1 4nm晶圆代工行业竞争格局 - 全球晶圆代工行业已进入1 4nm制程竞争阶段 台积电 英特尔与三星构成三大主力玩家 但技术路线与战略重心出现显著分化 [1] - 1 4nm节点名称(如14A)更多是工艺代际标识 与实际晶体管物理尺寸脱钩 研发成本与技术门槛将摩尔定律推向极限 [1] 2 三星1 4nm战略调整 - 三星宣布1 4nm量产推迟至2029年 比原计划延后2年 测试线建设与投资计划同步推迟 落后台积电2028年目标1年 [2] - 延期主因晶圆代工部门持续亏损 2023年亏损4万亿韩元 2024年Q1达2万亿韩元 战略重心转向提升2nm成熟度与稼动率 [2][3] - 当前2nm良率仅40%(台积电达60%) 计划通过优化4nm/5nm/8nm成熟工艺维持盈利 并组建专项团队攻关Exynos 2600处理器量产 [3] 3 英特尔制程路线重构 - 英特尔考虑将代工重心从18A转向14A 可能削减RibbonFET/PowerVia等18A关键技术投入 因客户吸引力不足且财务压力显著 [5][7] - 14A采用第二代RibbonFET 2与PowerDirect技术 性能提升15-20% 密度增加30% 功耗降低25% 2027年风险试产 [10] - High NA EUV设备布局领先(已安装2台) 但每年400亿美元资本支出压力与光刻机良率问题构成主要挑战 [11][12] 4 台积电技术策略 - 台积电A14节点预计2028年量产 采用NanoFlex Pro架构 速度提升10-15% 功耗降25-30% 逻辑密度增1 2倍 良率进展超前 [13][14] - 坚持谨慎技术导入策略 暂缓High NA EUV在主流节点应用(成本达普通EUV 2 5倍) 通过分阶段技术升级平衡风险与交付 [16][18] - 差异化客户定位：A14主打消费电子性价比 A14P/A16聚焦服务器/AI等溢价市场 实现技术成熟度与商业价值最大化 [19] 5 三巨头技术路线对比 - 量产时间轴：英特尔14A(2027) > 台积电A14(2028) > 三星14A(2029) [21] - High NA EUV采用：英特尔激进布局 台积电分阶段导入 三星仍处评估阶段 [21] - 竞争维度从单纯技术指标转向良率控制 成本管理及客户需求响应能力的综合比拼 [17][20]

台积电员工分红与薪酬 - 2024年台积电总计将发出1,405.9亿元新台币员工奖金及分红，年增幅逾4成，以7万员工计算平均每人可领超过200万元新台币（约合人民币50万）[1] - 分红分为四季分红和年分红两部分发放，其中半数（702.96亿元新台币）已每季发放，另半数（702.96亿元新台币）将于7月发放[2] - 具体案例：33职等、年资6年员工可领180万元新台币，32职等、年资5年、考绩S+员工可领116万元新台币[1] - 6年资历以上工程师全年薪资结构上看500万元新台币[3] 台积电财务与业绩表现 - 2024年总营收达2兆8,943亿元新台币，税后净利1兆1,732亿元新台币，均创新高[1] - EPS达45.25元新台币[1] - 业绩增长主要受高效能运算（HPC）和智能手机平台带动[1] 半导体行业技术竞争格局 - 台积电技术领先：预计2024下半年量产2纳米制程，2026下半年量产A16制程，2028年推出A14制程[5] - 台积电2纳米制程良率已突破60%，首批客户包括苹果、高通和联发科[5] - 三星推迟1.4纳米制程至2029年，转向改善2纳米以上成熟制程[4] - 三星2纳米良率不足40%，但高通有意委托其生产[5] - 英特尔18A制程面临客户兴趣缺失问题，可能认列数亿美元费用[4] 行业人才竞争与企业文化 - 台积电分红制度不再与在职状态直接挂钩，导致创新低离职率[3] - 高薪资与分红政策使台积电在半导体业抢人才大战中强化竞争力[3] - 晶圆代工业者薪资直逼一线IC设计厂[3]

三星半导体工艺进展调整 - 三星原定第二季度动工的1.4nm测试线建设计划推迟 投资延至年底或明年上半年[1] - 1.4nm工艺服务可能延期 量产时间预计推迟至2028年左右[1] - 推迟主因是晶圆代工业务市场低迷 第一季度部门亏损约2万亿韩元[1] 三星投资策略变化 - 年度设备投资计划从10万亿韩元削减至5万亿韩元 因客户订单减少和销售额下滑[1] - 采取更保守的投资策略 重心转向"强化内部结构"[1] - 集中资源于年底量产的2nm工艺[1] 2nm工艺进展 - 系统LSI部门采用2nm工艺生产年底发布的Exynos 2600应用处理器[1] - 考虑在Galaxy S26智能手机中搭载该处理器 提升2nm量产可能性[1] - 积极争取北美大型科技公司订单 包括特斯拉和高通等企业的2nm订单[2] 美国工厂规划 - 考虑在新建的美国泰勒工厂部署2nm工艺 相关工艺推进需加快[3]

国际社会热点 - 欧盟准备对价值950亿欧元的美国商品征收一揽子关税，并考虑对美国科技公司征税及限制公共采购合同[5] - 中国对英国出口额显著增长，4月进口额达60亿英镑同比增长11%，创两年多新高[10] - 德国通过2025预算草案，计划2025-2029年举债逾8000亿欧元，国防支出将增至GDP的3.5%[11][12][13] - 英国公布十年工业战略，2027年起实施竞争力计划，为高耗能企业降低用电成本最高25%[16] 人工智能 - SK集团与亚马逊合作投资51.1亿美元建设韩国最大数据中心，计划扩展至1吉瓦容量[18][19] - 高盛在全公司推出AI助手工具，已有1万名员工使用，功能包括文档总结和数据分析[22][23][24] - 德国Neura Robotics拟融资10亿欧元推出人形机器人4NE1，已积累近10亿美元订单[25][26][27][29] - 英伟达与富士康洽谈在休斯顿AI工厂部署人形机器人，目标2025Q1投运[33][34][35] - Meta与Oakley合作推出AI智能眼镜，售价499美元，集成Meta AI技术[37][38] 芯片 - Q1全球半导体晶圆代工2.0市场收入722.9亿美元同比增长13%，台积电份额达35%[40] - Meta自研MTIA v2芯片采用台积电5nm工艺，年底量产，用于AI服务器和广告推荐[41][42] - 三星泰勒晶圆厂计划2026年量产2nm工艺，已获日本AI芯片公司订单[43][44][46] - 邑文科技交付首台12英寸CCP刻蚀机，采用自主研发核心技术[47][48] - 联电计划收购南科彩晶厂房发展先进封装技术，已具备2.5D封装产能[50][51] 汽车 - 央行等六部门鼓励开展汽车贷款业务，减免以旧换新违约金[54] - 比亚迪匈牙利工厂年内投产，腾势和仰望品牌将登陆欧洲，目标跻身欧洲主流车企[55][56] - 小米YU7即将在二期项目大规模量产[57] - 上汽旗下享道出行增资至41.06亿元增幅20%[58] - 特斯拉在奥斯汀推出Robotaxi服务，收费4.2美元/次，计划扩展至千辆规模[59][60] 航空航天 - 全球首颗光子量子计算机由SpaceX发射升空，部署于550公里轨道[65] - 日本ispace公布月球着陆器坠毁原因为激光测距仪异常[66] - 亚马逊发射第二批27颗柯伊伯卫星，与星链竞争[67][68] - 通宇通讯星地互联方案已应用于我国试验星并进入国际供应链[70][71] 能源矿产 - 中国5月稀土磁铁出口量1238吨环比下降52.9%，创5年新低[74][75] - Gradiant将在宾州页岩区建锂生产工厂，锂回收率97%，2026年投产[78][79][80] - 耐普矿机拟投资9459万美元建设Alacran铜金银矿，铜品位0.41%[81]

三星晶圆代工战略调整 - 公司决定推迟原定2024年第二季度动工的1.4纳米测试线建设，投资时间延后至2024年底或2025年上半年[1] - 1.4纳米工艺量产时间可能从原计划的2025年推迟至2028年，因测试线建设延迟影响进度[1] - 推迟主因是晶圆代工业务低迷，2024年第一季度部门亏损约2万亿韩元[1] 资源重新配置 - 将年度设施投资从10万亿韩元缩减至5万亿韩元，采取保守策略应对市场疲软[1] - 集中资源推进2纳米工艺量产，目标在2024年底实现该节点商业化[1][2] - 暂停1.4纳米测试线建设后，2纳米成为2024年唯一重点投资的尖端工艺[1] 2纳米工艺进展 - 当前2纳米良率仅20-30%，需通过技术改进提升生产效率[2] - 组建专项任务组(TF)由CTO南锡宇领导，确保Exynos 2600处理器按期量产[2] - 计划将华城园区S3的部分3纳米产线转换为2纳米产线，具体时间取决于订单量[3] 客户拓展计划 - 重点争取特斯拉、高通等北美科技公司订单，以支撑2纳米产能[3] - 美国泰勒工厂可能部署2纳米工艺，加速技术迭代以满足客户需求[3] - 移动部门计划在Galaxy S26智能手机采用2纳米制程的Exynos 2600处理器[2]

韩国首富更迭与三星困境 - 三星掌门人李在镕身家减少37亿美元至78亿美元 被私募股权大佬金秉奏以95亿美元身家反超 [1][9] - 三星面临技术认证挫折 市场份额下滑 核心业务停滞 关键人物离世等多重挑战 [1][2][3] - 公司启动"危机预案" 达成72.7亿美元信贷协议 计划投入数百亿美元用于半导体研发 [4] 三星业务表现 - 智能手机全球份额从2022年21.4%降至2024年18.3% 中国市场份额萎缩至0.6% [3] - 电视业务全球市占率下降1.8个百分点至28.3% OLED面板份额从63.2%暴跌至43.2% [3] - 存储设备领域企业级SSD市场被美光 SK海力士抢占 大容量产品线出现技术断档 [3] 半导体业务挑战 - 6月HBM3E产品认证未通过 下次认证定于9月 美光良率已达70%以上 [2] - 2025Q1设备解决方案部门营业利润同比下降42% HBM销量不足是主因 [2] - 2nm制程试产良率从年初30%提升至40%以上 目标50% 量产需达70% [2][5][6] 技术研发进展 - 加速提升2nm工艺良率 计划2025年11月量产Exynos 2600芯片 [6] - 采用GAA晶体管技术 减少漏电 增强驱动电流 提升性能并降低能耗 [2][6] - 引入BSPDN技术 将电源轨置于晶圆背面 消除电源线和信号线瓶颈 [6] 公司发展历史 - 1938年李秉喆创立三星商会 最初从事食品贸易 [7] - 1969年进入电子领域 1974年进军半导体行业 [7] - 1987年李健熙接任后推动"二次创业" 使三星成为全球科技巨头 [7][8] AI时代手机行业变革 - 需与芯片制造商合作推动AI芯片研发 如骁龙8 Gen3增加NPU模块 [11] - 构建以AI为中心的生态系统 如华为HarmonyOS NEXT和荣耀MagicOS 9.0 [11] - 从硬件制造商向"硬件+服务"提供商转型 如苹果Apple Intelligence服务 [12] - 高端市场注重技术创新 中低端市场注重性价比和用户体验 [12][13]

谷歌芯片代工订单转移 - 谷歌将Tensor芯片生产从三星晶圆代工转向台积电 这一转变对三星造成重大打击 目前三星正内部讨论解决方案[1] - 谷歌与台积电签订四年合约 涵盖Pixel 14系列智能手机芯片生产 转移原因包括产量效率问题及对三星移动部门的不信任[1] - 苹果十年前也曾因担心技术泄露从三星转向台积电 历史事件与当前情况形成呼应[1] 三星代工业务困境 - 三星连续失去高通 英伟达 谷歌等大客户 这些客户均转向台积电 台积电市场份额达67.6% 而三星份额从8.1%降至7.7%[2] - 三星3纳米制程进展不顺 仅系统LSI部门采用该技术 2纳米制程同样面临良率问题[2] - 公司五年内投入数十亿美元仍未能缩小与台积电差距 2030年超越计划面临失败风险[2] 三星应对措施 - 内部讨论重组方案 包括将代工部门分拆为独立公司 或将系统LSI部分业务转移至智能手机部门[1] - 与新思科技合作提升良率 同时拓展汽车 机器人芯片市场 降低对AI和移动芯片的依赖[2] - 将Exynos 2600作为关键产品 若解决过热和性能问题 可能赢回英伟达 高通等客户[2] 行业竞争格局 - 设备解决方案(DS)部门召开全球战略会议 由副董事长Jeon Young-hyun主持 旨在强化芯片代工能力[1] - 台积电市场份额优势显著(67.6%) 技术领先性持续挤压三星生存空间[2]

三星电子半导体业务战略规划 - 公司将于6月召开全球战略会议，由DS部门负责人全永铉主持，讨论下半年经营战略，重点应对特朗普政府关税政策、中美霸权战争及中东战争带来的宏观经济不确定性 [2] - 半导体业务三大支柱面临危机：存储器半导体（DRAM/NAND）、晶圆代工、系统LSI [3] 存储器业务关键挑战 - HBM（高带宽存储器）商业化是下半年成败关键，尤其需解决HBM3E供货问题：原计划6-7月向英伟达交付8/12层产品，但需重新设计1a DRAM（第四代10nm级）并推迟量产时间 [4] - HBM4（第六代）计划年底量产，将搭载领先竞争对手一代的1c DRAM（第六代10nm级），目前正全力提升良率，预计三季度获量产许可（PRA） [4][5] 晶圆代工业务竞争态势 - 市场份额持续下滑：Q1晶圆代工市占率从8.1%降至7.7%（下降0.4pct），同期台积电从67.1%升至67.6%（增长0.5pct） [6] - 2nm工艺落后台积电：台积电已在台湾两工厂以60%良率准备量产，而公司仅与PFN、高通、特斯拉等潜在客户洽谈订单 [6][7] - 计划下半年实现2nm移动产品量产，目标搭载于明年Galaxy S26的Exynos 2600处理器 [7] 美国投资与产能布局 - 加州泰勒工厂投资370亿美元（约50万亿韩元），首座2nm工厂基本完工，获美国政府47.45亿美元补贴，但面临特朗普政府施压要求扩大投资 [8] - 投资决策谨慎：因奥斯汀工厂开工率低，若泰勒工厂引进设备将直接影响盈利，故推迟设备引入 [9]

台积电2nm工艺进展 - 台积电2nm工艺良率突破60%，显著领先三星的40% [1] - 首次采用GAA技术生产2nm芯片，预计能效提升10%-15%，能耗减少25%-30%，晶体密度比3nm提高15% [1] - 已收到2nm制程订单，首批客户包括苹果、NVIDIA、AMD、高通和联发科等3nm客户延续 [1] - AMD下一代EPYC Venice服务器CPU将采用台积电2nm工艺 [1] 三星2nm工艺布局 - 计划下半年开始生产2nm芯片，可能用于Galaxy S26的Exynos 2600处理器 [2] - 目前良率仍落后台积电20个百分点，追赶难度较大 [1][2] 行业竞争格局 - 台积电在2nm技术上的领先优势稳固，客户需求集中于高性能计算和移动领域 [1][2] - 三星虽积极布局但短期内难以撼动台积电的市场地位 [1][2]

报告行业投资评级 - 推荐|维持 [7] 报告的核心观点 - 本周海外AI芯片指数上涨0.7%较为稳定，国内AI芯片指数下跌1.7%持续调整，英伟达映射指数上涨3.0%供应链回暖，服务器ODM指数上涨4.5%预计下半年量产出货，存储芯片指数下跌3.1%，功率半导体指数下跌3.2%，A股果链指数上涨0.9%，港股果链指数上涨0.3% [1] - 4 - 5月苹果iPhone全球销量同比增长15%，2025年印度制造iPhone占全球出货量25%-30%，25Q1全球腕戴设备出货同比增长10.5%，预计2025年全球智能手机产量同比下滑1%，中国产量下降，印度预计两位数增长 [2] - 三星Exynos 2600原型芯片量产，苹果首款折叠屏明年发布，9月将发布超薄手机iPhone 17 Air，叠加三星超薄AI手机有望引发换机潮 [3] 根据相关目录分别进行总结 市场指数 - 海外芯片指数上周涨4.6%，本周续涨0.73%较稳定，台积电本周涨幅约3%，MPS下跌约2% [10] - 国内A股芯片指数上周涨2.0%，本周跌1.7%，成分股整体下滑，翱捷科技下滑约9%，澜起科技下滑约6%，海光信息涨约0.7% [10] - 英伟达映射指数上周涨10%，本周涨3.0%，英伟达一季度营收超预期，数据中心业务增长，供应链回暖，博创科技和沪电股份涨幅近9%，兆龙互连和景旺电子跌幅超4% [11] - 服务器ODM指数上周跌0.4%，本周涨4.5%，AI服务器需求旺盛，预计2025年下半年量产出货，Quanta和Wistron股价涨幅分别达64%和19% [11] - 国内存储芯片指数上周涨7.2%，本周跌3.1%，上周受益涨价，本周调整，成分股表现分化，恒烁股份等下滑超5%，香农芯创涨幅超9% [15] - 国内功率半导体指数上周稳定，本周跌3.2%，成分股均下滑，新洁能和富乐德下跌超4%，华润微等跌幅超3% [15] - 果链指数本周A股涨0.9%，港股涨0.3% [18] - 本周覆盖标的股价整体不佳，安克创新、深南电路和世运电路上涨，最高涨幅为安克创新的5.56%，10家股价下滑，最大幅度为圣邦股份的6.54% [23] 行业数据 - 4 - 5月苹果iPhone全球销量同比增15%，得益于中美需求增长，在日、印和中东两位数增长 [2][25] - 2025年3 - 5月富士康从印度出口32亿美元iPhone，97%销美国，前5个月出口美国44亿美元，预计2025年印度制造iPhone占全球出货量25%-30% [2][26] - 2025年第一季度全球腕戴设备出货4557万台，同比增10.5%，中国出货1762万台，同比增37.6%，华为、小米、苹果出货量居全球前三，华为、小米、步步高居中国前三 [2][27] - 预计2025年全球智能手机产量同比下滑1%，中国受关税影响产量下降，印度受出口需求拉动预计两位数增长，占全球产出20% [2][30] 重大事件 - 苹果召开WWDC大会，看点有系统版本统一命名、iOS设计大改等，Siri重大升级推迟至明年上半年 [33] - vivo 6月25日举行新品发布会，将推折叠屏旗舰vivo X Fold5和半入耳降噪耳机vivo TWS Air3 Pro，vivo X Fold5预计重200g左右 [33] - 三星Exynos 2600原型芯片量产，采用2nm GAA工艺，预计2026年2月Galaxy S26系列发布前2 - 3个月实际量产，目标将2nm良率提至50%，量产需达70% [34] - 安凯微上半年推出针对AI眼镜的低功耗智能视觉芯片KM01W，系统开发平台已发布，芯片处市场推广阶段 [34] - 高通6月10日宣布在越南设人工智能研发中心，3月收购越南AI研究公司VinAI生成式AI部门 [35] - 三星首款三折叠屏手机Galaxy G Fold充电功率支持降级至25W，推测因机身设计致电池舱空间局促 [35] - 苹果首款折叠屏明年发布，与iPhone 18系列同台，采用翻盖式设计，内屏7.76英寸，外屏5.49英寸 [36] - 苹果9月将发布超薄手机iPhone 17 Air，三星已推超薄AI手机S25 Edge，超薄手机有望掀买气，iPhone 17 Air据传厚5.65mm [36]