美国军事行动 - 美国总统特朗普宣布美军成功完成对伊朗福尔多、纳坦兹和伊斯法罕三处核设施的袭击，并称伊朗关键的铀浓缩设施已被彻底摧毁 [1][3] - 美军B-2轰炸机参与袭击，福尔多核设施被投下6枚巨型钻地弹，其他核设施遭约30枚"战斧"导弹攻击 [3] - 特朗普威胁伊朗必须求和，否则美国将发动更大规模的攻击 [4] 伊朗核设施状况 - 伊朗表示三处遭袭核设施已提前转移核材料并疏散人员，未发现放射性物质泄漏迹象 [1][5] - 国际原子能机构和沙特核与辐射监管委员会未监测到辐射水平升高 [5] - 福尔多核设施位于地下约90米深处，需使用重约13.6吨的GBU-57巨型钻地炸弹才能攻击 [3] 伊朗反击与表态 - 伊朗对以色列境内目标发射新一轮弹道导弹，80多人在袭击中受伤 [6] - 伊朗总统称美国是以色列敌对行动的主谋，伊朗将采取一切必要手段维护主权 [6] - 伊朗伊斯兰革命卫队威胁将打击美国在中东地区的所有利益 [6] 国际社会反应 - 联合国秘书长古特雷斯称军事行动导致地区局势危险升级，呼吁通过外交解决 [1][8] - 中国和俄罗斯强烈谴责美国袭击伊朗核设施，称其违反国际法和《联合国宪章》 [8] - 英国和欧盟要求伊朗重返谈判桌，但伊朗外长反驳称伊朗从未离开谈判 [9] 美国后续表态 - 美国副总统称袭击为重启与伊朗的对话提供机会，国防部长强调行动目标仅为摧毁伊朗核计划 [7] - 美国官员未提供伊朗距离获得核武器仅数周时间的证据 [4]

三星电子半导体业务战略规划 - 公司将于6月召开全球战略会议，由DS部门负责人全永铉主持，讨论下半年经营战略，重点应对特朗普政府关税政策、中美霸权战争及中东战争带来的宏观经济不确定性 [2] - 半导体业务三大支柱面临危机：存储器半导体（DRAM/NAND）、晶圆代工、系统LSI [3] 存储器业务关键挑战 - HBM（高带宽存储器）商业化是下半年成败关键，尤其需解决HBM3E供货问题：原计划6-7月向英伟达交付8/12层产品，但需重新设计1a DRAM（第四代10nm级）并推迟量产时间 [4] - HBM4（第六代）计划年底量产，将搭载领先竞争对手一代的1c DRAM（第六代10nm级），目前正全力提升良率，预计三季度获量产许可（PRA） [4][5] 晶圆代工业务竞争态势 - 市场份额持续下滑：Q1晶圆代工市占率从8.1%降至7.7%（下降0.4pct），同期台积电从67.1%升至67.6%（增长0.5pct） [6] - 2nm工艺落后台积电：台积电已在台湾两工厂以60%良率准备量产，而公司仅与PFN、高通、特斯拉等潜在客户洽谈订单 [6][7] - 计划下半年实现2nm移动产品量产，目标搭载于明年Galaxy S26的Exynos 2600处理器 [7] 美国投资与产能布局 - 加州泰勒工厂投资370亿美元（约50万亿韩元），首座2nm工厂基本完工，获美国政府47.45亿美元补贴，但面临特朗普政府施压要求扩大投资 [8] - 投资决策谨慎：因奥斯汀工厂开工率低，若泰勒工厂引进设备将直接影响盈利，故推迟设备引入 [9]