台积电1.4纳米制程技术 - 台积电A14（1.4纳米级）制造技术将在性能、功耗和晶体管密度方面显著优于N2（2纳米）工艺，预计2028年投入量产 [5][7] - A14工艺每片晶圆成本高达4.5万美元，较2纳米节点价格上涨50% [5] - A14采用第二代环栅（GAA）纳米片晶体管和NanoFlex Pro技术，速度提高15%，功耗降低30%，逻辑密度是N2的1.23倍 [7][8] - A14不需要售价高达4亿美元的High NA EUV设备，台积电技术团队已找到替代方案 [9] 技术优势与成本挑战 - A14基于第二代GAAFET纳米片晶体管和新标准单元架构，相同功耗下性能提升10%-15%，相同频率下功耗降低25%-30%，晶体管密度提高20%-23% [8] - NanoFlex Pro技术允许设计人员灵活设计产品，实现最佳功率性能优势 [8] - 未来节点光刻成本可能增加高达20%，主要由于光源功率限制和光学元件磨损 [19][20] 潜在客户分析 - 台积电最TOP客户包括英伟达、苹果、联发科、英特尔、高通和博通等 [12] - 英伟达对台积电收入贡献将从2023年5%-10%增长至2025年20%以上，与苹果份额持平 [13] - 苹果2025年2纳米订单规模可能达1万亿新台币（约330亿美元），占台积电营收60% [14] - 谷歌、微软、AWS和META等云服务提供商也可能成为1.4纳米客户 [15] 行业趋势与未来展望 - 1.4纳米晶圆成本已达4.5万美元，但未来仍有上涨空间 [18] - 先进制程节点成本持续攀升，主要受光刻技术、EDA和IP成本上升影响 [19][20] - 半导体行业向更先进制程节点发展，但成本压力日益显著 [5][18]

半导体制造工艺竞争 - 台积电正在从FinFET转向Nanosheet架构，并探索CFET（垂直堆叠NFET和PFET）作为器件微缩方案，2023年展示栅极间距48纳米的CFET晶体管，2024年推出最小CFET反相器[1][3][5] - 台积电在二维沟道材料取得突破，首次展示堆叠纳米片架构中单层沟道的电性能，开发出工作电压1V的反相器[5] - 台积电计划开发新型互连技术，包括铜互连新通孔方案、新型铜阻挡层，以及研究气隙金属材料和插层石墨烯以降低电阻[7] 英特尔14A工艺突破 - 英特尔14A节点（2027年风险生产）宣称功耗降低35%，性能功耗比提升15-20%，晶体管密度比18A提高1.3倍[8][9] - 采用PowerDirect背面供电网络和RibbonFET 2晶体管（四层堆叠纳米片），实现更快切换速度[9] - 推出Turbo Cell技术优化CPU/GPU关键路径，通过调整纳米带宽度和配置提升驱动电流，可在同一模块混合高速与节能单元[10][11][12] High NA EUV光刻技术路线 - 台积电放弃在A14节点使用High NA EUV（成本高2.5倍），采用0.33 NA EUV配合多重曝光保持设计复杂度，计划在A14P节点引入[13][14] - 英特尔坚持在14A节点部分层使用High NA EUV（已安装2台设备），但保留Low NA EUV备用方案，两种方案良率持平且设计规则兼容[15][16][17] - High NA EUV可减少40个工艺步骤降低成本，但需两次曝光完成全光罩，而Low NA EUV需三重曝光[18] 技术战略差异 - 台积电侧重成本控制和技术成熟度，延迟High NA EUV应用[13][14] - 英特尔通过High NA EUV寻求技术领先，但吸取10nm节点教训采用双轨开发策略降低风险[19] - 两家公司在背面供电（英特尔PowerDirect）和晶体管架构（台积电CFET/英特尔RibbonFET）上形成差异化竞争[9][3][19]

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ EUV技术自从其提出以来，面临着多重挑战，包括高成本、复杂的光学系统以及需要在高精度 下制造光罩等。然而，随着技术不断成熟，EUV逐渐突破了制程限制，尤其在10nm及以下的制 程中展现出了其不可替代的优势。 近期，英特尔、imec、美光、三星等公司纷纷宣布与EUV相关的重要进展，进一步加速了EUV 技术的商用应用及发展，这标志着EUV技术进入了新的阶段，有着显著的变革。 High NA EUV，厂商新进展 在2025年SPIE先进光刻 + 图案化技术大会上，不少顶尖的芯片厂商讨论了EUV光刻机尤其是最新一 代的High NA EUV光刻机的一些应用进展。 英特尔，季产3万片 英特尔是第一家购买High NA EUV光刻机的芯片厂商，据悉，每台机器价值高达3.5亿欧元。不过英 特尔采用这些新机器暂时用于研发用途。英特尔工程师Steve Carson在 SPIE 先进光刻+图案会议上 透露，英特尔去年在其位于俄勒冈州希尔斯伯勒附近的D1开发工厂安装并开始使用两台ASML High-NA Twinscan EXE:5000 EUV 光刻工具，目前已使用这些系统在一个季度内处 ...