2026年06月15日 证券研究报告 | 请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容 行业研究 · 行业快评 计算机 · 人工智能 投资评级：优于大市 证券分析师：熊莉 021-61761067 xiongli1@guosen.com.cn S0980519030002 摘要 请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容 Ø MLCC潜在替代方案，渗透率有望迅速提升。随着GPU、HBM和AI加速器功耗快速攀升，传统MLCC与PCB级供电体系已经难以满足超 高频、低电压、大电流场景下的稳定供电需求。相对而言，硅电容具有密度高，低ESL等特点，可直接嵌入先进封装、光模块、硅中介 层（Interposer）与GPU/HBM周边，实现更短的供电回路与更低的电压跌落，从而满足AI芯片不断提升的瞬态供电需求。 Ø 与传统的多层陶瓷电容器（MLCC）相比，它主要有四大优势。1）容值密度高：1mm厚度的硅电容即可等效80层陶瓷层的有效电容面 积（约3-4mm）；2）温度稳定性佳：125-150°C基本没有温漂现象；3）老化较慢：老化速率为MLCC的1/10；4）尺寸较小：最低 可以低至50微米。硅电容目前正处于从技术可行向 ...