核心观点 - 铁电存储器公司(FMC)与Neumonda合作在德国重新建立DRAM+生产，专注于非易失性FeRAM技术，应用领域包括人工智能、汽车、消费、工业和医疗 [1] - FMC的技术采用铁电氧化铪(HfO₂)替代传统DRAM电容器，实现高性能、低功耗和非易失性数据保留 [1] - 较旧的FeRAM技术(如PZT)容量有限且难以扩展，而HfO₂与CMOS兼容，可缩小至10nm以下，实现更高密度和性能 [2] - 两家公司合作开发新型内存产品，旨在重建欧洲本地先进内存设计和测试生态系统 [3] 技术细节 - 传统FeRAM技术使用PZT铁电层，容量通常为4MB或8MB，难以与标准CMOS工艺集成 [2] - HfO₂技术可实现千兆位到千兆字节范围的密度，更接近DRAM性能 [2] - FMC的DRAM+技术用非易失性电容器取代传统DRAM电容器，保持高性能同时提高能效 [1] 合作与战略 - Neumonda将为FMC提供先进测试系统(Rhinoe、Octopus和Raptor)，支持低成本、节能的内存测试 [3] - 合作目标是加快产品开发并重建欧洲半导体产能 [3] - FMC首席执行官强调HfO₂铁电效应的颠覆性潜力，特别是在AI计算领域 [3] 应用前景 - FMC的存储器技术适用于AI、汽车、消费电子、工业和医疗等多个领域 [1] - 技术突破可能改变内存市场格局，特别是在高性能非易失性存储领域 [1][2]

DRAM价格走势 - 2月份DRAM指标产品大宗交易价格环比下跌3%，连续6个月环比下降，创2023年12月以来最低水平 [1] - 8GB DDR4价格降至1.70美元/个，4GB产品降至1.30美元/个，均较上月下降3% [1] - 价格下跌主因PC和智能手机需求疲软，这两类终端占DRAM需求的85%（PC/服务器50%+智能手机35%） [1] 中国市场影响 - 中国补贴政策推动本土采购，长鑫存储(CXMT)主要生产DDR4并研发DDR5，加剧市场竞争 [2] - 行业调研显示，中国低价产品挤压市场，且无替代市场可选，导致卖方议价能力削弱 [2] 行业供需展望 - DRAM价格下跌趋势可能持续至2023年下半年才出现回升 [2] - 存储器制造商与设备商谈判持续以降价达成协议，反映需求端疲软态势未改 [1]