DRAM市场趋势 - 2025年第三季一般型DRAM价格预计季增10%至15%，若加计HBM则整体涨幅达15%至20% [3] - DDR4因原厂产能转向高阶产品及EOL政策导致供不应求，第三季consumer DDR4价格将季增40%至45%，而DDR5涨幅相对温和 [3] - 三大DRAM原厂将产能转向server DRAM，压缩PC DDR5和DDR4供应，第三季PC DRAM价格涨幅扩大至8%至13% [4] Server DRAM供需动态 - 资料中心建置及AI server部署推动server DDR5需求转强，DDR4因EOL引发抢货，原厂延后EOL时程导致短期供给调整空窗期 [4] - 第三季server DRAM价格受需求支撑预计上涨3%至8% [4] 移动设备DRAM价格波动 - LPDDR4X因原厂减少供应及处理器晶片升级滞后引发恐慌性需求，第三季价格将季增23%至28% [5] - LPDDR5X因旺季备货及原厂调整价差策略，第三季合约价维持5%至10%涨幅 [5] Graphics DRAM市场格局 - NVIDIA新一代显卡备货带动graphics DRAM需求，但游戏市场需求偏弱抑制拉货动能 [5] - 三大原厂切换产能至GDDR7导致GDDR6短期供不应求，第三季graphics DRAM价格涨势强劲，GDDR6尤为显著 [5]

DRAM市场趋势分析 - 2025年第三季一般型DRAM价格预计季增10%至15%，若纳入HBM则整体涨幅达15%至20% [1] - 三大DRAM原厂将产能转向高阶产品，导致PC/Server用DDR4及Mobile用LPDDR4X进入产品生命周期末期(EOL)，引发市场积极备货 [1] 各类型DRAM价格预测 PC DRAM - 第二季DDR4价格季增13~18%，第三季预计扩大至38~43% [2] - DDR5第二季涨幅3~8%，第三季涨幅30% [2] - 混合(Blended)价格第二季涨30%，第三季涨8013% [2] Server DRAM - DDR4第二季涨幅18~23%，第三季预计28~33% [2] - DDR5第二季涨幅3~8%，第三季涨幅30% [2] - 混合价格第二季和第三季均维持3~8%涨幅 [2] Mobile DRAM - LPDDR4X第二季涨幅0~5%，第三季预计大幅增长23~28% [2] - LPDDR5X第二季涨幅3~8%，第三季涨幅5~10% [2] Graphics DRAM - GDDR6第二季价格持平，第三季预计涨28~33% [2] - GDDR7第二季微降0~5%，第三季回升5~10% [2] Consumer DRAM - DDR3第二季价格持平，第三季微涨0~5% [2] - DDR4第二季涨幅18~23%，第三季涨幅40~45% [2] 供需动态与市场格局 - DDR4因产能转向高阶产品及EOL政策导致供不应求，第三季Consumer DDR4价格预计季增40~45% [4] - PC OEM提高DRAM库存水位，但原厂产能转移至Server DRAM，压缩PC DDR5/DDR4供应，第三季PC DRAM价格涨幅扩大至8~13% [5] - Server DRAM中DDR4因EOL抢货需求激增，部分原厂延后EOL时程，第三季价格涨幅3~8% [5] - LPDDR4X因原厂减少供应而需求升温，第三季价格涨幅23~28% [6] - GDDR6因产能切换至GDDR7导致短期供不应求，第三季价格显著上涨 [6]

报告公司投资评级 - 投资评级维持“买入”，目标价为170美元 [7] 报告的核心观点 - 美光FY25Q3营收盈利及下季度指引均超预期，利润率环比上升，HBM营收成增长主要动力，存储行业受益于AI普及，美光估值有望突破历史高位，重申“买入”并上调目标价 [1][2][4] 各部分总结 财务表现 - FY25Q3营收93.0亿美元，同比+37%，环比+15%，经调整EPS为1.91美元，同比+208%，环比+22%，各利润率环比上升，公司指引FY25Q4营收和经调整EPS中值高于一致预期 [2] - 预计2025-2027年营收分别为360.97亿、454.17亿、462.59亿美元，归母净利润分别为83.41亿、123.87亿、128.03亿美元 [6] 产品情况 - HBM3E供货英伟达和AMD，HBM4于6月送样计划26年初量产，预计FY25H2 HBM市占率达20 - 25%，GDDR产品受游戏显卡利好，DDR4价格上涨或反映产能转向高端产品 [3] - 美光12 - Hi 36GB HBM3E已供货英伟达和AMD，预计8月出货量超8 - Hi 24GB HBM3E，今年HBM产能售罄，销售目标约150亿美元 [12] - 美光12 - Hi HBM4于6月送样，计划26年初量产，带宽提升超60%，能效提升20%，内置内存测试功能 [14] - 美光为首家获英伟达认证的SOCAMM供应商，产品已量产并整合在英伟达平台，未来或支持下一代GPU，但发力HBM或排挤DDR5/LPDDR5X产能 [17] 价格与关税影响 - 通用DRAM价格受停产和备货影响上涨，NAND价格持平，美国关税不确定性或赋予美光战略优势 [20][24] 竞争对手情况 - 海力士、三星在HBM3E和HBM4产品的量产时间、工艺、良率等方面与美光存在差异和竞争 [13][15] 盈利预测与估值 - 美光估值应向历史高位靠拢甚至突破，重申“买入”，小幅提升FY25E营收/净利润，切换至3.0x FY26E PB，目标价上调至170美元 [38]

DRAM市场趋势 - 2025年Q1下游品牌厂提前出货加速DRAM库存去化，Q2常规DRAM价格跌幅预计收敛至0%-5%，若计入HBM则均价季增3%-8% [1] - HBM3e 12hi逐步放量推动HBM渗透率从Q1的8%升至Q2的9%，带动整体DRAM均价上行 [2] 分品类价格预测 PC DRAM - Q1 DDR4/DDR5价格分别下跌13-18%/10-15%，Q2跌幅收窄至3-8%/基本持平 [2] - 三星HBM认证延迟但未大幅转产常规DRAM，SK海力士侧重Server/Mobile DRAM导致PC DDR5供给受限 [4] Server DRAM - Q1 DDR4/DDR5价格下跌10-15%/3-8%，Q2跌幅收窄至3-8%/基本持平 [2] - 北美三大CSP扩大通用服务器采购，中国CSP聚焦AI服务器推动DDR5位元需求显著增长 [4] Mobile DRAM - Q1 LPDDR4X/LPDDR5X价格下跌8-13%/3-8%，Q2转为下跌0-5%/上涨0-5% [2] - 中国手机补贴政策提升高端机型占比，LPDDR5X因供应紧缺获主力厂商控价支撑 [6] Graphics DRAM - Q1 GDDR6/GDDR7价格下跌8-13%/0-5%，Q2跌幅收窄至3-8%/基本持平 [2] - GDDR7供应不稳定，原厂采取搭售DDR6策略以稳定价格并去库存 [6] Consumer DRAM - Q1 DDR3/DDR4价格下跌3-8%/10-15%，Q2转为持平/上涨0-5% [2] - 4G/5G基站扩建推动需求回暖，原厂2024H2已收缩DDR3/4产出 [7] 供给端动态 - 原厂加速DDR4转DDR5产能但初期存在瓶颈，英伟达B200/B300系列加剧HBM产能调配压力 [5] - GDDR7生产启动但供货不稳，三大原厂通过搭售策略平衡供需 [6]