DRAM市场动态 - DDR4现货价单日暴涨近8%，本季以来报价已翻涨一倍以上 其中DDR4 8Gb（1G×8）3200大涨7 8%至3 775美元 DDR4 16Gb（1G×16）3200涨7 9%至8 2美元 行业人士称十年未见如此涨幅 [1] - 美光宣布停产DDR4 同时加速推进DDR5技术 其1γ工艺DDR5速度达9200MT/s 较前代提升15% 功耗降低20% 计划2026年用于旗舰智能手机 [2] 美光科技战略布局 - 公司12层堆叠36GB HBM4样品已交付客户 采用1β工艺 预计2026年量产 目标HBM市场份额达20%-25% [2] - 获英伟达SOCAMM模块独家供应权 该方案采用16个LPDDR5X芯片铜线键合技术 用于Rubin AI加速器平台 [4] - 计划投资2000亿美元扩大美国DRAM制造和研发 台湾 日本产能扩张中 爱达荷州新厂2027年投产 [4][5] 三星电子技术进展 - HBM3E认证多次延迟 最新进展是向AMD供应12层HBM3E芯片 用于MI350加速器 这是其首次官方确认HBM3E供货 [7][8] - 加速1c DRAM量产线建设 平泽P4工厂产能将扩至每月4万片 华城工厂计划年底投产 该技术将用于HBM4开发 [9][10] SK海力士市场表现 - 2025年Q1以36%份额首超三星(34%)成为DRAM市场第一 美光占25% [11] - 推迟M15X工厂设备投资计划 月产能从1 5万片下调至不足1万片 转向2024年全面投资策略 [12][13] - 公布4F² VG平台和3D DRAM技术路线图 计划通过材料创新突破制程限制 [14] 技术演进趋势 - 各厂商加速10nm级工艺竞赛 美光1γ将引入EUV 三星 SK已商业化12nm级D1a/b产品 [16] - HKMG技术普及加速 三星用于D1y DDR5 美光从1β代全面推广 SK在D1b DDR5集成 [17] - HBM技术迭代明确 2026年HBM4带宽达2TB/s 2038年HBM8将实现64TB/s 堆叠层数从12Hi增至24Hi [20][21] - 行业共识2030年后转向3D DRAM架构 平面DRAM预计持续至2033-2034年0c/0d节点 [19]

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容来自 trendforce ，谢谢。 随着HBM竞争的升温，TC（热压）键合机（利用热压键合将芯片堆叠到已加工的晶圆上）的需求 旺盛。存储器巨头们正争相锁定订单。据《今日财经》报道，韩美半导体正受到海外投资者的青 睐，尤其是美光公司和中国存储器公司。 据《朝鲜日报》报道，韩美半导体在 HBM3E TC 键合机市场占据主导地位，占有 90% 的份额。 值得注意的是，《今日金钱》的报告显示，2025年第一季度，韩美近90%的销售额来自海外，其 中美国内存巨头美光公司发挥了关键作用。据报道，美光公司今年将其140亿美元的资本支出中的 大部分投入到HBM的生产、封装、研发和测试中。 据The Elec报道，韩美半导体最近从美光公司获得了约 50 台 TC 键合机的大订单，这将比 2024 年向这家美国内存制造商出货的数十台数量要大得多。 据《今日金钱》报道，美光公司今年1月在新加坡动工兴建了一条封装生产线，同时还在美国爱达 荷州、日本广岛和台湾地区建设HBM生产设施。报道还称，该公司的目标是将其HBM市场份额提 升至个位数，以匹配其20-25%的DRAM市场份额。 ...

金教授在4月23日于国会议员会馆第9会议室举行的"AI G3强国新技术战略早餐论坛"上做主题发言 时 强 调 了 这 一 点 。 该 论 坛 由 共 同 民 主 党 议 员 郑 东 泳 与 国 民 力 量 党 议 员 崔 炯 斗 联 合 主 办 ， 主 题 为"HBM拯救韩国"。 金 教 授 以 最 近 引 发 热 议 的 OpenAI CEO 山 姆 · 奥 特 曼 （ Sam Altman ） 的 言 论 为 开 场 话 题 。 他 表 示："与其说是'因为宫崎骏风格图像转换服务的火爆而导致GPU熔化'，倒不如说是'HBM熔化'更 为准确"，因为"AI加速器中的内存处理主要由HBM负责"。 他还指出："当前阶段，GPU与HBM之间的带宽决定了AI的性能。幸运的是，韩国在HBM方面具 有很强的竞争力。" 金教授被称为"HBM之父"。2013年，SK海力士与AMD合作开发HBM时，金教授赋予了其生命 力，成为HBM技术发展至今的关键人物。他致力于系统应用、性能优化及AI应用拓展，是推动 HBM技术扩散和演进的核心人物。 他强调："AI正在支配人类"，呼吁政府与国会应在维持HBM技术主导地位方面发挥重要作用。 ...