行业与公司 - 行业为高端光学设备，聚焦光刻机技术[1] - 涉及公司包括ASML（i线/DUV/EUV设备制造商）、京上微装（LDI光刻机厂商）及国内光学加工设备厂商（成都、长沙等地）[16][19][22] --- 核心技术参数与原理 **光刻机基础原理** - 投影式光刻依赖波长、数值孔径（NA）、工艺因子三要素[2] - 波长演进：i线（365nm）→DUV（248nm/193nm）→EUV（13.5nm），EUV需反射镜系统[2][7] **分辨率提升路径** - NA与分辨率成正比，浸没式技术（水介质）提升NA，28nm以下节点必备[5] - 工艺因子优化包括离轴照明、掩模板设计等，需Fab厂协同[6] **关键子系统要求** - **照明系统**：均匀性需<1%，离轴照明滤基频光保留高频信息[9] - **物镜**：波像差控制在几纳米（λ/100），需解决热效应[10][14] - **工件台**：纳米级定位精度，支撑大面积曝光[11] - **光源系统**：功率稳定性关键，DUV用氟化氪/氩，EUV用等离子体激发[3][12] --- 技术难点与供应链 **光学材料挑战** - EUV无透射材料，依赖反射镜系统，研发难度高[7][8] - DUV/EUV镜片加工精度：DUV需几纳米面型精度，EUV需原子级评估[17][18] **国内供应链进展** - 高精度镜片加工仍依赖国家队，但国产设备（磁流变/离子束）已进入量产体系[19][25] - 国内光学加工能力接近海外水平，但高级镜片加工周期长（如离子束打磨DUV镜片需1个月）[19][28] --- 设备价值与应用场景 **光刻机类型与制程** - i线：微米级；DUV通过工艺优化可达7/5nm；EUV专攻10nm以下节点（已应用至3nm）[15] - 逻辑/存储芯片制造差异：按需求选择技术类型[15] **设备成本结构** - 售价：i线（千万级）→DUV（数千万至近亿美金）→EUV（数亿美金）[16] - 光学系统占比：DUV占整机成本50%，EUV更高[16] **LDI光刻机趋势** - 先进封装用LDI成本低（无需大口径物镜），但曝光面积小需多激光头并行[22] - 国内京上微装已发货500台，未来需求涵盖封装载板、光子芯片等[22] --- 其他关键信息 **设备维护与寿命** - i线易损件：反光碗（镀膜损坏）；DUV需每3-5年更换扩束镜等[21] **设计协作模式** - 国内系统设计能力初具，但分工合作仍存（如初抛外包、精抛自研）[23][24] **竞争对手** - 海外先进厂商未具体提及，需外部查询[29]

纪要涉及的行业和公司 - **行业**：光刻机行业、半导体行业 - **公司**：ASML（阿斯麦尔）、佳能、尼康、中芯国际、华虹半导体、福晶科技、阿石创、惠程真空、迈莱光学、波盛光电 纪要提到的核心观点和论据 市场格局 - **全球市场**：全球光刻机市场高度集中，ASML 占据超 80%份额，佳能和尼康已落后；低端 IE 光刻机领域佳能出货多，KRF 领域 ASML 一年出货超 150 台，尼康和佳能约 50 台，干法 ARF 领域年出货约 28 台，静默式 ARF 领域达 129 台，EUV 领域基本仅 ASML 能生产[1][10]。 - **国内市场**：国内半导体行业在先进制造和光刻机领域处于从 0 到 1 阶段，因海外对高端光刻机禁运，发展迫切性高；国内在先进制程中使用静默式光刻机多，是国产替代迫切方向，但面临巨大挑战[2][11]。 技术发展 - **光刻技术**：经历接触式、接近式到投影式发展，投影式成主流，还引入液浸式技术优化成像效果；光刻机发展从机线光刻机（波长约 430 纳米）到 i 线（365 纳米）、KRF（248 纳米）、ARF（193 纳米）、EUV（13.5 纳米）[1][5][9]。 - **核心组成部分**：光源系统决定波长和功率，影响加工精度和良率；照明系统将激光传输到掩模版，含关键部件可优化光束形状；投影物镜系统将掩模版图案投影到硅片，设计与制造难度大，价值量最高[1][12][15]。 国产替代 - **重点方向**：未来国产替代卡脖子环节重点关注中芯国际代表的先进制造，以及福晶科技、阿石创等代表的光刻机产业链，这些方向有巨大市场空间和长期成长潜力[1][7]。 产品与部件 - **ASML 产品**：产品编号越大越高端，不同型号根据分辨率适用于不同精度加工任务，高分辨率支持更先进制程、提高良率[13]。 - **光源系统**：是光刻机制成核心，由发光部件等组成，影响加工精度和良率，是决定分辨率重要因素之一[12]。 - **光学公式**：分辨率由光源波长、物镜数值孔径、工艺因子决定，短波长、高数值孔径和优化工艺因子可提升分辨率[14]。 - **不同光源**：汞灯适用于低分辨率需求，KrF 和 ArF 可实现更短波长提高分辨率，EUV 采用二氧化碳激光击打锡滴产生 13.5 纳米极紫外线，是最先进复杂技术[16]。 其他重要但可能被忽略的内容 - **产业链差异**：全球以 ASML 为例，镜头由蔡司公司制造并运送；国内由供应商设计镜头，交给专业公司制造[19][20]。 - **工件台**：在曝光过程中关键，技术难点包括抗震能力和稳定运行速度，配备高精度传感器确保芯片与光束精确定位，部分高端传感器依赖手工制作[21]。 - **市场看法**：市场看好光刻机赛道，与先进制程密切相关，不受短期业绩和估值波动影响，重点推荐中芯国际、福晶科技、阿石创等公司，福晶科技股价从 2024 年底至今滞涨，板块有机会可能迎来行情[22]。

报告行业投资评级 - 看好丨维持 [11] 报告的核心观点 - 通过对光刻机关键技术、关键工艺环节的分析以及对光刻机行业格局的复盘，我国光刻机产业或可充分发挥后发优势，集中力量攻克核心环节，最终实现国产自主之路 [4] 根据相关目录分别进行总结 灿若星河，光刻机加冕半导体皇冠 - 光刻是晶圆制造中最重要的技术之一，核心设备光刻机直接决定晶圆制造产线的技术水平，也是晶圆制造工艺中价值量和技术壁垒最高的设备之一 [22] - 光刻技术的核心是使用光刻机将芯片的设计图案转移至硅片，加工步骤分为曝光、显影和清洗三个阶段 [24] - 分辨率是光刻系统能够实现的最小精度，也是光刻曝光系统最重要的技术指标之一，为提高分辨率，工程中常用的方式包括增大投影光刻物镜的数值孔径、采用更短的工作波长、减小光刻工艺因子等 [28][32] - 光刻机的关键尺寸（分辨率）与集成电路的核心物理参数存在对应关系，ASML 将光刻工艺的关键尺寸（分辨率）定义为半周期间距 [34][35] - 影响光刻机加工的集成电路关键尺寸的因素有光源波长λ、数值孔径 NA 以及工艺因子 k1，减小特征尺寸提高精度的主要方式为光源波长的缩短，当波长缩短到当时科技的极限时，主要的攻克方向逐渐变为增大 NA 以及缩小 k1，直到更短波长的光源被发现并大规模应用 [39] - 光源波长的发展历程经历汞灯、准分子激光器、EUV 光源三个阶段，减小光刻机所用光源波长是优化分辨率最直接有效的方式 [43] - 当光源演进触及技术瓶颈时，增大数值孔径成为减小光刻机分辨率另一有效的方式，数值孔径的计算公式为 NA=nsinθ，增大 NA 的方式包含增大透镜工作介质的折射率或增大透镜的收光能力 [51] - 工艺因子 k1 包含因素多样，RET 技术可增大 k1，增强分辨率，主要方法包括邻近效应修正、离轴照明、使用具有相移的掩模版、添加亚分辨率的辅助图形等 [74] 百川归海，光刻机零件聚焦三大核心 - 光刻机内部最核心的环节主要在于光源系统、光学系统、工件台系统，除以上三大核心环节，光刻机内部还包括晶圆传输系统、减震系统、外部的操纵台，并且光刻机的曝光还需要在特制的洁净室 [77] - 光源系统为光刻过程提供能量，是光刻机最关键的环节，由早期的高压汞灯，发展至准分子激光器系统，再到现在的 EUV 光源，光源系统的升级极大缩小了波长，是提高光刻机分辨率最重要的方式 [82] - 光源系统具备极高壁垒，全球供应商寥寥可数，目前全球仅 ASML 的子公司 Cymer 和日本的 Gigaphoton 可供应 EUV 光源，我国科益虹源紧随其后成为目前全球第三家 DUV 光源供应商 [83] - 光学系统不仅是光的传播路径，同时可以缩小像差，增大收光角，进而提高分辨率，对于 DUV 光刻机需要采用 29 片透镜，而 EUV 光刻机则需要蔡司定制的平整度小于 0.05nm 的反射镜 [88][89] - 工件台系统主要功能是负责控制硅片步进运动，同时重点要兼顾掩模版、晶圆和双工件台的实时对准，ASML 提出的双工件台系统极大提升光刻的精度与效率，目前除 ASML 外，我国华卓精科打破技术壁垒，最先进的水平可实现支持浸润式光刻机 ArFi 的双工件台 [91] 筚路蓝缕，复盘光刻机龙头波澜历程 - 光刻机发展历史大致可分为三个主要阶段，各大龙头相互替代关键因素在于技术迭代升级，根据光刻机产业重心来看，经历了美国—日本—荷兰（ASML）的迁移过程 [94] - 凭借极高的技术壁垒，全球光刻机市场“一超双强”格局基本稳定，从销售台数看，21 世纪后光刻机市场基本由三巨头 ASML，佳能以及尼康垄断，CR3 接近 100%，其中 ASML 市占率近 60%独占鳌头，从产品布局看，ASML 在先进制程优势显著，尼康占据 ArFi 光刻机剩下的不到 10%份额，而佳能光刻机主要覆盖 i 线以及 KrF 等相对低端制程 [97] - 1960~1980 年，美国作为半导体技术的发源地，在早期近乎垄断了半导体制造业，其中具备代表性的龙头为 GCA 以及 Perkin Elmer，美国光刻机行业的先发优势受到严重冲击 [94][110] - 1980~2000 年，受益于 PC 崛起带动的存储需求爆发以及政府的大力扶持，日本半导体产业迅速崛起，尼康与佳能两大光刻机巨头实现对美国的反超，日本光刻机的崛起见证了举国体制下后发优势的充分发挥，或可成为我国良好的借鉴 [94][111][130] - 2000 至今，在光源波长达到 193nm 后，尼康选择攻克下一代 157nm 但遇到较大阻力，而 ASML 联合台积电转向浸润式光刻机，实现等效的 134nm 波长，而后续 ASML 在 EUV 光刻机的垄断正式奠定全球光刻机龙头地位 [94] 风起青萍，国产光刻路虽远行则将至 - 我国光刻机产业起步并不晚，但早期缺乏产业链的全面布局以及自主化的决心，发展历程缓慢，90 年代光刻机发展趋于停滞，没能延续起步阶段积累的优势 [145] - 自主化战略确立，政策扶持下国内光刻机行业扬帆再起，近年来在政府扶持和统一规划明确分工的前提下，后发优势凸显 [146] - 上海微电子是“02”专项光刻机项目承担主体，其封装光刻机在全球市场占有 40%以上的份额，国内市场占有率超 90%，在 IC 前道制造领域，公司 SSX600 系列步进扫描投影光刻机可满足 IC 前道制造 90nm、110nm、280nm 关键层和非关键层的光刻工艺需求 [150] - 国内多家公司在光刻机光学、整机、功能件等领域取得进展，可应用于光刻机等设备 [151]

报告行业投资评级 - 强于大市 [4] 报告的核心观点 - 本周（2025/07/14 - 2025/07/18）沪深300指数+1.09%，机械设备板块+2.91%，申万一级行业排名4/31位，印刷包装机械子板块表现最佳+6.16% [4][8] - 建议关注具备业绩支撑的“T链”核心企业、关键环节设备公司、整线系统集成能力设备企业等相关投资机会 [2] 根据相关目录分别进行总结 周度行情回顾 - 本周机械设备板块表现跑赢沪深300指数，涨幅前五公司为德固特、中大力德等，跌幅前五公司为岱勒新材、厚普股份等 [8][13] - 本周机械设备板块估值回升，行业PE - TTM估值+2.94%，印刷包装机械、工程器件等子板块涨幅居前 [15] 瀚海聚能HHMAX - 901成功点亮 - 拓荆科技发布2025半年度业绩预增公告，预计Q2营收12.1 - 12.6亿元，同比增长52% - 58%；归母净利润2.38 - 2.47亿元，同比增长101% - 108% [21][22] - 智能制造行业跟踪：自动化方面，智元机器人与树根科技拿下双足机器人大订单，Figure机器人向“生产力”演化，湖北链博会推动产业对接；半导体设备方面，ASML和台积电2025年二季度业绩强劲，先进制程设备进入新一轮技术迭代；可控核聚变方面，瀚海聚能HHMAX - 901成功点亮，磁体系统需求密集释放；低空经济方面，时的科技签署全球最大eVTOL出口订单 [23][26][29][31] 重要行业数据图表 - 涉及制造业PMI、工业品PPI、BDI指数、钢材库存、半导体销售额、机器人产量、机械零部件进出口量价、电池产量、光伏装机容量、发电量等多项数据 [41][48][54] 近7日VC/PE总结 - 近7日（07/12 - 07/18）共有64项先进制造相关VC/PE投资信息，按产业分类机器人14项、集成电路12项等，按投资轮次分类早期投资阶段45项等 [61]

纪要涉及的行业和公司 - **行业**：光刻机行业 - **公司**：阿斯麦（ASML）、佳能、尼康、上海微电子、长春光机所、成都光电所、茂莱光学、波长光电、福晶科技、福光股份、腾景科技、永新光学、奥普光电、紫科科技、必创科技、慈星股份、磁谷科技、崇越科技、富创精密、新来科技、汇成真空、九旸电子、科益虹源 [14][15][19][23] 纪要提到的核心观点和论据 - **中美博弈影响及产业进展**：美国对相关厂商限制增强，长臂管辖使国内厂商设备采购受影响，产业链和客户对国产设备态度转变，今年光刻机产业进入量产阶段，产线实现部分国产替代 [2] - **市场格局与需求预测**：2024 年 ASML 主导市场，生产 418 台，中国大陆 DUV 采购金额占比 36%，i 线部分国产替代有望，年需求约 200 台；预计到 2030 年，先进逻辑和存储芯片对 EUV/DUV 曝光次数增加，推动新型光刻设备需求和资本开支 [3][14][17] - **技术路径与关键系统**：DUV 光刻机多重曝光逼近 7 纳米极限，EUV 是更小线宽必要选择且进口受限，国产化突破重要；光刻机子系统要求随产品先进化更严苛，EUV 对计算任务和软件算法要求高 [4] - **核心部件研发进展**：光学系统是光刻机核心，国内公司在物镜及照明系统布局多，研发聚焦光源波长和数值孔径 [5] - **EUV 光刻技术与光源演进**：EUV 光刻波长从 i 线缩短，采用 LPP 光源，阿斯麦双脉冲激发方案提升功率和产能 [8][9] - **国内 EUV 研发进展**：长春理工大学牵头 EUV 光刻投影曝光装置项目，科益虹源专注 KrF 和 RF 光刻机准分子激光器制造，高精密设备需定制化开发 [10] - **国产替代挑战与机会**：国产替代技术投入大、周期长，但 i 线和 KrF 设备产业化将转化成果，国产零部件厂商有维保市场机会 [18] - **投资优势与市场情绪影响**：能做整体物镜系统公司参与价值高，主业扎实、现金流稳定、能快速转化收入的机械部件公司估值有优势；4 月市场热度下降，关注量产设备订单和研发进展，回调提供投资机会 [25][26] 其他重要但可能被忽略的内容 - **照明单元运作**：照明单元各模块调整激光杂质与角度，实现清晰纯净均匀激光束，高精密运动工作台提高效率，阿斯麦双工作台技术有新要求 [6] - **工作台挑战**：工作台需兼顾测量与曝光功能，面临节拍稳定匹配、精度保证、微振动控制、高精密运动和同步协调问题，还需考虑环境稳定性 [7] - **物镜系统构成**：物镜系统是 EUV 光刻昂贵复杂系统，有多种结构形式，可分光学、机械、控制三个分系统 [11] - **双工作台技术应用差异**：非 EUV 环境用气浮式运动台，EUV 环境用磁浮平面电机，磁悬浮背景团队适合研发，华卓精科涉及相关设备技术 [12] - **光刻机主要构成**：包括载物台、运动控制系统、浮动支撑系统、真空吸附系统和传感器反馈系统，各系统有不同要求 [13] - **产业链关键设备**：产业链有关键设备如镀膜、高精密度加工设备等，价值量不如物镜或光学系统订单，工作台相关先进产品处于预测或研发阶段 [24]