求具备包括EMIB在内的先进封装技术经验[1] - 高通公司为其数据中心业务部门招聘产品管理总监 职位要求熟悉英特尔EMIB技术[1] 英特尔封装技术发展现状 - 英特尔CEO及高层多次强调 Foveros和EMIB技术已吸引多家客户兴趣[1] - 英特尔先进封装技术具备大规模量产的能力[1]
AI系列报告之(八):先进封装深度报告(上):算力浪潮奔涌不息,先进封装乘势而上
平安证券· 2025-11-05 16:28
行业投资评级 - 电子行业强于大市 [1] 报告核心观点 - 随着AI与大模型训练所需算力呈指数级增长,单纯依靠晶体管微缩的"摩尔定律"已难以独立支撑性能持续飞跃,先进封装技术成为超越摩尔定律、延续算力增长曲线的关键路径 [2] - 先进封装技术能够异质集成不同工艺节点、不同功能的芯片,并显著提升系统级性能、带宽与能效,从制造后段走向系统设计前端 [2] - CoWoS与HBM共舞,2.5D/3D方案获得青睐,台积电CoWoS封装产能2022-2026年将以50%的复合年增长率增长 [2] - 海外CoWoS产能长期满载及复杂国际经贸环境下,国产先进封装平台迎来宝贵客户导入与产品验证窗口,国内先进封装产业正处在"技术突破"与"份额提升"的战略共振点 [2] - 据Yole预测,全球先进封装市场规模将从2024年的461亿美元大幅跃升至2030年的791亿美元,2.5/3D封装技术将以21.71%的复合年增长率快速发展 [23] 第一章 智算需求蓬勃而起,封装环节如日方升 AI驱动芯片需求跃迁 - 2024年中国智能算力规模达725.3 EFLOPS,同比增长74.1%,增幅是同期通用算力增幅(20.6%)的3倍以上 [9] - 2025年中国智能算力规模将达到1,037.3 EFLOPS,较2024年增长43%;2026年将达到1,460.3 EFLOPS,为2024年的两倍 [9] - 2025年上半年中国企业级大模型市场日均调用量已达10万亿tokens,较2024年下半年的2.2万亿tokens实现约363%增长 [9] - 2025年Q2华虹半导体综合产能利用率为108.30%,中芯国际8英寸晶圆利用率为92.50% [14] - 据TrendForce预计,AI芯片在先进工艺中产能占比从2022年的2%提升至2024年的4%,预计2027年达到7% [14] - 中国AI芯片市场规模将从2024年的1425.37亿元激增至2029年的1.34万亿元,2025-2029年年均复合增长率53.7% [14] 封装需求水涨船高 - AI芯片通过先进封装技术实现高集成、小面积、低功耗要求,先进封装受益于AI浪潮快速发展 [17] - 台积电表示AI订单需求突然增加,先进封装需求远大于现有产能,CoWoS产能缺口高达一至二成 [17] - 台积电CoWoS封装产能约每月3.5万片晶圆,到2026年末月产能将扩大至超过每月9万片晶圆,2022-2026年以50%的复合年增长率增长 [17] 先进封装快速扩容 - 全球先进封装市场规模将从2024年的461亿美元大幅跃升至2030年的791亿美元 [23] - 2.5/3D封装技术将以21.71%的复合年增长率快速发展,成为推动行业技术迭代升级的核心引擎 [23] - 2015-2024年中国芯片封装测试市场规模由1,384亿元增长至3,701亿元,年复合增长率为11.5% [23] 先进封装市场格局 - 全球先进封装市场参与者包括IDM类厂商、Foundry类厂商及OSAT类厂商 [28] - 2024年先进封装厂商中IDM厂商占据主导地位,包括英特尔、索尼、三星与SK海力士等 [28] - 中国大陆头部OSAT厂商通过自主研发与兼并收购已基本形成先进封装产业化能力,长电科技、通富微电和华天科技均有开发各自平台覆盖2.5D/3D [28] - 据芯思想研究院2024年全球委外封测榜单,日月光、安靠、长电科技、通富微电分列全球前十大OSAT厂商前四位 [28] 第二章 封装路径百花齐放,新兴方案迭出不穷 先进封装技术路线 - 先进封装主要特征包括:从封装元件概念演变为封装系统、平面封装向立体封装发展、倒装/TSV硅通孔/混合键合成为主要键合方式 [33] - 主要发展趋势有两个方向:小型化(从平面封装向2.5D/3D立体封装转变)和高集成(通过三维堆叠和异构集成提高集成度和数据传输速度) [33] 单芯片封装技术 - 倒装键合技术将互联距离缩短至微米级,电阻降低90%,支持更高频率和功率密度 [35] - 晶圆级芯片封装具有尺寸小、成本低、效率高、电性能好等优势,扇入型应用于低I/O数、小尺寸消费电子芯片,扇出型应用于处理器等需要高集成度应用 [39] 多芯片集成技术 - 先进封装高密度集成主要依赖于四个核心互联技术:凸块工艺、重布线技术、硅通孔技术、混合键合 [40] - Bumping工艺中金属沉积占到全部成本的50%以上 [43] - RDL重布线层起着XY平面电气延伸和互联作用,用于晶圆级封装、2.5D/3D集成及Chiplet异构集成 [46] - TSV技术通过垂直互连减小互连长度、信号延迟,实现芯片间低功耗、高速通信,增加带宽和实现小型化 [50] - 混合键合采用铜触点替代传统引线,互连密度相比过去提升逾十倍,键合精度从传统的5-10/mm²大幅跃升至10K-1MM/mm² [55] Chiplet技术发展 - Chiplet是后道制程提升AI芯片算力的最佳途径之一,具备成本与良率优化、异构制程集成、可扩展性与灵活性优势 [60] - 2.5D封装通过硅或有机中介层实现Chiplet水平互连,3D堆叠通过混合键合实现Chiplet垂直直接连接 [60] 台积电3D Fabric方案 - CoWoS是台积电2.5D、3D封装技术,分为CoWoS-S(使用Si中介层)、CoWoS-R(采用RDL互连技术)、CoWoS-L(结合CoWoS-S和CoWoS-R/InFO技术优点) [70] - 受NVIDIA Blackwell系列GPU量产需求推动,台积电预计从2025年第四季度开始将CoWoS封装工艺从CoWoS-S转向CoWoS-L制程 [64] - 台积电先进封装产品矩阵3D Fabric还包括后端InFO及前端3D整合SoIC,SoIC技术互连节距可小至3μm,第五代技术有望减小至2μm [74] HBM技术演进 - HBM采用硅通孔技术将多个DRAM芯片堆叠,与GPU一同封装形成大容量、高位宽的DDR组合阵列 [82] - HBM3E DRAM是解决AI算力瓶颈的关键存储器技术,凭借超过1TB/s的总线速度成为NVIDIA、AMD、Intel新一代AI芯片必备元件 [86] - 从HBM用量看,2024年主流H100搭载80GB HBM3,2025年英伟达Blackwell Ultra或AMD MI350等主力芯片搭载达288GB的HBM3e,单位用量成长逾3倍 [86] - 全球HBM市场规模将从2025年的31.7亿美元增长至2030年的101.6亿美元,年复合增长率高达26.24% [86] 下一代技术方案 - 台积电推出面板级CoPoS,采用面板级硅/玻璃中介层替代晶圆级硅中介层,实现更高基板利用率、更大封装密度和更低单位面积成本 [89] - 英伟达推出CoWoP技术,直接砍掉CoWoS封装基板和BGA焊球,可缩短约40%信号传输路径,具有信号完整性提升等优势 [89] 第三章 投资建议 重点公司分析 - 长电科技是全球领先封测服务商,技术覆盖晶圆级封装、2.5D/3D封装、系统级封装等,2024年以预估346亿元营收在全球前十大OSAT厂商中排名第三 [95] - 长电科技营业收入从2020年的264.6亿元增长至2024年的359.6亿元,2025年上半年营收达186.1亿元,保持20.1%同比增速 [96] - 通富微电是国内集成电路封装测试一站式服务提供商,2025年上半年实现营业收入130.38亿元,同比增长17.67%;归母净利润4.12亿元,同比增长27.72% [101] - 晶方科技是晶圆级封装技术领先者,2025年上半年实现营业收入6.67亿元,同比增长24.68%,归母净利润1.65亿元,同比大幅增长49.78% [107] - 晶方科技销售毛利率持续大幅领先行业平均水平,2025年上半年提升至45.08%,较行业平均水平优势差距逾30个百分点 [111] 投资标的 - 建议关注重点布局先进封装厂,如长电科技、通富微电、晶方科技等 [2]
先进封装设备市场,风云再起
半导体行业观察· 2025-10-22 09:20
文章核心观点 - ASML推出首款先进封装光刻机TWINSCAN XT:260,标志着其正式进军先进封装市场,释放出半导体光刻技术向先进封装领域延伸的强烈信号[2] - AI芯片和高性能计算需求推动先进封装从后端辅助工艺跃升为性能突破关键环节,市场热度持续攀升,引发先进封装设备竞赛浪潮[3] - 先进封装设备市场呈现多强争霸格局,DISCO、BESI、ASMPT、韩美半导体等厂商在各自细分领域引领技术发展,ASML的入局进一步激活了市场竞争与创新活力[21][33][38] 先进封装市场概况 - 2024年全球先进封装市场规模为457.3亿美元,预计到2033年将达到1133.3亿美元,复合年增长率达9.5%[3] - 先进封装市场的火热点燃了先进封测设备发展浪潮,2025年后端设备总收入约70亿美元,预计到2030年将超过90亿美元,年复合增长率接近6%[3] - 随着芯片制造复杂性超越前道尺寸缩放,包括固晶机、倒装芯片贴片机、热压键合、混合键合等后道设备成为推动半导体创新的战略重点[6] 关键设备细分市场 - 热压键合市场将在2030年达到9.36亿美元,实现11.6%的年复合增长率,主要由内存与AI平台的集成需求推动[6] - 混合键合设备市场将以21.1%的年复合增长率高速增长至3.97亿美元,其高密度、细间距互连对于先进3D集成至关重要[9] - 预计2030年晶圆减薄市场规模将增长至8.9亿美元以上,切割领域市场规模将达到约20亿美元,计量与检测设备市场规模将增长至约8.5亿美元[17][18] 主要设备厂商竞争格局 - DISCO凭借晶圆减薄、切割和研磨技术优势站稳后道设备龙头位置,为HBM和先进封装提供全流程技术支持[23] - Besi凭借在混合键合设备领域的深厚积淀成为行业领军者,2024年收到两家领先存储芯片厂商针对HBM4应用的混合键合订单,当季订单量达1.319亿欧元[26] - 应用材料公司在2024年收购Besi 9%股份成为其最大股东,双方合作开发全集成混合键合设备,结合前端晶圆处理与后端高精度封装能力[28] 热压键合设备市场竞争 - 韩美半导体稳居TCB设备行业龙头,2024年销售额同比增长252%,营业利润激增639%,并成功突破美光供应链,获其50台设备追加订单[29] - ASMPT的TCB设备已进入SK海力士HBM3E试产线,支撑16层堆叠产品量产,2025年订单可见度达12个月,在满足精度与效率要求的同时成本显著低于混合键合技术[31] - 韩华SemiTech 2024年向SK海力士交付12台TCB设备,总金额达4200亿韩元,其设备以自动化系统与维护便利性见长,可支持8-16层堆叠[31] ASML新技术产品分析 - TWINSCAN XT:260采用365nm i线光源,通过优化工艺系数与数值孔径,能够实现400nm分辨率的精准图案化,匹配先进封装中RDL、TSV等关键工序需求[34] - 设备通过四重相场拼接技术将单次曝光面积扩展至26mm×33mm,配合双工作台并行处理设计,使生产效率达到每小时270片晶圆,较前代机型提升4倍[37] - XT:260的套刻精度控制在±1.2nm,较ASML前代封装机型提升52%,得益于蔡司定制投影透镜与AERIAL II照明系统的协同优化[37] 本土设备厂商发展现状 - 国内供应商仅能满足不到14%的本土后道设备需求,核心设备依赖进口的现状尤为突出[41] - 2025年国内后道封测设备国产化率有望突破20%,北方华创、中微公司、上海微电子、盛美、青禾晶元等头部企业在刻蚀、薄膜沉积、光刻、电镀、清洗、键合等领域形成产品矩阵[41] - 上海微电子分拆子公司AMIES的先进封装光刻设备在全球市场占有35%的份额,在中国市场占有90%的份额,获得国家全力支持包括地方政府基金的投资[42]