| Ultra2 V90 SD存储卡 | 现售价格 | 调整后售价 | | --- | --- | --- | | 256G | ਰੇਰੇਰ | 1390 | | 512G | ਰੇਰੇਰ | 2590 | | 11 | 4190 | 5680 | | 2T | 8290 | 9990 | | CFB4.0高速存储卡 | 现售价格 | 调整后售价 | | 512G | 960 | 960 (不变) | | IT | 095t | 1680 | | 21 | 2180 | 2690 | | 4T | ਤੇਰੇਰਿ | 5160 | 此次涨价包括Ultra2 V90 SD存储卡和CFB 4.0高速存储卡，涨价幅度为120元至1700元。 据媒体援引第三方调研机构数据，存储芯片领域两大主要产品类别DRAM与NAND Flash现货价格9月至今均已累计上涨超过300%。 近日，影视飓风发布价格调整说明称，由于核心原材料芯片全球性供应链紧张导致的成本上升，为维持持续稳定的产品供应，自2026年1月5日12点起，上调 受影响的存储卡型号价格。 值得关注的是，截至2025年底，全球上游存储芯片正经历一轮强涨价周期，主要由于 ...

行业动态与市场趋势 - 全球AI算力竞争白热化，HBM等高性能内存成为关键战略资源，微软、谷歌、Meta等科技巨头采购团队常驻韩国争夺三星和SK海力士的有限产能，两大韩企先进产线已满负荷运转[1] - 存储芯片涨价周期自2025年三季度启动，三星、SK海力士、美光三大巨头集体上调DRAM及NAND Flash合约价，涨幅最高达60%[1] - 本轮涨价由AI服务器需求爆发与智能手机配置升级共同驱动，与此前消费电子主导的周期存在本质差异，预计涨价周期将延续至2026年[1] 供应链与竞争格局 - 科技公司为强化供应链优势，正加速将采购与供应链管理岗位向亚洲转移，招聘兼具技术与商务能力的专家[1] - 供应链紧张态势凸显，谷歌约60%的TPU所需HBM由三星供应，其追加供货请求遭SK海力士和美光拒绝，微软采购高管因供应商无法满足条件而愤然离席[1] - 谷歌近期已解雇部分采购负责人，原因是未能提前签订长期协议导致供应链风险[1] HBM市场前景与技术发展 - HBM作为AI服务器核心组件，2024年全球市场规模达56.1亿美元，预计2034年将增长至570.9亿美元，年复合增长率达26.1%[2] - HBM技术向更高带宽、更大容量迭代，头部厂商已启动HBM4量产准备[2] - 存储芯片涨价已传导至HBM、存储模组、车规级存储等领域，涵盖芯片设计、封测、设备材料等多个环节[2] 产业链与公司机会 - 国内存储产业链齐全，有望在本轮超级周期中快速发展[2] - 德明利深耕存储行业多年，以主控芯片为核心构建存储解决方案，作为存储模组企业，有望快速兑现存货涨价与补库共振的短期红利[3] - 兆易创新同时布局NOR、NAND、DRAM三大存储品类，是全球排名靠前的无晶圆厂Flash供应商[4]

文章核心观点 - AI需求推动存储行业进入“超级周期”，主要厂商大幅提价且扩产谨慎，导致供需持续紧张，行业景气度预计至少持续至2026年底 [1][2][3][4] 行业周期与驱动因素 - 存储行业为强周期行业，通常约3-4年一轮，但AI需求将本轮周期拉长至少一年，行业一致判断行情至少持续到2026年底 [2][3] - 本轮周期始于2024年，AI服务器需求增加存储芯片出货，且需要DDR5、HBM等新一代内存释放算力性能 [3] - 价格上涨核心原因：上一轮下行周期价格跌至历史极低值后的触底反弹，以及AI带来的增量需求远超预期 [3] - AI需求下，HBM产能挤占导致DDR5、LPDDR5x、GDDR7等通用内存产品价格也快速上涨 [3] - AI驱动下存储行业供需失衡加剧，预计开启持续数年“超级周期”，到2027年全球存储市场规模有望向3000亿美元迈进 [4] 价格走势与市场预测 - 瑞银预计：2024年第四季度DDR合约定价季增35%，NAND价格上涨20% [1] - 瑞银预计：2026年第一季DDR合约价将进一步上涨30%，NAND价格上涨20% [1] - TrendForce预测：2026年DRAM需求将同比增长26%，供应增长20%，存在缺口；预计2026年整体DRAM平均单价同比上涨58% [9] - TrendForce指出：LPDDR5在2026年涨幅预计非常可观，因AI客户高价争夺产能 [9] - 价格上涨已传导至终端，电脑、手机等因存储涨价成本压力大增，联想、戴尔已开始提价，可能抑制消费端需求 [9] 主要厂商动态与业绩 - **美光**：2026财年第一财季（截至2025年11月27日）调整后营收136.4亿美元，同比增长57%；经调整净利润54.82亿美元，同比增长58% [5] - **美光**：第二财季营收展望为187亿美元（上下浮动4亿美元），大幅高于市场预期的143亿美元 [5] - **三星电子**：2025年第三季度营业利润12.16万亿韩元（约85.6亿美元），同比增长32.2% [5] - **SK海力士**：2025年第三季度销售额24.45万亿韩元，环比增10%，同比增39%；营业利润11.38万亿韩元，环比增24%，同比增62% [5] - 三大存储巨头（三星、海力士、美光）在DRAM细分领域合计份额超过九成 [7] 厂商扩产策略与产能状况 - 主要厂商对扩产态度谨慎，旨在平衡需求与价格，降低供过于求风险 [8] - **三星**：表示不会快速扩建生产设施，而是优化资本支出策略 [8] - **SK海力士**：计划将约一半通用DRAM产能转向最新的10纳米级第六代1c DRAM生产；2026年约30%营收投入资本支出以加快产能转换，但短期内仍难解决供应短缺 [8] - **SK海力士**：内部分析文件显示，新DRAM工厂从建设到正常运营需数年，预计新增产能2028年才能释放 [8] - **美光**：决定退出消费级业务，将全部资源集中于数据中心业务板块以提升获利 [9] - 行业人士认为，扩产谨慎原因包括对下行周期心有余悸，以及担心AI需求被证伪后导致产能过剩 [9] 二级市场表现与目标价调整 - 瑞银将SK海力士目标价从71万韩元上调至85.3万韩元；将三星电子目标价从12.8万韩元上修至15.4万韩元 [6] - 花旗集团分析师将美光目标价从275美元上调至300美元 [6] - 2024年下半年以来，A股存储公司股价大幅上涨：香农芯创涨294.51%，东芯股份涨291.19%，江波龙涨195.51%，佰维存储涨67.17% [1] 产业链公司业绩与动态 - 2024年前三季度，中国存储芯片产业上市公司营收增长16.08%，净利润增长26.44% [6] - **江波龙**：第三季度归母净利润6.98亿元，同比大幅增长1994.42%，环比大幅上涨318.94% [6] - **香农芯创**：前三季度营业收入264亿元，同比增长59.90% [6] - **长鑫存储**：2024年10月，国产DRAM大厂长鑫存储已完成上市辅导，距离正式递表仅一步之遥 [6] 细分市场与供需结构 - AI需求打乱了存储产品换代节奏：HBM新增需求导致厂商资源倾斜，DDR5产能部分保留，DDR4产能被砍 [4] - 中国市场对DDR4仍有很大需求，预计持续两三年，DDR4紧缺导致需求转向DDR5，加剧DDR5紧张和产业链供需失衡 [4]

全球存储芯片市场现状与趋势 - 全球存储芯片市场正经历“存储荒”，供需缺口持续扩大，行业已正式开启新一轮成长周期 [1] - 韩国两大存储芯片巨头三星与SK海力士正加快内存生产以应对AI需求，SK海力士警告DRAM供应短缺状况将持续至2028年，比多数投行预测的2027年更严峻 [1] - 美光科技宣布计划于2026年2月底停止销售Crucial消费产品，转而专注于满足高性能人工智能芯片的需求 [1] 存储芯片价格走势 - 2025年9月至10月，三大存储巨头纷纷上调产品价格：美光于9月14日宣布上调存储产品价格20%-30% [3]；三星于9月22日宣布上调移动DRAM产品合约价15%-30%，同时将NAND Flash合约价上调5%-10% [3]；SK海力士于10月23日宣布2025年第四季度DRAM与NAND Flash合约价最高上调30% [4] - 截至2025年12月15日，存储现货价格持续上涨，例如DDR5 16GB价格为26.27美元，DDR4 16GB价格为50.75美元 [6] - 国内存储企业如北京君正也表示已对部分存储和计算芯片进行价格调整，部分产品在第四季度已执行新价格 [5] 行业业绩表现 - 存储芯片涨价显著提升企业业绩：美光2026财年第一季度毛利率达56.8%，环比提高11个百分点，并预计第二财季毛利率将在68%左右（上下浮动1个百分点） [2] - 受AI数据中心需求爆发驱动，美光2026财年第一季度业绩飙升57% [2] - 在存储缺货涨价潮下，三星电子和SK海力士第四季度的内存业务盈利能力预计将超过台积电，为七年来首次 [2] AI驱动的存储超级周期 - 本轮存储周期由AI产业发展驱动，AI服务器对存储芯片的需求与日俱增，核心逻辑是海量需求与头部厂商产能向高端倾斜导致的供需缺口 [8] - 与过去由手机、电脑普及带来的“量的增长”周期不同，本轮周期由AI应用从训练向推理与边缘侧转向驱动，带来结构性、爆发性需求，不仅单机存储容量大增，且对性能（带宽、速度）要求极高，直接拉动HBM、高性能DDR5等品类快速增长 [8] - 产能调整方式不同：过去多为库存调整与清理；本轮周期中，原厂将产能转向技术壁垒高、利润高的HBM、DDR5等产品，主动收缩并淘汰DDR4等产能，导致传统需求领域出现永久性供给缺口 [8] 涨价周期持续性分析 - 短期（未来1-2个季度）存储芯片涨价趋势或将延续，尤其是DDR4、中高端NAND等品类 [9] - 中长期来看，若2027年后新产能集中释放，同时AI需求增速不及预期，供需缺口逐步缩小，涨价周期可能迎来拐点 [9] - 只要AI产业持续推进，存储作为核心基础设施的需求持续存在，涨价周期或将持续较长时间 [9] - 当前存储芯片涨价传导至下游终端，会对部分消费电子需求形成抑制，但短期难以终结涨价周期 [9] 机构关注与产业链公司 - 爱建证券关注国内存储器IDM企业长江存储、专注于DRAM领域的长鑫存储以及半导体存储企业江波龙 [12] - 华福证券指出A股存储芯片细分赛道包括存储设计、封测、设备材料、特色存储及存储模组，并列举相关公司：存储设计（兆易创新、澜起科技）、存储封测（长电科技）、设备与材料（拓荆科技）、特色存储（北京君正） [12] - 中国银河看好国内存储产业链投资机遇，建议关注IC设计厂商兆易创新、普冉股份、东芯股份、北京君正、澜起科技，以及存储模组厂商德明利、香农芯创、江波龙 [13]

半导体板块市场表现 - 11月18日半导体板块强势反弹，东芯股份、华虹公司、复旦微电分别上涨8.12%、4.04%和2% [1] - 科创芯片ETF南方(588890)快速上涨1.18%，年内累计上涨56% [1] - 该ETF最新规模为25.59亿元，基金份额年内新增7.77亿份，同比飙涨336.64%，份额增长率位居同标的第一 [1] 板块上涨驱动因素 - 存储芯片涨价周期驱动，三星11月部分内存芯片价格环比上调30%-60% [1] - 国产IPO进程驱动，储芯片制造商长鑫存储可能最早于11月向投资者公布招股说明书 [1] - 三季度全球存储市场规模连续两季度成长至584.59亿美元，预计四季度将续创季度新高 [1] 行业基本面与公司动态 - 中芯国际三季度营收创单季新高，公司在投资者关系活动中表示目前存储行业供应存在缺口，预计高价位态势将持续 [1] - 科创芯片ETF南方(588890)跟踪科创板芯片指数，覆盖芯片产业上中下游，是高度纯粹的芯片产业投资工具 [1] 长期发展趋势 - 供应链安全与自主可控是长期趋势，支撑半导体板块长期发展的逻辑并未改变 [2] - 设备与材料在国产替代顶层设计下逻辑最硬，数字芯片是算力自主的核心载体，先进封测受益于技术升级 [2]