据悉，本次通过投资安徽晶镁助其布局光罩产业，与公司主营业务形成产业协同，有助于推动产业链资 源整合、增强上游供应链稳定性，进一步提升公司的综合竞争力。 此外，公司董事会于7月25日审议通过了《关于公司拟向安徽晶镁转让技术暨关联交易的议案》《关于 公司拟向安徽晶镁及安徽晶瑞出租厂房及厂务配套设施、设备暨关联交易的议案》，同意公司以非公开 协议方式向安徽晶镁转让技术并向安徽晶镁及其全资子公司安徽晶瑞光罩有限公司("安徽晶瑞")出租厂 房及厂务配套设施、设备。公司自2022年开始相关技术研发，并已初步建置一条光罩生产线。公司拟以 非公开协议方式将自行研发的光罩相关技术转让给安徽晶镁，技术转让价格为人民币2.77亿元。 智通财经APP讯，晶合集成(688249.SH)公告，公司拟与合肥国有资本创业投资有限公司("合肥国投")、 合肥建翔投资有限公司("合肥建翔")、合肥晶汇创芯股权投资基金合伙企业(有限合伙)("晶汇创芯")、青 岛高信智汇创业投资合伙企业(有限合伙)("青岛高信")、合肥晶汇聚芯投资基金合伙企业(有限合伙)("晶 汇聚芯")、合肥晶冠企业管理合伙企业(有限合伙)("合肥晶冠")等投资者共同向安徽晶镁 ...

High NA EUV光刻技术挑战 - 高数值孔径(0.55)EUV技术面临电路拼接难题，需采用6×6英寸掩模版拼接或改用6×11英寸掩模版[1] - High NA EUV的曝光场面积缩小至193nm浸没式/EUV光刻的一半(13平方毫米 vs 26平方毫米)，导致吞吐量减半[1] - 变形镜头解决方案在X/Y方向分别缩小4倍/8倍，进一步限制了曝光范围[2] 拼接技术对良率的影响 - 掩模间套刻误差2nm会导致关键尺寸误差≥10%[2] - 边界区域光刻胶线宽变异可达10%-20%，接触孔可能出现重复或椭圆形缺陷[4] - 黑色边框设计导致应力松弛，扭曲相邻多层结构，需保留未图案化空白区域[3] 设计优化方案 - 完全避开边界区域可使单核设计频率降低3%，功耗增加3%[5] - 采用拼接感知设计优化后，面积损失<0.5%，性能下降约0.2%[6] - 关键优化包括防止逻辑块分裂、集群化I/O端口、避免边界附近放置标准单元[6] 大尺寸掩模版替代方案 - 6×11英寸掩模版需改造14类设备，部分设备成本可能翻倍[9] - 面积翻倍加剧EUV掩模版的应力管理和缺陷控制挑战[10] - ASML现有EUV平台可支持6×11.2英寸掩模版，无需改动光学元件[9] 行业技术经济性考量 - High NA EUV工具成本近4亿美元，生产效率是晶圆厂成本效率的关键[10] - 1nm技术节点可能是大尺寸掩模版的潜在应用时点[11] - 更大掩模版可提升现有0.33 NA光刻机效率，受益范围超出尖端应用[11]

高NA EUV光刻技术挑战 - 高NA EUV光刻技术面临电路拼接或掩模版尺寸增大的选择 拼接电路需要精确对准 而改用6×11英寸掩模版可消除拼接但需更换大部分掩模制造基础设施 [2] - 高NA EUV的变形镜头将标准6×6英寸光罩曝光范围减半 导致吞吐量下降50% 需两次曝光拼接图案 [2][3] - 2nm掩模间套刻误差会导致图案关键尺寸至少10%误差 良率面临严峻挑战 [3] 拼接技术对良率的影响 - 拼接边界附近光刻胶线宽会变化 接触孔可能出现重复或椭圆形 边界区域需避免放置关键特征 [6] - 黑色边框与未图案化空白区域导致应力松弛 扭曲邻近多层结构 影响空间图像质量 [6] - 辅助特征需精心放置以防相互干扰 跨越边界的晶圆特征需考虑线端重叠与边界相互作用 [5] 拼接感知设计优化 - 完全排除边界区域电路特征可避免问题 但会导致线路绕行 增加3%功耗并降低3%最大频率 [8] - 优化措施包括防止逻辑块分裂 集群化I/O端口 避免边界附近放置标准单元 使拼接面积损失<0.5% 性能下降约0.2% [9] - 特定区域设计规则可改善边界特征打印 但会破坏整体设计一致性 [9] 大尺寸掩模版方案 - 6×11英寸掩模版可解决拼接和吞吐量问题 ASML现有EUV平台可支持该尺寸无需改动光学元件 [11] - 掩模尺寸增大将影响14类设备 部分设备成本可能翻倍 但能避免高NA工具生产效率下降 [11][12] - EUV掩模版面积翻倍加剧应力管理和缺陷控制挑战 但可提升现有0.33 NA光刻机效率 [12] - 1nm技术节点可能是引入大尺寸掩模版的合适时机 因多数设备需升级 [12]