新型内存技术MRDIMM - MRDIMM起源于DDR4世代的LRDIMM，采用"1+10"架构（1颗MRCD+10颗MDB），实现比标准DDR5 DIMM更高的数据吞吐量，第一代速度达8800MT/s，第二代达12800MT/s [1][2][3] - 高尺寸MRDIMM无需增加物理插槽即可扩充内存容量，适用于2U及以上服务器，在美光测试中运算效率比RDIMM提高1.7倍，数据迁移减少10倍 [4][6] - MRDIMM采用DDR5物理电气标准，缓解"内存墙"问题，在AI推理中使词元吞吐量提升1.31倍，延迟降低24%，CPU利用效率提升26% [7] 行业需求与技术瓶颈 - AI/HPC/实时分析等对内存带宽需求每年增长超10倍，CPU核心数达上百量级，但传统RDIMM带宽增长缓慢形成"内存墙"瓶颈 [5][6] - DDR5市场快速发展，MRDIMM有望成为高性能计算主内存优选方案，预计未来更多ARM架构CPU平台将支持 [12] - 澜起科技在DDR4时代主导"1+9"LRDIMM国际标准，现为全球两家可提供第一代MRCD/MDB芯片的供应商之一 [2][11] 主要厂商布局 - 英特尔至强6处理器支持MRDIMM，性能提升33%；AMD Zen6 EPYC将支持12800MT/s MRDIMM [8] - 美光2024年7月出样首代MRDIMM，SK海力士展示三款12800MT/s MRDIMM产品，最高容量256GB [9][11] - 瑞萨推出第二代MRDIMM芯片组，带宽比第一代提升1.35倍；Rambus发布支持12800MT/s的MRCD/MDB芯片及PMIC [10][9] - Cadence推出首款12800MT/s DDR5 MRDIMM IP方案，基于台积电N3工艺 [11]

AI与半导体市场 - 全球半导体市场规模预计2030年达到1万亿美元，主要驱动力为高性能计算(HPC)和人工智能(AI)应用的爆发式增长 [2] - HPC/AI将主导2030年半导体市场结构，占比45%，智能手机(25%)、汽车电子(15%)、物联网(10%)及其他(5%) [4] - AI个人电脑预计2029年出货量达2.8亿台，AI智能手机2025年出货量突破10亿部，AR/XR设备2028年出货量达5000万台 [6] - 机器人出租车和人形机器人等新兴应用至2030年每年各自需250万个高性能芯片，推动芯片在计算性能、能源效率及封装密度方面的突破 [6] 先进制程技术 N3系列 - N3系列包含已量产的N3和N3E，后续将推出N3P、N3X、N3A及N3C等版本 [7] - N3P计划2024年Q4量产，相同漏电流下性能提升5%，相同频率下功耗降低5%-10%，晶体管密度提升4% [9] - N3X支持1.2V电压，相同功率下最大性能提高5%或相同频率下功耗降低7%，漏电功率达250%，预计2024年下半年量产 [10] N2系列 - N2采用全环绕栅极(GAA)纳米片晶体管技术，相同功耗下速度提升10%-15%，相同速度下功耗降低20%-30%，晶体管密度增加15% [12][18] - N2P相比N3E性能提升18%，功耗降低36%，逻辑密度提升1.2倍，芯片密度提升≥1.15倍，计划2026年量产 [14][18] A16与A14 - A16采用超级电轨架构(背面供电技术)，相同电压下性能提升8%-10%，相同频率下功耗降低15%-20%，密度提升1.07-1.10倍，计划2026年下半年量产 [19][20] - A14基于第二代GAA晶体管技术，相同功耗下速度提升10%-15%，相同速度下功耗降低25%-30%，逻辑密度提升1.23倍，芯片密度提升1.2倍，计划2028年量产 [23] 先进封装与系统集成 - 3DFabric平台包含CoWoS、InFO和SoIC技术，支持2.5D/3D集成、高带宽内存集成及异构系统优化 [24] - SoIC-X技术实现几微米间距的无凸块集成，6微米工艺已量产，未来将进一步改进 [26] - CoWoS-L使用局部硅桥有机中介层，CoWoS-R提供纯有机中介层，InFO技术扩展至汽车应用 [28] - SoW(晶圆系统)封装技术实现比标准光罩尺寸大40倍的设计，应用于特斯拉Dojo超级计算机等尖端产品 [28][31] - HBM4通过2048位超宽接口与逻辑芯片紧密集成，解决AI/HPC对高带宽、低延迟内存的需求 [33] - 高密度电感器开发助力集成稳压器，单片PMIC可提供5倍功率传输密度(相对于PCB级) [36] 未来应用展望 - 增强现实眼镜需超低功耗处理器、高分辨率摄像头、eNVM、大型主处理器等组件，对封装复杂性和效率提出新标准 [37] - 人形机器人需大量先进硅片，依赖高密度、高能效封装技术实现集成 [40]

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：本文编译自tomshardware，谢谢。 英特尔正在测试一种新方法，以应对其高耗电芯片不断增长的发热量。在最近的 Foundry Direct Connect 活动上，该公司展示了一种实验性的封装级水冷解决方案，旨在更高效地冷却 CPU。英 特尔拥有 LGA（平面栅格阵列）和 BGA（球栅阵列）两种 CPU 的工作原型，并使用英特尔酷睿 Ultra和至强服务器处理器进行了演示。 该冷却解决方案并非将冷却液直接喷洒在硅片上，而是在封装顶部放置一个专门设计的紧凑型冷却 块，其特征是铜制微通道，可精确引导冷却液流动。这些通道可进行优化，以针对硅片上的特定热 点，从而有可能在最关键的部位改善散热效果。 对于业内人士来说，这可能一开始没有意义，但看看未来的设计，在不同的工艺节点上可能会有不 同类型的tiles并执行不同的功能，有些区域比其他区域更热是有道理的，特别是因为每个tiles都可 以与周围的tiles相互作用。 目前，英特尔代工厂拥有多种热界面材料。"新型TIM"听起来像是液态金属。某些类型的TIM更适 合不同的应用，因此存在不同的选择也是合情合理的。 | Hi ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容综合自网络，谢谢。 2024年全球半导体材料市场收入将达到675亿美元 根据SEMI的数据，2024年全球半导体材料市场收入将增长3.8%，达到675亿美元。 根据国际半导体产业协会（SEMI）材料市场数据订阅（MMDS）的数据，2024年全球半导体材 料市场收入增长3.8%，达到675亿美元。整体半导体市场的复苏，以及高性能计算和高带宽存储 器制造对先进材料需求的不断增长，支撑了2024年材料收入的增长。 台湾半导体材料产值达201亿美元，连续15年位居全球首位 中国台湾地区以201亿美元的营收连续15年成为全球最大的半导体材料消费地区。中国大陆地区 以135亿美元的营收继续实现同比增长，将在2024年位居第二；韩国则以105亿美元的营收位居 第三。除日本外，所有地区在2024年均实现了个位数增长。 | Region | 2024 | 2023 | YoY % Growth | | --- | --- | --- | --- | | Tawan | $20,090 | $18,734 | 7.2% | | China | $13.458 | $12,779 ...

财务表现 - 2024年公司实现营业收入17.8亿元，同比增长0.59%，归母净利润3.23亿元，同比下降25.19% [1] - 2025年一季度公司实现营业收入3.25亿元，同比下降13.3%，归母净利润0.5亿元，同比下降36.84% [1] 光伏业务 - 2024年国内光伏行业面临价格战压力，价格暴跌导致全产业链利润大幅收缩，光伏设备商订单量同比下降42% [2] - 公司2024年国内光伏行业订单同比2023年出现较大幅度下降 [2] - 公司加强光伏业务的海外市场拓展，在亚洲地区取得较好订单业绩，缓解国内市场压力 [2] 半导体业务 - 2024年全球半导体行业在AI、HPC及5G技术驱动下复苏，市场规模达6,280亿美元，同比增长19.1% [3] - 国内晶圆厂持续扩产及政策支持，半导体设备与材料行业可能迎来结构性机遇 [3] - 公司加大半导体及电子材料领域投入，重点攻关半导体刻蚀、薄膜沉积（CVD/PECVD）、离子注入等关键制程电源技术 [3] - 公司拓展碳化硅外延、复合铜箔等新兴领域，部分型号射频电源已实现量产，覆盖5nm刻蚀及PECVD等先进制程 [3] - 公司已申请数十项半导体电源相关专利，半导体业务有望成为第二增长曲线 [3] 投资建议 - 预计公司2025年~2027年收入分别为25.6亿元、30.46亿元、36.5亿元 [4] - 预计公司2025年~2027年归母净利润分别为5.86亿元、7.36亿元、9.03亿元 [4] - 给予25年20倍PE，对应六个月目标价53.03元，维持"买入-A"投资评级 [4]

财务表现 - 2024年公司收入1098.78亿元，同比+28.76%，归母净利润29.26亿元，同比+8.1% [1] - 2024Q4收入338.68亿元，同比+65.58%，归母净利润8.76亿元，同比+21.25% [1] - 2025Q1收入349.98亿元，同比+115.65%，归母净利润8.42亿元，同比+39.04% [2] - 2024年毛利率9.30%，同比-2.03pct，净利率2.65%，同比-0.46pct [3] - 2025Q1毛利率8.42%，同比-5.41pct，净利率2.40%，同比-1.27pct [3] 业务分项 - 高性能计算业务2024年营收632亿元，同比+28.79%，占比57.54% [4] - 数据业务营收同比+178.8%，笔电业务突破北美大客户 [4] - 智能终端业务营收353.16亿元，同比+12.93%，占比32.14%，智能手机与智能穿戴出货增长 [4] - AIoT及其他业务营收46.72亿元，同比+187.93%，游戏掌机发货超200万只，XR量产交付 [4] - 汽车电子业务营收15.62亿元，同比+91%，智能座舱与智驾域控获客户突破 [4] 战略与展望 - 推进"3+N+3"战略升级，聚焦智能终端、笔电、数据中心硬件生态，拓展汽车电子等新赛道 [5] - 2024年完成越南、印度制造规模交付，上海全球研发总部入驻 [5] - 预计2025年数据业务保持高增长，整体营收增速20%+ [5] - 2025-2027年营收预测分别为1352.54/1627.91/1915.53亿元，归母净利润35.38/41.65/47.78亿元 [6] 运营效率 - 2024年销售/管理/研发费用率分别为0.20%/2.09%/4.69%，同比优化0.08/0.45/0.64pct [3] - 2025Q1期间费用率进一步下降，销售/管理/研发费用率同比降0.10/1.25/2.75pct [3]

全球半导体材料市场 - 2024年全球半导体材料市场收入预计增长3.8%，达到675亿美元，主要受整体市场复苏及高性能计算和高带宽存储器制造对先进材料需求增长的支撑 [2] - 晶圆制造材料收入预计增长3.3%至429亿美元，封装材料收入增长4.7%至246亿美元 [2] - CMP、光刻胶及光刻胶辅助设备细分市场实现两位数增长，主要由于先进DRAM、3D NAND闪存和前沿逻辑IC所需的工艺复杂性和工序数量增加 [2] - 除硅和SOI外，所有半导体材料细分市场均实现同比增长，硅收入下降7.1%主要由于行业持续消化过剩库存 [2] 地区半导体材料消费 - 台湾地区以201亿美元营收连续15年成为全球最大半导体材料消费地区，同比增长7.2% [4][5] - 中国大陆地区以135亿美元营收位居第二，同比增长5.3% [4][5] - 韩国以105亿美元营收位居第三，同比增长0.8% [4][5] - 除日本外，所有地区在2024年均实现个位数增长，日本同比下降3.2% [4][5] 先进半导体封装市场 - 2024年先进半导体封装市场价值为180.9亿美元，预计到2031年将达到298亿美元，复合年增长率为7.5% [7] - 市场细分包括扇出型晶圆级封装、扇入型晶圆级封装、倒装芯片和2.5D/3D等类型，应用涵盖电信、汽车、航空航天和国防、医疗设备和消费电子产品 [7] - 5G密集化、云端AI加速和电动汽车普及将推动产量增长和平均售价上涨 [7] - 倒装芯片封装技术通过密集焊料凸点阵列连接芯片到基板，降低电感、信号延迟并提升带宽，适用于AI加速器、高端移动SoC和数据中心GPU [8] - 扇出型晶圆级封装提供超薄封装，适合空间受限设备，为可穿戴设备、真无线耳机、射频前端和毫米波5G模块解锁高引脚数连接 [8] 应用领域驱动因素 - 汽车电气化和自动驾驶需要高可靠性封装，ADAS域控制器、雷达、激光雷达等采用先进封装技术以满足严格标准 [8] - 电动汽车销量攀升推动一级OSAT厂商与OEM厂商之间的长期供应协议，锁定多年增长 [8] - 智能手机、AR眼镜和健康监测可穿戴设备需求增长促使OEM转向WLP、FO PLP和模压芯嵌入式封装 [9] - 大型语言模型训练和图形分析需要服务器内部巨大芯片间带宽，推动对先进封装技术的需求 [8] - 5G基站、开放式RAN无线电和边缘AI网关依赖于射频前端模块和高性能基带处理器，这些模块只能通过先进封装方法满足要求 [8]

文章核心观点 北方华创2024年报及2025年一季报业绩创新高 但高基数下业绩成长有压力 2025年半导体行业景气度大概率上行 终端需求演绎或是国产半导体设备渗透率提升重要因素 [1] 业绩表现 - 2024年公司实现营业收入298.38亿元 同比增长35.14% 归母净利润56.21亿元 同比增长44.1% [2] - 2024年四季度单季度营收规模首次突破90亿元 达94.85亿元 归母净利润环比为11.58亿元 环比减少26.52% [2] - 2025年一季度公司实现营业收入82.06亿元 同比增长37.9% 实现归母净利润15.7亿元 同比增长38.8% [1] 利润分配 - 2024年公司拟现金分红5.66亿元 提出近10年首次转增股本分配方案 拟每10股转增3.5股 [1] - 公司拟每10股现金分红10.6元并转增3.5股 [2] 主营产品情况 电子工艺装备 - 2024年该业务实现营业收入277.06亿元 同比增长41.28% 毛利率为41.5% 同比增长3.83个百分点 [2] 半导体装备 - 2024年实现收入超210亿元 约占比总营收70.4% 包括刻蚀、薄膜沉积、热处理、湿法和离子注入五大类 [3] - 刻蚀与薄膜沉积设备为主要市场需求 2024年刻蚀设备收入超80亿元 薄膜沉积设备收入超100亿元 合计收入超180亿元 占比半导体装备收入85.71% [3] - 薄膜沉积设备是首个收入超百亿的半导体大类设备 到2024年末已形成全系列布局 收入同比增长66.67% 刻蚀设备收入同比增长逾三成 [3] - 热处理设备、湿法设备2024年收入分别超20亿元、10亿元 离子注入设备2025年3月新进入市场 未对2024年业绩产生贡献 [3] 真空及新能源装备 - 包括晶体生产设备、真空热工设备、新能源光伏设备 2024年光伏进入阶段性去产能阶段 年报未披露是否对相关设备业务造成影响 [4] 电子元器件 - 2024年收入为20.94亿元 同比减少13.91% 毛利率60.32% 同比减少5.33个百分点 [2] 行业情况 - 2024年全球集成电路市场规模达6260亿美元 集成电路装备销售额达1161亿美元 中国大陆是最大需求市场 全年销售额达491亿美元 [2] - 2024年全球半导体周期景气度上行 受益于AI、HPC发展 汽车电子及消费电子回暖等因素 行业步入新一轮增长周期 [6] - 2025年AI发展势头不减 全球厂商提升AI部署资本开支 新能源汽车发展提速 高级智能汽车芯片需求量有望提升至3000颗/辆 [6] 业绩增长压力与前景 - 公司业绩基数扩大 面临业绩增速压力 新能源光伏等设备基数小 难贡献可观收入增长 光伏产业供需错配 设备需求下滑 [7] - 国产设备商本土份额已提升 后续增长要看下游需求变化 2025年半导体行业景气度上行 AI与汽车电子是需求主力军 消费电子需求提升取决于AI手机落地进展 [7] - 半导体设备大类基本实现国产替代 刻蚀等设备覆盖率突出 伴随下游需求增长 国产设备头部厂商有望保持业绩增长 [7] - 从半导体周期看 设备环节增速在景气度复苏初期最快 到顶峰阶段增速放缓 但AI与汽车电子发展使芯片工艺对设备要求更高 芯片研发到应用周期不确定 国产设备厂商本土市场份额扩大趋势确定 龙头受益最高 短中期终端需求是业绩关键 [7]

为了解决这一问题，英伟达采用了直触式液冷系统——冷却液通过直接安装在GPU和CPU等最热 部件上的冷板循环流动。这种方式的热传导效率远高于空气冷却，使得实现更密集、更强大的配置 成为可能。 与传统蒸发式冷却（需要大量水来冷却空气或水循环）不同，英伟达的方式使用了封闭回路的液体 冷却系统。在这种系统中，冷却液不断循环，不发生蒸发，从而几乎杜绝了水的损耗，大大提高了 用水效率。 据英伟达称，其液冷设计比传统冷却方法的能效高达25倍，用水效率更是高出300倍——这一主张 在运营成本与环境可持续性方面具有重要意义。 如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容来自techspot ，谢谢。 随着人工智能和高性能计算持续推动对更强大数据中心的需求，整个行业正面临一个日益严峻的挑 战：如何在不消耗不可持续的能源和水资源的情况下，为日益密集的服务器机架进行冷却。传统的 空气冷却系统曾经足以应对早期的服务器硬件，但如今在现代AI基础设施带来的强大热负载面前 已濒临极限。 这一转变在英伟达的最新产品中表现得尤为明显。该公司的GB200 NVL72和GB300 NVL72机架 级系统在计算密度上实现了重大飞跃，每个机架内 ...

台积电技术路线图更新 - 公司发布第二代GAA工艺14A，计划2028年投产，良率已提前达标，相比N2工艺在相同功耗下速度提升15%或相同速度下功耗降低30%，逻辑密度提升20%以上 [1][8][10] - A14采用NanoFlex Pro架构实现设计灵活性，首代不支持背面供电(2028年量产)，支持SPR背面供电版本计划2029年推出 [12][13][26] - 3nm工艺进展：N3P已投产，相比N3E性能提升5%或功耗降低5-10%，密度提升4%；N3X计划2025年下半年量产，支持1.2V电压但漏电增加250% [15][16][17] 先进封装技术发展 - CoWoS技术2027年将实现9.5倍光罩尺寸量产，集成12个以上HBM堆栈；SoW-X技术计算能力达现有CoWoS方案40倍，计划2027年量产 [2][39] - 3DFabric技术组合包含SoIC-P(16微米间距)和SoIC-X(几微米间距)等方案，支持芯片/晶圆级3D集成 [35][37] - 集成硅光子和高密度电感器技术将功率传输密度提升5倍，解决AI加速器数千瓦级功耗挑战 [44][47] 各应用领域技术布局 - 高性能计算：推出COUPE硅光子引擎和HBM4逻辑基片，IVR电压调节器功率密度提升5倍 [3][42] - 智能手机：N4C RF技术相比N6RF+功耗和面积减少30%，支持WiFi8和AI功能，2026年Q1风险生产 [4] - 汽车电子：N3A工艺通过AEC-Q100一级认证，满足汽车级DPPM要求，已开始应用于ADAS/AV芯片 [5] - 物联网：N6e超低功耗工艺已投产，N4e工艺继续提升边缘AI能效 [6] 半导体行业趋势 - AI驱动半导体需求快速增长，预计行业规模将突破1万亿美元，公司凭借移动SoC经验占据优势 [20][22] - N2工艺流片量首年即超N3，2026年下半年量产的N2P相比N3E速度提升18%/功耗降36%/密度1.2倍 [31][33] - 先进制程与封装需协同发展，公司正开发统一解决方案满足AR眼镜、人形机器人等未来产品需求 [49][50][52]