英伟达H200芯片对华出口计划 - 英伟达已告知中国企业，希望在2月中旬之前向中国交付首批H200图形处理器[1] - 首批出货量预计为5000至10000个芯片模块，总计约4万至8万颗H200芯片[1] - 公司计划提高H200芯片产能，以便在明年第二季度加快对中国的出货速度[1] 出口审批与政策背景 - 任何出货都取决于中国政府是否批准国内企业购买，阿里巴巴和字节跳动等公司已表达购买意愿，但北京方面尚未批准任何采购[1] - 拟议的2月份出货将是自美国总统特朗普批准向中国出口H200 GPU以来的首次交付，美国政府将从中获得25%的分成[1] - 白宫已启动跨部门审查，审查针对该系列芯片的新授权申请[1] - 特朗普的举动标志着美国政策的重大转变，此前拜登政府曾以国家安全为由禁止向中国出售所有芯片预售[3] 地缘政治与经济考量 - 分析人士认为，经济因素可能优先于国家安全问题，半导体已成为美中贸易关系紧张的核心症结之一[3] - 有分析师指出，这实际上是一笔“以芯片换取珍贵稀土材料”的交易，中国可能很快会放松对稀土材料的出口限制[3] - 任何向中国出口H200芯片的行动都将面临美国国会的严格审查，有议员要求披露许可证详细信息并评估芯片出口的军事潜力[3] 产品定位与市场影响 - 英伟达H200 GPU广泛应用于人工智能领域，尽管它是上一代处理器，已被该公司更新的Blackwell芯片所取代[4] - 由于公司将更多精力放在Blackwell芯片上，H200芯片的供应量被认为较为紧张[4] - 中国官员正在权衡是否允许进口，担心这会阻碍中国自身的芯片制造进程和创新速度[4] - 一种可能的解决方案是，要求中国企业每购买一块H200，就必须购买一定数量的国产芯片[4] 公司声明 - 英伟达发言人表示，向中国授权客户销售H200显卡不会影响公司向美国客户供货的能力[5]

核心观点 报告的核心观点是，电力设备与新能源行业在特高压、可控核聚变、人工智能算力、储能及新能源车等多个领域均出现积极进展，行业整体维持高景气度，并存在结构性投资机会 [2] 行业动态与政策 - **中央定调能源战略**：中央经济工作会议将“坚持‘双碳’引领，推动全面绿色转型”列为重点任务，强调加快新型能源体系建设，目标到2030年非化石能源消费占比达到25%左右 [61][62] - **全国首个省内特高压项目获批**：浙江特高压交流环网工程正式获批，总投资达293亿元人民币，计划新增变电容量1800万千伏安，新建线路508.05千米，预计2029年投运 [2][63][64] - **可控核聚变商业化加速**：ITER组织正式全球开源其核心仿真工具IMAS，旨在加速全球聚变能源的研发和商业化进程 [2][65][67] - **华电能源发布风光投资新规**：规定风光及大型基地项目资本金内部收益率不得低于6.5%，储能项目不低于6.5%，屋顶分布式光伏不低于7% [3][73][74] - **光伏行业成立收储平台**：由9家硅料龙头企业联合组建北京光和谦成科技有限责任公司，注册资本30亿元，旨在通过市场化手段收储约100万吨落后产能 [4][81] 技术与产品进展 - **AI算力供应迎来转机**：英伟达H200 GPU正式获得向中国市场合规供应的出口许可，其性能较上一代产品提升明显，将有助于国内厂商提升模型迭代效率 [2][69] - **OpenAI发布GPT-5.2并获迪士尼投资**：OpenAI发布新一代旗舰模型GPT-5.2，并与迪士尼达成战略合作，获后者10亿美元投资及超过200个经典角色的AI内容生成授权 [2][70][72] - **固态电池公司启动IPO**：卫蓝新能源提交IPO辅导备案，公司主营混合固液电解质电池与全固态锂电池，2025年估值185亿元 [4][75] - **机器人产业化持续推进**：北特科技、浙江荣泰、五洲新春三家企业发布公告加码布局机器人相关产能，均涉及丝杠等核心零部件 [4][79][80] 市场数据与价格 - **光伏产业链价格整体持平**：本周多晶硅、硅片、电池片、组件价格均环比持平，市场交投趋于平淡 [10][11][14][21] - **欧洲新能源汽车销量增长**：11月欧洲主流十国新能源汽车销量29.0万辆，同比增长38.8%，环比增长9.0%，渗透率达33.8% [25][26] - **中国储能招标景气度高**：11月中国储能EPC/PC、系统、电芯采招落地总规模达11.5GW/33.5GWh，容量规模同比增长86%，环比增长9% [3] - **锂电材料价格变化不一**：本周电池级碳酸锂价格9.45万元/吨，周环比上涨1.34%；三元材料523价格15.95万元/吨，周环比上涨1.27%；磷酸铁锂（动力型）价格3.76万元/吨，周环比下降3.84% [47][53] 板块投资建议 - **电力设备板块**：推荐平高电气、神马电力、华明装备，建议关注特变电工 [2] - **可控核聚变板块**：推荐许继电气，建议关注新风光、赛晶科技、国光电气、海陆重工、永鼎股份 [2] - **AI算力配套板块**：推荐东方电气、思源电气、四方股份、伊戈尔，建议关注联德股份、科士达、金盘科技、中恒电气 [2] - **风电板块**：推荐金风科技、大金重工、中天科技、东方电缆，建议关注海力风电、德力佳、金雷股份、运达股份 [3] - **储能板块**：推荐亿纬锂能、阳光电源、欣旺达、宁德时代、鹏辉能源、华宝新能，建议关注通润装备、海博思创、阿特斯、中创新航 [3] - **固态电池板块**：推荐当升科技、三祥新材，建议关注泰和科技、宏工科技、海目星 [4] - **人形机器人板块**：推荐优必选、五洲新春、科达利，建议关注信捷电气、汉威科技、新坐标、雷迪克 [4] - **光伏板块**：推荐迈为股份、协鑫科技、通威股份，建议关注海优新材、聚和材料 [4]

行业背景与挑战 - 人工智能领域算力需求爆发式增长，AI算力需求每不到六个月便实现翻倍，增速远超摩尔定律驱动的硬件算力提升速度 [2] - 中国智能算力规模2025年已突破数十万亿亿次，国家计算力指数与数字经济、GDP增长紧密相关 [2] - 行业面临双重硬件制约：摩尔定律放缓导致晶体管尺寸微缩难度加大，以及先进光刻机单次曝光尺寸固定为858平方毫米，限制了GPU等单芯片的最大面积 [2][4] - 美国长期主导计算芯片体系，其依赖指令集、工具链、操作系统构成的完整生态支撑 [2] 芯片算力提升路径 - 将芯片算力拆解为三个核心要素：晶体管集成密度 × 芯片面积 × 单个晶体管算力 [4] - 传统提升集成密度路径依赖晶体管尺寸微缩，当前已实现每平方毫米数亿个晶体管的集成，例如英伟达H200 GPU在800平方毫米面积内集成近1000亿个晶体管，但面临功耗、成本与良率挑战 [6] - 未来实现超万亿晶体管集成需依托以芯粒技术为代表的2.5D/3D集成技术，将集成维度从“面密度”拓展至“体密度” [6] 芯粒技术发展 - 芯粒技术是融合架构设计、互联设计、存储封装、电源散热及先进光刻的综合技术体系 [6] - 为推进自主生态建设，牵头组建“中国中关村高性能芯片互联技术联盟”，已制定12项团体标准、牵头编制5项国家标准 [6] - 依托国家重大项目建设“北京芯力技术创新中心”，打造芯粒技术一站式服务平台，目前该平台已完成通线并初步具备小批量量产能力 [6] 晶圆级芯片技术路线 - 国际上存在两类典型晶圆级芯片技术路线：Cerebras WSE采用的曝光厂拼接技术，以及Tesla Dojo采用的完好晶粒结合有机基板重塑晶圆路线 [7] - 学院团队提出“硅基基板 + 完好晶粒”技术路线，经测试能支撑芯片算力达到3-15 PFlops@FP8，性能超过4纳米工艺的英伟达GB200 GPU [7] 存算一体与忆阻器技术 - 忆阻器采用“两电极 + 中间氧化层组变层”结构，通过施加电源脉冲调节电导可实现多比特非易失存储，单个忆阻器可同时承担多比特乘法器、加法器与存储单元的功能 [9] - 相比传统数字电路，忆阻器的能效比CPU、GPU提升一个数量级，且在擦写速度、耐久性、多比特存储能力及成本方面优于闪存、MRAM、PCM等其他非易失存储器 [9] - 忆阻器存算一体技术从器件材料优化、交叉阵列功能演示，发展到2018年后与CMOS电路集成打造原型芯片，呈现指数级发展趋势 [9] 忆阻器工艺突破 - 团队与中芯国际合作研发出覆盖55纳米、40纳米、28纳米、22纳米至12纳米多个节点的忆阻器集成工艺，具备良好的工艺迁移能力 [10] - 忆阻器集成规模达上百兆，良率可达4个9至6个9，实现4比特编程，40纳米、28纳米节点的存储产品已实现一定规模量产，工艺水平进入国际第一梯队 [10][12] 忆阻器核心创新方案 - 为提升计算精度，研发“混合训练架构”，研制出国际首款多阵列忆阻器存算一体系统，成功演示多层卷积神经网络计算，能效达110+ TOPS/W [12] - 为实现片上训练，提出“Stellar片上学习框架”，研制出国际首款全系统集成的支持片上高效学习的忆阻器双算力芯片，在相同任务下能耗比先进工艺数字芯片低1-2个数量级 [12] 产业化进展 - 忆阻器存储技术已相对成熟，台积电也在推进12纳米及更先进节点的忆阻器存储工艺研发 [15] - 团队孵化的企业已实现1-16MB典型规格忆阻器存储产品的量产 [15] - 孵化“北京亿元科技”初创公司，推出面向科研的存算一体硬件平台，并联合咪咕、字节跳动研发存算一体计算加速卡，在内容推荐场景开展探索性应用 [15] 未来发展方向 - 实现高算力芯片突破需依托多层次协同创新：引入存算一体新计算范式，并推动其与进程计算、主流计算架构的融合 [15] - 通过芯粒堆叠、单片三维集成等技术构建异构集成层次化芯片，突破单芯片面积限制 [15] - 团队正关注硅光、光电子融合等技术，计划引入光模块加速数据传输，丰富高效芯片的技术探索路径 [15]

特斯拉AI芯片研发进展 - 公司首席执行官宣布AI5芯片设计评审完成 并称赞该产品为史诗级芯片 同时预测AI6芯片有望成为有史以来最卓越的AI芯片 [1][2] - AI5芯片在参数规模低于2500亿的模型推理应用中表现卓越 具有硅片成本最低和性能功耗比最高的优势 [1][4] - 公司近期将芯片研发战略从两种架构调整为单一架构 集中所有人才资源专注于AI5和AI6芯片开发 [6] 芯片技术规格与生产规划 - AI5芯片采用先进设计与制程工艺 单位算力的硅片成本达到行业最低水平 相同功耗下实现比同类产品更高计算性能 [1] - AI5芯片定位为过渡性产品 专注于车辆推理和自动驾驶计算集群训练 由台积电代工 预计2026年底量产 [7] - AI6芯片被视为未来AI生态核心 由三星电子代工 首批样品在韩国工厂制造 大规模量产由美国得州新工厂承担（2025年投入运营） [7] 应用场景与战略意义 - AI6芯片将首先应用于机器人出租车Cybercab和人形机器人Optimus 后续可能拓展至AI数据中心领域 挑战英伟达H200等产品 [7] - 自研AI芯片是公司宏图计划关键组成部分 可提升核心产品性能 降低生产成本 增强软硬件一体化能力 减少外部供应商依赖 [8] - 芯片研发进展显示公司在AI领域的技术积累与研发实力 将推动人工智能和自动驾驶行业的技术进步 [8]