公司战略与市场定位 - 村田制作所是全球被动元件市场的领头羊，尤其在MLCC领域拥有很高的市场份额，在车载市场的份额更为突出 [2] - 公司的元器件广泛应用于移动设备、家用电器、物联网、汽车、医疗及航空航天等多个领域 [2] - 公司战略一方面是为包括MLCC在内的元器件寻找新市场，另一方面是推动器件升级以把握新时代机遇 [2] 人工智能与光通信市场机遇 - 受AI技术爆发和云计算深化驱动，全球光模块市场在2025-2026年的年增长率预计将达到30%-35% [4] - 公司认为以MLCC为首的产品在AI PC中的用量将显著提升，并将持续关注服务器与交换机这一核心业务 [4] - 公司特别将“加速板卡”应用从服务器中独立出来，以最大化把握AI需求带来的新产品机会 [5] - 光模块被视为有挑战性的应用，高速性能产品增长带动了对公司L1、L2&3产品的需求 [6] - 公司关注“模块化”趋势，例如DC-DC电源模块的参考设计是实现生意增长的关键 [6] 产品技术与创新 - 公司展示了小型化、大容量的MLCC系列产品，具备高有效容值密度和低ESL/ESR特性，以应对大电流挑战并提升设备空间利用率 [8] - 超宽频硅电容产品矩阵带宽最高可支持到220GHz，采用3D结构将厚度控制在100µm内，实现了高容值密度和高集成化 [11] - 硅电容技术具有高可靠性优势，并在法国Caen工厂投资新设8英寸晶圆产线以扩大产能 [12] - 公司还展示了多款电感和磁珠解决方案，例如BLE系列大电流铁氧体磁珠和适用于光收发器的Bias-T电感方案 [12] - 针对数据中心能效需求，公司开发了创新的电源芯片解决方案（如PE24108、PE24110、PE24111），采用两级架构与错相技术以降低DSP核心损耗和模块发热量 [13] - 热敏电阻产品体积小巧，热响应性出众，适用于光模块和数据中心的温度检测、过流保护等 [13] 未来展望 - 公司致力于通过持续提供高性能、高可靠性的产品和解决方案，深化与产业链各方的合作，共同推动光通信技术创新和产业升级 [14]

硅电容技术特性 - 采用单晶硅衬底与半导体工艺实现三维微结构，具备高纯度电介质层，性能显著优于传统MLCC [3] - 容值稳定性比MLCC高10倍以上，温度/偏压/老化引起的容值漂移极低 [3] - 厚度可低于50微米，单位面积容量提升10倍，ESL和ESR极低，保障信号完整性 [3] - 单晶硅结构无晶界缺陷，彻底解决MLCC的微裂纹、压电噪声等问题 [3][5] 硅电容应用场景 - 5G/6G通信领域需高频特性与小型化，01005尺寸成为研发重点 [7] - 汽车电子中ADAS、LiDAR等应用要求耐高温(-55℃至+250℃)与耐高压 [8] - HPC与AI数据中心依赖超低ESL电容解决PDN供电网络挑战 [9] - 医疗设备、光通信等领域通过减少元件数量提升系统可靠性 [4][12] 硅电容与MLCC性能对比 - 电容稳定性：硅电容全工况无衰减，MLCC存在标称值与实际值差异 [5] - 高频阻抗：硅电容ESR/ESL超低，自谐振频率(SRF)更高 [5] - 可靠性：硅电容无压电效应，MLCC易因应力产生微裂纹 [5] - 供应链：硅电容可本土化生产，MLCC曾多次出现全球缺货 [5] 森丸电子产品矩阵 - **DTC沟槽硅电容**：深硅刻蚀工艺，容值0.08-4.6nF，ESR低至13mΩ，击穿电压150V，应用于光通信PDN网络 [11][14] - **MIM表贴硅电容**：平面薄膜工艺，容值0.2-15pF，温漂系数70ppm/°C，适合射频匹配电路 [20][23] - **MIS硅电容**：金属-绝缘体-半导体结构，容值0.8-100nF，耐压>150V，用于耦合/滤波器 [24][28] - **玻璃电容(GMIM)**：玻璃基材机械稳定性强，容值0.1-2nF，击穿电压100-300V，适用高频射频领域 [30][33] 行业技术趋势 - 电容器向"五高一小"发展：高容、高频、耐高温、耐高压、高可靠性及小型化(如0201/01005尺寸) [6] - CPO封装技术推动超低ESL电容需求，HPC芯片功耗增长驱动电源完整性创新 [9] - 半导体工艺赋能无源元件集成，硅电容成为高性能电子系统的"性能心脏" [4][10]