报告公司投资评级 - 维持“增持”评级 [7][189] 报告的核心观点 - 报告研究的具体公司是本土超声波设备龙头，短期业绩拐点出现，2018 - 2024年公司收入CAGR达32%，2024Q2 - 2025Q1收入同比呈向上趋势，2025Q1归母净利润达2363万元 [3] - 公司掌握超声波平台技术，从中长期看，其成长逻辑清晰，构建了超声波核心技术平台，积极布局多个成长性赛道，且各业务竞争优势明显，盈利水平出色 [4] - 动力电池业务方面，传统锂电复苏，固态电池价值量提升显著，传统锂电扩产带动设备需求，配件收入增长且毛利率优，固态电池相关超声波设备需求大，单Gwh设备价值量大幅提升 [5] - 公司是3D封装弹性最大标的，最受益于先进封装扩产浪潮，半导体业务率先放量，2024年收入同比大增，在传统封装和先进封装领域均有布局，3D堆叠需求下超声波扫描显微镜成为关键检测设备 [6] 根据相关目录分别进行总结 本土超声波设备龙头，短期业绩拐点出现 - 公司是本土超声波焊接龙头，主营产品包括动力电池焊接、汽车线束焊接、半导体超声波设备和配件服务四大类，供货于各细分赛道龙头，新业务逐步放量，配件业务增长快 [9][12] - 公司股权结构集中稳定，管理层重视人才激励，设立员工持股平台并完成股权激励，核心研发团队来自上海交大，研发投入大且高效，构建了超声波核心技术平台，多项产品技术指标领先 [16][19][23] - 收入端，主业锂电复苏和新业务放量使公司收入规模提升，2018 - 2024年公司收入CAGR为32%，2024Q2 - 2025Q1收入同比向上；利润端，25Q1盈利水平大幅提升，业绩拐点出现，2018 - 2022年归母净利润CAGR达47%，2024Q2 - 2025Q1归母利润同比增速表现出色 [25][29] - 公司净利率和毛利率表现出色，2024年净利率/扣非净利率为14.5%/6.8%，毛利率达57%，配件毛利率更高；费用端，半导体业务布局使研发费用率提升，后续费用率有望下降 [32][36] 掌握超声波平台技术，构筑公司中长期成长逻辑 - 超声波是通用技术，具有能量和信号两种特性，在功率超声和检测超声领域应用广泛，焊接具备低温、低损伤等优势，成为多个行业最佳解决方案 [44][45] - 公司具备类似机械板块优质制造业龙头的底层成长逻辑，构建了超声波技术平台，从锂电到半导体设备不断构建新成长曲线，积极布局多个成长性赛道；各业务竞争对手多为外企，高壁垒带来出色盈利水平和利润弹性 [54][57] 动力电池：传统锂电复苏，固态电池价值量提升最明显环节 - 传统锂电方面，超声波焊接在多层极耳焊接环节不可替代，能解决焊接痛点，2024H2国内锂电龙头重启扩产，带动设备需求复苏，公司极耳焊接环节市占率高，主业复苏明确，配件收入增长且贡献稳定利润 [63][69][76] - 固态电池优势明显，应用前景广阔，技术和政策推动产业化加速，预计2027年小批量量产全固态电池；公司相关超声波设备需求大，单Gwh设备价值量大幅提升，极耳焊接设备已有小批量订单，材料制备相关设备正在开发 [79][83][93] - 复合集流体是固态电池刚需技术，公司超声波滚焊机解决其痛点，价值量提升明显；汽车线束方面，高压线束焊接市场增长，公司技术对标国外龙头，份额快速提升 [94][102] 3D封装弹性最大标的，最受益于先进封装扩产浪潮 - 半导体业务率先放量，2024年收入同比大增，涵盖传统封装和先进封装领域，产品布局先进，已获头部客户批量订单 [104][106] - 先进封装受AI驱动产业化加速，全球HBM和CoWoS扩产，中国大陆HBM/CoWoS扩产空间广阔，需求、供给和资金端均有支撑 [108][114][126] - 超声波扫描显微镜是3D堆叠结构不可缺少的检测设备，能检测传统检测方法难以发现的缺陷，国内先进封装发展使SAM成为受益的增量设备，市场需求广阔，公司设备性能对标海外龙头，订单有望放量 [131][145][152] - 先进封装带动固晶要求提升，半导体固晶机市场需求大，公司推出的超声波固晶机具有优势，对标海外中端产品；IGBT国产替代进程加快，公司传统封装设备在IGBT领域实现关键工序全覆盖，有望快速放量 [158][162][178] 投资建议与风险提示 - 预计公司2025 - 2027年营收为7.58、10.44和14.46亿元，归母净利润为1.40、2.25和3.42亿元，对应EPS为1.21、1.94和2.95元，维持盈利预测，与可比公司相比PE处于较低水平，维持“增持”评级 [7][189]

中国集成电路产业现状与挑战 - 行业面临"双线战争"：向上突破EDA工具、IP核、异构集成等关键技术，向下抓住汽车、AI、IoT等万亿级场景的国产替代窗口期 [1] - 摩尔定律逼近物理极限，AI算力需求达千亿级倒逼芯片架构重构，3D封装、Chiplet技术、异构集成与存算一体架构成为突破方向 [7][9] - 汽车芯片国产化率不足15%，全产业链协同壁垒亟待打通 [10] 第五届中国集成电路设计创新大会（ICDIA 2025）概况 - 大会规模：集结500+芯片设计企业、200+整机与终端应用企业、150+AI与系统方案商、3000+专业观众，形成"政-企-研-资"四维协同平台 [2][3] - 四大展区布局：先进设计与创芯展区、苏州产业展区、设计创新联盟展区、AI应用生态展区，集中展示中国IC创新成果与AI前沿技术 [13][15] 高峰论坛核心议题 - 英特尔研究院副院长宋继强将揭示AI驱动的异质-异构集成算力革命，探讨后摩尔时代破局路径 [4] - OMDIA高级顾问宋卓发布《2025中国大陆半导体市场预测》独家数据 [4] - 赛迪顾问副总裁李珂解读全球半导体产业逆周期下的突围战略 [4] - 中国家电研究院总工程师徐鸿分析智能家电发展对本土芯片产业的赋能机遇 [4] 产学研协同与人才发展 - 中国半导体协会预测2025年集成电路人才缺口将达30万人，高端人才（芯片架构师、工艺工程师等）紧缺 [6] - 《2025中国集成电路人才发展研究报告》将发布，解析产业人才发展概况，推动产学研合作 [6][11] - 地方政策支持：广东"强芯工程"、苏州"芯谷计划"通过产教融合中心、产业基金加速技术转化 [6] 技术创新与产业链突破 - 西安交大、奇异摩尔、鸿芯微纳等机构聚焦算法架构协同创新、高速互联技术、AI驱动的EDA工具链升级 [10] - 纳芯微、日月光、西门子、Cadence等企业实现从晶圆到成品的全产业链闭环推演 [12] - 亿咖通、硅基智能、蜜度科技推动大模型在汽车、数字人、教育等场景落地 [10]

3D芯片技术发展 - 半导体工程师面临芯片运行速度的物理极限，采用三维堆叠芯片和硅通孔(TSV)作为垂直连接器的策略 [1] - TSV是直径约5微米的极细铜线，排列在堆叠硅芯片间可实现极快通信速度、高带宽和快速处理能力 [1] - 先进3D封装最大挑战是散热问题，高密度材料紧密排列导致热量高于传统2D芯片，引发材料变形和破裂 [1] - 导线尺寸缩小加剧发热问题，铜导线弹性随尺寸收缩而变化，影响性能和可靠性 [1] TSV微观结构研究 - 研究构建了直径4微米、2微米和1微米的硅通孔阵列原型，使用拉曼光谱和扫描电子显微镜分析热机械性能 [2] - 发现TSV收缩导致铜晶粒结构显著变化，晶粒尺寸随TSV缩小而减小，弹性响应改变可能提高强度 [2] - 研究揭示了铜微观结构和特性对尺寸的依赖性，直径从5微米缩小至1微米时需考虑热机械响应 [7] 材料特性与半导体创新 - 微观应力和应变直接影响器件性能，改进设计和材料可提升半导体速度和可靠性 [6] - 铜晶粒尺寸减小伴随机械强度提高，退火后TSV在1微米尺寸下比5微米尺寸弹性更高 [7] - 普渡大学通过Purdue Computes项目整合半导体、量子科学等领域，推动规模化创新 [6] 技术应用前景 - TSV尺寸缩放对高密度3D集成架构发展至关重要，尤其在逻辑和内存计算领域 [7] - 热机械模型显示等效应力与TSV直径呈非单调趋势，由晶圆弯曲与局部铜收缩竞争导致 [7]

台积电研发战略 - 台积电在2018年建立前瞻性研究实验室，专注于与当前产品路线图不直接相关的技术探索[2] - 研发团队由来自大学、其他公司及内部人才组成，分布在台湾新竹和美国加州圣何塞(约20人)[3] - 研发分为两个阶段：先验证基础材料与器件技术可行性，再进行技术整合[3] - 台积电开始公开未商业化的学术研究成果，改变以往只发表已商业化技术的做法[3] - 公司认为对营收数千亿美元的企业，基础研究投入相当于"战略保险"[4] 半导体技术趋势 - 光刻技术重要性可能在20年内下降，因其成本过高(高数值孔径EUV光刻机)且分辨率需求可能已达极限[4] - 当前尖端制造工艺周期长达7个月(制造5个月+CoWoS封装2个月)[4] - 背面供电和堆叠FinFET等创新技术进一步延长了生产周期[4] - 未来技术发展重点应转向缩短周期时间而非继续提升分辨率[4] 中国半导体产业 - 美国出口限制意外推动中国半导体设备产业发展，创造了本土设备市场需求[5] - 中国半导体领域研究论文数量和质量在过去5-10年显著提升，在重要会议上发表量已超过任何单一美国大学[7] - 中国大学在确立新研究方向方面仍有不足，但追赶能力突出[7] - 中国本科生占全球半导体专业学生总数一半以上[6] 行业领导力 - 台积电在7纳米节点超越英特尔成为全球芯片制造领导者[2] - 行业领导者需要前瞻性团队识别优秀技术并获取应用，避免错失机会[3] - 摩尔定律仍有效，技术发展目标指向0.1纳米(氢原子尺度)[1]

先进封装技术演进 - 半导体封装功能从单纯保护芯片演变为集成多个元件的复杂系统，先进封装成为提升性能的关键[1] - 先进封装无明确定义，泛指比传统单芯片封装更复杂的方案，通常集成多个元件并采用2.5D/3D排列方式[1][7] - 封装技术发展直接关联带宽和功耗两大趋势，通过缩短互连距离提升性能并降低能耗[3][5][6] 封装架构创新 - 表面贴装技术（BGA）取代通孔封装，实现双面元件布局并提高连接密度[8][9] - 阵列引线技术突破边缘引线限制，支持高密度互连（数千连接）并优化信号完整性[11] - 多组件集成通过封装内互连减少PCB连接，遵循类似芯片集成的伦特法则效应[15][17] 关键组件技术 - 再分布层(RDL)实现信号模式转换，解决封装与PCB布线规则差异问题[18][19] - 扇入/扇出技术通过灵活布线实现芯片级封装(CSP)或更大封装尺寸[20][22] - 2.5D/3D架构通过中介层和芯片堆叠提升集成度，HBM内存堆栈是典型3D应用[27][32] 材料与制造工艺 - 有机基板采用ABF等高性能介质材料，平衡信号完整性与热膨胀系数[34] - 硅/玻璃/有机中介层提供不同性价比选择，硅中介层支持最高布线密度[55][56][59] - 混合键合技术消除中间材料，直接连接焊盘与氧化物提升连接质量[79][81] 设计与测试挑战 - 先进封装需芯片/封装/系统协同设计，热分析和信号完整性验证至关重要[107][110] - IEEE 1149/1687等测试标准需适配多芯片环境，支持扫描链集成与并行测试[116][119][123] - 共面性/电迁移/热机械效应构成主要可靠性风险，需材料与工艺优化[127][128] 安全与供应链 - 2.5D封装信号暴露增加信息泄露风险，3D堆叠和混合键合提升逆向工程难度[132][133] - 供应链环节可能引入白盒攻击，需控制组装测试流程防范内部威胁[133][134]