价格展望：预计25Q3 DDR5、NAND温和上涨，DDR4涨幅8%~13%。 DRAM：DDR5温和上涨，DDR4受原厂加速减产影响涨幅超预期。1)DDR5：5月现货环比+2%，6月至 今低个位数涨幅。颗粒现货和合约价格保持温和上涨，4-5月DDR5 8Gb合约价上涨约2%，DDR5 16Gb 现货价上涨约7%。2)DDR4：5月现货环比+9%~+37%，6月至今涨幅达17%~37%。海外大厂聚焦高利润 率的DDR5、HBM，压缩DDR3/DDR4供给，TrendForce预计最后出货时间为2026年初。25Q2，随着原 厂加速退出DDR4供应、下游紧急拉货，5月DDR4 8/16Gb颗粒现货价格平均涨幅超30%。 NAND Flash：原厂减产效果已显现，价格温和上涨。5月NAND Flash(Wafer) TLC价格环比涨幅低个位 数，6月至今价格基本保持稳定。海外大厂自2024年12月以来陆续公告减产10%~15%，同时加快将产能 向200层以上产品迁移，进而减少低价产品的供应量，3月TLC价格转涨(涨幅6%~14%)、SSD同步上 涨，行业供需在25Q1加速平衡。需求方面，北美CSP厂商持续投入，带 ...

报告行业投资评级 - 看好（维持） [1] 报告的核心观点 - 价格周期+AI产业趋势+关税多重共振，存储芯片价格有望持续上涨 [3] 根据相关目录分别进行总结 原厂减产叠加关税推动存储芯片价格持续上涨 - DRAM和NAND闪存芯片平均市场价格均呈上涨趋势，5月8GB DDR4内存颗粒价格升至2.10美元，较4月上涨约27%，6月DDR4维持涨势，美光6月DDR4报价大幅跳涨50%，三星8GB DDR4现货价格达4.8美元，DDR4 16Gb已涨价至6美元，超过DDR5同规格市场行情；韩国内存公司三星和SK海力士停止DDR4生产，受供应商收敛产出和美国关税导致买方提前备货等因素，第二季server与PC DDR4价格上涨，预期涨幅分别季增18% - 23%和13% - 18% [4] - 5月用于记忆卡和USB的128GB NAND平均价格达2.92美元，较4月上涨4.84％，原厂减产叠加关税将推动存储价格持续上涨 [4] 存力在AI产业链中至关重要，AI产业浪潮推动存储芯片需求提升 - 存储模组是数据中心及服务器关键组成部分，海外云厂商资本开支维持较高水平，饱满的服务器需求推动存储模组市场持续扩容，国内云厂商资本开支持续加码，国内算力芯片出货量持续提升，国产存储模组有望迎来市场规模及国产化率提升 [5] - HBM采用TSV技术堆叠DRAM die以大幅提升I/O数，配合2.5D先进封装制程，在维持较低内存频率的同时达到更显著的总通道宽度提升，已广泛应用于各类算力芯片中 [5] - 随边缘端算力发展，NPU + 3DRAM或成为产业趋势，AI端侧将拉动Nor Flash等利基存储需求 [5] 受益标的 - 存储模组厂商：德明利、江波龙、佰维存储、香农芯创 [6] - 先进存储厂商：兆易创新、恒烁股份等 [6] - 边缘侧Nand/Nor flash厂商：兆易创新、北京君正、普冉股份、东芯股份、恒烁股份、聚辰股份等 [6]

自存储原厂宣布减产/转产DDR4和LPDDR4X至今，已逾半年有余，在产能调整持续推进下目前成效显 著。近期，存储现货市场部分DDR颗粒和LPDDR4X资源供应紧俏，而手机客户原本库存相对健康， PC OEM经过长期库存调整后库存水位也逐步降低，近期部分手机和PC等终端客户陆续回补库存，推动 本周行业DDR4和低容量嵌入式LPDDR4X价格上扬。 (闪存市场) ...