全球内存行业月度价格追踪纪要总结 (2026年1月) 涉及的行业与公司 * **行业**：全球内存（DRAM与NAND闪存）行业 [1] * **涉及公司**：三星电子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK hynix）、美光科技（Micron）、铠侠（KIOXIA）、闪迪（SanDisk）[7][8][9][10][11][12] 核心观点与论据 1. 价格涨幅远超预期，呈抛物线式上涨 * **DRAM合约价**：2026年1月环比（MoM）上涨超过50%，相比2025年第四季度（4QCY25）上涨86% [2][3][14] * **DRAM细分市场**：PC DRAM合约价相比4QCY25上涨98%，服务器DRAM上涨90%，移动DRAM上涨89%，消费类DRAM上涨60% [3] * **NAND合约价**：2026年1月环比上涨约30%，相比4QCY25上涨75% [4][5] * **NAND季度指引**：2026年第一季度（1QCY26）NAND晶圆及移动NAND合约价预计环比上涨74% [5][20] * **现货价格**：PC DRAM（DDR4和DDR5）现货价1月环比上涨27%，服务器DDR5现货价环比暴涨110% [2][18] 2. 价格上涨的主要驱动因素 * **云服务提供商（CSP）需求**：持续强劲的AI相关需求是主要驱动力，预计将支撑全年价格维持高位 [3][6][22] * **库存低位与提前采购**：PC和智能手机OEM厂商库存处于低位，且因担忧后续涨价而进行提前采购，暂时延缓了终端需求破坏 [3][6][18] * **供应紧张**：供应商供应量持续收缩，且将更多产能优先分配给高利润的服务器市场，导致其他市场供应紧张 [3][5][18][22] 3. 未来价格走势展望 * **涨幅预计放缓**：进入2026年第二季度（2QCY26），DRAM合约价涨幅预计将放缓至20-25%的环比增速 [3][18] * **终端需求面临压力**：由于内存成本上升，预计2026年全年PC出货量将同比下降5%（报告认为此预测过于乐观），智能手机出货量可能收缩7-15% [6][18][22] * **价格高位维持但将趋平**：在CSP需求支撑下，价格预计在2026年内保持高位，但随着资本开支增加逐渐转化为供应，价格上涨预计在2026年底逐渐趋平，并在2027年开始正常化 [6][18][22] * **NAND面临结构性挑战**：长期对NAND持更谨慎态度，主要因为来自中国（如长江存储YMTC）的竞争加剧 [22] 4. 各细分市场动态 * **PC DRAM**：OEM厂商为应对成本上涨，预计将商用PC价格提高10-30% [18] * **服务器DRAM**：全年服务器出货量预计增长13%，且存在进一步上修可能，需求预计全年都将无法被完全满足 [18] * **移动DRAM**：供应异常紧张，供应商旨在将所有终端市场的定价和盈利能力拉至相似水平 [18] * **消费类DRAM**：部分客户已难以承受高价，但由于全行业短缺，涨价持续 [18] 其他重要内容 1. 投资建议与目标价 * **三星电子**：评级“跑赢大盘”（Outperform），目标价140，000韩元 [8][93] * **SK海力士**：评级“跑赢大盘”，目标价750，000韩元 [9][95] * **美光科技**：评级“跑赢大盘”，目标价330美元 [10][96] * **铠侠**：评级“跑输大盘”（Underperform），目标价7，000日元 [11][97] * **闪迪**：评级“跑赢大盘”，目标价1，000美元 [12][97] 2. 方法论与数据说明 * 行业平均售价（ASP）变化是基于不同应用产品（PC、服务器、移动、消费类）的加权平均值计算得出，DRAM权重分别为：移动34%、服务器34%、PC 9%、消费类15% [21] * NAND行业ASP基于eMMC/UFS（权重40%）和NAND晶圆（权重60%）的加权平均 [21] * 样本中未包含SSD和HBM（高带宽内存），其影响会单独考虑 [13][21] * 公司财报报告的ASP可能与追踪的合约价涨幅不同，原因是合约覆盖期与财季不完全对齐、产品组合差异以及HBM定价影响（1QCY26 HBM价格预计环比下降） [18] 3. 主要风险提示 * **下行风险**：有利的价格环境提前结束，原因可能是需求弱于预期或供应增加过快 [98][99][100] * **投资者情绪与估值风险**：市场情绪变化可能影响公司获得的估值水平 [98][99][100] * **中国内存产业进展**：中国在内存领域，尤其是NAND方面的进展是一个下行风险 [98][99][100][101] * **NAND结构性风险**：NAND的疲软可能超出当前周期，变得更加结构性，从而影响相关公司的资产价值和DCF估值 [102]

美股及全球市场表现 - 隔夜美股三大指数全线走强，道指大涨超1%，标普500指数涨0.54%，逼近历史收盘新高，纳指涨0.56% [1][3] - 日韩股市开盘大涨，日经225指数大涨超2%，韩国KOSPI指数大涨超3% [1] - 贵金属市场全线反攻，现货黄金大涨2.7%至4784.89美元/盎司，现货白银大涨5.04%至83.12美元/盎司 [1] 存储芯片行业动态 - 存储芯片概念股全线爆发，费城半导体指数涨1.7%，闪迪暴涨超15%，西部数据大涨近8%，希捷科技大涨超6%，美光科技大涨超5% [1][3] - 高盛暴力上调2026年第一季度DRAM价格涨幅预测，预计环比涨幅将高达90%—95%，远超此前市场及该行自身的预期 [1][4] - 在细分领域，PC DRAM和服务器DRAM涨价动力强劲，TrendForce已将2026年第一季度PC DRAM合约价格预测上调至环比增长105%—110%，远高于高盛此前预估的80%—90% [4] - 有分析指出，从贵金属、加密货币中撤出的“热钱”正在寻找新的叙事点，而存储芯片在强劲的基本面支撑下可能会吸引这些资金流入 [3] 其他科技与芯片股表现 - 美股大型科技股涨跌不一，苹果大涨超4%，谷歌、亚马逊涨超1%；英伟达、特斯拉跌超2%，微软、Meta跌超1% [3] - 其他芯片巨头多数走强，英特尔涨近5%，AMD、德州仪器涨超4%，台积电ADR涨超3% [3] 美国制造业数据 - 美国1月制造业PMI意外从47.9大幅升至52.6，远高于预期的48.5，近一年来首次进入扩张区间，增速创自2022年以来最快水平 [6] - 新订单指数达57.1，前值为47.7，大幅上升近10个点，生产指数也显著走强，二者均显示近四年来最快的增长速度 [6] - 就业指数录得48.1，高于预期的46，前值为44.9，创一年来新高，表明制造业就业人数降幅有所放缓 [6] 其他市场与政策动态 - 稀土板块受特朗普政府拟建立“百亿美元关键矿产储备”刺激一度大涨，但盘中走势分化，美国锑业大涨超7%，美国稀土公司、Critical Metals在盘中涨超10%后收跌 [4] - 美国劳工统计局表示，由于联邦政府部分“停摆”，原定于2月6日发布的美国1月份就业报告将不会按时公布，12月美国职位空缺报告也被推迟 [7]

全球股市与商品市场表现 - 隔夜美股三大指数全线走强，道琼斯工业平均指数大涨超1%，标准普尔500指数涨0.54%并逼近历史收盘新高，纳斯达克综合指数涨0.56% [1][2] - 日韩股市跟随大涨，日经225指数大涨超2%，韩国KOSPI指数大涨超3% [1][9] - 贵金属市场全线反攻，现货黄金大涨2.7%至4784.89美元/盎司，现货白银大涨5.04%至83.12美元/盎司 [1][9] 存储芯片行业动态 - 存储芯片概念股全线爆发，费城半导体指数涨1.7% [2][11] - 闪迪股价盘中一度暴涨近17%，收盘暴涨超15%；西部数据股价一度大涨超10%，收盘大涨近8%；希捷科技大涨超6%；美光科技大涨超5% [1][2][11] - 高盛大幅上调2026年第一季度DRAM价格涨幅预测，预计环比涨幅将高达90%–95%，远超此前市场及该行自身预期 [1][3][11] - 传统DRAM定价预计在2025年第四季度环比上涨45%–50%的基础上，于2026年第一季度进一步实现90%–95%的环比增长 [3][11] - TrendForce（集邦咨询）将2026年第一季度PC DRAM合约价格预测上调至环比增长105%–110%，远高于高盛此前预估的80%–90%，并维持第二季度环比增长20%–25%的预测 [3][12] - 分析人士指出，从贵金属、加密货币撤出的资金可能因强劲基本面而流入存储芯片板块 [2][11] 其他半导体与科技股表现 - 其他芯片巨头多数走强，英特尔涨近5%，AMD与德州仪器涨超4%，台积电ADR涨超3% [2][11] - 大型科技股涨跌不一，苹果大涨超4%，谷歌与亚马逊涨超1%；英伟达与特斯拉跌超2%，微软与Meta跌超1% [2][10] 稀土板块动态 - 稀土板块受特朗普政府拟建立“百亿美元关键矿产储备”消息刺激一度大涨，但盘中走势分化 [3][12] - 美国锑业收盘大涨超7%，而美国稀土公司与Critical Metals均在盘中涨超10%后收跌 [3][12] 美国宏观经济数据 - 美国1月制造业采购经理人指数（PMI）意外从上月的47.9大幅升至52.6，远高于预期的48.5，近一年来首次进入扩张区间（高于50），且增速创下自2022年以来最快水平 [4][13] - 新订单指数大幅上升近10个点，达57.1（前值47.7）；生产指数也显著走强，二者均显示出近四年来最快的增长速度 [5][14] - 就业指数录得48.1，高于预期的46及前值44.9，创一年来新高，表明制造业就业人数降幅有所放缓 [6][14] - 分析认为，在经历近一年收缩后，由需求推动的工厂活动反弹是积极信号，若持续将增强对美国制造业走出低迷的信心 [6][14] - ISM制造业商业调查委员会主席提醒需谨慎看待数据，因1月通常是补库存月份，且部分采购可能为提前应对潜在关税引发的价格上涨 [6][15] - 过去三年多，美国制造业PMI超过50的次数寥寥无几 [6][15] 关键经济数据发布延迟 - 由于联邦政府部分“停摆”，美国劳工统计局推迟发布原定于2月6日公布的1月份就业报告，以及原定本周二发布的12月职位空缺报告 [7][16] - 这是继去年秋季创纪录的43天政府“停摆”后，关键经济数据再次因拨款中断而延迟 [7][16]

行业动态与价格预测 - TrendForce集邦咨询全面上修2026年第一季DRAM与NAND Flash合约价季成长幅度 其中Conventional DRAM合约价预估从季增55-60%上修至上涨90-95% NAND Flash合约价预估从季增33-38%上修至55-60% 并且不排除仍有进一步上修空间[1] - 2026年第一季AI与数据中心需求持续加剧全球存储器供需失衡 原厂议价能力有增无减[1] - 由于2025年第四季PC整机出货优于预期 PC DRAM仍普遍缺货 即便是确定取得原厂供给的tier-1 PC OEM业者 DRAM库存水平仍有下滑[1] 细分市场表现 - 在卖方市场格局抬升合约价商谈行情的背景下 预计2026年第一季PC DRAM价格将季增100%以上 涨幅达历史新高[1] 市场反应 - 存储板块走强 闪迪(SNDK.US)股价涨超7% 希捷科技(STX.US)涨超5% 西部数据(WDC.US)涨超4% 美光科技(MU.US)涨超2%[1]

行业动态与价格预测 - 2026年第一季AI与数据中心需求加剧全球存储器供需失衡，原厂议价能力增强[1] - 机构全面上修2026年第一季DRAM和NAND Flash合约价季成长幅度预测[1] - 预估整体Conventional DRAM合约价季增幅度从55-60%上修至90-95%[1] - 预估NAND Flash合约价季增幅度从33-38%上修至55-60%[1] - 价格预测不排除仍有进一步上修空间[1] 细分市场分析 - 2025年第四季PC整机出货优于预期，导致PC DRAM仍普遍缺货[1] - 即便是确定获得原厂供给的一线PC OEM厂商，其DRAM库存水平仍在下降[1] - 在卖方市场格局下，预计2026年第一季PC DRAM价格将季增100%以上，涨幅达历史新高[1] 市场反应 - 存储板块股价走强，闪迪(SNDK.US)涨超7%，希捷科技(STX.US)涨超5%，西部数据(WDC.US)涨超4%，美光科技(MU.US)涨超2%[1]

核心观点 - 2026年第一季，AI与数据中心需求加剧全球存储器供需失衡，原厂议价能力增强，TrendForce全面上修DRAM与NAND Flash合约价季增预期 [3] - 各终端应用普遍面临DRAM供给缺口，PC、服务器及移动DRAM价格预计将出现创纪录的季度涨幅 [4][8][9] - NAND Flash市场因产能受限及需求旺盛，价格亦大幅上调，其中企业级SSD受北美CSP拉货刺激，价格涨幅显著 [4][9][10] 价格预测上修 - 整体常规DRAM合约价预期从季增55-60%上修至上涨90-95% [3] - 整体NAND Flash合约价预期从季增33-38%上调至55-60% [3] - 价格预测仍有进一步上修空间 [3] 各细分产品价格预测 - **PC DRAM**：DDR4与DDR5混合价格从季增38-43%上修至季增105-110% [6] - **服务器DRAM**：DDR4与DDR5混合价格从季增53-58%上修至季增88-93% [6] - **移动DRAM**：LPDDR4X与LPDDR5X价格均从季增约48%及43-48%上修至季增88-93% [6] - **整体常规DRAM**：价格从季增45-50%上修至季增90-95% [6] - **HBM混合**：价格从季增50-55%上修至季增80-85% [6] - **企业级SSD**：价格从季增25-30%上修至季增53-58% [6] - **整体NAND Flash**：价格从季增33-38%上修至季增55-60% [6] 市场动态与驱动因素 - **PC DRAM**：因2025年第四季PC整机出货优于预期，目前普遍缺货，主要PC OEM业者库存水平下滑，预计第一季价格将季增100%以上，涨幅达历史新高 [8] - **服务器DRAM**：北美及中国各大云端服务商与服务器OEM持续与原厂洽谈长期供应协议，买方积极竞逐供给，带动第一季价格预计上涨约90%，幅度创历年之最 [8] - **移动DRAM**：因整体DRAM市场供需差距扩大，各终端应用竞相提高报价以争取配额，预计第一季LPDDR4X与LPDDR5X合约价皆大幅上调至季增90%左右，幅度同样是历来最高 [9] - **NAND Flash**：第一季订单量大幅超越供应商生产负荷，但原厂更看好DRAM市场获利前景，将部分产线转产DRAM，进一步压缩NAND Flash新增产能，短期内产能瓶颈难以缓解 [9] - **企业级SSD**：随着推理AI应用场景扩大，北美各大CSP自2025年底起强力拉货，刺激订单爆发，买方激进囤货以补足库存，推升第一季价格季增53-58%，创下单季涨幅最高纪录 [10]

2026年第一季度存储芯片市场展望 - 预计2026年第一季度，整体DRAM合约价将季增55%至60%，其中HBM（高带宽存储器）价格季增50%至55% [1] - 预计2026年第一季度，整体NAND Flash合约价将季增33%至38% [1] DRAM市场动态 - 尽管PC整机出货下修，但原厂收紧供应，导致PC OEM需向模组厂高价采购，预计将大幅推升PC DRAM价格 [2] - AI推理带动服务器建设，美系云端服务业者持续提前拉货或追加Server DRAM需求，加剧供不应求，预计第一季度Server DRAM价格季增逾60% [3] - 手机品牌在淡季维持较强拉货力道，LPDDR4X与LPDDR5X供不应求且资源分配不均，价格走强 [3] - 尽管Graphics DRAM需求动能转趋保守，但其产能受DDR5排挤，供应偏紧带动价格上涨 [3] - Consumer DRAM客户愿以较高价格换取优先供应，但供给仍低于需求，支撑价格上涨 [3] NAND Flash市场动态 - 预计2026年Enterprise SSD（企业级SSD）需求将首度超越手机应用，成为NAND Flash最大应用 [4] - 尽管Client SSD（客户端SSD）需求受笔电出货季减及部分SSD容量降级影响，但因供给受数据中心SSD排挤，预计第一季度合约价仍将季增至少40%，涨幅为各类NAND Flash产品之最 [4] - 北美云端服务业者加码AI基础建设，带动Enterprise SSD需求，但供应商因产能有限采取控制出货策略，供给紧缩推升价格 [4] - eMMC/UFS需求因手机出货季减而疲弱，但原厂产能占比缩减导致整体供不应求 [5] - NAND Flash Wafer因消费市场低迷需求走弱，但原厂优先保障高毛利产品线，压缩对模组厂供应，价格持续上涨 [5]

亚洲股市与芯片股表现 - 受全球AI算力需求激增及存储芯片价格强劲反弹推动，亚洲主要股市周一集体上涨，日韩股市双双刷新历史高点[1] - 韩国首尔综合指数高开1.8%，随后涨幅扩大至2.6%并创下纪录新高，三星电子股价大涨近5%创历史新高，SK海力士涨近3%[1] - 日经225指数一度上涨2.2%报51442.83点，日本东证指数升至纪录新高，铠侠上涨8.4%，东京电子上涨4.6%，软银集团上涨3.9%[3] 存储芯片价格动态 - DDR4现货价格周环比上涨约23%，DDR5上涨1%[5] - 第四季度DDR4平均价格环比上涨139%，12月PC DRAM合约价格上涨约8%，服务器DRAM上涨约11%[5] - 按美元/Gb计算，富国银行预计第四季度合同价格环比上涨约65%，同比涨幅高达175%[5] 高带宽内存竞争格局 - 三星电子HBM4产品已获客户认可，公司宣称“三星回来了”，标志着其与SK海力士在高端存储领域的竞争全面升级[8] - 三星电子股价上周五大涨7.2%，创下收盘历史新高，并推动韩国首尔综合指数收涨2.3%，一举突破4300点[13] - 市场预期三星正逐步缩小此前在高带宽内存市场与SK海力士的差距，并有望在2026年凭借下一代HBM产品重新进入英伟达的核心供应链[13] 供应链紧张与科技巨头行动 - 微软、谷歌、Meta等科技巨头已将采购核心团队常驻韩国，以争夺三星和SK海力士有限的HBM产能[14] - 两大韩企的先进产线已满负荷运转，明年的HBM和DRAM产能已被全数预订[14] - 为应对“缺芯”挑战，科技巨头正加速将采购与供应链管理岗位从硅谷向亚洲转移，谷歌和Meta正在招聘兼具技术与商务能力的专家[14] 行业趋势与催化剂 - 台积电宣布2nm制程按计划量产，进一步提振了市场情绪[8] - 分析师普遍认为AI热潮将延续至2026年，摩根士丹利等机构已大幅上调存储器价格预期[8] - 韩国12月半导体出口同比激增43%，凸显了三星和SK Hynix在全球AI硬件繁荣中的关键地位[13]

公司业绩与预测 - 三星电子第三季度营收达86万亿韩元，营业利润达12.1万亿韩元，同比分别增长8.7%和31.8%，季度营收首次突破80万亿韩元[2] - SK海力士第三季度营业利润预计将达到10至11万亿韩元，创下公司历史上最高的季度营业利润[1] - 多家证券公司上调SK海力士业绩预测，Kiwoom证券将其营业利润预测从11.6万亿韩元上调至12.3万亿韩元，兴国证券则从10.9万亿韩元上调至11.6万亿韩元[2] - SK海力士今年第三季度业绩预计将自成立以来首次达到12万亿韩元[1] 内存半导体市场动态 - 内存半导体行业迎来繁荣期，通用DRAM和NAND闪存市场价格走势强劲，超出预期[1][2] - PC DRAM价格较上一季度上涨了20%至30%，主要由于库存减少和溢价上涨[2] - 通用内存价格上涨进一步推高SK海力士业绩[1] 高带宽内存（HBM）业务 - SK海力士凭借对人工智能基础设施的投资，以高带宽内存为中心保持了高盈利能力[1] - 截至第二季度，SK海力士占据了全球HBM市场约60%的份额[2] - 用于AI服务器的高带宽内存出货量持续增长的势头持续到第三季度，SK海力士的HBM销量预计将超出第三季度的计划[2] - 尽管第五代HBM产品价格在第三季度开始下滑，但向下一代HBM4的过渡将抵消其带来的盈利下滑[2]

资本市场功能与结构 - 资本市场的重要功能在于为新兴产业提供资金支持与成长沃土，例如人形机器人与半导体行业[1] - 二级市场的活跃表现能反哺一级市场，为早期技术研发注入信心，并通过财富示范效应引导社会资本流向实体创新领域，形成“技术突破-市场认可-资本涌入-产业升级”的良性循环[1] - 美股的长期牛市是一部科技驱动发展史，以英特尔、苹果、英伟达为代表的硬科技公司将技术溢价转化为股东回报，形成“科技-市值-指数”的正向循环[1] - 强大资本市场的结构必须反映经济转型升级方向，重任应由代表新质生产力的硬科技企业承担，让科技板块成为权重中枢与情绪锚[2] 市场指数表现与资金流向 - A股主要宽基指数走势分化，上证指数微跌0.01%，深证成指上涨0.67%，创业板指数上涨1.58%，科创50指数上涨1.24%[3] - 沪深两市成交额达到23711亿元，较昨日放量443亿元，市场有1477只个股上涨，3877只个股下跌，个股涨跌幅中位数为下跌0.91%[3] - 中证1000指数、国证2000指数、微盘股指数近期走势掉队，意味着资金在向中大盘股转移[6] - 创业板指数走势强势，因AI硬件、人形机器人、创新药及固体电池为代表的新能源等行情主线在创业板中权重较大[6] 行业与板块动态 - IT设备、互联网、通信设备、软件服务等AI方向板块领涨行业板块[9] - AI产业链内部出现轮动，AI硬件方向（如IT设备、通信设备）出现在行业涨幅榜前列，而AI应用方面如网络游戏、人形机器人近期表现强势[9][10] - AI产业链分支板块炒作延续，铜缆高速连接、多模态AI、液冷、液冷服务器、AIGC概念等表现活跃[10] - 有色板块的铜、钨钼领涨三级行业，铜业股上涨受消息刺激，国际铜价创下五个多月来最大单日涨幅[11] - 光刻机板块表现分化，在国产化进程加速背景下，后续会反复活跃[11] 公司事件与产业突破 - 宁德时代A股市值盘中一度超过贵州茅台，标志着以科技创新为驱动的先进制造业正在取代传统消费模式，成为价值创造的新引擎[7][8] - 长江存储科技控股有限责任公司完成股改，估值已超1600亿元[11] - 据TrendForce集邦咨询报告，预估NAND Flash第四季各类产品合约价将全面上涨，平均涨幅达5%-10%，PC DRAM价格四季度还要上涨[11] - 上海微电子以及芯上微装展出重磅产品，对应产业端“0-1”突破，包括先进封装机台正式量产、干法DUV近期将进入量产测试阶段、国产EUV进入原理机搭建阶段，国产光刻机产业进入爆发元年[12]