如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源 ：内容来自 Technews 。 NVIDIA执行长黄仁勋睽违15年访韩，上月30日与三星电子董事长李在镕和现代汽车集团董事长郑 义宣会面，加深在记忆体和AI超级工厂（AI Megafactory）的合作。韩国KAIST教授、HBM（高 频宽记忆体）之父Kim Jung-Ho则在Youtube节目上直言，「AI时代的主导权，正从GPU转向记忆 体 ！ 」 有 鉴 于 记 忆 体 越 来 越 重 要 ， NVIDIA 可 能 会 并 购 记 忆 体 公 司 ， 如 美 光 （ Micron ） 或 者 SanDisk。 Kim Jung-Ho表示，由于记忆体对于AI领域重要性正在不断提升，为了确保在AI领域的领导地 位，NVIDIA很可能并购记忆体公司，例如美光或者SanDisk，而非规模较大的三星或SK海力士。 他也开玩笑表示，SanDisk股价最近上涨，部分原因是数据中心对NAND Flash的需求增加，而以 SanDisk的规模来说，更适合被收购。 推荐阅读 当 来 到 AI 推 理 阶 段 时 ， 会 用 到 一 种 类 似 人 脑 的 「 注 意 力 机 ...

格隆汇11月4日丨西安奕材(688783.SH)在互动平台表示，公司深耕12英寸硅片领域的研发、生产与销 售。公司产品已用于NAND Flash/DRAM/Nor Flash等存储芯片、CPU/GPU/手机SOC/嵌入式MCU等逻辑 芯片、电源管理、显示驱动、CIS等可实现数据计算、数据存储、数据传输、人机交互等核心功能的多 品类芯片的量产制造，最终可应用于智能手机、个人电脑、数据中心、物联网、智能汽车和机器人等人 工智能时代下的各类智能终端。 ...

文章核心观点 - AI时代数据量激增和“以存代算”趋势推动存储需求从HDD转向SSD/DRAM，叠加先进制程产能向高阶产品倾斜，导致DRAM和NAND Flash供需偏紧，预计2025年第四季度价格将全面上涨，驱动存储行业进入上行周期，并带动相关设备资本开支提升 [1][3] 存储市场供需与价格展望 - 三大原厂优先分配先进制程产能给高阶服务器DRAM和HBM，挤占一般消费级DRAM产能，预计2025年第四季度整体一般型DRAM价格环比增长8%-13% [1] - HDD供给短缺与交期过长，促使云服务提供商将存储需求快速转向QLC eSSD，急单大量涌入造成市场波动，预计2025年第四季度NAND Flash各类产品合约价全面上涨，平均涨幅达5%-10% [1] - AI时代数据量从MB级迅速扩张至EB/ZB级，Sora 2等视频生成应用加速数据增长，海量“冷数据”被频繁调用转为“温/热数据”，推动存储从HDD转向SSD/DRAM [1] - AI推理端“以存代算”成为核心，Prompt经Prefill转化为结构化的KVCache与RAG向量，支撑高并发、低延迟的Decode，驱动存储体系向HBM/DRAM+CXL+SSD的分层演进 [1] 存储技术演进 - CBA+HBF工艺创新旨在打破“内存墙”对算力发展的制约，成为存储IDM未来发展的核心方向 [2] - CBA技术显著提升单位面积存储密度并优化内部互连路径，已在DRAM和NAND下一代技术升级中全面应用，国产龙头厂商合肥长鑫和长江存储加紧追赶 [2] - HBF借鉴HBM封装设计但用闪存替换部分DRAM堆栈，相比HBM具备8-16倍存储容量和非易失性存储优势，能显著缓解AI数据中心热管理和能源成本压力 [2] 半导体设备市场机遇 - AI需求拉动和存储涨价使存储行业供需偏紧，原厂有望提高资本开支以满足增长需求，半导体设备行业受益 [3] - 根据SEMI预测，2025年全球NAND设备市场规模有望达到137亿美元，同比增长42.5%，2026年预计达到150亿美元，同比增长9.7% [3] - 4F2 DRAM和3D NAND等存储新架构的创新为刻蚀、沉积、键合设备带来新的发展机遇 [3] 相关投资标的 - 需求侧建议关注德明利(001309 SZ)、江波龙(301308 SZ)、香农芯创(300475 SZ)、兆易创新(603986 SH) [4] - CBA技术带来Logicdie代工需求，建议关注晶合集成(688249 SH)、华虹公司(688347 SH) [4] - 存储原厂资本开支提升，建议关注拓荆科技(688072 SH)、北方华创(002371 SZ)、中微公司(688012 SH)、华海清科(688120 SH)、精智达(688627 SH)、华峰测控(688200 SH)、长川科技(300604 SZ) [4]

行业投资评级 - 报告对存储行业给出“推荐”评级 [7] 核心观点 - 存储行业迎来“景气周期”，AI需求拉动存储价格持续看涨，驱动行业供需偏紧 [1][9][15] - AI时代数据量从MB级向EB/ZB级跃迁，推动存储需求激增，并加速存储介质从HDD向SSD/DRAM演进 [2][18][21][22] - 推理端“以存代算”成为核心，KV Cache等结构化数据驱动存储体系向HBM/DRAM+CXL+SSD分层架构演进 [2][36] - 供给侧CBA+HBF工艺创新打破内存墙制约，成为存储IDM未来发展的核心方向 [3][40][50] - 存储上行周期带动原厂资本开支提升，半导体设备市场受益于扩产及新架构创新 [3][56][61][64] 存储周期分析 - 2024年至今进入新一轮上行周期，由AI带动服务器/PC高端存储需求增长驱动 [9] - 25Q4一般型DRAM价格预计环比增长8-13%，若加计HBM，涨幅扩大至13-18% [1][15] - 25Q4 NAND Flash合约价预计全面上涨，平均涨幅达5-10% [1][15] - 存储原厂毛利率提升至35%以上时，资本开支增加概率放大，当前行业处于供需偏紧状态 [56] 需求侧分析 - AI生成内容从文本向视频等多模态跃迁，数据量急剧扩大：Sora 2等应用推动2028年数据生成量预计达394 ZB [18][21][22] - 2035年温数据占比有望超70%，数据存储结构从“热-温-冷”三层演变为“热温-温冷”两层，推动SSD替代HDD [26] - HDD交期延长至52周以上，加速CSP将存储需求转向QLC eSSD，2024-2028年eSSD出货量CAGR达24% [28][30][32] - AI推理阶段KV Cache成为核心数据形态，支撑高并发、低延迟Decode，驱动存储分层架构演进 [36] 供给侧创新 - CBA技术通过逻辑芯片与存储芯片键合集成，提升存储密度和性能，预计带来DRAM位密度提升30% [3][40][43] - 长江存储Xtacking架构、合肥长鑫18纳米DRAM等国产技术加快追赶 [3][49] - HBF技术借鉴HBM封装设计，提供8-16倍存储容量和非易失性优势，首代技术可提供4TB VRAM容量，目标2026年下半年送样 [3][50][52][54] - 4F² DRAM、3D NAND等新架构创新依赖刻蚀、沉积、键合设备，推动存储密度持续突破 [64][68][71] 设备市场展望 - 2025年全球NAND设备市场规模预计达137亿美元，同比增长42.5%；2026年达150亿美元，同比增长9.7% [3][61] - DRAM设备销售额2024年增长40.2%至195亿美元，2025年和2026年预计分别增长6.4%和12.1% [61][62] - 刻蚀与沉积设备是存储三维化演进的核心，键合设备成为3D集成技术关键设备 [64][68][71] 投资建议 - 需求侧关注德明利、江波龙、香农芯创、兆易创新 [4][72] - CBA技术带动Logic die代工需求，关注晶合集成、华虹公司 [4][73] - 存储原厂Capex提升利好半导体设备商，关注拓荆科技、北方华创、中微公司、华海清科、精智达、华峰测控、长川科技 [4][73]

报告行业投资评级 - 行业评级：强于大市（维持评级）[2] 报告核心观点 - 全球半导体行业已步入复苏轨道，AI技术驱动是本轮增长的核心，尤其重塑了存储周期的逻辑，使其从周期性转变为结构性增长[5][7] - 存储板块迎来“超级周期”，NAND与DRAM价格全面上涨，预计第四季度DRAM价格季增8-13%（含HBM则扩大至13-18%），NAND Flash合约价平均涨幅达5-10%[7][16] - 国产替代窗口开启，国际巨头转向高端产品（如HBM、DDR5），为国内存储企业在利基市场和主流应用领域带来份额提升机会，长江存储等企业已在企业级和消费级市场快速渗透[8][17] - 产业链各环节景气度分化：AI订单强劲、汽车订单低迷、工业需求回升，代工/封测先进制程需求旺盛，设备材料环节中国市场需求强劲[5][6][15] 按目录结构总结 9月半导体总结 - 芯片交期整体趋稳，部分料号交期因需求刺激上升；存储价格显著上调，交期延长，MCU/功率/被动器件变化较小[5][14] - 订单及库存：AI订单强劲，汽车订单低迷，工业回升明显，整体库存改善[5][14] - 代工封测：订单稳定，高附加值产品为重点；封测订单增长良好，台积电等先进制程产能快速扩张[5][14] Q3半导体总结及产业链景气度 - 设备/材料需求稳定，中国市场订单良好；阿斯麦等头部厂商订单回升，Q4预期乐观[6][15] - 原厂受益于AI和存储，订单价格持续走高；晶圆代工景气度稳健复苏，成熟制程竞争激烈，先进制程供不应求[6][15] - 封装测试：日月光预计先进封测业务增长趋势持续至2026年及以后[6][15] 存储行情分析 - 行业SSD价格再度上调，近两个月512Gb/1Tb Flash Wafer现货价格累计涨幅超20%，部分SSD产品价格累计涨超30%[19][26] - 原厂DDR4供应急剧收缩，产能转向DDR5/HBM，导致消费端DRAM资源结构性短缺加剧[20] - 具体价格数据（10月21日）：1Tb TLC NAND Flash Wafer报6.70美元；DDR4 16Gb 3200价格周涨30%至13.00美元；DDR5 16Gb Major报8.50美元，周涨21.43%[21][22] 半导体产业宏观数据 - 2024年全球半导体销售额6268.7亿美元，同比增长19%；中国销售额超1700亿美元，芯片设计销售额6460.4亿元（约909.9亿美元）[35] - 2025年增长预期：逻辑芯片（+16.8%）、存储（+13.4%）、传感器（+7.0%）增速领先；8月全球半导体销售额648.8亿美元，同比增长21.7%[35][36] - 区域市场：2024年北美（+38.9%）和亚太（+17.5%）增长强劲，欧洲下滑6.7%[36] 终端应用领域表现 - 消费电子：苹果等手机厂商销量预期乐观，AI眼镜密集发布带动端侧AI SoC需求[9][18] - 新能源汽车：中国新势力订单延续高景气度，但市场两极分化[11] - 数据中心：供需短缺持续，AI大模型训练与建设为核心驱动力[11] - 工控/光伏/储能：工控需求回升，光伏市场趋稳，储能订单良好[11]

行业需求与缺货预期 - 人工智能应用带动存储器需求 预期DRAM在2026年将全年缺货 NAND Flash市场在2026年也将缺货[1] - 存储器缺货潮是结构性缺货 并非由供应商减产带动 市场存在重复下单情况[1] - 随着三星 SK海力士及美光新厂逐步投产 预期2027年DRAM缺货情况可望获得缓解[1] 产品价格与盈利展望 - 研究机构预期DDR5合约价于2026全年均将呈上涨态势 尤以上半年较显著[1] - 2026年第1季起DDR5获利将优于HBM3e 两者价差明显收敛[1][2] - 当前2026年HBM议价情况 因三大原厂在HBM3e竞争激励且买方有一定库存 预计合约价转为年减[1] 市场竞争格局变化 - 预期三年后NAND Flash市场版图将出现变化 除三星 SK海力士及铠侠外 长江存储在中国内需带动下可望跻身全球前四大厂之列[1] - 今年第2季HBM3e和DDR5仍有四倍以上价差 HBM3e能带来较佳的获利[2]

行业周期与市场展望 - AI驱动存储行业供需失衡加剧，预计开启持续数年的“超级周期”，到2027年全球存储市场规模有望向3000亿美元迈进 [1] - 存储芯片周期性显著，近13年呈现3-4年一轮的规律，当前正处于由AI算力基建与HBM技术革命驱动的第四轮周期，需求重心从个人消费端转向企业级AI资本开支 [2] - 2024年至今，AI需求驱动HBM、DDR4/DDR5及企业级SSD等市场大规模增长，改写传统周期逻辑 [2] 龙头企业财务表现 - 三星电子Q3营业利润为12.1万亿韩元，同比增长31.81%，环比大增158.55%，创下自2022年第二季度以来的最高记录 [3] - 三星电子Q3销售额为86万亿韩元，同比增长8.72%，环比增长15.33%，创下历史新高 [3] - SK海力士Q3运营利润首次突破10万亿韩元大关，达到11.38万亿韩元，同比激增62%；营收24.45万亿韩元，同比增长39%；净利润12.598万亿韩元，三项核心指标均刷新历史纪录 [3] HBM市场动态与影响 - HBM业务成为驱动业绩增长的核心引擎，12层堆叠的HBM3E及服务器DDR5等高端产品推动SK海力士毛利率攀升至57% [4] - HBM消耗的晶圆产能是标准DRAM的三倍以上，内存制造商优先生产HBM导致DRAM产能受挤压、价格攀升 [4] - 三星与SK海力士通知客户，2025年第四季度DRAM与NAND Flash产品价格将调高约30% [4] - 多家国际电子与服务器厂商积极与三星、SK海力士磋商2-3年期中长期供货协议，以锁定未来资源 [4] DRAM市场竞争格局 - 2025年Q1，SK海力士以36.9%的市占率首次超越三星电子（34.4%），终结三星长达33年的霸主地位 [5][6] - 2025年Q2，SK海力士DRAM市占率飙升至39.5%，三星市占率续跌至33.3%，两者差距扩大至6.2个百分点 [7] - 2025年Q3，SK海力士以35%的营收份额连续第三个季度稳居全球DRAM市场第一，三星电子以34%的市场份额位居第二 [8][9] - 在HBM市场，SK海力士以58%的市场份额继续占据主导地位，HBM在其第三季度DRAM总销售额中占比高达40% [10] 技术发展与产品路线 - High NA EUV光刻机能提供1.7倍更精细的电路图案和2.9倍更高的晶体管密度，光学精度提升40%，对生产2nm芯片及先进存储产品至关重要 [14] - 三星电子从ASML购入5台全新High-NA EUV光刻机，其中部分专供存储事业部，用于产品量产属首次 [14] - SK海力士已将业界首款量产型High NA EUV引进其韩国工厂 [14] - SK海力士成功开发全球首款第六代10nm等级1c制程DDR5 DRAM，并将其1c制程DRAM制造首次升级到了6层EUV光刻，良率达80%-90% [15][16] - 三星电子在1c DRAM制程开发上遭遇挑战，其HBM4良率约为50% [16] - 美光科技采用将EUV与多重图案化DUV技术结合的工艺，仅对关键金属层使用EUV光刻 [17] 未来产能与客户合作 - 12层HBM4产品的预计售价为每片500美元，较目前约300美元的12层HBM3e价格高出60%以上 [12] - SK海力士已完成与核心客户关于HBM4的供应谈判，计划于2025年第四季度启动量产出货，并已锁定2026年所有DRAM和NAND产能的客户需求 [11][12] - 三星电子计划在2025年晚些时候量产其第六代12层HBM4产品 [11] - 三星电子和SK海力士与OpenAI签署协议，作为核心合作伙伴参与其价值5000亿美元的Stargate人工智能基础设施项目 [21] - 合作包括在韩国建设两个初始容量为20兆瓦的数据中心，三星和SK海力士将扩大内存芯片产量，目标是每月90万片DRAM晶圆，据称是当前全球产能的两倍 [22][24] - Stargate订单可能包括服务器DRAM、图形DRAM甚至SSD，HBM3E带宽可达3.35TB/s，能让GPU集群效率提升30%，延迟降低20% [22][23]

公司半导体业务构成 - 公司半导体业务为DRAM和NAND Flash等集成电路产品提供封装、封装测试、模组装配和模组测试等后工序服务 [1] - 业务主要依托子公司海太半导体（无锡）有限公司和太极半导体（苏州）有限公司开展 [1] - 海太半导体主要经营范围涉及DRAM产品封装及测试、模组组装及模组测试 [1] 核心合作协议与盈利模式 - 根据海太半导体与SK海力士签订的《第四期后工序服务合同》，合作期限自2025年7月1日至2030年6月30日 [1] - 海太半导体以“全部成本+约定收益”的盈利模式为SK海力士提供半导体后工序服务 [1]

格隆汇10月31日丨太极实业(600667.SH)在投资者互动平台表示，公司半导体业务系为DRAM和NAND Flash等集成电路产品提供封装、封装测试、模组装配和模组测试等后工序服务，主要依托子公司海太 半导体（无锡）有限公司和太极半导体（苏州）有限公司开展。海太半导体主要经营范围涉及DRAM产 品封装及测试、模组组装及模组测试。根据海太半导体与SK海力士签订的《第四期后工序服务合 同》，自2025年7月1日至2030年6月30日，海太半导体以"全部成本+约定收益"的盈利模式为SK海力士 提供半导体后工序服务。 ...

行业投资评级 - 投资评级为看好 并维持此评级 [11] 核心观点 - 存储行业逻辑正从供给端控产驱动的涨价周期 转向AI需求拉动下供给缺口逐步形成的产业大周期 [2][7] - 当成长逻辑持续占优之际 持续看好存储行业的确定性机遇 [2][7] - 看好存储产业链的确定性发展机遇 包括需求成长+价格周期+国产化率持续提升的模组 存储设计公司 以及国内原厂扩产逻辑下的核心标的 [11] 需求端分析 - 据海力士三季报指引 2026年DRAM位元需求增长为20%以上 NAND Flash位元需求增长为high teen%水平 高于2025年的high teen%和mid teen%增长 [11] - AI推理端持续落地 AI服务器工作负担向通用服务器等边缘基础设施转移 为快速响应并行处理 KV Cache逐步从HBM卸载至DRAM和SSD 带动HBM DDR5 eSSD等整体存储2026年位元需求进一步增长 [11] - AI时代大量数据量产生激发对存储需求持续扩张 Nearline HDD已出现供应短缺 交期延长至52周以上 北美CSP厂商锁定机械硬盘原厂26年产能 HDD在26年将形成溢出需求 [11] - 随着AI推理端持续放量 Server端KV Cache从HBM卸载至DRAM和SSD 半导体存储HBM DDR5 NAND Flash均呈现需求确定性增长之势 [11] 供给端分析 - 过去几年存储原厂未形成有效规模产能释放 更多是基于确定性AI相关需求 将现有产能向AI存储倾斜 如HBM DDR5 QLC NAND Flash等 [11] - 由于新增产能开出周期较长 原厂依赖于稼动率提升形成的有效供给释放相对刚性 [11] 行业周期与价格展望 - 本轮存储周期核心变化是AI拉动存储需求持续攀升 行业周期从供给控产驱动的价格周期 向需求成长下供给缺口逐步形成的产业大周期演绎 [11] - 展望2026年 存储市场有望在AI强劲需求刺激下 原厂产能持续向server产品倾斜 挤占消费级供给 据TrendForce预估 26年存储有望持续实现价格上扬 上半年更为显著 [11] - 集邦咨询上修25年第四季度DRAM价格涨幅预估 从8-13%上修至18-23% HBM价格涨幅预估从13-18%上修至23-28% [27] 技术趋势与产业链 - 机械硬盘供给过于紧张 固态硬盘正加速渗透至温数据存储领域 冷数据亦有导入倾向 [16][27] - QLC SSD相较于Nearline HDD具有更强性能 更高能效 可节约约30%能耗 [16] - 报告列出了存储产业链相关公司 包括模组&分销公司 利基存储 配套产业链 长鑫/长存产业链以及封测等环节的核心标的 [27]