如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：本文编译自tomshardware，谢谢。 三星在韩国首尔举行的人工智能半导体论坛上透露，该公司计划在其HBM4中采用混合键合技术， 以降低发热量并实现超宽内存接口。相比之下，据EBN报道，该公司的竞争对手SK海力士可能会 推迟采用混合键合技术。 高带宽存储器 (HBM) 将多个存储设备堆叠在一个基片上。目前，HBM 堆栈中的存储芯片通常使 用微凸块（用于在堆叠芯片之间传输数据、电源和控制信号）连接在一起，并使用诸如模压底部填 充 (MR-MUF) 或非导电薄膜热压 (TC-NCF) 等技术进行键合。 这些芯片也通过嵌入每个芯片内部的硅通孔 (TSV) 进行垂直互连（通过每个 DRAM 芯片传输数 据、时钟、控制信号、电源和地线）。然而，随着 HBM 速度的提升和 DRAM 设备数量的增加， 微凸块会变得效率低下，因为它们会限制性能和功率效率。 这正是混合键合发挥作用的地方。混合键合是一种 3D 集成技术，通过键合铜与铜以及氧化物与氧 化物表面直接连接芯片，无需使用微凸块。混合键合支持小于 10 µm 的互连间距，与传统的基于 凸块的堆叠相比，可提供更低的电阻和 ...

SK海力士与供应商关系动态 - SK海力士与长期合作伙伴韩美半导体的同盟关系出现裂痕，同时积极引入韩华Semitec作为TC键合机新供应商 [1] - 韩华Semitec开发的TC键合机通过提升自动化功能和操作便利性获得SK海力士认可，上半年交付的设备搭载更高水平自动化运维方案并获较高供货价格 [1][3] - 韩美半导体因SK海力士转向韩华Semitec采取报复措施，将客户服务从免费转为收费并通知设备价格上调28% [2] HBM市场与产能布局 - SK海力士作为全球第一HBM供应商，今年HBM出货量已售罄，正与英伟达等客户协商明年供货计划 [2] - 公司为提升HBM产能计划在清州M15X工厂建成前追加订购TC键合机，已向韩华Semitec下单12台总金额约420亿韩元 [2] - HBM采用垂直堆叠DRAM芯片的纳米级工艺，TC键合机的技术水平对最终良率影响显著 [1] 设备技术竞争焦点 - 韩华Semitec的TC键合机以"减少人工操作"为目标，搭载数字化解决方案与自动化系统，支持8层至16层堆叠 [3] - SK海力士强调设备价格基于协商和附加选项决定，否认对韩华Semitec存在"无理由溢价" [3] - 韩美半导体向美光大规模供应TC键合机，SK海力士工厂内已有超过100台其设备 [4] 供应链关系管理 - SK海力士表示韩美半导体和韩华Semitec均为重要合作伙伴，未对任何一家持偏袒态度 [4] - 行业争议焦点在于韩华Semitec设备定价高于韩美半导体原有设备 [2]

半导体设备市场概况 - 2024年全球半导体设备销售额同比增长10%至1171.4亿美元，创历史新高[3] - 前端设备市场显著增长，晶圆加工设备销售额同比增长9%，其他前端细分市场增长5%[4] - 后端设备领域强劲复苏，封装设备销售额同比增长25%，测试设备增长20%[4] - 中国大陆、韩国和中国台湾为前三大市场，合计占全球份额74%[5] 区域市场表现 - 中国大陆半导体设备销售额同比增长35%至496亿美元，占全球市场份额42.3%[5][7] - 韩国设备支出增长3%至205亿美元，受HBM需求推动[5][7] - 中国台湾设备销售额下降16%至166亿美元，因台积电加大海外投资[5][7] 日本半导体设备行业 - 2025年1-3月日本芯片设备销售额达1.26万亿日元，同比增长26.4%，市占率30%[10] - 东京电子、迪恩士、爱德万测试、迪斯科等日本企业进入全球设备厂商Top10[12] - 迪斯科的减薄和切割设备市场份额约75%，爱德万的测试机市场份额超50%[14] 韩国半导体设备行业 - 韩美半导体营业收入同比增长638.15%，受益于HBM生产设备需求[17] - Techwing、Zeus等公司营收增长超600%，主要供应HBM相关设备[17] - 韩华半导体进入SK海力士TC键合机供应链[18] 国产半导体设备机遇 - 2025年全球半导体设备销售额预计增长7%至1210亿美元，2026年增长15%至1390亿美元[21] - 2024年中国13类主要半导体设备进口金额196.12亿美元，同比增长8.5%[23] - 离子注入机进口金额增长35.9%，分步重复光刻机进口金额减少51.1%[25] - 国产设备在去胶、清洗、刻蚀等领域表现较好，CMP、薄膜沉积设备有所突破[26] - 中微公司、北方华创为刻蚀机领军企业，盛美上海、至纯科技主导清洗设备市场[28]

混合键合技术应用 - 三星电子和SK海力士计划将混合键合技术应用于下一代HBM产品，三星可能最早于2025年用于HBM4（第六代），SK海力士则可能用于第七代HBM4E [1] - 混合键合技术通过铜对铜直接键合替代传统凸块连接，可缩小芯片尺寸并将功率效率和性能提升一倍以上 [1] - 当前HBM生产依赖TC键合机，韩国设备商（如SEMES、韩美半导体、韩华光辉）占据全球80%以上市场份额，其中韩美半导体垄断HBM3E的TC键合机供应 [2] 供应链竞争格局 - 美国应用材料公司通过收购Besi公司9%股份进入混合键合市场，Besi是全球唯一量产混合键合设备的公司 [3] - 韩国HANMI Semiconductor和Hanwha Semitech加速开发无助焊剂键合系统作为替代方案，美光正评估该技术用于下一代HBM [3] - 当前TC键合机主要供应商包括SEMES（三星）、韩美半导体（SK海力士）、Shinkawa Electric（美光）和ASMPT [2] 技术迭代与市场影响 - HBM需求激增推动韩国本土设备商订单大幅增长，买家优先选择具备稳定量产能力的供应商 [2] - 混合键合技术若普及将成为未来HBM堆叠的主流方法，可能重塑半导体设备供应链格局 [2][3] - 传统TC键合工艺通过加热加压连接DRAM芯片，需使用凸块并固定间隔堆叠，而混合键合无需凸块且密度更高 [1][2]

当这些说法在下午被报道出来时，两家公司的股价都出现了波动。 韩美半导体收盘报75,900韩元，较前一交易日下跌6,600韩元（8%），盘中一度跌破75,000韩元大 关。SK海力士也收盘下跌3,100韩元（1.68%）。 近期，SK海力士决定从韩华半导体额外采购用于高带宽存储器（HBM）的TC键合机设备，此前该 设备仅由韩美半导体供应。据报道，韩华半导体的供货金额高于韩美半导体，12台TC键合机的供 货金额为420亿韩元。 韩美半导体与 SK 海力士已保持了 8 年的 TC 键合机等半导体设备供应联盟，但有传言称，这两 家公司正走向彻底分离，但两家公司均否认这一说法，称其"毫无根据"。 SK海力士4月28日表示，有关该公司正在将热压键合机（TC键合机）供应商多元化至韩美半导体 以外，并启动对所有设备多元化的审查的说法并不属实。 如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容来自半导体芯闻综合 ，谢谢 。 对此，曾八年冻结价格的韩美半导体要求提高HBM TC键合机的价格，并将其在SK海力士工厂的 免费专用售后服务团队改为付费服务，引发了一些摩擦。一家每日经济新闻报道称："SK海力士对 韩美半导体撤回维修人 ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容来自半导体芯闻综合，谢谢。 随着SK海力士寻求多元化其热压键合机（TC键合机）供应商，韩国半导体行业正在上演一场权力 斗争。TC键合机对高带宽存储器（HBM）芯片的生产至关重要。HBM是通过将DRAM芯片堆叠 成八层或十二层而形成的，而TC键合机通过施加热量和压力将这些层粘合在一起，发挥着关键作 用。 这一转变不仅危及SK海力士与其TC键合机独家供应商韩美半导体的长期合作关系，也带来了挑战 者韩华半导体的加入。韩华半导体近期的市场进入扰乱了整个行业，加剧了紧张局势，并引发了法 律纠纷。 半导体行业消息人士于4月21日报道称，韩美半导体已从SK海力士的HBM生产线撤走了约50至60 名员工。这些员工此前负责操作TC键合机并管理产量。据报道，韩美还将TC键合机的价格提高了 约25%，并开始收取维护服务费用，而此前这些维护服务是免费的。SK海力士和韩美半导体于 2017年共同开发了TC键合机。自那时起，韩美几乎供应了SK海力士所有的TC键合机设备，并占 据了全球70%的主导市场份额。 此次冲突始于SK海力士上个月向韩华半导体公司下达的一笔价值420亿韩元（3000 ...

行业竞争格局变化 - SK海力士正在寻求多元化其热压键合机（TC键合机）供应商，打破与韩美半导体的独家合作关系[1] - 韩华半导体作为新进入者，近期获得SK海力士420亿韩元（3000万美元）的TC键合机订单，首次成为主要供应商[2] - 韩美半导体目前占据全球TC键合机市场70%的份额，此前几乎供应SK海力士全部设备[1] 供应链冲突与法律纠纷 - 韩美半导体从SK海力士HBM生产线撤走50至60名员工，并提高设备价格25%，开始收取此前免费的服务费用[1] - 韩美半导体已对韩华半导体提起多起诉讼，包括前员工竞业禁止和专利侵权案件[2] - SK海力士需平衡两家供应商关系，因TC键合机对HBM制造良率有决定性影响[2] 市场前景与行业影响 - TC键合机市场规模预计从2024年4.61亿美元增长至2027年15亿美元，增幅达225%[3] - 行业担忧韩国企业内斗可能削弱其在HBM市场的领导地位[3] - SK海力士的供应商分配决策将成为决定行业竞争格局的关键因素[3] 技术重要性 - TC键合机是HBM芯片生产核心设备，通过热压工艺实现8-12层DRAM芯片堆叠[1] - 设备选择直接影响HBM制造工艺的复杂度和产品良率[2]