编辑 | 小白 在技术迭代与政策共振的推动下，航空航天、低空经济和商业航天三大领域正从幕后走向台前，跃升 为备受资本市场瞩目的新增长方向。 未来10年的投资蓝海。 它们不仅承载着国家战略转型的关键使命——从"航天大国"迈向"航天强国"，也孕育着数万亿级的市 场空间。对于普通投资者而言，通过ETF基金来参与这些领域的投资，已成为分享产业红利的重要途 径。 作者 | 紫枫 风云君注意到，今年多家基金公司不约而同地发布多只这3大领域的ETF，今天我们将系统梳理目前 能交易的相关ETF基金，给咱们的老铁们多一些投资这3大新质生产力重要领域的工具。 ...

绿电交易量增长 - 2025年前5月中国绿电交易量超过2200亿千瓦时 同比增长近50% [1][2] - 2024年全国绿电交易总量突破2300亿千瓦时 达到2349亿千瓦时 同比增长2379% [2] - 2025年1~5月绿电交易电量达到220945亿千瓦时 同比增长492% [2] 电力市场化进展 - 全国市场化交易电量由2016年的11万亿千瓦时增长至2024年的62万亿千瓦时 [2] - 市场化交易电量占全社会用电量比重由17%提升至63% [2] - 2024年全国新能源市场化交易电量突破1万亿千瓦时 占全部新能源发电量比重达到55% [2] 电力市场建设 - 已初步建成适应新型电力系统的全国统一电力市场 [2] - 常态化开展跨省跨区绿电交易 推动电力资源在全国范围优化配置 [3] - 首次实现跨三个经营区绿电交易的历史性突破 [3] 市场主体发展 - 中国电力经营主体突破80万家 较2016年增长近20倍 [3] - 售电公司达到4000余家 超60万家零售用户通过零售市场购电 [3] - 独立储能 虚拟电厂 负荷聚合商等新型主体蓬勃发展 [3]

全社会用电量数据 - 5月份全社会用电量8096亿千瓦时 同比增长4 4% [1] - 1~5月全社会用电量累计39665亿千瓦时 同比增长3 4% [1] - 1~5月规模以上工业发电量37266亿千瓦时 [1] 分产业用电量(5月) - 第一产业用电量119亿千瓦时 同比增长8 4% [1] - 第二产业用电量5414亿千瓦时 同比增长2 1% [1] - 第三产业用电量1550亿千瓦时 同比增长9 4% [1] - 城乡居民生活用电量1013亿千瓦时 同比增长9 6% [1] 分产业用电量(1~5月累计) - 第一产业用电量543亿千瓦时 同比增长9 6% [1] - 第二产业用电量25914亿千瓦时 同比增长2 2% [1] - 第三产业用电量7406亿千瓦时 同比增长6 8% [1] - 城乡居民生活用电量5802亿千瓦时 同比增长3 7% [1]

国家能源局20日发布的信息显示，5月份全社会用电量8096亿千瓦时，同比增长4.4%。 分产业用电看，第一产业用电量119亿千瓦时，同比增长8.4%；第二产业用电量5414亿千瓦时， 同比增长2.1%；第三产业用电量1550亿千瓦时，同比增长9.4%。城乡居民生活用电量1013亿千 瓦时，同比增长9.6%。 1至5月，全社会用电量累计39665亿千瓦时，同比增长3.4%，其中规模以上工业发电量为37266 亿千瓦时。分产业用电看，第一产业用电量543亿千瓦时，同比增长9.6%；第二产业用电量25914 亿千瓦时，同比增长2.2%；第三产业用电量7406亿千瓦时，同比增长6.8%。城乡居民生活用电量 5802亿千瓦时，同比增长3.7%。 中国电力企业联合会统计分析，前5月，第一产业用电量中，畜牧业和农业保持较快增长，同比增 速分别为15.5%和7.2%。第二产业用电量中，高技术及装备制造业用电量增速相对领先。第三产 业用电量中，充换电服务业等新业态用电量保持高速增长，全国充换电服务业用电量同比增长 45.1%。 （戴小河） （来源：新华社） ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容编译自 semiconductor-digest 。 提 供 半 导 体 材 料 供 应 链 信 息 的 电 子 材 料 咨 询 公 司 TECHCET 预 测 ， 2025 年 硅 晶 圆 收 入 将 增 长 3.8%，达到约 140 亿美元。由于库存水平调整、订单活动增加以及半导体产量开始反弹，预计出 货量将同比增长 5.4%。TECHCET 预计，到 2029 年，晶圆收入的复合年增长率将达到 6.4%，这 得益于对 300 毫米晶圆的持续需求以及向更先进的逻辑和封装技术的过渡，正如TECHCET 的 《硅晶圆关键材料报告》中所展示的那样。 2024年，硅晶圆市场呈现下滑趋势，出货量下降3.6%至124亿平方英寸（MSI），营收下降5.8% 至约135亿美元。下滑主要归因于工业和汽车芯片市场的疲软，以及主流存储器市场疲软以及晶圆 库存过剩，这些因素限制了新订单。300毫米晶圆出货量下滑1.6%，而较小直径晶圆的出货量下降 幅度更大，尤其是LT150毫米（小于150毫米），降幅超过20%。因此，300毫米晶圆在先进器件 制造领域仍保持主导地位，这得益于其 ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容来自 Embedded computing 。 Nordic Semiconductor宣布收购Neuton.AI的知识产权和核心技术资产。此次收购将 Nordic 的 nRF54 系列超低功耗无线 SoC 与 Neuton.AI 的神经网络框架相结合，为边缘机器学习提供可扩 展的高性能人工智能。 Nordic Semiconductor 首席执行官兼总裁 Vegard Wollan 表示："这是嵌入式计算能力和效率的 一次跨越。通过将 Nordic 在低功耗无线领域的领先地位与 Neuton.AI 先进的 TinyML 平台相结 合，我们赋能开发者构建全新类型的始终在线、AI 驱动的设备——速度更快、体积更小、能效更 高。" Neuton.AI 的 IP 创新围绕其全自动平台展开，该平台可创建通常小于 5 KB 的机器学习模型，从 而实现高达 1/10 的体积和速度提升。为了简化操作，这些模型无需手动调优或数据科学知识，可 在 8 位、16 位和 32 位 MCU 上快速部署。这些平台是消费电子、医疗保健和工业市场中快速部 署边缘 AI 的理想选择。 根据 ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 在工程系统越来越复杂的今天，"软件定义"不再是单一行业的概念，而是一场跨领域的系统性重 构。在刚刚落幕的 2025 MATLAB EXPO 北京站，MathWorks 全球行业总监 Arun Mulpur 深度 解析了软件定义产品（SDP）的崛起趋势，并以其核心工具链 MATLAB 和 Simulink 为切入口， 展示了如何用"模型驱动开发"推动产品从嵌入式向智能化、可持续的全生命周期系统演进。 从软件定义汽车（SDV）向软件定义一切（Software-Defined Everything, SDE）过渡，正成为产 业数字化演进的必由之路。 软件定义，不止汽车 提到软件定义系统，很多人首先想到的是汽车，毕竟自动驾驶、电池管理、电驱控制等功能，几乎 都由软件主导。然而，Mulpur 指出，软件定义的理念和实践已全面扩展至工业、医疗、航空航 天、能源、家电等领域。 MathWorks 全球行业总监 Arun Mulpur 以德国工业设备厂商 KRONES 为例，其生产线通过虚拟环境完成新瓶型、新材料的测试与部署， 已构建起数字孪生+仿真的闭环。又如医疗领域的机器人手术系 ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容来自 scitechdaily 。 通过使深度学习以光速运行，该芯片可以让边缘设备以增强的功能执行实时数据分析。 随着越来越多的联网设备需要更大的带宽来进行远程办公和云计算等活动，管理所有用户共享的有 限无线频谱变得越来越困难。 为了解决这个问题，工程师们开始利用人工智能来动态管理无线频谱，以减少延迟并提高性能。然 而，大多数用于处理和分类无线信号的人工智能技术功耗很高，而且无法实时运行。 现在，麻省理工学院的研究人员创建了一种专门用于无线信号处理的新型AI硬件加速器。该光学 处理器以光速执行机器学习任务，可在纳秒内对无线信号进行分类。 该光子芯片的运行速度比目前最佳的数字芯片快约100倍，信号分类准确率高达95%左右。它还具 有可扩展性，可适应各种高性能计算任务。此外，与传统的数字人工智能硬件相比，该芯片体积更 小、重量更轻、价格更实惠、能效更高。 这幅图展示了艺术家对麻省理工学院研究人员开发的用于边缘设备的新型光学处理器的诠释。该处理器 能够以光速执行机器学习计算，并在纳秒级时间内对无线信号进行分类。图片来源：电子研究实验室 Sampson Wilcox ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容来自 Trendforce 。 据报道，三星寄希望于其在1c DRAM领域的进展，希望扭转HBM4时代的颓势，并大幅提升了良 率。据Sedaily报道，该公司最近在其第六代10纳米级DRAM（1c DRAM）晶圆的测试中实现了 50%至70%的良率，较去年的不足30%的水平大幅提升。 值得注意的是，与SK海力士和美光坚持使用更为成熟的HBM4 1b DRAM不同，三星正在大胆押 注下一代1c DRAM。据ZDNet报道，随着良率的稳步提升，该公司计划在其华城和平泽工厂提高 1c DRAM的产量，投资预计将于年底开始。 Sedaily 报道称，鉴于 DRAM 作为 HBM 核心组件的作用，这一进展也预示着三星的 HBM4 量产 计划将在今年晚些时候启动。 值得注意的是，据 Sedaily 援引业内消息人士称，凭借雄厚的现金储备和丰富的制造专业知识，三 星可能会重新审视其旧策略——利用规模经济来削减成本，并在 HBM4 时代凭借绝对的产量超越 竞争对手。 不过，据韩国媒体The Bell报道，与三星不同，SK海力士在1c DRAM的投资上采取了更为谨慎的 立场。 ...

在高NA曝光中，入射光以较小的角度照射到光罩上。由于EUV光学元件具有反射性，入射光可能 会在到达晶圆之前与折射光发生干扰。新思科技（Synopsys）的应用工程师Zachary Levinson解 释说，高NA系统使用变形镜头来避免这个问题，在一个方向上缩小4倍，在另一个方向上缩小8 倍。遗憾的是，这种解决方案会将标准6×6英寸光罩的曝光范围减半。 将单个电路层分割到多个光罩上会立即引发良率问题，尤其是对于尺寸本身就极具挑战性的关键 层。除了设计的两半必须彼此精确对准外，它们还必须与上方的完整场层对准。Levinson 估计， 2nm 的掩模间套刻误差将导致图案关键尺寸至少出现 10% 的误差，且不考虑任何其他误差源。 要使高NA EUV 光刻技术发挥作用，需要采用适合制造的方法来拼接电路或对更大的掩模进 行全面改变。 曝光场之间的电路拼接对高数值孔径 (0.55) EUV 转换的设计、良率和可制造性提出了挑战。替代 方案是彻底将 6×6 英寸掩模版改为 6×11 英寸掩模版，从而消除电路拼接，但需要几乎完全更换 掩模版制造基础设施。 现代多核 SoC 具有越来越大的片上内存，通常难以保持在光罩极限内，即 ...