公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 来源 ： 内容 编译自 chosun 。 SEMECS、韩华半导体和韩美半导体三家公司在高带宽存储器（HBM）核心半导体设备TC键合机 （TC Bonder）的竞争中处于白热化阶段，目前正加速混合键合机的量产准备工作，预计该设备将从 第六代HBM（HBM4）生产开始部分采用。三星电子和SK海力士已进行HBM4的量产测试，目前的 关键在于设备价格（比现有TC键合机高出两倍以上）以及与美国和荷兰制造的设备相比，能否确保 技术竞争力和稳定性。 据业内人士12日透露，三星电子子公司SEMECS正在与三星电子半导体（DS）部门的下一代HBM （高密度存储器）专职人员合作，对混合键合机设备进行评估。尽管目前尚未达到目标性能，但双方 正共同努力攻克DRAM堆叠和热控制等多项技术难题。SEMECS的目标是在今年年底或明年向三星电 子提供能够量产的混合键合机。 混合键合机被称为下一代HBM市场的"游戏规则改变者"。目前用于HBM制造的TC键合机通过对凸块 （例如焊料的导电凸块）施加热量和压力来堆叠芯片。相比之下，混合键合机无需单独的凸块即可连 接芯片，使其成为制造20层或更高层数 ...

公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 这两年， 存储市场一直是 计划赶不上市场变化。 HBM的爆火让SK海力士、三星和美光赚得盆满钵满，但DRAM市场的不确定性也让他们倍感焦虑。 据报道，继今年第一季度取得佳绩后，SK海力士在第二季度再次荣登全球DRAM市场榜首。与三星 电子的营收和市场份额差距进一步扩大，使SK海力士继续保持DRAM市场第一的位置。 市调机构Omdia指出，SK海力士的DRAM市场份额（基于营收）从第一季度的36.9%增长至第二季度 的39.5%，连续第二个季度取得第一名。同期，三星电子的市场份额从34.4%下滑至33.3%，仍位居 第二。两家公司之间的差距从2.5个百分点扩大至6.2个百分点。 就营收而言，SK海力士第二季度营收为122.26亿美元，三星电子为103亿美元，两者差距超过19亿美 元。事实上，这两个季度也是自1992年三星电子成为DRAM市场全球第一以来，首次让位于其他 DRAM厂商。 一场关于未来DRAM的巨变，正悄然发生。 既决高下，也分生死 先来说最关键的HBM。 步入"后AI"时代，HBM已不仅仅是高性能AI芯片的标配组件，更演变为存储行业激烈角逐的战略制 ...

先进封装驱动后端设备市场增长 - 后端设备总收入预计从2025年69亿美元增长至2030年92亿美元，复合年增长率5.8% [2] - 增长主要由HBM堆栈、小芯片模块和高I/O衬底技术推动，重塑代工厂、IDM和OSAT的供应链及工厂建设 [2] - 高精度放置、对准、键合和保护系统成为市场核心驱动力 [2] 技术细分领域增长动力 - AI和高性能计算需求推动模块级带宽、近邻性和电源效率提升，要求封装不影响良率或节拍时间 [3] - 高精度键合机、热压集群和混合键合机成为关键设备，配套材料包括先进塑封料和底部填充化学品 [3] - 供应商涵盖互连（BESI、ASMPT、Kulicke & Soffa等）、晶圆准备（DISCO、ACCRETECH）、塑封（TOWA）和计量（KLA、Nova）领域 [3] 热压键合（TCB）技术现状 - TCB通过微凸块互连提供可靠堆叠，2025年收入预计5.42亿美元，2030年增至9.36亿美元，复合年增长率11.6% [6] - 订单量受HBM3E产能爬坡和堆栈厚度增加驱动，SK海力士和美光在2025年上半年大额采购 [6] - Hanmi处于领先地位，ASMPT强于逻辑应用，Hanwha Semitech凭借早期系统进入市场，其他参与者包括Kulicke & Soffa、Shinkawa等 [6] TCB技术挑战 - 无助焊剂工艺和更细间距要求更洁净铜表面、精准计量和精确温度控制 [9] - 设备供应商需整合无氧化物处理、实时反馈和混合键合升级能力，否则将面临堆叠高度增加带来的瓶颈 [9] 混合键合技术发展 - 混合键合消除凸点并将间距推至5微米以下，是未来小芯片和HBM的战略性技术 [11] - 设备营收预计从2025年1.52亿美元增至2030年3.97亿美元，复合年增长率21.1% [11] - 晶圆对晶圆（W2W）用于3D NAND，晶粒对晶圆（D2W）成为加速器封装焦点，AMD MI300展示逻辑-内存堆叠潜力 [11] 混合键合竞争格局 - BESI处于领先地位，ASMPT、SET和Shibaura市场份额随试产转量产增加 [12] - K&S、Hanwha Semitech和Capcon计划2025年发布新平台，EV Group、SUSS MicroTec和TEL活跃于W2W领域 [12] 生态系统合作与整合 - Applied Materials收购BESI 9%股份，加速开发集成晶粒对晶圆生产线，结合放置、清洗和计量技术 [15] - 前端与后端专业知识融合，以实现亚微米级套准和低损伤表面准备目标 [15] 倒装芯片键合市场 - 2025年倒装芯片键合机市场规模4.92亿美元，2030年预计达6.22亿美元 [17] - 高端FCBGA需求来自AI加速器和大型网络ASIC，ABF基板建设推动技术发展 [17] - 工艺向无助焊剂流程推进，减少残留物并提高可靠性，仍是先进基板和桥接设计的核心 [17] 晶圆制备与保护环节 - 晶圆减薄市场2025年规模5.82亿美元，2030年增至8.45亿美元，受TSV显露和超薄晶粒普及驱动 [19] - DISCO领先减薄领域，ACCRETECH紧随其后，瓶颈在于精度、应力管理和更洁净脱胶流程 [19] - 复杂堆叠和更大封装需要更好机械保护和翘曲控制，推动封装和塑封环节发展 [19] 结构性行业转变 - 封装已成为系统本身，带宽和能耗目标在中介层和堆栈中解决，性能瓶颈转移至晶粒级组装 [21] - 资本追随前端工艺控制引入封装生产线，供应商需跨越界限合作以实现表面准备、计量和放置性能一致 [22] 测试领域影响 - HBM堆叠后增加测试步骤，提高分类测试覆盖率以确保"已知良好晶粒" [22] - 小芯片模块推动系统级测试更广泛应用，验证不同域间交互，测试供应商针对AI设备的利用率和能力需求上升 [22]

韩美半导体业绩表现 - 第二季度合并营收达1800亿韩元，营业利润达863亿韩元，营收同比增长45.8%，营业利润增长55.7%，营业利润率为47.9% [2] - 业绩增长主要受核心设备热压键合机（TC）销量推动，该设备是高带宽存储器（HBM）的关键工艺设备，供应给SK海力士和美光 [2] 韩美半导体投资计划 - 将在混合键合技术上投资1000亿韩元，计划2027年底推出混合键合机设备 [2] - 在仁川西区朱安国家工业园区投资1000亿韩元建设混合键合机工厂，预计明年下半年竣工，总建筑面积44,150坪（14,570平方米） [2] - 新工厂将生产下一代设备包括用于HBM的TC键合机、无助焊剂键合机、AI 2.5D封装的大芯片TC键合机以及用于HBM和逻辑半导体XPU的混合键合机 [2] 韩美半导体新产品进展 - 开始生产专为HBM4设计的TC Bonder 4设备，计划2025年下半年批量供应 [3] - HBM4性能比HBM3E提升60%，功耗仅为HBM3E的70%，最多可堆叠16层，每个DRAM芯片容量从24GB扩展到32GB [3] - TC Bonder 4精度显著提升以满足HBM4严苛规格要求，软件升级提升了易用性 [3] 韩美半导体技术支持 - 成立专门团队"Silver Phoenix"，由50多名经验丰富工程师组成，负责支持TC Bonder 4系统的定制、维护和优化 [4]

韩美半导体技术路线与市场策略 核心观点 - 韩美半导体董事长郭东信明确反对在HBM4和HBM5生产中采用混合键合机系统，认为TC键合机更具成本效益且符合当前技术标准 [1] - 公司计划在2027年底推出用于HBM6的混合键合机，并最早于年内推出无助焊剂键合机，以抢占技术先机 [2] - 公司在HBM TC Bonder市场占据主导地位，2024年至今在NVIDIA HBM3E市场份额达90%，并计划到2027年将HBM4/HBM5市场份额提升至95% [1] 技术优势与成本分析 - 混合键合机单台成本超100亿韩元（约合TC键合机两倍以上），而JEDEC放宽AI封装厚度标准至775μm后，TC键合机完全满足HBM4/HBM5生产需求 [1] - 公司拥有NCF型、MR-MUF型等热压接技术，自称该领域"世界顶尖"，并通过垂直生产体系（In-house）实现技术创新与成本优化 [2] 市场定位与战略布局 - 全球拥有约320家客户，已申请120项HBM设备专利，知识产权布局始于2002年 [2] - 公司认为AI市场增长将推动高规格键合机需求，正积极投资技术开发与产能扩张以应对需求 [2] 行业动态关联 - 文章推荐阅读中提及HBM技术被NVIDIA CEO黄仁勋称为"技术奇迹"，侧面印证HBM在半导体行业的重要性 [4]

LG电子进军半导体设备市场 - LG电子正研发用于高带宽存储器(HBM)的混合键合机 正式进军半导体设备市场[1] - 该举措与LG集团会长具光模对AI业务的关注高度契合 也与公司近期B2B业务扩张战略一致[1] - 公司计划与三星电子 韩华半导体等已进入HBM制造设备市场的企业展开技术竞争[1] - LG电子生产工程研究院已启动混合键合机研发 目标2028年实现量产[1] - 研究院将扩大半导体封装技术团队 招募高端人才 并与学术界开展合作[1] 混合键合机技术特点 - 混合键合机是用于连接多个半导体芯片的关键设备 技术不同于现有热压键合机[2] - 该技术无需使用"凸块"作为中间端子 可直接堆叠芯片 具有更薄组合和更低发热优势[2] - 目前技术已应用于NAND闪存和系统半导体领域 但尚未实现HBM商业化[2] - LG电子认为该技术成功开发将快速扩大销售额 确立其在半导体设备市场地位[2] 市场机会与竞争格局 - 半导体混合键合机领域领先企业包括荷兰Besi和美国应用材料公司[3] - 三星电子计划年内开始使用混合键合机生产第六代HBM(HBM4)[3] - SK海力士可能将该技术应用于第七代产品(HBM4E)[3] - 三星电子通过子公司SEMES开发HBM生产线用混合键合机[3] - 韩华半导体已向SK海力士供应TC键合机 正投资混合键合机早期商业化[3] LG电子B2B业务表现 - LG电子B2B业务(含汽车零部件和暖通空调系统)今年销售额预计超20万亿韩元[2] - B2B业务规模已与主力消费家电业务相当[2] - 混合键合机成功开发有望赢得SK海力士 美光科技和三星电子等客户[2]

公司动态 - LG电子股价因媒体报道其研发用于AI处理器的存储芯片制造工具而上涨 [1] - 公司计划在2028年实现HBM芯片用混合键合机的大规模生产 但具体时间未确定 [1] - LG电子正在进行HBM混合键合机的技术研究 [1] 行业竞争 - 韩国其他生产混合式封装设备的公司包括韩美半导体 Semes 韩华半导体技术部门 [4] - 韩美半导体股价周一跌幅达6.5% Hanwha Vision下跌4.7% 三星电子下跌1.3% [4] - 混合键合市场进入门槛高 已有实力雄厚的企业参与 [4] - 潜在国际竞争对手包括ASMPT和BE Semiconductor Industries NV [4] 技术背景 - HBM芯片由一系列DRAM芯片组成 混合键合对其制造至关重要 [1] - 混合键合技术可实现更薄的芯片堆叠 通过直接粘合相邻层电极 [1] 市场观点 - 分析师认为市场持续增长时探索新业务有意义 但需验证现有企业优势 [4] - LG电子可能面临研发和资本支出增加带来的盈利压力 销售额贡献在2030年前或受限 [4]