AI算力与存储需求 - AI推动算力和存储需求持续高速增长，台积电2023年第三季度收入超过指引上限，AI需求强劲程度超过此前预期 [1] - AI推理应用提升了对实时存取和高速处理海量数据的需求，推动大容量存储产品需求提升 [1] - 非AI市场正在温和复苏 [1] 半导体产业链供需与价格 - 存储芯片、部分被动元件、高阶CCL等环节已呈现供不应求、价格上涨趋势 [1] - Flash Wafer价格全面上涨，最高涨幅超过10% [1] - 国产存储厂商有望迎来量价齐升的机遇期 [1] 芯片ETF与指数构成 - 芯片ETF（512760）跟踪中华半导体芯片指数（990001），该指数聚焦中国半导体行业 [1] - 指数从A股市场选取涉及半导体设备、设计、制造等核心环节的上市公司证券作为样本 [1] - 指数侧重信息技术领域，强调国产替代与技术创新趋势，精选行业内具有代表性的企业 [1]

每日经济新闻 （责任编辑：张晓波 ） 【免责声明】本文仅代表作者本人观点，与和讯网无关。和讯网站对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容 的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考，并请自行承担全部责任。邮箱： news_center@staff.hexun.com 国信证券指出，AI推动下的算力+存力需求持续强劲，台积电3Q25收入超预期，AI需求超过此前预 期，非AI市场正在温和复苏。存储芯片、部分被动件、高阶CCL等环节已呈现供不应求、价格上涨趋 势。AI推理应用推升实时存取、高速处理海量数据的需求，大容量存储产品需求提升，Flash Wafer价格 全面上涨，最高涨幅超10%。国产算力+存力的自主可控能力及需求持续性存在预期差，国内AI产业链 不断加强本土化能力。存储周期持续上行，国产存储厂商有望迎来量价齐升机遇期。苹果正依托硬件用 户基础构建AI生态闭环，强化用户粘性与生态壁垒。海外ASIC需求旺盛，国内外厂商订单持续向好， CSP厂商自研布局加速与国内ASIC厂商合作。 科创芯片ETF国泰（589100）跟踪的是科创芯片指数（000685），单日涨跌幅限制为20%，该指数 ...

AI驱动存储行业周期 - AI浪潮驱动存储行业进入涨价新周期，NAND与DRAM价格持续上行 [1] - 在原厂控货及涨价双重驱动下，Flash Wafer价格强势上涨，1Tb Flash Wafer累计涨近15%，512Gb Flash Wafer涨超20% [1] - 服务器内存条DDR4 RDIMM 16GB 3200涨幅达66.67% [1] 存储价格市场预测 - Trendforce预估第四季度DRAM价格季增8-13%，加计HBM后涨幅扩大至13-18% [1] - NAND Flash合约价平均涨幅预估达5-10% [1] - 数据中心大容量需求高速增长，叠加智能终端渗透率提升，共同驱动市场扩容 [1] 科创芯片指数概况 - 科创芯片ETF国泰（589100）跟踪的是科创芯片指数（000685），单日涨跌幅限制为20% [1] - 该指数从科创板市场中选取涉及芯片材料、设计、制造、封装测试等全产业链环节的上市公司证券作为指数样本 [1] - 指数由50只代表性证券组成，以反映中国半导体行业相关上市公司证券的整体表现和发展趋势，具有较高的成长性和行业代表性 [1]

行业投资评级 - 对电子行业维持“增持”评级 [1][5] 核心观点 - 存储行业或迎来超级周期，核心驱动逻辑为涨价和AI驱动的需求端增长 [1] - 市场供需错配导致缺货潮，供给端头部厂商削减传统产品产能转向高阶产品，需求端AI服务器需要海量内存和存储 [4] - AI服务器需求激增，刚性需求推动存储产业景气向上，预计四季度是存储严重缺货的起点，明年产业将继续处于供货吃紧状态 [4] 市场表现与价格动态 - 电子行业指数近期表现强劲，大幅跑赢沪深300指数 [2][3] - Flash Wafer价格近一周最高涨幅超10%，其中1Tb QLC涨幅9.09%、1Tb TLC涨幅8.06%、512Gb TLC涨幅10.53%、256Gb TLC涨幅6.25% [7] - 存储芯片大厂陆续提价，三星计划将部分DRAM价格上调15%-30%，NAND闪存价格上调5%-10%；美光新价格普遍上调约20%；闪迪NAND闪存报价上调10% [7] - 受益于AI驱动存储芯片业务复苏，三星电子第三季度营业利润同比增长32%，达12.1万亿韩元（约85亿美元），创三年多以来最高季度利润；销售额同比增长8.7%，约86万亿韩元，首次单季销售额突破80万亿韩元 [7] 关键驱动因素 - OpenAI“星门”项目与三星和海力士签署每月90万片DRAM晶圆供应协议，此供应量占全球DRAM产量的约40% [4] - 头部厂商如三星、SK海力士、美光等削减DDR4等传统产品产能，转向DDR5、HBM等高阶且利润更高的产品 [4] 投资建议 - 建议关注存储产业链，具体公司包括兆易创新、江波龙、德明利、香农芯创、佰维存储等 [5] - 建议关注各供应链环节受益个股，包括联芸科技、赛腾股份、华海诚科等 [5]

（文章来源：每日经济新闻） 消电ETF（561310）跟踪的是消费电子指数（931494），该指数从市场中选取涉及智能手机、家用电 器、可穿戴设备等消费电子产品制造及相关产业链的上市公司证券作为指数样本，以反映消费电子行业 相关上市公司证券的整体表现。该指数具有较高的科技含量和成长性特征，能够较好地体现消费电子行 业的整体发展趋势。 天风证券指出，AI浪潮驱动存储涨价新周期，NAND与DRAM价格持续上行。在原厂控货及涨价驱动 下，1Tb Flash Wafer价格累计涨近15%，512Gb Flash Wafer涨超20%，服务器内存条DDR4 RDIMM 16GB 3200涨幅达66.67%。Trendforce预估第四季度DRAM价格季增8-13%（含HBM扩至13-18%）， NAND Flash合约价平均涨幅5-10%。AI技术推动存储周期从"周期"转向"结构"，数据中心大容量需求高 速增长，叠加智能终端渗透率提升，共同驱动市场扩容。 ...

AI驱动存储市场周期与价格趋势 - AI浪潮驱动存储行业进入涨价新周期 NAND与DRAM价格持续上行 [1] - 在原厂控货和涨价的共同驱动下 现货Flash Wafer价格强势上涨 其中1Tb Flash Wafer累计涨幅接近15% 512Gb Flash Wafer涨幅超过20% [1] - Trendforce预估第四季度一般型DRAM价格季度增长8-13% 若计入HBM涨幅则扩大至13-18% NAND Flash合约价平均涨幅预计达5-10% [1] 存储行业结构性变化与需求驱动 - AI技术重塑存储周期逻辑 行业从传统“周期”转向“结构”性增长 [1] - AI带动数据中心大容量存储需求高速增长 同时智能终端渗透率提升 共同推动存储器技术创新与市场扩容 [1] 科创芯片指数概况 - 科创芯片ETF国泰（589100）跟踪科创芯片指数（000685） 该指数涨跌幅限制为20% [1] - 科创芯片指数从科创板市场中选取涉及芯片材料、设计、制造、封装测试等全产业链环节的上市公司证券作为样本 由50只代表性证券组成 [1] - 该指数旨在反映中国半导体行业相关上市公司证券的整体表现和发展趋势 具有较高的成长性和行业代表性 [1]