碳化硅(SiC)功率半导体

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SST行业专家电话会
2025-10-20 22:49
涉及的行业与公司 * 行业:数据中心配电、固态变压器(SST)、电动汽车充电、可再生能源(绿电)直供 [1][2][3] * 公司:英伟达、台达、伊顿、华为、阳光电源、维谛、施耐德、金盘、伊格尔、西电 [1][2][4][5][6][13][15] 核心观点与论据 数据中心配电趋势与SST应用驱动力 * 数据中心单柜功率从10千瓦向百千瓦甚至兆瓦级提升 推动配电电压从380/415伏向更高等级升级 以节省因铜价上涨带来的高昂成本 [2] * 英伟达800伏架构明确提出了固态变压器(SST)作为新型电力设备 定义了巴拿马变压器加直流模块和全固态变压器两种技术路线 [1][2] * 台达和伊顿等厂商已验证SST在数据中心的应用前景 其产品效率和密度优于传统方案 [1][2] * SST整合了传统变压器、PCS(储能变流器)和UPS的功能 在数据中心领域将中压配电、充电机柜及低压UPS进行整体整合 [2][16] SST的非数据中心应用场景 * 电动汽车充电领域市场空间巨大 对更大容量和更高电压等级有明确要求 SST在此领域有机会但受国内激烈市场竞争和成本制约 [1][3] * 绿电直供是潜在突破点 国内已有项目(如宁夏)通过电子变换器将光伏等可再生能源直接连接至负载端 但多属示范性质 [1][3] * 海外市场(尤其欧美)因严格审批流程 自建架构实现负载端供电的需求推动了SST的应用 [1][3] 国内企业发展现状与技术对比 * 阳光电源在"十三五"期间实现35千伏交流和直流场景应用突破 其35千伏高频变压器在可靠性和效率指标上达国际先进水平 [1][4][15] * 华为早期研究SST但项目已暂停 台达获得美国能源部项目资助 已推出适用于数据中心的产品 功率密度和效率接近规模化示范需求 [1][4] * 伊顿发布相关白皮书并推出产品 金盘和伊格尔等公司正在布局但缺乏高压和电力电子经验 西电有示范应用但产品需迭代 [4][5][6] * 国内企业在高频变压器领域技术水平领先 国外企业如台达和伊顿主要集中在10千伏等级 [15] SST技术挑战与测试关注点 * SST在数据中心测试中缺乏国家标准、可靠性论证和实际运行数据 [7] * 10千伏热插拔存在技术难度 影响客户决策 [7] * 未来两三年内 SST主要通过市场工程试点(如国内电信运营商推进的试点)验证可靠性 为2027年底或2028年的大规模应用做准备 [8] * 降低成本是实现SST"以硅代铜"成本优势的关键 [8] 技术路径与核心组件 * 掌握电力电子技术的公司(尤其是模块化电力电子公司)在发展SST技术上比传统机械件制造商或变压器公司更具优势 [9][17][18] * 模块化设计对SST的紧凑化、高密度集成及协调控制至关重要 [19] * SST大规模应用时 隔离型DCDC转换环节90%的应用场景使用1,200伏碳化硅(SiC)功率半导体 因其比IGBT具有明显开关损耗和主动损耗优势 [10][11] * 高频变压器设计通常由电源厂商负责 主要材料为纳米晶(适用于10-20千赫兹)和铁氧体(适用于20千赫兹以上) [11] 对现有技术生态的影响 * 英伟达800伏架构将储能系统置于中压侧 未来可能节省柴油发电机 中压侧储能可暂时供电替代原有低压侧铅酸电池和柴油发电机组合 [12] * HVDC 800伏直流架构是明显趋势 对传统交流UPS公司是利空 需看其向直流技术布局的能力 [24] * 800伏架构数据中心因服务器负载波动大 需要快速能量响应 未来将采用锂电池而非铅酸电池 [25] * SST目前成熟体系适用于35千伏及以下市场 可替代该等级变压器 但对110千伏等更高等级优势不明显 [26] 供应链与竞争格局 * 海外厂商(如英伟达、伊顿等)已与国内非上市型企业(如Hero Power)在高频变压器领域展开合作 因国内企业经验丰富且能满足大规模生产需求 [13][14] * 台达在数据中心SST领域表现最突出 产品性能指标、占地面积及效率均优 且研发起步早(可追溯至2012年) [13] * 维谛周期长 先攻克核心技术再推产品 施耐德研发及规模化生产布局不多 目前仅有前期样机 [13] * 同时生产碳化硅元件、电力电子设备及系统集成不会带来显著优势 核心竞争力在于模块紧凑化设计、高密度功率集成及协调控制 [20]
日经BP精选:罗姆倍速开发碳化硅半导体,与中企对抗
日经中文网· 2025-10-17 11:06
编者荐语: 日经中文网"开设了"日经BP精选"栏目。日经BP是日本经济新闻社媒体集团的一员,成立于1969年。作 为日本领先的B2B媒体公司,聚焦经营管理、专业技术及生活时尚三大主要领域。敬请读者关注。 以下文章来源于日经BP ,作者日经BP 罗姆取缔役兼常务执行董事、功率元器、件业务负责人伊野和英(摄影:太田未来子) 日本罗姆将在定位为全公司增长引擎的碳化硅(SiC)功率半导体方面,加快技术世代的升级速度。为 了不输给中国企业,该公司将同时开发多个技术代际,把过去为3~4年的升级间隔缩短至2年以内。由 于半导体行情恶化,2024财年(截至2025年3月)时隔12年出现最终亏损,罗姆将在等待行情复苏的同 时,通过与东芝的合作寻求出路。 主管功率半导体业务的罗姆取缔役常务执行董事、功率元器件业务负责人伊野和英承认,"中国企业的 开发速度非常快"。该公司于2024年公布了一项计划,将开发改为双团队体制,同时开发多代产品,将 以3~4年为周期的SiC功率半导体的升级换代缩短为2年。将进一步加快这一速度,力争在不到2年的时 间内实现升级换代。 日经BP . 日经BP成立于1969年4月, 隶属于日本经济新闻社集团。作 ...
全球芯片,最新预测
36氪· 2025-09-15 11:13
行业核心观点 - 半导体行业正经历由人工智能进步、地缘政治变化和政府本土生产投资驱动的快速转型 [1] - 全球半导体市场预计将从2024年的6270亿美元增长到2030年的1.03万亿美元,复合年增长率显著 [3] - 供应链韧性和技术主权已成为企业和政府的首要任务,各方正努力实现生产多元化并减少依赖 [1] 汽车半导体 - 汽车电气化推动功率半导体需求激增,预计到2030年功率半导体将占汽车半导体总成本的50%以上 [7] - 自动驾驶技术发展将推高每辆车半导体含量,L2级功能将成为主流,L3级出货量预计超过总量的10% [13] - 软件定义汽车趋势推动汽车架构向区域化发展,对高性能SoC、AI加速器和高速存储芯片需求增加 [18] - 电动汽车市场快速扩张,预计到2030年混合动力和纯电动汽车将占总汽车销量的50%左右 [5] 服务器与网络半导体 - AI数据中心需求推动服务器市场增长,2030年全球服务器市场预计超过3000亿美元 [25] - AI加速器在数据中心芯片中的收入占比可能快速增长,达到数据中心芯片总量的50%左右 [32] - 5G扩展推动对网络设备计算能力和GaN射频芯片的需求,5G速度可能达到4G的20到100倍 [35] - 到2030年全球数据中心的功耗预计增加一倍以上,驱动对高能效半导体的需求 [30] 家用电器半导体 - 人工智能和物联网技术使家电更智能,推动对AI处理器和电源管理集成电路的需求增长 [54] - 智能家居标准Matter的推出加速设备互联,对支持多种通信协议的连接集成电路需求上升 [62] - 可穿戴设备使用多种传感器监测健康状况,对先进处理器和专用SoC需求增加 [66] - 电视作为最大家电品类,AI驱动的图像声音增强功能推高对先进半导体需求 [73] 计算设备半导体 - AI PC和AI智能手机趋势重振市场,设备端AI推动神经网络处理器采用加速 [76] - 低功耗LPDDR DRAM技术持续发展,LPDDR6预计2026年推出,功耗比LPDDR5降低约50% [81] - 高端智能手机需求强劲,因其提供与旗舰机型相似功能但价格更亲民 [92] - 图像信号处理器进步使智能手机能捕捉专业级图像,成为新增长动力 [86] 工业半导体 - 医疗领域机器人辅助手术比例显著增长,美国从2010年的2.1%上升到2020年的20%以上 [97] - 可再生能源装机容量快速增长,从2016年900吉瓦到2023年2000多吉瓦,预计2030年达5500吉瓦 [102] - 智能工厂扩张推动对传感器、MCU和连接集成电路的需求 [110] - 全球国防预算预计从2015-2022年平均2万亿美元增长到2030年3-4万亿美元 [114] 供应链与制造 - 预计2024至2030年全球半导体晶圆厂支出将超过1.5万亿美元,相当于过去二十年的总和 [145] - 半导体设计人才缺口严重,预计到2030年需要超过30万名工程师,目前仅有约20万名 [124] - 高带宽存储器因AI需求激增,供应链瓶颈可能限制整体产出 [167] - 宽禁带半导体如碳化硅和氮化镓快速普及,但供应限制依然存在 [177] 技术发展趋势 - 半导体行业正从通用芯片转向专用半导体,越来越重视低功耗和热管理 [122] - 芯片设计关注点从峰值性能转向每瓦性能提升,动态电压频率调节等技术成为主流 [129] - 先进封装和Chiplet架构成为提升系统性能的重要手段 [178] - 晶体管架构向全环绕栅极发展,CFET等新技术预计2030年代初商业化 [158]
日本功率半导体,大撤退
半导体芯闻· 2025-09-02 18:39
全球功率半导体行业格局变化 - AI芯片、HBM及先进制程等新兴热点覆盖了功率半导体的行业关注度 日本厂商扩产进程屡陷拖延 主导力渐显疲态 而国内产业则加速突围 以强劲反扑姿态打破原有格局 为全球竞争注入新变量 [1] 日本厂商市场地位变化 - 高峰时日本厂商在全球功率半导体市场前十中占据五席 三菱电机 富士电机 东芝 瑞萨 罗姆五家企业合计占有全球20%以上市场份额 [2] - 2021年全球功率半导体市场前十中 日本企业Infineon以4.87亿美元营收居首 市占率20.9% 三菱电机营收1.48亿美元 市占率6.3% 富士电机营收1.17亿美元 市占率5.0% 东芝营收1.00亿美元 市占率4.3% 瑞萨营收0.65亿美元 市占率2.8% 罗姆营收0.63亿美元 市占率2.7% [4] - 2024年全球功率半导体市场TOP10榜单中日本厂商仅剩三席 三菱电机 富士电机 东芝 且全球市占率均不足5% [6][7] 日本厂商发展困境 - 罗姆2025财年录得500亿日元净亏损 为12年来首次全年亏损 截至6月的季度净利润同比下降14%至29亿日元 第一季营收1162.05亿日元 同比下降1.8% 营业利润大幅下降84.6%至1.95亿日元 [9] - 罗姆将碳化硅半导体投资计划从2800亿日元缩减至1500亿日元 2025财年资本支出下降36%至850亿日元 折旧费用下降26%至616亿日元 [9] - 东芝与罗姆的深度合作陷入僵局 更广泛合作谈判已停滞 2023年东芝将功率半导体定位为增长领域 计划三年投资1000亿日元 但市场环境变化导致投资回报不及预期 [12][13] - 瑞萨电子2025年上半年净亏损1753亿日元 创同期历史最高亏损记录 并宣布放弃进入碳化硅市场 制造设施产能利用率仅约30% 计划裁员约1050人 [15][17] - 三菱电机推迟熊本县功率半导体新工厂扩建计划 考虑缩减原定2026至2030财年3000亿日元投资额 [19][20] - 富士电机2025会计年度净利预计下降12.2%至810亿日元 半导体设备营收下降5.8% 营益锐减42%至215亿日元 [22] 中国厂商崛起与竞争影响 - 中国新兴功率半导体企业凭借成本与价格优势加速抢占市场份额 在碳化硅基板制造市场 天科合达和天岳先进等企业已崭露头角 中国企业几乎主导这一市场 [29] - 比亚迪半导体 中车时代等国产IGBT厂商在新能源汽车市场份额从2019年的20%跃升至2023年的60%以上 [23] - 天科合达以17.3%市场份额位居全球碳化硅衬底市场第二 天岳先进以17.1%份额位列第三 实现8英寸衬底量产并推出12英寸衬底 [30] - 英诺赛科2023年以33.7%收入份额稳居全球GaN功率器件市场第一 市值突破740亿港元 成为功率器件企业市值TOP1 [31] - 中国企业技术快速追赶 在硅芯片技术上与日本差距仅一到两年 碳化硅芯片方面至多三年 [29][32] 日本产业困局原因分析 - 内部缺乏信任与协作 各公司对专有技术过度保护 难以建立深度信任和协作 [25] - 行业缺乏明确领导者 各企业市场份额相当 没有一家愿意在整合中让步 [26][27] - 企业战略差异大 如罗姆专注于特定元件 而东芝 三菱电机业务范畴广泛 难以达成一致 [28] - 外部面临中国企业崛起带来的激烈竞争 以及全球电动汽车市场需求变化不及预期 [29]
日本功率半导体,大撤退
虎嗅APP· 2025-08-31 16:58
全球功率半导体行业格局变化 - 功率半导体行业热度被AI芯片、HBM和先进封装等新兴赛道覆盖,日本厂商扩产进程延迟,国内产业加速突围[4] - 日本政府目标在2030年前将全球功率半导体市占率从20%提升至40%,但实际进展远不及预期[10] - 2024年全球功率半导体市场TOP10中日本厂商仅剩三菱电机、富士电机和东芝三席,各家市占率均不足5%[11][12] 日本主要厂商发展困境 罗姆 - 2025财年录得500亿日元净亏损(12年来首次全年亏损),第一季度营收1162.05亿日元(同比下降1.8%),营业利润大幅下降84.6%至1.95亿日元[15] - 将碳化硅半导体投资计划从2800亿日元缩减至1500亿日元,2025财年资本支出下降36%至850亿日元[15] - 第六代SiC产品上市时间从2028年提前至2027年,但承认中国制造商在SiC基板功能方面已达顶级水平[16] 东芝 - 与罗姆的深度合作陷入停滞,共同制造外的合作谈判已被放弃[19] - 2023年计划三年投资1000亿日元,但电动汽车需求半停滞导致投资回报不及预期[19] - 与天岳先进签署谅解备忘录,探讨提升SiC晶圆特性和质量[20] 瑞萨电子 - 2025年上半年净亏损1753亿日元(创同期历史记录),宣布放弃进入碳化硅市场[21] - 因Wolfspeed破产面临20亿美元预付款损失风险,制造设施产能利用率仅约30%[23] - 解散碳化硅产品团队,取消群马县高崎工厂量产计划[23] 三菱电机 - 推迟熊本县功率半导体新工厂扩建计划,考虑缩减原定3000亿日元的五年投资额[26] - 曾计划5年内投资1000亿日元建设8英寸SiC工厂,目标使SiC销售额占比提升至30%以上[25] 富士电机 - 2025会计年度净利预计下降12.2%至810亿日元,半导体设备营收下降5.8%,营益锐减42%至215亿日元[28] - 欧美品牌在中国市场降价超30%,比亚迪半导体等国产厂商在新能源汽车IGBT市场份额从2019年20%跃升至2023年60%以上[29] 日本产业衰退原因分析 - 企业内部缺乏信任与协作,对专有技术过度保护导致整合困难[32] - 行业缺乏主导整合的龙头企业,各企业战略差异显著(如罗姆专注元件与东芝多元化战略冲突)[33] - 中国企业凭借低廉能源成本和庞大国内市场快速崛起,在SiC基板市场已形成主导力[34][36] - 日本电动汽车普及滞后于中国和欧洲,导致面向EV的芯片产能扩张计划受挫[34] 中国功率半导体产业崛起 - 天科合达以17.3%市场份额位居全球SiC衬底第二,天岳先进以17.1%份额位列第三并实现8英寸量产[37] - 英诺赛科以33.7%收入份额稳居全球GaN功率器件市场第一,市值突破740亿港元[39] - 国际大厂深度绑定中国供应链:英飞凌SiC衬底采购量两位数来自天科合达和天岳先进,意法半导体与三安光电合资建厂[38] - 中国企业技术差距快速缩小,在硅芯片技术上仅落后日本1-2年,碳化硅芯片至多落后3年[37][40]
日本功率半导体,大撤退
半导体行业观察· 2025-08-31 12:36
全球功率半导体行业格局变化 - AI芯片和HBM等新兴技术热点覆盖了功率半导体行业的光环 使该领域显得冷清 [2] - 日本厂商扩产进程屡屡陷入拖延困境 从项目启动到产能落地的节奏远不及预期 [2] - 国内功率半导体产业抓住机遇加速突围 在技术攻坚 产能建设与市场份额争夺中持续发力 [2] 日本厂商市场地位变化 - 高峰时三菱电机 富士电机 东芝 瑞萨 罗姆等日本厂商在全球功率半导体市场占有率排名前十中占据五个席位 [3] - 据Omdia 2021年数据显示 五家企业合计占有全球20%以上的功率芯片市场份额 [3] - 从2024年全球功率半导体市场TOP10榜单来看 日本厂商仅剩三席 且全球市占率均不足5% [6][7] 日本主要厂商动态与财务表现 罗姆 - 截至2025年3月的财年 罗姆公司录得500亿日元净亏损 这是其12年来首次全年亏损 [9] - 2025财年第一季度营收为1162.05亿日元 同比下降1.8% 营业利润大幅下降84.6%至1.95亿日元 [9] - 原计划在2025财年起的三年内对碳化硅半导体投资2800亿日元 如今考虑将投资额缩减至1500亿日元 [9] - 预测2025财年资本支出较上一财年下降36%至850亿日元 预计折旧费用下降26%至616亿日元 [9] - 新工厂已开始SiC基板试生产 计划于2026年春季开始SiC功率半导体量产 但目前投资势头已放缓 [10] - 第六代产品将比原计划提前一年上市 从2028年提前至2027年 第七代产品提前至2028年上市 [10] 东芝 - 2023年将功率半导体业务定位为增长领域 计划在截至2026财年的三年内共计投资约1000亿日元 [13] - 兵库县姬路半导体工厂新厂房竣工 将承担IGBT等功率半导体后道封装业务 [13] - 石川县加贺工厂建成用于制造12英寸IGBT晶圆 投入运营后汽车功率半导体产能比2022财年增加一倍以上 [13] - 与罗姆的深度合作陷入僵局 2024年初宣布的深化合作讨论已停滞 [12] - 与天岳先进签署谅解备忘录 将探讨合作提升碳化硅功率半导体晶圆的特性和质量 [14] 瑞萨电子 - 2025年上半年净亏损1753亿日元 创下同期历史最高亏损记录 [15] - 宣布放弃进入碳化硅市场的计划 [15] - 受到美国公司Wolfspeed破产的沉重打击 曾支付20亿美元定金锁定未来十年SiC晶圆供应 [17] - 截至2024年12月的三个月内 公司制造设施产能利用率仅约30% 相较于上一季度的约40%进一步下滑 [17] - 计划在日本和海外的21000个岗位中裁减不到5%(约1050人)的员工 [17] 三菱电机 - 2023年3月宣布计划在5年内投资约1000亿日元用于建设新的8英寸SiC工厂并加强相关生产设施 [19] - 原定今秋投产的功率半导体新工厂的扩建计划已被推迟 [19] - 原本规划在2026至2030财年的五年间豪掷3000亿日元用于发展 如今却陷入了投资额缩减的考量之中 [19] 富士电机 - 2024财年净利达到1188亿日元 同比增长10.1% 但2025会计年度净利预计下降12.2%至810亿日元 [21] - 半导体设备营收下降5.8% 营益锐减42%仅剩215亿日元 [22] - 欧美外资品牌在中国市场掀起了降价潮 降价幅度超过30% [22] - 比亚迪半导体 中车时代等国产IGBT厂商在新能源汽车市场的份额从2019年的20%跃升至2023年的60%以上 [22] 中国功率半导体产业崛起 - 天科合达以17.3%的市场份额位居全球碳化硅衬底市场第二 天岳先进以17.1%的份额位列全球第三 [28] - 天岳先进实现8英寸衬底量产 还率先推出12英寸衬底 推动单片晶圆芯片产出量提升40%以上 [28] - 英诺赛科作为全球首家实现8英寸硅基GaN晶圆量产的企业 自2023年以33.7%的收入份额稳居全球GaN功率器件市场第一 [29] - 英诺赛科市值突破740亿港元大关 上市短短不到一年时间便跃升为功率器件企业市值TOP1 [29] - 中国企业凭借成本优势 规模效应以及对市场的快速响应能力 从多方面对日本产业和企业造成冲击 [31] 日本产业困境原因分析 - 企业内部对专有技术过度保护 难以建立起深度信任 阻碍了企业间的合作进程 [25] - 日本功率半导体领域缺乏一个能够主导整合的龙头企业 [25] - 各企业战略重心不同 难以达成一致 [25] - 日本企业高估了本土电动汽车市场的发展潜力以及自身在全球的竞争力 [27] - 全球电动汽车市场的发展态势并未如日本企业预期的那样乐观 欧洲等地电动汽车市场增速低于预期 [30] 行业趋势与挑战 - 功率半导体产业将迎来更加广阔的发展 随着新能源汽车 光伏 风电等产业的快速发展以及宽禁带半导体材料等新技术的应用推广 [2] - 碳化硅虽未退潮 但泡沫与现实的边界正逐渐显现 SiC不再是所有厂商的必选项 [15] - 技术投入不再是唯一护城河 资本结构 产能兑现节奏 客户结构与供应链安全正在成为决定生死的新变量 [16] - 日本政府发布增长战略草案 旨在到2030年前将日本企业在全球功率半导体的市占由目前20%左右提高至40% [6]
日本功率半导体代工厂,申请破产
半导体芯闻· 2025-07-15 18:04
公司破产申请 - 日本晶圆代工厂JS Foundry于7月14日向东京地方法院申请破产[1] - 破产原因是与海外企业就SiC技术合作的资本谈判破裂[2] - 公司负债达1.1亿美元[3] 公司运营情况 - 公司运营一座已有41年历史的晶圆厂,原属三洋,后经安森美半导体转手[3] - 2023年营收6800万美元,但2024年营收大幅下滑至1760万美元[3] - 公司拥有550名员工,成立仅三年[4] 行业背景 - 功率半导体市场受到电动汽车销量放缓和来自中国市场竞争加剧的冲击[4] - SiC专家Wolfspeed上月申请破产[4] - 瑞萨电子放弃了原定今年晚些时候开始生产SiC的计划[4] 政府支持 - 公司得到日本政策投资银行(DBJ)的支持[3] - 日本中央政府和新潟县原计划发放数十亿日元规模的设备投资补贴[4] 公司发展计划 - 公司原计划2025年涉足碳化硅(SiC)功率半导体领域[3] - 由日本央行旗下的摩科瑞投资和产业创生咨询共同创立[4]
日本半导体企业JS Foundry申请破产
日经中文网· 2025-07-14 14:28
公司情况 - JS Foundry于2022年12月由日本政策投资银行旗下Mercuria Investment和产业创成咨询公司出资成立 员工约550人 其中200人外派至其他公司 [1] - 公司从安森美手中取得新潟工厂 该工厂1984年由新潟三洋电子建设 2011年出售给安森美 [2] - 2024年5月停止为安森美代工 2024财年营业收入从成立时的100亿日元骤降至26亿日元 [2] - 2024年7月14日申请破产 负债总额达161亿日元 [1] 行业动态 - 功率半导体行业自2023年下半年起行情恶化 主要因纯电动汽车需求增长低于预期 [2] - 中国企业崛起导致市场竞争加剧 JS Foundry新客户开发停滞 [1][2] - 美国Wolfspeed于6月申请破产保护 关联企业瑞萨电子将损失2500亿日元 [2] - 罗姆因功率半导体投资受挫 2024财年将出现11年来首次最终亏损 [2] 战略布局 - 日本政府原计划为JS Foundry设备投资提供数十亿日元补贴 [1] - 公司曾计划2025年进军碳化硅功率半导体领域 但与海外企业资本合作谈判破裂 [2]
中国SiC碳化硅功率半导体产业“结硬寨,打呆仗”的破局之路
搜狐财经· 2025-06-01 20:45
中国SiC碳化硅功率半导体产业发展路径 - 行业以IDM模式突破技术封锁,通过成本优势和资本耐力抢占市场,长期价值显著[1][24] - 港交所18C章为特专科技公司设计,放宽盈利要求,强调技术壁垒与商业化潜力,中国SiC企业符合"先进硬件"定位[6] - 行业收入CAGR达59.9%,研发投入占比超30%,毛利率从-48.6%改善至-9.7%,车规级模块占收入48.7%[8] 产能与市场竞争格局 - 无锡封装基地产能利用率52.6%,深圳光明晶圆厂45.2%,仍计划投资6.2亿元扩建深圳及中山基地[9] - 新能源汽车占全球SiC需求70%,中国企业凭借成本优势(6英寸衬底价格低50-70%)挤压美企在华市占从65%降至18%[19] - 行业陷入价格战,SiC器件均价3年暴跌76%,叠加产能利用率不足加剧成本压力[19] 技术突破与产业链整合 - 企业拥有163项专利+122项申请,通过AEC-Q101和AQG324认证,HTGB测试3000小时无失效[17] - 中国SiC专利2025年Q1全球占比达35%,8英寸衬底成本降至国际水平的30%[17] - IDM模式实现全链条整合,车规模块获20家车企超50款车型design-win,8款量产上车,出货超9万件[18] 供应链与地缘挑战 - 高温离子注入机等核心设备80%依赖美日企业,3300V以上高压市场由英飞凌和三菱垄断[20] - 欧洲将SiC纳入战略储备,日本加速氧化镓研发,美国持续扩大贸易战加剧技术路线分化[21] 未来发展趋势 - 8英寸晶圆研发及扩产体现市场对技术拐点预期[21] - 头部企业从单一器件向"模块+驱动IC+仿真服务"集成,绑定49家车企深度合作[22] - 通过收购欧洲封装厂、建东南亚制造中心构建全球化供应链应对关税壁垒[23]